CN106024838A - 基于混合tft结构的显示元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基于混合TFT结构的显示元件，通过对混合TFT结构的结构优化设计，将电容极板设于金属氧化物TFT的上方或下方，使金属氧化物TFT的栅极与电容极板间形成电容，实现减少制程道数，降低生产成本；通过分别利用硅基TFT开关速度快、及驱动电流大的优点和金属氧化物TFT均一性好、及漏电流小的优点，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于OLED显示装置时，能够提高开关TFT的开关速度，并提升OLED显示装置的均一性，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于LCD显示装置时，能提高LCD栅极驱动电路中TFT的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流、及***驱动电路中TFT的漏电流。

Description

基于混合TFT结构的显示元件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基于混合TFT结构的显示元件。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(Thin Film TransistorArray Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片基板(Color Filter，CF)之间灌入液晶分子，并在两片基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组(backlight module)的光线折射出来产生画面。
OLED显示器件属于自发光型显示设备，通常包括分别用作阳极、与阴极的第一像素电极、和公共电极、以及设在第一像素电极与公共电极之间的有机发光层，其发光机理为在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入并迁移到有机发光层，并在有机发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是AMOLED显示装置和LCD显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。显示装置所用薄膜晶体管需要考虑均一性、漏电流、有效驱动长度、面积效率、及滞后作用等多方面的因素。依据有源层材料的不同，薄膜晶体管分为非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管、及金属氧化物(metal oxide)薄膜晶体管。其中非晶硅薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管为硅基薄膜晶体管，具有开关速度快及驱动电流大的优点，可用于OLED显示像素驱动及LCD栅极驱动；而金属氧化物薄膜晶体管具有均一性良好及漏电流低的优点，可用于OLED显示像素驱动及LCD显示像素驱动和***驱动电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于混合TFT结构的显示元件，通过对混合TFT结构的结构优化设计，实现减少制程道数，降低生产成本。
本发明的另一目的在于提供一种基于混合TFT结构的显示元件，可提高OLED显示装置的开关TFT的开关速度，并提升OLED显示装置的均一性，可提高LCD栅极驱动电路中TFT的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流、及***驱动电路中TFT的漏电流。
为实现上述目的，本发明首先提供一种基于混合TFT结构的显示元件，包括衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的阻隔层、设于所述阻隔层上的硅层与电容极板、覆盖于所述阻隔层、硅层、及电容极板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上对应于硅层的第一栅极、设于所述栅极绝缘层上对应于所述电容极板的第二栅极、覆盖于所述栅极绝缘层、第一栅极、及第二栅极上的第一层间介电层、设于所述第一层间介电层上对应于第一栅极的第三栅极、覆盖于所述第三栅极、及第一层间介电层上的第二层间介电层、设于所述第二层间介电层上对应于第二栅极的金属氧化物层、设于所述第二层间介电层上且分别与所述硅层两端相连接的第一源极、及第一漏极、设于所述金属氧化物层两端的第二源极、及第二漏极、覆盖于所述第二层间介电层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及金属氧化物层上的钝化层、及设于所述钝化层上的第一像素电极；
