CN106024828B - 显示设备以及制造显示设备的设备和方法 - Google Patents

显示设备以及制造显示设备的设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106024828B
CN106024828B CN201610178367.1A CN201610178367A CN106024828B CN 106024828 B CN106024828 B CN 106024828B CN 201610178367 A CN201610178367 A CN 201610178367A CN 106024828 B CN106024828 B CN 106024828B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
intermediate layer
deposition
region
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610178367.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106024828A (zh
Inventor
金善姝
宋泳録
宋正培
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN106024828A publication Critical patent/CN106024828A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106024828B publication Critical patent/CN106024828B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
    • C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种显示设备以及制造显示设备的设备和方法。制造显示设备的方法包括：为了形成待设置于两个电极之间的中间层而提供基底，基底包括多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域；以及测量第一区域和第二区域的反射率。测量的第一区域的反射率不同于测量的第二区域的反射率。方法进一步包括：将基底放置在沉积腔室中，与设置在沉积腔室中的沉积单元间隔开；在第一区域中的像素电极中的第一像素电极上方形成第一中间层；相对于沉积单元移动基底；以及在第二区域中的像素电极中的第二像素电极上方形成第二中间层，其中，第一中间层具有第一厚度，并且第二中间层具有不同于第一厚度的第二厚度。

Description

显示设备以及制造显示设备的设备和方法
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2015年3月30日提交至韩国知识产权局的第10-2015-0044394号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备、用于制造显示设备的设备以及制造显示设备的方法。
背景技术
基于移动性的电子装置已经得到广泛使用。近来，除了小尺寸电子装置例如移动电话之外，平板个人计算机(PC)已经被广泛用作移动电子装置。
为了支持各种功能，移动电子装置包括用于为用户提供视觉信息例如图像或视频的显示单元。近来，随着用于驱动这种显示单元的部件已经变得小型化，显示单元在电子装置中的占比已经逐渐增加。此外，可弯曲为具有预定曲率角的结构已经被开发。
发明内容
本发明的一方面提供了显示设备，该显示设备可包括基底和中间层，其中，基底包括：衬底；多个像素电极，形成于衬底上方；以及像素限定层，形成于多个像素电极上方，以及中间层形成于基底的多个像素电极中的每一个的上方，其中，基底被划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域，其中，形成于基底的第一区域上方的中间层具有第一厚度，并且形成于基底的第二区域上方的中间层具有基本上不同于第一厚度的第二厚度。
在前述设备中，第一区域和第二区域可分别具有第一反射率和第二反射率，其中，第一反射率和第二反射率基本上彼此不同。中间层可包括公共层和功能层，并且其中，形成于基底的第一区域上方的中间层的公共层和功能层中的至少一个具有与形成于基底的第二区域上方的中间层的公共层和功能层中的至少一个的厚度基本上不同的厚度。
