CN106206990B - Oled器件及制作方法、蒸镀基板制作方法 - Google Patents

Oled器件及制作方法、蒸镀基板制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种OLED器件及制作方法、蒸镀基板制作方法。其中，OLED器件包括形成有阳极层的基板、形成于所述阳极层上且间隔排列的绝缘层，其特征在于，所述绝缘层内设有磁性粒子；所述绝缘层及外露的所述阳极层表面用于蒸镀有机层及阴极。由于绝缘层内设有磁性粒子，因此在绝缘层上蒸镀有机层的过程中，磁性粒子会对高精度金属掩模板产生吸引力，将会使基板具有与高精度金属掩模板进行自对位的效果，从而减小了由于高精度金属掩模板偏移而导致发生混色的概率，提高了产品的良率。

Description

OLED器件及制作方法、蒸镀基板制作方法
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域，特别是涉及一种OLED器件及制作方法、蒸镀基板制作方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术具有自发光的特性，采用非常薄的有机层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。其具有屏幕可视角度大、节省电能等优点，广泛应用于手机、数码摄像机、DVD机、个人数字等领域中。
在全彩OLED器件中，通常采用FMM(Fine Metal Mask，高精度金属掩模板)蒸镀技术蒸镀有机层。然而该技术对蒸镀装置的对位精度要求很高，通常情况下对位精度需小于3μm，从而容易因高精度金属掩模板偏移而使全彩OLED器件发生混色。
发明内容
基于此，有必要针对传统FMM蒸镀技术容易因高精度金属掩模板偏移而造成全彩OLED器件发生混色的问题，提供一种OLED器件及制作方法、蒸镀基板制作方法。
一种OLED器件，包括形成有阳极层的基板、形成于所述阳极层上且间隔排列的绝缘层，所述绝缘层内设有磁性粒子；所述绝缘层及外露的所述阳极层表面用于蒸镀有机层及阴极。
在其中一个实施例中，所述绝缘层包括形成于所述阳极层上的绝缘缓冲层及形成于所述绝缘缓冲层上的隔离柱；若干所述隔离柱内设有所述磁性粒子。
在其中一个实施例中，在所述若干隔离柱中各所述隔离柱内磁性粒子的数量及位置排列方式相同。
在其中一个实施例中，所有的所述隔离柱内均设有所述磁性粒子。
一种OLED器件制作方法，包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子；
在所述绝缘层及外露的所述阳极层表面蒸镀有机层；
在所述有机层上形成阴极层。
在其中一个实施例中，在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子的步骤包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘缓冲层；
在所述绝缘缓冲层上涂布隔离柱，并在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子。
在其中一个实施例中，在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子的步骤为：在若干所述隔离柱中各所述隔离柱内以相同的数量及位置排列方式加入所述磁性粒子。
一种OLED器件蒸镀基板制作方法，包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子。
在其中一个实施例中，在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子的步骤包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘缓冲层；
在所述绝缘缓冲层上涂布隔离柱，并在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子。
在其中一个实施例中，在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子的步骤为：在若干所述隔离柱中各所述隔离柱内以相同的数量及位置排列方式加入所述磁性粒子。
上述OLED器件及制作方法、蒸镀基板制作方法具有的有益效果为：由于绝缘层内设有磁性粒子，因此在绝缘层上蒸镀有机层的过程中，磁性粒子会对高精度金属掩模板产生吸引力，将会使基板具有与高精度金属掩模板进行自对位的效果，从而减小了由于高精度金属掩模板偏移而导致发生混色的概率，提高了产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
图1为一实施例提供的OLED器件的侧面结构示意图；
图2为图1所示实施例的OLED器件形成像素后的正面示意图；
图3为图1所示实施例的OLED器件进行蒸镀时的侧面结构示意图；
图4为基于图1所示实施例的OLED器件的OLED器件制作方法的流程图；
图5为图4所示实施例的OLED器件制作方法中步骤S110的其中一种具体执行流程图；
图6为基于图1所示实施例的OLED器件的OLED器件蒸镀基板制作方法的流程图；
图7为图6所示实施例的OLED器件蒸镀基板制作方法的其中一种具体执行流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
一实施例提供了一种OLED器件，如图1所示。该OLED器件包括形成有阳极层的基板110、形成于阳极层上且间隔排列的绝缘层120。其中，基板110包括玻璃基板及阳极层，且阳极层覆盖于玻璃基板上。绝缘层120用于防止同一像素各层之间出现短路及相邻像素之间出现短路的情况。绝缘层120之间的间隔，即外露阳极层的区域，为待形成像素区域。