所述栅极绝缘层、第一层间介电层、及第二层间介电层上设有对应于所述硅层两端的上方的第一通孔与第二通孔，所述第一源极、及第一漏极分别通过第一通孔、及第二通孔与所述硅层的两端相连接；
所述第一层间介电层、及第二层间介电层上设有对应于所述第二栅极靠近第一栅极一端上方的第三通孔，所述第一漏极通过所述第三通孔与所述第二栅极相连；
所述钝化层上设有对应于所述第二漏极上方的第四通孔，所述第一像素电极通过第四通孔与所述第二漏极相连。
所述硅层及电容极板的材料均为非晶硅或低温多晶硅中的同一种。
所述金属氧化物层的材料为铟镓锌氧化物。
所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT背板；
还包括像素定义层、发光层及第二像素电极，像素定义层设于所述第一像素电极、及钝化层上，所述像素定义层上设有对应于所述第一像素电极上方的第五通孔，发光层设于所述第五通孔内，第二像素电极设于所述发光层及像素定义层上。
所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT基板，用于与彩膜基板及液晶层共同形成一LCD显示面板。
本发明还提供一种基于混合TFT结构的显示元件，包括衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的阻隔层、设于所述阻隔层上的硅层与金属氧化物层、覆盖于所述阻隔层、硅层、及金属氧化物层上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上对应于硅层的第一栅极、设于所述栅极绝缘层上对应于所述金属氧化物层的第二栅极、覆盖于所述栅极绝缘层、第一栅极、及第二栅极上的第一层间介电层、设于所述第一层间介电层上对应于第二栅极的电容极板、覆盖于所述电容极板、及第一层间介电层上的第二层间介电层、设于所述第二层间介电层上且分别与所述硅层两端相连接的第一源极、及第一漏极、设于所述第二层间介电层上且分别与所述金属氧化物层两端相连接的第二源极、及第二漏极、覆盖于所述第二层间介电层、第一源极、第一漏源、第二源极、及第二漏极上的钝化层、及设于所述钝化层上的第一像素电极；
所述栅极绝缘层、第一层间介电层、及第二层间介电层上设有对应于所述硅层两端上方的第一通孔、及第二通孔，所述第一源极、及第一漏极分别通过第一通孔、及第二通孔与所述硅层的两端相连接；
所述栅极绝缘层、第一层间介电层、及第二层间介电层上设有对应于所述金属氧化物层两端上方的第三通孔、及第四通孔，所述第二源极、及第二漏极分别通过第三通孔、及第四通孔与所述金属氧化物层的两端相连接；
所述钝化层上设有对应于第二漏极上方的第五通孔，所述第一像素电极通过第五通孔与所述第二漏极相连。
所述硅层的材料为非晶硅或低温多晶硅。
所述金属氧化物层的材料为铟镓锌氧化物。
所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT背板；
还包括像素定义层、发光层、及第二像素电极，像素定义层设于所述第一像素电极、及钝化层上，所述像素定义层上设有对应于所述第一像素电极上方的第六通孔，发光层设于所述第六通孔内，第二像素电极设于所述发光层及像素定义层上。
所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT基板，用于与彩膜基板及液晶层共同形成一LCD显示面板。
本发明的有益效果：本发明提供的一种基于混合TFT结构的显示元件，通过对混合TFT结构的结构优化设计，将电容极板设于金属氧化物TFT的上方或下方，使金属氧化物TFT的栅极与电容极板间形成电容，实现减少制程道数，降低生产成本；通过分别利用硅基TFT开关速度快、及驱动电流大的优点和金属氧化物TFT均一性好、及漏电流小的优点，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于OLED显示装置时，能够提高开关TFT的开关速度，并提升OLED显示装置的均一性，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于LCD显示装置时，能提高LCD栅极驱动电路中TFT的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流、及***驱动电路中TFT的漏电流。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的基于混合TFT结构的显示元件的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明的基于混合TFT结构的显示元件的第二实施例的结构示意图；
