CN106098545A - 一种显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
一种显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106098545A CN106098545A CN201610664632.7A CN201610664632A CN106098545A CN 106098545 A CN106098545 A CN 106098545A CN 201610664632 A CN201610664632 A CN 201610664632A CN 106098545 A CN106098545 A CN 106098545A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- base plate
- display base
- manufacture method
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- -1 quasiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/0023—Digital printing methods characterised by the inks used
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/0041—Digital printing on surfaces other than ordinary paper
- B41M5/0047—Digital printing on surfaces other than ordinary paper by ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置。所述制作方法利用喷嘴喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构，由于喷墨打印工艺的定位精确，且喷墨的位置可任意调整，材料利用率高，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)成膜工艺的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料的成膜，沉积过程主要是荷能离子(例如氩离子)轰击靶材表面，引起靶材表面的各种粒子从靶材表面逃逸出，沉积到基板表面，形成膜层。然而，磁控溅射采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，靶材表面消耗均一性较差，需要定期对靶材进行更换，造成严重的浪费，从而导致生产成本的增加。通过磁控溅射工艺成膜后，还需对膜层进行光刻工艺，形成所需的膜层图形，制作过程复杂，而且磁控溅射设备昂贵。由于透明导电材料价格较高，当通过磁控溅射工艺形成透明导电膜层时，上述缺陷更加明显。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中透明导电结构的制作过程复杂、生产成本高的问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种显示基板的制作方法，包括：
利用喷嘴在基底上喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构。
本发明实施例中还提供一种显示基板，采用如上所述的方法制得。
本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述技术方案中，通过喷墨打印工艺形成显示基板的透明导电结构，由于喷墨打印工艺的定位精确，且喷墨的位置可任意调整，材料利用率高，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中显示基板的制作方法流程图；
图2表示本发明实施例中显示基板的结构示意图；
图3-图5表示本发明实施例中显示基板的制作过程示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例一
如图1所示，本实施例中提供一种显示基板的制作方法，包括：
S1:利用喷嘴在基底上喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构。
基于透明导电材料的价格较高，上述制作方法通过喷墨打印工艺形成透明导电结构，由于喷墨打印工艺的定位精确，且喷墨的位置可任意调整，材料利用率高，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
所述透明导电材料可以选择HIZO、ZnO、TiO2、CdSnO、MgZnO、IGO、IZO、ITO、IGZO中的一种。
一般适用于喷墨打印设备的材料为液态或热塑性材料。为了能够利用喷墨打印工艺形成透明导电结构，本实施例中的透明导电材料为将透明导电纳米颗粒溶解在溶剂中制备的溶液，提供液态的透明导电材料，以适用于喷墨打印设备。其中，所述透明导电纳米颗粒的直径小于50nm，优选为10～20nm，有利于透明导电材料的成膜，提高成膜均匀性。至于所述透明导电材料的其他参数，包括浓度、粘度等，可以根据喷墨打印设备进行相应设定，以满足工艺要求。
本发明的技术方案适用于液晶显示器件、OLED显示器件等各种类型的显示器件。
下面以液晶显示器件为例，具体介绍本发明的技术方案。
对于液晶显示器件，所述显示基板可以为阵列基板，包括多个像素区域，参见图2所示，形成透明导电结构的步骤包括：
在每一像素区域形成公共电极1和像素电极2，其中，公共电极1和像素电极2的宽度较大，更有利于通过喷墨打印工艺制备，满足精度要求。
当然，公共电极也可以形成在液晶显示器件的彩膜基板上，同样，也可以通过本发明的技术方案在彩膜基板上形成公共电极，即，所述显示基板也可以为彩膜基板。
对于阵列基板，参见图2-图5所示，所述制作方法还包括：
参见图3所示，在基底100上形成多条栅线和多条数据线(图中未示出)，限定出多个所述像素区域，基底100为透明基底，例如：玻璃基底、石英基底；
在每一像素区域形成薄膜晶体管3，在每一像素区域形成薄膜晶体管的步骤包括：
在基底100上形成栅电极4，与所述栅线电性连接。具体的，栅电极4可以与所述栅线一体成型，其中，栅电极4的材料可以选择Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等；
形成覆盖栅电极4的栅绝缘层101，栅绝缘层101的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体的，栅绝缘层101的材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x；
在栅绝缘层101上形成有源层5，有源层5可以由硅半导体或金属氧化物半导体制得；
形成源电极6和漏电极7，源电极6和漏电极7搭接在有源层5上，源电极6与所述数据线电性连接，像素电极2搭接在漏电极7上，参见图4所示。源电极6和漏电极7的材料可以选择Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等；
形成覆盖薄膜晶体管3和像素电极2的钝化层102，公共电极1为狭缝电极，设置在钝化层102上，结合图2和图5所示。钝化层102的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体的，钝化层102的材料可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x。