请同时参考图1、图2、图3，绝缘层120内设有磁性粒子130。磁性粒子130由具有磁性并能够吸引铁、钴、镍等物质的材料构成。同时绝缘层120及外露的阳极层表面111用于蒸镀有机层及阴极，从而形成相应的像素140。
如图3所示，上述OLED器件在蒸镀有机层的过程中，高精度金属掩模板200与绝缘层120正对放置。这时，绝缘层120之间的间隔正对高精度金属掩模板200的开口220，从而便于将有机层蒸镀于相对的间隔内，以构成相应的像素。绝缘层120则正对高精度金属掩模板200的桥210，那么在磁性粒子130的磁力作用下则会吸引高精度金属掩模板200，使基板110具有与高精度金属掩模板200进行自对位的效果，从而减小了由于高精度金属掩模板200偏移而导致发生混色的概率，提高了产品的良率。另外，蒸镀时由于在磁性粒子130的吸附作用下，减小了基板110与高精度金属掩模板200之间的距离，因此还能降低因蒸镀路径上存在障碍物而导致阴影效应发生的概率。
具体的，绝缘层120包括形成于阳极层上的绝缘缓冲层121及形成于绝缘缓冲层121上的隔离柱122。其中，绝缘缓冲层121用于防止同一像素各层之间出现短路的情况。隔离柱122用于防止相邻像素之间出现短路的情况。
同时，若干隔离柱122内设有磁性粒子130。由于隔离柱122设置于绝缘缓冲层121表面上，故在蒸镀时隔离柱122更接近高精度金属掩模板200。因此，将磁性粒子设于隔离柱122内，即相当于将磁性粒子130设于绝缘层120靠近表面的位置，增强了对高精度金属掩模板200的吸附作用。
可以理解的是，绝缘层120的结构不限于上述一种情况，只要能够防止同一像素各层之间出现短路及相邻像素之间出现短路的情况，且将磁性粒子130设于绝缘层120靠近表面的位置即可。
具体的，在上述若干隔离柱122中，即设有磁性粒子130的所有隔离柱122中，各隔离柱122内磁性粒子130的数量及位置排列方式相同，从而使各隔离柱122由内部的磁性粒子130综合产生的磁力作用相同。
因此在蒸镀时，由于各隔离柱122由内部的磁性粒子130而产生的吸附力相同，使高精度金属掩模板200相应的各位置受到的磁力相同，从而进一步提高自对位的稳定性及精度。
可以理解的是，隔离柱122内磁性粒子130的设置方式不限于上述一种情况，只要使各隔离柱122基于内部的磁性粒子130而对高精度金属掩模板200产生的吸附力相同即可。
具体的，所有的隔离柱122内均设有磁性粒子130。那么在蒸镀时任一待形成像素区域两端的隔离柱122均能基于内部的磁性粒子130而对高精度金属掩模板200产生吸附力，从而能够进一步严格限制高精度金属掩模板200中的各开口220位于正对相应待形成像素区域的位置，进而提高对位的精度。
可以理解的是，设有磁性粒子130的隔离柱122的数量不限于上述一种情况，只要能够限制高精度金属掩模板200中的各开口220位于正对相应待形成像素区域的位置即可。
如图4所示，基于上述的OLED器件，在该实施例中还提供了一种OLED器件制作方法。具体原理如下。
步骤S110、在形成有阳极层的基板110上间隔涂布绝缘层120，并在绝缘层120内加入磁性粒子130，如图1、图2所示。
其中，基板110包括玻璃基板及阳极层，且阳极层覆盖于玻璃基板上。绝缘层120用于防止同一像素各层之间出现短路及相邻像素之间出现短路的情况。绝缘层120之间的间隔，即外露阳极层的区域，为待形成像素区域。磁性粒子130由具有磁性并能够吸引铁、钴、镍等物质的材料构成。
步骤S120、在绝缘层120及外露的阳极层表面蒸镀有机层。
步骤S130、在有机层上形成阴极层。
上述OLED器件制作方法在蒸镀有机层的过程中，高精度金属掩模板200与绝缘层120正对放置。这时，绝缘层120之间的间隔正对高精度金属掩模板200的开口220，从而便于将有机层蒸镀于相对的间隔内，以构成相应的像素。绝缘层120则正对高精度金属掩模板200的桥210，那么在磁性粒子130的磁力作用下则会吸引高精度金属掩模板200，使基板110具有与高精度金属掩模板200进行自对位的效果，从而减小了由于高精度金属掩模板200偏移而导致发生混色的概率，提高了产品的良率。另外，蒸镀时由于在磁性粒子130的吸附作用下，减小了基板110与高精度金属掩模板200之间的距离，因此还能降低因蒸镀路径上存在障碍物而导致阴影效应发生的概率。
在其中一种具体实施方式中，步骤S110还包括以下步骤，如图5所示。
步骤S111、在形成有阳极层的基板110上间隔涂布绝缘缓冲层121。
其中，绝缘缓冲层121用于防止同一像素各层之间出现短路的情况。
步骤S112、在绝缘缓冲层121上涂布隔离柱122，并在若干隔离柱122内加入磁性粒子130。
其中，隔离柱122用于防止相邻像素之间出现短路的情况。同时，若干隔离柱122内设有磁性粒子130。由于隔离柱122设置于绝缘缓冲层121表面上，故在蒸镀时隔离柱122更接近高精度金属掩模板200。因此，将磁性粒子设于隔离柱122内，即相当于将磁性粒子130设于绝缘层120靠近表面的位置，增强了对高精度金属掩模板200的吸附作用。
可以理解的是，绝缘层120的具体制作方法不限于上述一种情况，只要能够防止同一像素各层之间出现短路及相邻像素之间出现短路的情况，且将磁性粒子130设于绝缘层120靠近表面的位置即可。
具体的，在步骤S112中，在若干隔离柱122内加入磁性粒子130的步骤为：在上述若干隔离柱122中，即设有磁性粒子130的所有隔离柱122中，各隔离柱122内以相同的数量和位置排列方式加入磁性粒子130，从而使各隔离柱122由内部的磁性粒子130综合产生的磁力作用相同。
因此在蒸镀时，由于各隔离柱122由内部的磁性粒子130而产生的吸附力相同，使高精度金属掩模板200相应的各位置受到的磁力相同，从而进一步提高自对位的稳定性及精度。
可以理解的是，隔离柱122内磁性粒子130的设置方式不限于上述一种情况，只要使各隔离柱122基于内部的磁性粒子130而对高精度金属掩模板200产生的吸附力相同即可。