图3为本发明的基于混合TFT结构的显示元件的第三实施例的结构示意图；
图4为本发明的基于混合TFT结构的显示元件的第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1或图2，本发明提供一种基于混合TFT结构的显示元件，包括衬底基板100、覆盖于所述衬底基板100上的阻隔层110、设于所述阻隔层110上的硅层210与电容极板220、覆盖于所述阻隔层110、硅层210、及电容极板220上的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上对应于硅层210的第一栅极410、设于所述栅极绝缘层300上对应于所述电容极板220的第二栅极420、覆盖于所述栅极绝缘层300、第一栅极410、及第二栅极420上的第一层间介电层500、设于所述第一层间介电层500上对应于第一栅极410的第三栅极430、覆盖于所述第三栅极430、及第一层间介电层500上的第二层间介电层600、设于所述第二层间介电层600上对应于第二栅极420的金属氧化物层700、设于所述第二层间介电层600上且分别与所述硅层210两端相连接的第一源极810、及第一漏极820、设于所述金属氧化物层700两端的第二源极830、及第二漏极840、覆盖于所述第二层间介电层600、第一源极810、第一漏极820、第二源极830、第二漏极840、及金属氧化物层700上的钝化层900、及设于所述钝化层900上的第一像素电极1000。
其中，所述栅极绝缘层300、第一层间介电层500、及第二层间介电层600上设有对应于所述硅层210两端的上方的第一通孔310与第二通孔320，所述第一源极810、及第一漏极820分别通过第一通孔310、及第二通孔320与所述硅层210的两端相连接；所述第一层间介电层500、及第二层间介电层600上设有对应于所述第二栅极420靠近第一栅极410一端上方的第三通孔510，所述第一漏极820通过所述第三通孔510与所述第二栅极420相连；所述钝化层900上设有对应于所述第二漏极840上方的第四通孔910，所述第一像素电极1000通过第四通孔910与所述第二漏极840相连。
具体地，所述硅层210、第一栅极410、第三栅极430、第一源极810、及第一漏极820构成一顶栅(top-gate)双栅极的硅基TFT，通过双栅极的设置可保证硅基TFT在高电压下的稳定性。
具体地，所述金属氧化物层700、第二栅极420、第二源极830、及第二漏极840构成一底栅的金属氧化物TFT。
具体地，所述电容极板220与所述第二栅极420之间形成电容，进而将电容与所述金属氧化物TFT堆叠。
需要说明的是，通过对混合TFT结构的结构优化设计，使电容极板220设于底栅金属氧化物TFT的下方，使电容极板220与所述第二栅极420之间形成电容，与传统技术中需要单独制作电容的两极板相比，能够有效地减少制程道数，降低生产成本。
具体地，所述硅层210及电容极板220的材料均为非晶硅或低温多晶硅中的同一种，可利用同一道光罩制程制作于所述阻隔层110上，可进一步地减少制道数，降低生产成本。
具体地，所述金属氧化物层700的材料为铟镓锌氧化物(indium galliumzinc oxide，IGZO)。
具体地，所述衬底基板100可为刚性基板或柔性基板，以使所述基于混合TFT结构的显示元件可应用于刚性显示装置或柔性显示装置中。
具体地，请参阅图1，在本发明的第一实施例中，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT背板。
进一步地，所述基于混合TFT结构的显示元件还包括像素定义层1100、发光层1200及第二像素电极1300，像素定义层1100设于所述第一像素电极1000、及钝化层900上，所述像素定义层1100上设有对应于所述第一像素电极1000上方的第五通孔1110，发光层1200设于所述第五通孔1110内，第二像素电极1300设于所述发光层1200及像素定义层1100上。
需要说明的是，当所述基于混合TFT结构的显示元件作为TFT背板应用于OLED显示装置时，所述电容极板220与所述第二栅极420之间形成的电容作为OLED显示像素驱动电路中的存储电容；所述硅基TFT作为OLED显示像素驱动电路中的开关TFT，利用硅基TFT开关速度快的优势，能够有效地提升开关TFT的开关速度；所述金属氧化物TFT作为OLED显示像素驱动电路中的驱动TFT，利用金属氧化物TFT均一性好的优势，能够有效地提升驱动TFT的均一性，进而使OLED显示装置画面的均一性提升，从而提升OLED显示装置的品质。
