CN106086346A - 一种W18Cr4V的锻造工艺 - Google Patents

一种W18Cr4V的锻造工艺 Download PDF

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刘春超
冯宝倪
吕俊
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Abstract

一种W18Cr4V的锻造工艺，属于W18Cr4V加工技术领域，该工艺是由以下步骤组成：(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙；(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，然后进行一次保温处理，然后进行镦粗和拔长；(3)对W18Cr4V进行二次加热，然后进行二次保温处理，然后进行镦粗和拔长；(4)对W18Cr4V进行三次加热，然后进行二次保温处理，然后进行镦粗和拔长，锻造比为1.8～4.8；(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火。本发明的W18Cr4V脆性小，不容易开裂；本发明的W18Cr4V组织和化学成分均匀，结构稳定；本发明的W18Cr4V强度高，使用性能佳。

Description

一种W18Cr4V的锻造工艺
技术领域
本发明属于W18Cr4V加工技术领域，尤其涉及一种W18Cr4V的锻造工艺。
背景技术
W18Cr4V是常用的钨系高速钢的一种，它属于莱氏体钢，是高速钢应用最长久的一种。W18Cr4V具有高的硬度、红硬性及高温硬度。W18Cr4V的铸态组织和化学成分尤其不均匀，网状共晶体的存在，脆性很大，容易开裂，强度很低，影响使用性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种W18Cr4V的锻造工艺。
为解决上述问题，本发明所述的一种W18Cr4V的锻造工艺，该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为1/2d～5/6d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1050～1200℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1050～1200℃，一次保温时间为30～40分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为800～890℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为800～890℃，二次保温时间为1～3小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为900～950℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为900～950℃，三次保温时间为1～1.5小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为1.8～4.8；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明的W18Cr4V脆性小，不容易开裂；本发明的W18Cr4V组织和化学成分均匀，结构稳定；本发明的W18Cr4V强度高，使用性能佳。
具体实施方式
实施例1
一种W18Cr4V的锻造工艺，该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为1/2d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1050℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1050℃，一次保温时间为30分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为800℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为800℃，二次保温时间为1小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为900℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为900℃，三次保温时间为1小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为1.8；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
实验证明，此参数下W18Cr4V脆性小；W18Cr4V组织和化学成分均匀；W18Cr4V强度较高。
实施例2
一种W18Cr4V的锻造工艺，该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为7/12d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1090℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1090℃，一次保温时间为33分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为820℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为820℃，二次保温时间为1.5小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为910℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为910℃，三次保温时间为1.1小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为2.5；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
实验证明，此参数下W18Cr4V脆性最小；W18Cr4V组织和化学成分均匀；W18Cr4V强度较高。
实施例3
一种W18Cr4V的锻造工艺，该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为2/3d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1125℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1125℃，一次保温时间为35分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为845℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为845℃，二次保温时间为2小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为925℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为925℃，三次保温时间为1.3小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为3.3；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
实验证明，此参数下W18Cr4V脆性最小；W18Cr4V组织和化学成分最均匀；W18Cr4V强度最高。
因此，本实施例为本发明最佳实施例。
实施例4
一种W18Cr4V的锻造工艺，该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为9/12d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1160℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1160℃，一次保温时间为37分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为865℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为865℃，二次保温时间为2.5小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为940℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为940℃，三次保温时间为1.4小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为4.2；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
实验证明，此参数下W18Cr4V脆性小；W18Cr4V组织和化学成分较均匀；W18Cr4V强度较高。
实施例5
一种W18Cr4V的锻造工艺，该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为5/6d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1200℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1200℃，一次保温时间为40分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为890℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为890℃，二次保温时间为3小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为950℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为950℃，三次保温时间为1.5小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为4.8；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
实验证明，此参数下W18Cr4V脆性较小；W18Cr4V组织和化学成分均匀；W18Cr4V强度高。

Claims (6)

1.一种W18Cr4V的锻造工艺，其特征在于：该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为1/2d～5/6d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1050～1200℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1050～1200℃，一次保温时间为30～40分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为800～890℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为800～890℃，二次保温时间为1～3小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为900～950℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为900～950℃，三次保温时间为1～1.5小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为1.8～4.8；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
2.根据权利要求1所述一种W18Cr4V的锻造工艺，其特征在于：该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为1/2d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1050℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1050℃，一次保温时间为30分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为800℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为800℃，二次保温时间为1小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为900℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为900℃，三次保温时间为1小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为1.8；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
3.根据权利要求1所述一种W18Cr4V的锻造工艺，其特征在于：该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为7/12d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1090℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1090℃，一次保温时间为33分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为820℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为820℃，二次保温时间为1.5小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为910℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为910℃，三次保温时间为1.1小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为2.5；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
4.根据权利要求1所述一种W18Cr4V的锻造工艺，其特征在于：该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为2/3d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1125℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1125℃，一次保温时间为35分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为845℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为845℃，二次保温时间为2小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为925℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为925℃，三次保温时间为1.3小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为3.3；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
5.根据权利要求1所述一种W18Cr4V的锻造工艺，其特征在于：该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为9/12d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1160℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1160℃，一次保温时间为37分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为865℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为865℃，二次保温时间为2.5小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为940℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为940℃，三次保温时间为1.4小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为4.2；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
6.根据权利要求1所述一种W18Cr4V的锻造工艺，其特征在于：该工艺是由以下步骤组成：
(1)选择W18Cr4V，将W18Cr4V装入炉内，装炉后W18Cr4V之间应留有间隙，间隙距离为5/6d，d为W18Cr4V的半径，使得W18Cr4V均匀加热；
(2)将炉内的W18Cr4V进行一次加热，一次加热温度为1200℃，然后进行一次保温处理，一次保温温度为1200℃，一次保温时间为40分钟，然后进行镦粗和拔长；
(3)对W18Cr4V进行二次加热，二次加热温度为890℃，然后进行二次保温处理，二次保温温度为890℃，二次保温时间为3小时，然后进行镦粗和拔长；
(4)对W18Cr4V进行三次加热，三次加热温度为950℃，然后进行二次保温处理，三次保温温度为950℃，三次保温时间为1.5小时，然后进行镦粗和拔长，锻造比为4.8；
(5)将W18Cr4V进行缓慢均匀的冷却，并立即回火，以消除残余内应力，降低硬度，细化晶粒，便于切削加工和淬火。
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