CN106186714A - 一种抑制tft液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液 - Google Patents

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郑建军
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Abstract

本发明提供了一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液基于化学手段抑制减薄处理过程中凹点的形成，与研磨抛光法相比，操作时间较短、工作量较小且有效避免了因研磨抛光而产生的品质不良问题。在此技术思路下，本发明通过实验手段设计了全新的蚀刻液配方，在降低氟化物用量的基础上添加了重铬酸钾、高锰酸钾等强氧化剂，使得该蚀刻液的蚀刻速度相对缓慢，既满足了预处理的蚀刻要求又避免了蚀刻速度过快影响基材表层结构的问题。在此基础上，本发明通过螯合剂促进了多种溶质成分在混合体系中的溶解性，为多种溶质成分协同作用奠定了基础。

Description

一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液
技术领域
本发明涉及液晶显示屏技术领域，具体涉及一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液。
背景技术
TFT液晶显示屏朝着轻薄化方向不断发展，但是由于TFT液晶显示屏原始基材的问题，通过化学方法进行减薄处理后会形成若干凹点，大大降低了产品的合格率。虽然通过研磨抛光的方法可以去除部分凹点，但是抛光过程可能导致TFT产品产生Zara和按压不良的问题。因此，亟需一种基于化学手段的凹点抑制方法，在保证产品性能的基础上降低TFT液晶显示屏基板减薄过程中凹点的发生率。现有技术中有研究者进行过诸多尝试，但目前仍未取得理想的效果。
发明内容
本发明提供了一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，以解决现有技术中TFT液晶显示屏减薄过程中易产生凹点影响显示屏质量的技术问题。
本发明要解决的另一技术问题是现有技术中用于缓解凹点的技术手段易影响屏幕按压性能。
本发明要解决的再一技术问题是现有技术中用于缓解凹点的化学方法效果不佳。
为实现以上技术目的，本发明采用以下技术方案：
一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液包括以下质量百分比的成分：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，水30％。
作为优选，该蚀刻液还包括1％(w/w)的四氢呋喃。
作为优选，该蚀刻液还包括3％(w/w)的乙酸乙酯。
作为优选，该蚀刻液还包括2％(w/w)的氯化钴。
作为优选，该蚀刻液还包括1％(w/w)的硝酸。
作为优选，该蚀刻液由以下质量百分比的成分组成：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，四氢呋喃1％，乙酸乙酯3％，氯化钴2％，硝酸1％，水30％。
本发明提供了一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液基于化学手段抑制减薄处理过程中凹点的形成，与研磨抛光法相比，操作时间较短、工作量较小且有效避免了因研磨抛光而产生的品质不良问题。在此技术思路下，本发明通过实验手段设计了全新的蚀刻液配方，在降低氟化物用量的基础上添加了重铬酸钾、高锰酸钾等强氧化剂，使得该蚀刻液的蚀刻速度相对缓慢，既满足了预处理的蚀刻要求又避免了蚀刻速度过快影响基材表层结构的问题。在此基础上，本发明通过螯合剂促进了多种溶质成分在混合体系中的溶解性，为多种溶质成分协同作用奠定了基础。
在优选技术方案中，本发明意外的尽管乙酸乙酯、氯化钴等成分在现有技术的认识中不具有明确的蚀刻效果，但在本发明主要技术方案的基础上进一步添加四氢呋喃、乙酸乙酯、氯化钴等成分有助于促进凹点抑制效果。本发明蚀刻液用于在TFT液晶显示屏基板进行酸蚀减薄前进行蚀刻预处理，该蚀刻液对凹点抑制效果突出，显著提升了产品合格率，同时成本较低、易于制备，因此具有良好的规模化应用前景。
具体实施方式
以下将对本发明的具体实施方式进行详细描述。为了避免过多不必要的细节，在以下实施例中对属于公知的结构或功能将不进行详细描述。
以下实施例中所使用的近似性语言可用于定量表述，表明在不改变基本功能的情况下可允许数量有一定的变动。除有定义外，以下实施例中所用的技术和科学术语具有与本发明所属领域技术人员普遍理解的相同含义。
实施例1
一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液由以下质量百分比的成分组成：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，四氢呋喃1％，乙酸乙酯3％，氯化钴2％，硝酸1％，水30％。
该蚀刻液外观为无色或淡黄色透明液体，PH<3(25摄氏度)，粘度：10～13pa.s(25摄氏度)
该蚀刻液是一款应用于TFT玻璃减薄前的表面微处理的产品，由于预处理液具有比普通酸液更强的粘稠性及表面张力，以此填补玻璃表面微裂缝，大大降低了氟离子与微裂缝位置的接触概率，进而起到表面修复的作用，能有效抑制玻璃表面凹点、划伤在后蚀刻中放大，大幅度降低抛光率及抛光时间。不仅节约了成本而且提高了生产效率和产品合格率，为企业带了更大的效益。
实施例2
一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液由以下质量百分比的成分组成：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，水30％，乙酸乙酯3％，草酸铵4％。
实施例3
一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液由以下质量百分比的成分组成：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，水30％，四氢呋喃1％，硝酸1％，氯化镁5％。
实施例4
一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液由以下质量百分比的成分组成：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，水30％，氯化钴2％，氯化钠5％。
实施例5
一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，该蚀刻液由以下质量百分比的成分组成：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，水30％，酒精7％。
以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明。凡在本发明的申请范围内所做的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，其特征在于包括以下质量百分比的成分：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，水30％。
2.根据权利要求1所述的抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，其特征在于还包括1％(w/w)的四氢呋喃。
3.根据权利要求1所述的抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，其特征在于还包括3％(w/w)的乙酸乙酯。
4.根据权利要求1所述的抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，其特征在于还包括2％(w/w)的氯化钴。
5.根据权利要求1所述的抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，其特征在于还包括1％(w/w)的硝酸。
6.根据权利要求1所述的抑制TFT液晶显示屏减薄后凹点的蚀刻液，其特征在于该蚀刻液由以下质量百分比的成分组成：氢氟酸10％，氟化氢铵8％，硫酸铵8％，甘油6％，醋氟化氨5％，硼酸6％，高氯酸钠5％，乙二胺四乙酸二钠2％，钼酸钾3％，菊酯2％，高锰酸钾4％，重铬酸钾2％，氯仿2％，四氢呋喃1％，乙酸乙酯3％，氯化钴2％，硝酸1％，水30％。
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