上述制作方法中的金属导电结构，包括栅电极4、栅线、源电极6、漏电极7和数据线，以及阵列基板的其他金属导电结构，可以通过磁控溅射、气相化学沉积等成膜工艺形成金属膜层，然后通过光刻工艺(包括光刻胶的涂覆、曝光和显影、刻蚀、剥离光刻胶等)形成。
通过上述制作方法制得的阵列基板为底栅型薄膜晶体管阵列基板。当然，底栅型薄膜晶体管阵列基板的结构并不局限于图2中示意的一种，例如：源电极6和漏电极7与有源层5之间，以及源电极6和漏电极7与像素电极2之间还可以形成绝缘层，并通过绝缘层中的过孔实现电性连接，阵列基板还可以不包括公共电极1。即，可以根据需要对薄膜晶体管的结构及对应的制作工艺进行适应性调整，其都属于本发明的保护范围。
需要说明的是，本发明的技术方案不仅适用于底栅型薄膜晶体管阵列基板，还适用于顶栅型薄膜晶体管阵列基板、共面型薄膜晶体管阵列基板或采用其他半导体驱动元件的阵列基板。除了公共电极和像素电极，对于其它透明导电结构，例如：桥接线、跳线，也可以通过本发明的技术方案制备。
当本发明的技术方案应用在OLED显示器件上时，所述显示基板为OLED显示基板，则OLED的顶电极或底电极可以为透明导电结构，并采用本发明的技术方案制备。具体的，对于顶发射OLED，所述顶电极为透明导电电极。对于底发射OLED，所述底电极为透明导电电极。
实施例二
本实施例中提供一种显示基板，采用实施例一中的方法制得，显示基板的透明导电结构通过喷墨打印工艺形成，材料利用率高，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
其中，所述透明导电结构可以由透明导电纳米颗粒制得。具体为，将透明导电纳米颗粒溶解在溶剂中制备溶液，从而能够利用喷墨打印设备喷墨打印所述溶液，形成所述透明导电结构。
本发明的技术方案适用于液晶显示器件、OLED显示器件等各种类型的显示器件。
以液晶显示器件为例，所述显示基板可以为阵列基板，包括多个像素区域，参见图2所示，所述透明导电结构包括位于每一像素区域的公共电极1和像素电极2。
当然，公共电极也可以形成在液晶显示器件的彩膜基板上，同样，也可以通过本发明的技术方案在彩膜基板上形成公共电极，即，所述显示基板也可以为彩膜基板。
以底栅型薄膜晶体管阵列基板为例，参见图2所示，本实施例中的显示基板具体还包括：
设置在基底100上的多条栅线和多条数据线(图中未示出)，限定出多个所述像素区域；
位于每一像素区域的薄膜晶体管3，薄膜晶体管3包括：
栅电极4，与所述栅线电性连接；
覆盖栅电极4的栅绝缘层101；
设置在栅绝缘层101上的有源层5；
搭接在有源层5上的源电极6和漏电极7，源电极6与所述数据线电性连接，像素电极2搭接在漏电极7上；
覆盖薄膜晶体管3和像素电极2的钝化层102，公共电极1设置在钝化层102上。
当然，底栅型薄膜晶体管阵列基板的结构并不局限于图2中示意的一种，可以根据需要对薄膜晶体管的结构进行适应性调整，其都属于本发明的保护范围。
需要说明的是，本发明的技术方案不仅适用于底栅型薄膜晶体管阵列基板，还适用于其他类型的阵列基板。除了公共电极和像素电极，对于其它透明导电结构，例如：桥接线、跳线，也可以通过本发明的技术方案制备。
本实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板，用以提高产品的生产效率，降低成本。
所述显示装置为：液晶显示面板、OLED显示面板、液晶显示器件、OLED显示器件、电子纸、手机、平板电脑、电视机笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
利用喷嘴在基底上喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电材料为将透明导电纳米颗粒溶解在溶剂中制备的溶液。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电纳米颗粒的直径小于50nm。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电纳米颗粒的直径为10～20nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述显示基板为阵列基板，包括多个像素区域，形成透明导电结构的步骤包括：
在每一像素区域形成公共电极和像素电极。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述基底上形成多条栅线和多条数据线，限定出多个所述像素区域；
在每一像素区域形成薄膜晶体管，在每一像素区域形成薄膜晶体管的步骤包括：
在所述基底上形成栅电极，与所述栅线电性连接；
形成覆盖所述栅电极的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成有源层；
形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极搭接在所述有源层上，所述源电极与所述数据线电性连接，所述像素电极搭接在所述漏电极上；
所述制作方法还包括：
形成覆盖所述薄膜晶体管和像素电极的钝化层，所述公共电极设置在所述钝化层上。
7.一种显示基板，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的方法制得。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述透明导电结构由透明导电纳米颗粒制得。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为阵列基板，包括多个像素区域，所述透明导电结构包括位于每一像素区域的公共电极和像素电极。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
设置在基底上的多条栅线和多条数据线，限定出多个所述像素区域；
位于每一像素区域的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极，与所述栅线电性连接；
覆盖栅电极的栅绝缘层；
设置在栅绝缘层上的有源层；
搭接在所述有源层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述数据线电性连接，所述像素电极搭接在所述漏电极上；
所述显示基板还包括：
覆盖所述薄膜晶体管和像素电极的钝化层，所述公共电极设置在所述钝化层上。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-10任一项所述的显示基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610664632.7A CN106098545A (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610664632.7A CN106098545A (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106098545A true CN106098545A (zh) | 2016-11-09 |
Family
ID=57455585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610664632.7A Pending CN106098545A (zh) | 2016-08-12 | 2016-08-12 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106098545A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1400106A (zh) * | 2001-08-03 | 2003-03-05 | 中国科学院金属研究所 | 喷墨打印制备金属薄膜的方法 |