具体地，请参阅图2，在本发明的第二实施例中，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT基板，用于与彩膜基板及液晶层共同形成一LCD显示面板。
需要说明的是，当所述基于混合TFT结构的显示元件作为TFT基板应用于LCD显示装置时，所述硅基TFT应用于TFT阵列基板上的栅极驱动电路，利用硅基TFT驱动电流大的优势，能够有效地提升栅极驱动电路中TFT的驱动电流；所述金属氧化物TFT应用于TFT阵列基板上的LCD显示像素驱动和***驱动电路，利用金属氧化物TFT漏电流小的优势，能够有效地降低LCD显示像素驱动时的漏电流、及***驱动电路中TFT的漏电流，从而提升LCD显示装置的品质。
请参阅图3或图4，本发明还提供一种基于混合TFT结构的显示元件，包括衬底基板100’、覆盖于所述衬底基板100’上的阻隔层110’、设于所述阻隔层110’上的硅层210’与金属氧化物层220’、覆盖于所述阻隔层110’、硅层210’、及金属氧化物层220’上的栅极绝缘层300’、设于所述栅极绝缘层300’上对应于硅层210’的第一栅极410’、设于所述栅极绝缘层300’上对应于所述金属氧化物层220’的第二栅极420’、覆盖于所述栅极绝缘层300’、第一栅极410’、及第二栅极420’上的第一层间介电层500’、设于所述第一层间介电层500’上对应于第二栅极410’的电容极板430’、覆盖于所述电容极板430’、及第一层间介电层500’上的第二层间介电层600’、设于所述第二层间介电层600’上且分别与所述硅层210’两端相连接的第一源极710’、及第一漏极720’、设于所述第二层间介电层600’上且分别与所述金属氧化物层220’两端相连接的第二源极730’、及第二漏极740’、覆盖于所述第二层间介电层600’、第一源极710’、第一漏源720’、第二源极730’、及第二漏极740’上的钝化层800’、及设于所述钝化层800’上的第一像素电极900’。
其中，所述栅极绝缘层300’、第一层间介电层500’、及第二层间介电层600’上设有对应于所述硅层210’两端上方的第一通孔310’、及第二通孔320’，所述第一源极710’、及第一漏极720’分别通过第一通孔310’、及第二通孔320’与所述硅层210’的两端相连接；所述栅极绝缘层300’、第一层间介电层500’、及第二层间介电层600’上设有对应于所述金属氧化物层220’两端上方的第三通孔330’、及第四通孔340’，所述第二源极730’、及第二漏极740’分别通过第三通孔330’、及第四通孔340’与所述金属氧化物层220’的两端相连接；所述钝化层800’上设有对应于第二漏极740’上方的第五通孔810’，所述第一像素电极900’通过第五通孔810’与所述第二漏极740’相连。
具体地，所述硅层210’、第一栅极410’、第一源极710’、及第一漏极720’构成一顶栅的硅基TFT。
具体地，所述金属氧化物层220’、第二栅极420’、第二源极730’、及第二漏极740’构成一顶栅的金属氧化物TFT，通过顶栅结构的设置可提高金属氧化物TFT的迁移率。
具体地，所述电容极板430’与所述第二栅极420’之间形成电容，进而将电容与所述金属氧化物TFT堆叠。
需要说明的是，通过对混合TFT结构的结构优化设计，使电容极板430’设于顶栅金属氧化物TFT的上方，使电容极板430’与所述第二栅极420’之间形成电容，与传统技术中需要单独制作电容的两极板相比，能够有效地减少制程道数，降低生产成本。
具体地，所述硅层210’的材料为非晶硅或低温多晶硅。
具体地，所述金属氧化物层220’的材料为铟镓锌氧化物。
具体地，所述衬底基板100’可为刚性基板或柔性基板，以使所述基于混合TFT结构的显示元件可应用于刚性显示装置或柔性显示装置中。
具体地，请参阅图3，在本发明的第三实施例中，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT背板。
进一步地，所述基于混合TFT结构的显示元件还包括像素定义层1000’、发光层1100’、及第二像素电极1200’，像素定义层1000’设于所述第一像素电极900’、及钝化层800’上，所述像素定义层1000’上设有对应于所述第一像素电极900’上方的第六通孔1010’，发光层1100’设于所述第六通孔1010’内，第二像素电极1200’设于所述发光层1100’及像素定义层1000’上。
需要说明的是，当所述基于混合TFT结构的显示元件作为TFT背板应用于OLED显示装置时，所述电容极板430’与所述第二栅极420’之间形成的电容作为OLED显示像素驱动电路中的存储电容；所述硅基TFT作为OLED显示像素驱动电路中的开关TFT，利用硅基TFT开关速度快的优势，能够有效地提升开关TFT的开关速度；所述金属氧化物TFT作为OLED显示像素驱动电路中的驱动TFT，利用金属氧化物TFT均一性好的优势，能够有效地提升驱动TFT的均一性，进而使OLED显示装置画面的均一性提升，从而提升OLED显示装置的品质。
具体地，请参阅图4，在本发明的第四实施例中，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT基板，用于与彩膜基板及液晶层共同形成一LCD显示面板。
需要说明的是，当所述基于混合TFT结构的显示元件作为TFT基板应用于LCD显示装置时，所述硅基TFT应用于TFT阵列基板上的栅极驱动电路，利用硅基TFT驱动电流大的优势，能够有效地提升栅极驱动电路中TFT的驱动电流；所述金属氧化物TFT应用于TFT阵列基板上的LCD显示像素驱动和***驱动电路，利用金属氧化物TFT漏电流小的优势，能够有效地降低LCD显示像素驱动时的漏电流、及***驱动电路中TFT的漏电流，从而提升LCD显示装置的品质。
综上所述，本发明的基于混合TFT结构的显示元件，通过对混合TFT结构的结构优化设计，将电容极板设于金属氧化物TFT的上方或下方，使金属氧化物TFT的栅极与电容极板间形成电容，实现减少制程道数，降低生产成本；通过分别利用硅基TFT开关速度快、及驱动电流大的优点和金属氧化物TFT均一性好、及漏电流小的优点，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于OLED显示装置时，能够提高开关TFT的开关速度，并提升OLED显示装置的均一性，当所述基于混合TFT结构的显示元件应用于LCD显示装置时，能提高LCD栅极驱动电路中TFT的驱动电流，并且降低LCD显示像素驱动时的漏电流、及***驱动电路中TFT的漏电流。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，包括衬底基板(100)、覆盖于所述衬底基板(100)上的阻隔层(110)、设于所述阻隔层(110)上的硅层(210)与电容极板(220)、覆盖于所述阻隔层(110)、硅层(210)、及电容极板(220)上的栅极绝缘层(300)、设于所述栅极绝缘层(300)上对应于硅层(210)的第一栅极(410)、设于所述栅极绝缘层(300)上对应于所述电容极板(220)的第二栅极(420)、覆盖于所述栅极绝缘层(300)、第一栅极(410)、及第二栅极(420)上的第一层间介电层(500)、设于所述第一层间介电层(500)上对应于第一栅极(410)的第三栅极(430)、覆盖于所述第三栅极(430)、及第一层间介电层(500)上的第二层间介电层(600)、设于所述第二层间介电层(600)上对应于第二栅极(420)的金属氧化物层(700)、设于所述第二层间介电层(600)上且分别与所述硅层(210)两端相连接的第一源极(810)、及第一漏极(820)、设于所述金属氧化物层(700)两端的第二源极(830)、及第二漏极(840)、覆盖于所述第二层间介电层(600)、第一源极(810)、第一漏极(820)、第二源极(830)、第二漏极(840)、及金属氧化物层(700)上的钝化层(900)、及设于所述钝化层(900)上的第一像素电极(1000)；
所述栅极绝缘层(300)、第一层间介电层(500)、及第二层间介电层(600)上设有对应于所述硅层(210)两端的上方的第一通孔(310)与第二通孔(320)，所述第一源极(810)、及第一漏极(820)分别通过第一通孔(310)、及第二通孔(320)与所述硅层(210)的两端相连接；
所述第一层间介电层(500)、及第二层间介电层(600)上设有对应于所述第二栅极(420)靠近第一栅极(410)一端上方的第三通孔(510)，所述第一漏极(820)通过所述第三通孔(510)与所述第二栅极(420)相连；
所述钝化层(900)上设有对应于所述第二漏极(840)上方的第四通孔(910)，所述第一像素电极(1000)通过第四通孔(910)与所述第二漏极(840)相连。
2.如权利要求1所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述硅层(210)及电容极板(220)的材料均为非晶硅或低温多晶硅中的同一种。
3.如权利要求1所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述金属氧化物层(700)的材料为铟镓锌氧化物。
4.如权利要求1所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT背板；
还包括像素定义层(1100)、发光层(1200)及第二像素电极(1300)，像素定义层(1100)设于所述第一像素电极(1000)、及钝化层(900)上，所述像素定义层(1100)上设有对应于所述第一像素电极(1000)上方的第五通孔(1110)，发光层(1200)设于所述第五通孔(1110)内，第二像素电极(1300)设于所述发光层(1200)及像素定义层(1100)上。
5.如权利要求1所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT基板，用于与彩膜基板及液晶层共同形成一LCD显示面板。
6.一种基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，包括衬底基板(100’)、覆盖于所述衬底基板(100’)上的阻隔层(110’)、设于所述阻隔层(110’)上的硅层(210’)与金属氧化物层(220’)、覆盖于所述阻隔层(110’)、硅层(210’)、及金属氧化物层(220’)上的栅极绝缘层(300’)、设于所述栅极绝缘层(300’)上对应于硅层(210’)的第一栅极(410’)、设于所述栅极绝缘层(300’)上对应于所述金属氧化物层(220’)的第二栅极(420’)、覆盖于所述栅极绝缘层(300’)、第一栅极(410’)、及第二栅极(420’)上的第一层间介电层(500’)、设于所述第一层间介电层(500’)上对应于第二栅极(410’)的电容极板(430’)、覆盖于所述电容极板(430’)、及第一层间介电层(500’)上的第二层间介电层(600’)、设于所述第二层间介电层(600’)上且分别与所述硅层(210’)两端相连接的第一源极(710’)、及第一漏极(720’)、设于所述第二层间介电层(600’)上且分别与所述金属氧化物层(220’)两端相连接的第二源极(730’)、及第二漏极(740’)、覆盖于所述第二层间介电层(600’)、第一源极(710’)、第一漏源(720’)、第二源极(730’)、及第二漏极(740’)上的钝化层(800’)、及设于所述钝化层(800’)上的第一像素电极(900’)；
所述栅极绝缘层(300’)、第一层间介电层(500’)、及第二层间介电层(600’)上设有对应于所述硅层(210’)两端上方的第一通孔(310’)、及第二通孔(320’)，所述第一源极(710’)、及第一漏极(720’)分别通过第一通孔(310’)、及第二通孔(320’)与所述硅层(210’)的两端相连接；
所述栅极绝缘层(300’)、第一层间介电层(500’)、及第二层间介电层(600’)上设有对应于所述金属氧化物层(220’)两端上方的第三通孔(330’)、及第四通孔(340’)，所述第二源极(730’)、及第二漏极(740’)分别通过第三通孔(330’)、及第四通孔(340’)与所述金属氧化物层(220’)的两端相连接；
所述钝化层(800’)上设有对应于第二漏极(740’)上方的第五通孔(810’)，所述第一像素电极(900’)通过第五通孔(810’)与所述第二漏极(740’)相连。
7.如权利要求6所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述硅层(210’)的材料为非晶硅或低温多晶硅。
8.如权利要求6所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述金属氧化物层(220’)的材料为铟镓锌氧化物。
9.如权利要求6所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT背板；
还包括像素定义层(1000’)、发光层(1100’)、及第二像素电极(1200’)，像素定义层(1000’)设于所述第一像素电极(900’)、及钝化层(800’)上，所述像素定义层(1000’)上设有对应于所述第一像素电极(900’)上方的第六通孔(1010’)，发光层(1100’)设于所述第六通孔(1010’)内，第二像素电极(1200’)设于所述发光层(1100’)及像素定义层(1000’)上。
10.如权利要求6所述的基于混合TFT结构的显示元件，其特征在于，所述基于混合TFT结构的显示元件为TFT基板，用于与彩膜基板及液晶层共同形成一LCD显示面板。
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