另外，步骤S112的另外一种具体实现方式为：将所有的隔离柱122内设有磁性粒子130。那么在蒸镀时任一待形成像素区域两端的隔离柱122均能基于内部的磁性粒子130而对高精度金属掩模板200产生吸附力，从而能够进一步严格限制高精度金属掩模板200中的各开口220位于正对相应待形成像素区域的位置，进而提高对位的精度。
可以理解的是，设有磁性粒子130的隔离柱122数量不限于上述一种情况，只要能够限制高精度金属掩模板200中的各开口220位于正对相应待形成像素区域的位置即可。
另外，基于上述的OLED器件，还提供了一种OLED器件蒸镀基板制作方法，如图6所示。
步骤S210、在形成有阳极层的基板110上间隔涂布绝缘层120，并在绝缘层120内加入磁性粒子130。
另外，步骤S210的其中一种具体实施方式包括以下内容，如图7所示。
步骤S211、在形成有阳极层的基板110上间隔涂布绝缘缓冲层121。
步骤S212、在绝缘缓冲层121上涂布隔离柱122，并在若干隔离柱122内加入磁性粒子130。具体的，在所有加入磁性粒子130的隔离柱122中，各隔离柱122内以相同的数量及位置排列方式加入磁性粒子130。
需要说明的是，OLED器件蒸镀基板制作方法与上述OLED器件制作方法中步骤S110的原理相同，这里就不再赘述。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种OLED器件，采用高精度金属掩模板蒸镀有机层；所述OLED器件包括形成有阳极层的基板、形成于所述阳极层上且间隔排列的绝缘层，其特征在于，所述绝缘层内设有磁性粒子；所述绝缘层及外露的所述阳极层表面用于蒸镀有机层及阴极。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述绝缘层包括形成于所述阳极层上的绝缘缓冲层及形成于所述绝缘缓冲层上的隔离柱；若干所述隔离柱内设有所述磁性粒子。
3.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，在所述若干隔离柱中各所述隔离柱内磁性粒子的数量及位置排列方式相同。
4.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所有的所述隔离柱内均设有所述磁性粒子。
5.一种OLED器件制作方法，包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子；
在所述绝缘层及外露的所述阳极层表面采用高精度金属掩模板蒸镀有机层；
在所述有机层上形成阴极层。
6.根据权利要求5所述的OLED器件制作方法，其特征在于，在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子的步骤包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘缓冲层；
在所述绝缘缓冲层上涂布隔离柱，并在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子。
7.根据权利要求6所述的OLED器件制作方法，其特征在于，在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子的步骤为：在若干所述隔离柱中各所述隔离柱内以相同的数量及位置排列方式加入所述磁性粒子。
8.一种OLED器件蒸镀基板制作方法，包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子；其中，所述绝缘层及外露的所述阳极层表面用于通过高精度金属掩模板蒸镀有机层。
9.根据权利要求8所述的OLED器件蒸镀基板制作方法，其特征在于，在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘层，并在所述绝缘层内加入磁性粒子的步骤包括：
在形成有阳极层的基板上间隔涂布绝缘缓冲层；
在所述绝缘缓冲层上涂布隔离柱，并在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子。
10.根据权利要求9所述的OLED器件蒸镀基板制作方法，其特征在于，在若干所述隔离柱内加入所述磁性粒子的步骤为：在若干所述隔离柱中各所述隔离柱内以相同的数量及位置排列方式加入所述磁性粒子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507915B (zh) * 2017-08-09 2019-09-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种制造有机发光显示面板的基板及蒸镀装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105612271A (zh) * 2013-10-11 2016-05-25 株式会社V技术 成膜掩膜及其制造方法
CN105679799A (zh) * 2016-01-25 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种大尺寸amoled显示基板及其制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4734508B2 (ja) * 2004-06-21 2011-07-27 京セラ株式会社 Ｅｌディスプレイおよびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105612271A (zh) * 2013-10-11 2016-05-25 株式会社V技术 成膜掩膜及其制造方法
CN105679799A (zh) * 2016-01-25 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 一种大尺寸amoled显示基板及其制作方法

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