| US20060213870A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Waldrop Robert P | Ink jet printing of etchants and modifiers |
| CN101894501A (zh) * | 2010-01-26 | 2010-11-24 | 上海科炎光电技术有限公司 | 一种柔性矩阵无机电致发光平板显示器 |
| CN101993032A (zh) * | 2009-08-14 | 2011-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微结构薄膜图形和tft-lcd阵列基板制造方法 |
| CN102732095A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-17 | 单联臣 | 一种纳米墨水及其制备与应用 |
| CN103228712A (zh) * | 2010-08-05 | 2013-07-31 | 纽卡斯尔创新有限公司 | 制备基于导电性纳米颗粒的装置和膜的方法 |
| CN103956407A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-30 | 中国科学院物理研究所 | 制备钙钛矿基薄膜太阳电池的方法及喷墨打印机 |
| CN104300083A (zh) * | 2014-09-29 | 2015-01-21 | 中国科学院广州能源研究所 | 一种制备有机-无机钙钛矿结构杂合物薄膜太阳电池的方法 |
-
2016
- 2016-08-12 CN CN201610664632.7A patent/CN106098545A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1400106A (zh) * | 2001-08-03 | 2003-03-05 | 中国科学院金属研究所 | 喷墨打印制备金属薄膜的方法 |
| US20060213870A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Waldrop Robert P | Ink jet printing of etchants and modifiers |
| CN101993032A (zh) * | 2009-08-14 | 2011-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 微结构薄膜图形和tft-lcd阵列基板制造方法 |
| CN101894501A (zh) * | 2010-01-26 | 2010-11-24 | 上海科炎光电技术有限公司 | 一种柔性矩阵无机电致发光平板显示器 |
| CN103228712A (zh) * | 2010-08-05 | 2013-07-31 | 纽卡斯尔创新有限公司 | 制备基于导电性纳米颗粒的装置和膜的方法 |
| CN102732095A (zh) * | 2012-07-05 | 2012-10-17 | 单联臣 | 一种纳米墨水及其制备与应用 |
| CN103956407A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-30 | 中国科学院物理研究所 | 制备钙钛矿基薄膜太阳电池的方法及喷墨打印机 |
| CN104300083A (zh) * | 2014-09-29 | 2015-01-21 | 中国科学院广州能源研究所 | 一种制备有机-无机钙钛矿结构杂合物薄膜太阳电池的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102955312B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN105070727B (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及显示装置 | |
| CN105070684B (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN103314431A (zh) | 制造氧化物薄膜晶体管阵列的方法和结合其的装置 | |
| CN104217994A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20180267376A1 (en) | Conductive pattern structure and its manufacturing method, array substrate and display device | |
| JP2015521383A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法、表示パネル、表示装置 | |
| CN103412450A (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| US9461075B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| CN105789120B (zh) | Tft基板的制作方法及tft基板 | |
| CN103018977B (zh) | 一种阵列基板及其制造方法 | |
| CN104779302A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | |
| CN103928400A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN105633170A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置 | |
| CN104934443A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN103022052A (zh) | 一种阵列基板及显示装置 | |
| CN102709236A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
| CN104658973A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN101354507A (zh) | 薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法 | |
| US9240424B2 (en) | Thin film transistor array substrate and producing method thereof | |
| CN106847757B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN102637648A (zh) | 薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制造方法 | |
| CN103441129A (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN103700663B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN104779203A (zh) | 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161109 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |