CN106206934A - 一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组,属于磁感应探测技术领域。磁阻芯片放置在磁体的NS极连线方向上,磁阻芯片紧贴于N极表面,磁体与封装本体内部固定连接,磁阻芯片信号引出点与信号引出装置一端联接,该信号引出装置另一端与焊盘连接接,该焊盘与封装本体上下表面及一侧的边缘连接,每个焊盘中间有孔,覆盖片覆盖在封装本体上,密封材料填充封装本体和覆盖片形成的矩形外形的空隙内。优点是结构新颖,具有集成度高,体积小,安装方便,焊接方式灵活,抗污染能力强,信号输出稳定等优点。
Description
技术领域
本发明属于磁感应探测技术领域。
背景技术
磁感应探测主要利用磁阻效应原理,其定义为:物质在磁场中电阻率发生变化的现象叫做磁阻效应。由于磁阻效应只受外部磁场影响,磁阻变化导致输出电压发生变化,相较于压敏电阻等接触性测量元器件,磁敏感传感器无需接触就可对被测物检测。具有敏感度高、无损伤检测、对油污环境不敏感,应用这一技术所制造的产品广泛应用于工业生产中。尤其在现代汽车中,如速度检测,角度检测,位置检测,电流检测等
根据磁阻效应产生的原理不同,可分为各项异性磁阻效应(Anisotropic MagnetoResistance,AMR)、巨磁阻效应(Giant Magneto Resistance,GMR)、穿遂磁阻效应(TunnelMagneto Resistance,TMR)
AMR传感器芯片由磁性材料的各向异性磁电阻(AMR)制成,它的灵敏度高、功耗低、体积小、可靠性高、温度特性好、工作频率高、耐恶劣环境能力强,以及易与数字电路匹配的特性,使其广泛应用于现代工业中。
GMR 传感器和 AMR 传感器一样,他们都属于磁敏电阻传感器芯片,但其原理不同(磁敏电阻的变化方式)。与 AMR 相比,GMR 传感器芯片有较大的磁阻变化率,较高的灵敏度,较好的线性度等方面的优点。经过多年的发展,GMR 传感器芯片在其线性度方面,迟滞等方面的性能有了很大的提高。现在,已经生产出具有高灵敏度,线性度较好的磁场传感器芯片,可以较好的感应磁场的变化。
TMR(Tunnel MagnetoResistance)是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器芯片,其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应,比之前所发现并实际应用的AMR芯片和GMR芯片具有更大的电阻变化率。相对于GMR芯片具有更好的温度稳定性,更高的灵敏度,更宽的线性范围。
目前市场中的磁阻芯片通常采用在芯片背面放置磁体的方式布局(由于AMR的物理特性,其产品不适合背磁放置),信号引出点在芯片两侧。由于这种布局方式需要在芯片两侧连接焊盘,磁阻芯片只能摆放在磁体正中间,无法靠近磁体边缘放置,导致传感器只能正对齿轮摆放,传感器体积大,占用空间多,不利于后续产品开发。而且磁阻芯片与磁体中间需要线路板与外部设备传输信号,芯片接收到的磁场被弱化(磁场大小随距离增大呈幂指数减小),在应用中不适合应用于精密仪器设备。
发明内容
本发明提供一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组及其封装方法,以解决目前存在的传感器体积大,占用空间多,不利于后续产品开发的问题。
本发明采取的技术方案是:磁阻芯片放置在磁体的N、S极连线方向上,磁阻芯片紧贴于N极表面,磁体与封装本体内部固定连接,磁阻芯片信号引出点与信号引出装置一端联接,该信号引出装置另一端与焊盘连接接,该焊盘与封装本体上下表面及一侧的边缘连接,每个焊盘中间有孔,覆盖片覆盖在封装本体上,密封材料填充封装本体和覆盖片形成的矩形外形的空隙内。
本发明所述封装本体外部在焊盘一侧有倒角。
本发明所述磁体与封装本体的前端有间隙。
本发明所述磁阻芯片采取TMR磁阻芯片。
本发明封装方法,包括下列步骤:
先将磁阻芯片紧贴于磁体表面,再使用信号引出装置连接封装本体的焊盘与磁阻芯片的一侧,之后将覆盖片贴于信号引出装置上,最后使用密封材料填充封装本体和覆盖片形成的矩形外形的空隙内。
本发明的优点是结构新颖,在封装本体内部放置磁体,磁体表面贴有磁阻芯片,并保持芯片与封装本体的相对位置,焊盘在上下表面的同侧边缘并贯穿,方便封装的垂直或水平焊接,封装本体内部的空间用密封材料填充,具有集成度高,体积小,安装方便,焊接方式灵活,抗污染能力强,信号输出稳定等优点。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明去掉密封材料的结构示意图;
图3是本发明封装背面的结构示意图
图4是本发明的结构剖视图;
图5是本发明封装本体3的结构剖视图。
具体实施方式
磁阻芯片1放置在磁体2的N、S极连线方向上,磁阻芯片1紧贴于N极表面,磁体2与封装本体3内部固定连接,磁阻芯片信号引出点与信号引出装置4一端联接,该信号引出装置4另一端与焊盘5连接接,该焊盘5与封装本体上下表面及一侧的边缘连接,每个焊盘中间有孔,覆盖片6覆盖在封装本体3上,密封材料7填充封装本体和覆盖片形成的矩形外形的空隙内。
本发明所述封装本体外部在焊盘一侧有倒角301。
本发明所述磁体与封装本体的前端有间隙,密封材料填充后用于保护磁体和磁阻芯片,不受外力破坏。
磁阻芯片1采取TMR磁阻芯片。
本发明封装方法,包括下列步骤:
先将磁阻芯片1紧贴于磁体2表面,再使用信号引出装置4连接封装本体的焊盘5与磁阻芯片的一侧,之后将覆盖片6贴于信号引出装置4上,最后使用密封材料7填充封装本体和覆盖片形成的矩形外形的空隙内。
Claims (5)
1.一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组,其特征在于:磁阻芯片放置在磁体的N、S极连线方向上,磁阻芯片紧贴于N极表面,磁体与封装本体内部固定连接,磁阻芯片信号引出点与信号引出装置一端联接,该信号引出装置另一端与焊盘连接接,该焊盘与封装本体上下表面及一侧的边缘连接,每个焊盘中间有孔,覆盖片覆盖在封装本体上,密封材料填充封装本体和覆盖片形成的矩形外形的空隙内。
2.根据权利要求1所述的一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组,其特征在于:所述封装本体外部在焊盘一侧有倒角。
3.根据权利要求1所述的一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组,其特征在于:所述磁体与封装本体的前端有间隙。
4.根据权利要求1所述的一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组,其特征在于:所述磁阻芯片采取TMR磁阻芯片。
5.如权利要求1所述的一种基于磁阻芯片的齿轮式传感器模组封装方法,其特征在于,包括下列步骤:
先将磁阻芯片紧贴于磁体表面,再使用信号引出装置连接封装本体的焊盘与磁阻芯片的一侧,之后将覆盖片贴于信号引出装置上,最后使用密封材料填充封装本体和覆盖片形成的矩形外形的空隙内。
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