本发明的另一方面提供了用于制造显示设备的设备，该设备可包括：清洁单元，配置为清洁作为用于制造显示设备的中间产物的基底；干燥单元，配置为干燥从清洁单元接收的基底；反射率测量单元，配置为测量基底的多个区域的反射率；以及沉积单元，配置为至少在基底的多个区域中的每一个的上方形成中间层，形成于基底的多个区域上方的中间层基于通过反射率测量单元测量的多个区域的反射率而具有不同的厚度。
在前述设备中，设备可进一步包括等离子体处理单元，等离子体处理单元连接至沉积单元并配置为在基底上执行等离子体处理。反射率测量单元可设置在干燥单元和等离子体处理单元之间，或设置在从干燥单元和等离子体处理单元中选择的至少一个中。沉积单元可包括：沉积源，配置为排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；以及狭缝片，与沉积源相对地设置并包括多个狭缝，沉积材料穿过多个狭缝，其中，沉积源配置为通过根据基底的多个区域的反射率形成不同的温度而将沉积材料沉积在基底上以形成具有不同厚度的中间层。
依然在前述设备中，沉积单元可配置为将基底的中心部分上的中间层的厚度形成为不同于基底的另一部分上的中间层的厚度，其中基底的另一部分具有与基底的中心部分的反射率不同的反射率。当基底的中心部分的反射率大于基底的另一部分的反射率时，基底的中心部分上方的中间层的厚度可形成为小于基底的另一部分上方的中间层的厚度。基底可包括：衬底；多个像素电极，形成于衬底上方；以及像素限定层，形成于衬底和多个像素电极上方，其中，中间层形成于多个像素电极中的每一个的上方。中间层可包括公共层和功能层，并且其中，从公共层的厚度和功能层的厚度中选择的至少一个根据基底的多个区域而改变。
本发明的进一步的方面提供了制造显示设备的方法，该方法可包括：提供基底，基底包括：衬底、多个像素电极以及像素限定层，其中，多个像素电极形成于衬底上方，像素限定层形成于衬底和多个像素电极上方，其中，基底被划分为多个区域，多个区域包括第一区域和第二区域；测量第一区域和第二区域的反射率，其中，测量的第一区域的反射率不同于测量的第二区域的反射率；将基底放置在沉积腔室中，与设置在沉积腔室中的沉积单元间隔开；以及在第一区域中的像素电极中的第一像素电极上方形成第一中间层；相对于沉积单元移动基底；在第二区域中的像素电极中的第二像素电极上方形成第二中间层，其中，第一中间层具有第一厚度，并且第二中间层具有不同于第一厚度的第二厚度。
在前述方法中，该方法可进一步包括：清洁基底；以及干燥经过清洁的基底。方法可进一步包括：在基底上执行等离子体处理。沉积单元可包括多个沉积源，多个沉积源配置为发射沉积材料，并且其中，多个沉积源中的每一个的温度基于多个区域中的每一个的反射率而被控制。方法可进一步包括：调节沉积源的温度，使得用于形成第一中间层的沉积源的温度不同于用于形成第二中间层的沉积源的温度，其中，第一区域是基底的中心部分，并且第二区域是基底的另一部分。第一区域可以是基底的中心部分，并且第二区域是基底的另一部分。第一区域的反射率可大于第二区域的反射率，其中，第一中间层的第一厚度小于第二中间层的第二厚度。形成于第一区域上方的第一中间层可具有基本上相同的厚度。第一中间层和第二中间层中的每个可包括公共层和功能层，并且从公共层的厚度和功能层的厚度中选择的至少一个根据基底的多个区域而改变。
一个或多个实施方式包括显示设备以及用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法。
在下面的描述中，其他方面将被部分地阐述，并且将部分地通过描述而显而易见，或可通过本实施方式的实践而被了解。
根据本发明的一个或多个实施方式，显示设备包括：第一衬底，多个像素电极形成于第一衬底上；像素限定层，形成于多个像素电极上；以及中间层，形成于多个像素电极中的每一个上，其中，第一衬底被划分为多个区域，并且多个区域中的至少两个中的中间层的厚度彼此不同。
中间层的厚度可根据第一衬底的多个区域的反射率而改变。
中间层可包括公共层和功能层，并且从公共层的厚度和功能层的厚度中选择的至少一个可在第一衬底的多个区域中改变。
根据本发明的一个或多个实施方式，用于制造显示设备的设备包括：清洁单元，配置为清洁第一衬底；干燥单元，配置为干燥从清洁单元接收的第一衬底；反射率测量单元，配置为测量经过干燥的第一衬底被划分成的多个区域的反射率；以及沉积单元，配置为基于通过反射率测量单元测量的多个区域的反射率而在每一个像素电极上形成具有不同厚度的中间层。
设备可进一步包括：等离子体处理单元，连接至沉积单元并在第一衬底上执行等离子体处理。
反射率测量单元可设置在干燥单元和等离子体处理单元之间，或设置在从干燥单元和等离子体处理单元中选择的至少一个中。
沉积单元可包括：沉积源，排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；以及图案化狭缝片，与沉积源相对地设置并包括多个图案化狭缝，沉积材料穿过多个图案化狭缝。沉积源可通过根据第一衬底的反射率形成不同的温度而将沉积材料在第一衬底上沉积为具有不同的厚度。
沉积单元可将第一衬底的中心部分上的中间层的厚度形成为不同于第一衬底的另一部分上的中间层的厚度，其中第一衬底的另一部分具有与第一衬底的中心部分的反射率不同的反射率。
当第一衬底的中心部分的反射率大于第一衬底的另一部分的反射率时，第一衬底的中心部分的厚度可形成为小于第一衬底的另一部分的厚度。
当第一衬底的中心部分的反射率小于第一衬底的另一部分的反射率时，第一衬底的中心部分的厚度可形成为大于第一衬底的另一部分的厚度。
中间层可包括公共层和功能层，并且从公共层的厚度和功能层的厚度中选择的至少一个可根据第一衬底的多个区域而改变。
根据本发明的一个或多个实施方式，制造显示设备的方法包括：将多个像素电极和像素限定层已经形成于其上的第一衬底划分为多个区域并测量多个像素电极的反射率；将第一衬底设置为与沉积单元分离；以及在沉积单元或第一衬底相对于彼此移动时，通过根据测量的反射率在第一衬底的多个区域上不同地沉积沉积材料而在第一衬底的多个区域上不同地形成中间层。
方法可进一步包括：清洁第一衬底；以及干燥经过清洁的第一衬底。
方法可进一步包括：在第一衬底上执行等离子体处理。
沉积单元可包括发射沉积材料的多个沉积源，并且多个沉积源中的每一个的温度可控制为基于反射率而改变。
沉积源的温度可控制为在第一衬底的中心部分中和在第一衬底的另一部分中不同，其中第一衬底的另一部分具有与第一衬底的中心部分的反射率不同的反射率。
第一衬底的中心部分上的中间层的厚度可形成为不同于第一衬底的另一部分上的中间层的厚度，其中第一衬底的另一部分具有与第一衬底的中心部分的反射率不同的反射率。
当第一衬底的中心部分的反射率大于第一衬底的另一部分的反射率时，第一衬底的中心部分的厚度可形成为小于第一衬底的另一部分的厚度。
当第一衬底的中心部分的反射率小于第一衬底的另一部分的反射率时，第一衬底的中心部分的厚度可形成为大于第一衬底的另一部分的厚度。
中间层可包括公共层和功能层，并且从公共层的厚度和功能层的厚度中选择的至少一个可根据第一衬底的多个区域而改变。
这些实施方式可通过使用***、方法、计算机程序或它们的组合来实现。
附图说明
通过以下结合附图对实施方式的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见且更易于理解，在附图中：
图1是根据本发明的实施方式的显示设备的平面图；
图2是图1中的显示设备的区域A中的一部分的剖视图；
图3是用于将图1中的显示设备中具有不同反射率的区域的像素高度进行互相比较的剖视图；
图4是根据本发明的实施方式的用于制造显示设备的设备的概念视图；以及
图5是包括在图4中示出的设备中的沉积单元的立体图。
具体实施方式
现在，将详细参照实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中在所有附图中，相同的参考数字指示相同的元件。在这点上，本实施方式可具有不同形式并且不应被理解为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施方式以解释本说明书的诸多方面。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种部件，但是这些部件不应由这些术语限制。这些术语只用于将一个部件与另一部件区分开。
如在本文中使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”、“所述(the)”意在也包括复数形式，除非上下文中另外明确地指示。
将进一步理解的是，本文中使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指明所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或部件的存在或添加。
将理解的是，当层、区域或部件被称为“形成于”另一层、区域或部件“上”时，其可直接地或间接地形成于另一层、区域或部件上。即，例如，可存在介于中间的层、区域或部件。
为了说明的方便，附图中元件的尺寸可能被夸大。换言之，因为附图中部件的尺寸和厚度是为了说明的方便而任意示出的，所以以下实施方式不限于这些尺寸和厚度。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或可表示彼此不垂直的不同的方向。
当某一实施方式可被不同地实现时，特定的步骤顺序可以与描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续描述的步骤可基本上同时被执行或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
图1是根据本发明的实施方式的显示设备100的平面图。图2是图1中的显示设备100的区域A中的一部分的剖视图。图3是用于将图1中的显示设备100中具有不同反射率的区域的像素高度进行互相比较的剖视图。
参照图1-3，显示设备100可包括第一衬底110和发光单元。显示设备100还可包括形成于发光单元的上表面上的薄膜封装层E或第二衬底。第二衬底与一般显示设备中使用的第二衬底相同或相似，并因此将在本文中省略其详细描述。此外，为了描述的方便，现在将详细描述显示设备100包括薄膜封装层E的情况。
显示设备100可划分为多个区域以测量反射率。例如，显示设备100可划分为4个区域。根据另一实施方式，显示设备100可划分为6个区域。根据另一实施方式，显示设备100可划分为9个区域。显示设备100的划分不限于此，并且显示设备100可划分为至少两个区域。为了描述的方便，现在将详细描述显示设备100被划分为9个区域的情况。
显示设备100的九个区域中的至少两个可具有不同的反射率。根据另一实施方式，显示设备100的九个区域可具有相同的反射率。反射率可以是在像素电极181和像素限定层190已经形成于第一衬底110上时测量的反射率。在实施方式中，第一衬底110和像素电极181以及像素限定层190形成用于形成下面所讨论的中间层的基底。在实施方式中，基底可包括一个或多个附加层，其中这一个或多个附加层在形成中间层之前形成于第一衬底上方。基底可划分为用于测量反射率的多个区域。在实施方式中，当测量基底中的每一个区域的反射率时，测量基底的表面的反射率，其中在该表面上或上方形成有中间层。在一些实施方式中，多个区域的反射率之间的差异可能是由像素电极的反射率的差异引起的。
为了描述的方便，现在将详细描述显示设备100的九个区域中的区域A、区域B和区域C具有不同反射率的情况。现在将详细描述区域B的反射率小于区域A的反射率并且区域C的反射率大于区域A的反射率的情况。
对于显示设备100的结构，发光单元可形成于第一衬底110上。发光单元可包括薄膜晶体管TFT、覆盖薄膜晶体管TFT的钝化层170以及形成于钝化层170上的有机发光二极管(OLED)180。
第一衬底110可由玻璃材料形成，但是本发明的实施方式不限于此。第一衬底110可由塑料材料或金属材料，例如不锈钢(steal use stainless，SUS)或钛(Ti)形成。可选地，第一衬底110可使用聚酰亚胺(PI)。为了描述的方便，现在将详细描述第一衬底110由玻璃材料形成的情况。
由有机化合物和/或无机化合物形成的缓冲层120进一步形成于第一衬底110的上表面上。缓冲层120可由硅氧化物(SiOx)(x≥1)或硅氮化物(SiNx)(x≥1)形成。
以预定图案布置的有源层130形成于缓冲层120上，并且随后由栅绝缘层140掩埋。有源层130包括源区131和漏区133，并且进一步包括位于源区131和漏区133之间的沟道区132。
有源层130可形成为包括多种材料。例如，有源层130可包括无机半导体材料，例如非晶硅或晶体硅。作为另一示例，有源层130可包括氧化物半导体。作为另一示例，有源层130可包括有机半导体材料。然而，为了描述的方便，现在将详细描述有源层130由非晶硅形成的情况。
有源层130可通过在缓冲层120上形成非晶硅层、使非晶硅层结晶以形成多晶硅层、以及图案化多晶硅层来形成。有源层130的源区131和漏区133掺杂有根据TFT类型(例如驱动TFT、开关TFT等)的杂质。
面对有源层130的栅电极150，以及掩埋栅电极150的层间绝缘层160形成于栅绝缘层140的上表面上。
接触孔H1形成于层间绝缘层160和栅绝缘层140中，并且随后源电极171和漏电极172形成于层间绝缘层160上，使得源电极171和漏电极172分别接触源区131和漏区133。
钝化层170形成于如上所述形成的薄膜晶体管TFT上，并且OLED180的像素电极181形成于钝化层170上。像素电极181通过形成于钝化层170中的通孔H2接触薄膜晶体管TFT的漏电极172。钝化层170可由无机材料和/或有机材料形成并形成为单层或多层。钝化层170可形成为平面化的层，使得钝化层170的上表面是平坦的，而不考虑钝化层170之下的下层的不平整。钝化层170可由透明绝缘体形成，以使共振效应被实现。
在钝化层170上形成像素电极181之后，像素限定层190由有机材料和/或无机材料形成，使得像素限定层190覆盖像素电极181和钝化层170。像素限定层190具有穿孔，像素电极181通过该穿孔被暴露。
中间层182和相对电极183至少形成于像素电极181上。在一些实施方式中，中间层182可包括形成于像素电极181和相对电极183之间的所有层。在这种情况下，中间层182的厚度可表示像素电极181和相对电极183的、面对中间层182的表面之间的距离。
像素电极181用作阳极，并且相对电极183用作阴极。可选地，像素电极181可用作阴极，并且相对电极183可用作阳极。在实施方式中，相对电极183可形成为覆盖显示区域中的所有中间层182的公共电极。显示设备100包括多个像素，多个像素中的每一个包括像素电极181、中间层182和相对电极183。
像素电极181和相对电极183通过中间层182彼此绝缘，并分别将相反极性的电压施加至中间层182以引起在有机发射层中发光。
中间层182可包括有机发射层。作为另一示例，中间层182包括有机发射层182d。然而，中间层182可进一步包括从作为公共层的空穴注入层(HIL)182a、空穴传输层(HTL)182b、电子传输层(ETL)182e以及电子注入层(EIL)182f中选择的至少一个。本实施方式不限于此，并且中间层182除了包括有机发射层之外，可进一步包括功能层182c。功能层182c可形成为多种形状中的任何形状。例如，功能层182c可包括辅助有机发射层182d的发光的发光辅助层。功能层182c可包括能够增加对发光效率、颜色纯度等的控制的辅助层。例如，辅助层可由与HTL182b的材料相同的材料形成。
一个单位像素P包括多个子像素R、G和B，并且多个子像素R、G和B可发射各种颜色的光。例如，单位像素P可包括分别发射红光、绿光和蓝光的多个子像素R、G和B，或分别发射红光、绿光、蓝光和白光的多个子像素。
中间层182可根据不同区域而改变。例如，中间层182的厚度可根据不同区域的反射率而改变。为了说明的方便，区域A的反射率为第一反射率，区域B的反射率为第二反射率，区域C的反射率为第三反射率，区域A中的中间层182的厚度为第一厚度，区域B中的中间层182的厚度为第二厚度，以及区域C中的中间层182的厚度为第三厚度。这将在现在被详细描述。
如上所述，第一反射率大于第二反射率，并因此第一厚度可小于第二厚度。因为第一反射率小于第三反射率，所以第一厚度可大于第三厚度。在实施方式中，形成于基底的相同区域上方的所有中间层182的厚度可在整个区域中基本上相同。在一些实施方式中，改变中间层182的厚度的方法可以是改变从公共层和功能层182c中选择的至少一个的厚度的方法。
在显示装置的示例中，中间层182可形成为在整个装置中具有恒定厚度，并且基底根据其位置而具有不同的反射率。然后，可产生不同的共振效应，并因此颜色可能是不均匀的。然而，当如上所述，中间层182根据不同的反射率而具有不同的厚度时，由于共振效应之间的差异而引起的颜色饱和度不均匀可被减小或最小化。
薄膜封装层E可包括多个无机层或包括无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层由聚合物形成，并且可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、PI、聚碳酸酯(PC)、环氧树脂、聚乙烯或聚丙烯酸酯形成的单层或层堆叠。有机层可由聚丙烯酸酯形成。详细地，有机层可包括聚合如下单体成分而得到的产物，该单体成分包括基于双丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体。单体成分可进一步包括基于单丙烯酸酯的单体。单体成分可进一步包括众所周知的光引发剂，例如三甲基苯甲酰二苯膦氧化物(TPO)，但是本发明的实施方式不限于此。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或层堆叠。详细地，无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2或TiO2。
薄膜封装层E中的暴露于外部的最上层可由无机层形成以防止水分渗入至OLED180。
薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，在该夹层结构中，至少一个有机层被***至少两个无机层之间。可选地，薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，在该夹层结构中，至少一个无机层被***至少两个有机层之间。可选地，薄膜封装层E可包括其中至少一个有机层被***至少两个无机层之间的夹层结构以及其中至少一个无机层被***至少两个有机层之间的夹层结构。
薄膜封装层E可包括从OLED 180的上部开始依次形成的第一无机层、第一有机层以及第二无机层。
可选地，薄膜封装层E可包括从OLED 180的上部开始依次形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层以及第三无机层。
可选地，薄膜封装层E可包括从OLED 180的上部开始依次形成的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层以及第四无机层。
在OLED 180和第一无机层之间可进一步包括包含氟化锂(LiF)的卤化金属层。卤化金属层可防止在通过溅射形成第一无机层时OLED 180被损坏。
第一有机层可具有比第二无机层小的面积，并且第二有机层还可具有比第三无机层小的面积。
因此，显示设备100可通过根据第一衬底110的具有不同反射率的区域来优化中间层182的厚度而改善整个第一衬底110的颜色饱和度均匀性。
现在将详细描述通过使用显示设备制造设备形成中间层182的方法。
图4是根据本发明的实施方式的用于制造显示设备的设备10的概念视图。图5是图4中示出的沉积单元600的立体图。
参照图4和图5，用于制造显示设备的设备10可包括清洁单元200、干燥单元300、反射率测量单元400、等离子体处理单元500、沉积单元600、相对电极形成单元700以及等离子体蚀刻单元800。
用于制造显示设备的设备10可以是直列式的。在这种情况下，单元可以以直列方式或簇的方式彼此连接。根据另一实施方式，每一个单元可连接至每一个腔室。然而，为了描述的方便，现在将详细描述用于制造显示设备的设备10以直列的形状形成的情况。
清洁单元200将清洁溶液喷射至第一衬底110以从第一衬底110、像素电极181以及像素限定层190的上表面去除异物。干燥单元300可干燥从清洁单元200接收的第一衬底110。干燥单元300可通过供应加热的空气或光来干燥清洁溶液。
等离子体处理单元500可在从干燥单元300接收的第一衬底110上执行等离子体处理。此时，等离子体处理单元500可通过等离子体从第一衬底110的上表面去除异物。
反射率测量单元400可测量基底的反射率，其中在基底中，像素电极181和像素限定层190已经形成于第一衬底110上。此时，反射率测量单元400可将第一衬底110分成多个区域并测量区域中的每一个的反射率。
反射率测量单元400可安装在多个位置中的任何位置。例如，反射率测量单元400可设置在干燥单元300和等离子体处理单元500之间，或设置在从干燥单元300和等离子体处理单元500中选择的至少一个上。详细地，当反射率测量单元400设置在干燥单元300和等离子体处理单元500之间时，反射率测量单元400可包括例如腔室、设置在腔室内的反射率测量器、以及传送第一衬底110的传送器。根据另一实施方式，当反射率测量单元400设置在从干燥单元300和等离子体处理单元500中选择的至少一个上时，反射率测量单元400可设置在从干燥单元300和等离子体处理单元500中选择的至少一个内。为了描述的方便，现在将详细描述反射率测量单元400设置在干燥单元300内的情况。
沉积单元600包括沉积源610、沉积源喷嘴单元620、图案化狭缝片650以及连接构件635。
虽然为了说明的方便，在图5中没有示出腔室，但是如图4中所示，图5中的所有部件可分别设置在保持在合适的真空度的腔室内。腔室保持在合适的真空以允许沉积材料基本上以直线运动通过沉积单元600。
详细地，为了将从沉积源610发射并通过沉积源喷嘴单元620和图案化狭缝片650排放的沉积材料615以期望的图案沉积至第一衬底110上，需要如在使用精细金属掩模(fine metal mask，FMM)的沉积方法中那样将腔室保持在高真空状态。此外，与沉积源610的温度相比，图案化狭缝片650和连接构件635的温度应足够低，以将沉积源喷嘴单元620和图案化狭缝片650之间的空间保持在高真空状态。在这点上，图案化狭缝片650和连接构件635的温度可以是约100℃或更低。这是因为当连接构件635的温度足够低时，已经碰撞连接构件635的沉积材料615可能不会再次蒸发。此外，当图案化狭缝片650的温度足够低时，图案化狭缝片650的热膨胀可被最小化。
构成沉积材料615待沉积于其上的沉积目标的第一衬底110设置在腔室中。第一衬底110可以是用于平板显示器的衬底。用于制造多个平板显示器的大的衬底可用作第一衬底110。也可使用其它衬底。
当第一衬底110相对于沉积单元600移动时，可执行沉积。
具体地，在典型的FMM沉积方法中，FMM的尺寸必须等于衬底的尺寸。因此，FMM的尺寸必须随着衬底变得更大而增加。然而，既不容易制造大的FMM，也不容易将FMM延伸成与图案精确对准。
在沉积单元600中，可在沉积源610或第一衬底110相对于彼此移动时执行沉积。在实施方式中，可在第一衬底110在Y轴方向上移动时连续地执行沉积，其中第一衬底110设置为例如面对沉积源610。换言之，以扫描方式执行沉积。虽然第一衬底110示出为当执行沉积时在图5中的Y轴方向上移动(如图5中的箭头A所示)，但是本发明的实施方式不限于此。可在沉积单元600在Y轴方向上移动时执行沉积，而第一衬底110被固定。
在沉积单元600中，图案化狭缝片650可显著小于典型沉积方法中使用的FMM。换言之，在沉积单元600中，在第一衬底110在Y轴方向上移动时，连续地执行沉积，即以扫描方式连续地执行沉积。因此，图案化狭缝片650的在Y轴方向上的长度可显著小于第一衬底110的在Y轴方向上的长度，并且图案化狭缝片650的在X轴方向上的宽度和第一衬底110的在X轴方向上的宽度基本上彼此相等。如上所述，因为图案化狭缝片650可形成为显著小于典型沉积方法中使用的FMM，所以制造本发明中使用的图案化狭缝片650是相对容易的。换言之，相比于使用较大FMM的典型沉积方法，在所有处理中，使用小于典型沉积方法中使用的FMM的图案化狭缝片650是更为方便的，其中所有处理包括蚀刻和其它后续处理，例如精确延伸、焊接、移动以及清洁过程。这对于相对大的显示设备是更为有利的。
为了如上所述的那样，在沉积单元600或第一衬底110相对于对方移动时执行沉积，沉积单元600和第一衬底110可以以预定距离彼此分离。
包含并加热沉积材料615的沉积源610设置于腔室中的、与其中设置有第一衬底110的一侧相对的一侧。当包含在沉积源610中的沉积材料615蒸发时，沉积材料615沉积在第一衬底110上。
详细地，沉积源610可包括坩埚611以及加热器612，其中坩埚611填充有沉积材料615，加热器612加热坩埚611以朝向坩埚611的侧面，具体地朝向沉积源喷嘴单元620蒸发包含在坩埚611中的沉积材料615。
沉积源喷嘴单元620可设置在沉积源610的一侧，具体地，可设置在沉积源610的面对第一衬底110的一侧。沉积源喷嘴单元620可包括在Y轴方向上以相等间隔布置的多个沉积源喷嘴621。在沉积源610中蒸发的沉积材料615朝向沉积材料615待沉积于其上的第一衬底110而穿过沉积源喷嘴单元620。
沉积源610可根据测量的反射率形成不同的温度并在第一衬底110上沉积沉积材料615以将中间层182形成为具有不同的厚度。在这种情况下，可包括多个沉积源610，或单一沉积源610可包括多个坩埚611以及分别设置在坩埚611中的多个加热器612。然而，为了描述的方便，现在将详细描述单一沉积源610包括多个坩埚611和多个加热器612的情况。
反射率和温度之间的这种关系以及反射率和中间层182之间的关系可通过实验等获得并以表格或程序的形式存储。
沉积源610可通过根据反射率保持不同的温度来控制蒸发的沉积材料615的量。此时，沉积源610可保持比用于在区域A中沉积沉积材料615的第一温度更高的第二温度，以在区域B中沉积比区域A中更多的沉积材料615。另一方面，沉积源610可保持比第一温度更低的第三温度，以在区域C中沉积比区域A中更少的沉积材料615。
如上所述，沉积源610可通过控制温度来控制蒸发的沉积材料615的量。因此，沉积源610能够调节中间层182的厚度，使得中间层182根据区域而具有不同的厚度。
图案化狭缝片650和将图案化狭缝片650约束于其中的图案化狭缝片框架655可设置在沉积源610和第一衬底110之间。图案化狭缝片框架655形成为类似于窗框架的格子形状。图案化狭缝片650约束于图案化狭缝片框架655内部。图案化狭缝片650可包括在X轴方向上布置的多个图案化狭缝651。
在沉积源610中蒸发的沉积材料615朝向沉积材料615待沉积于其上的第一衬底110而穿过沉积源喷嘴单元620和图案化狭缝片650。图案化狭缝片650可通过蚀刻来制造，这是与用于制造FMM尤其是条纹FMM的典型方法相同的方法。
在这点上，在沉积单元600中，图案化狭缝651的总数可大于沉积源喷嘴621的总数。
此外，沉积源610和联接至沉积源610的沉积源喷嘴单元620可设置为与图案化狭缝片650以预定距离分离。可选地，沉积源610和联接至沉积源610的沉积源喷嘴单元620可通过连接构件635连接至图案化狭缝片650。即，沉积源610、沉积源喷嘴单元620以及图案化狭缝片650可通过经由连接构件635彼此连接而整体地形成为一个本体。连接构件635将通过沉积源喷嘴621排放的沉积材料615引导为直线运动，而不是在X轴或Y轴方向上流动。在图5中，连接构件635形成于沉积源610、沉积源喷嘴单元620以及图案化狭缝片650的左侧和右侧上，以将沉积材料615引导为不在X轴方向上流动；然而，本发明的多方面不限于此。即，连接构件635可形成为密封的盒子以引导沉积材料615在X轴方向和Y轴方向两者上的流动。
如上所述，沉积单元600在相对于第一衬底110移动时执行沉积。为了相对于第一衬底110移动沉积单元600，图案化狭缝片650与第一衬底110以预定距离分离。
具体地，在使用FMM的典型沉积方法中，通过与衬底紧密接触的FMM执行沉积以防止在衬底上形成阴影区。然而，当FMM与衬底紧密接触地使用时，接触可能导致缺陷。此外，在典型的沉积方法中，因为掩模不能相对于衬底移动，所以掩模的尺寸必须与衬底的尺寸相同。因此，掩模的尺寸必须随着显示设备变得更大而增加。然而，制造这种大的掩模是不容易的。
在根据当前实施方式的沉积源600中，图案化狭缝片650设置为与第一衬底110以预定距离分离。
如上所述，根据本发明的实施方式，掩模形成为小于衬底，并在掩模相对于基底移动时执行沉积。因此，可容易地制造掩模。此外，可防止在典型的沉积方法中出现的、由于衬底和FMM之间的接触而引起的缺陷。此外，因为在沉积过程期间不必将FMM设置为与衬底紧密接触，所以可减少制造时间。
沉积材料615可以是多种材料中的任何材料。例如，沉积材料可以是用于形成有机发射层182d的材料。沉积材料可以是用于形成功能层182c的材料。此外，沉积材料可包括在用于形成构成中间层182的层的材料之中的、可通过沉积单元600沉积的材料中的任何材料。
相对电极形成单元700可在中间层182上形成相对电极。等离子体蚀刻单元800可从第一衬底110的边缘去除有机材料。
参照操作用于制造显示设备的设备10的方法，其上已经形成有多个像素电极181和像素限定层190的第一衬底110可提供至清洁单元200。清洁单元200可通过喷射清洁溶液来清洁第一衬底110。
经过清洁的第一衬底110可传输至干燥单元300，并因此可干燥残留在经过清洁的第一衬底110上的清洁溶液。在干燥单元300中，反射率测量单元400可测量第一衬底110的反射率。第一衬底110的反射率可根据像素电极181、像素限定层190等的不平整以及其它层或膜的厚度等而在每一个区域中有所不同。在这种情况下，如上所述，可能产生颜色饱和度不均匀。
基于测量的第一衬底110的反射率，沉积单元600可将中间层182形成为具有不同的厚度。在这种情况下，通过调节从公共层和功能层182c中选择的至少一个的厚度，沉积单元600可将中间层182形成为具有不同的厚度。
详细地，通过比较第一衬底110的另一部分(区域B或区域C)的反射率和第一衬底110的中心部分(区域A)的反射率，沉积单元600可将第一衬底110的中心部分(区域A)的厚度形成为与第一衬底110的另一部分(区域B或区域C)的厚度不同。
例如，当第一衬底110的中心部分(区域A)的反射率小于第一衬底110的另一部分(区域B或区域C)的反射率时，沉积单元600可将第一衬底110的中心部分(区域A)上的中间层182形成为具有大于第一衬底110的另一部分(区域B或区域C)上的中间层182的厚度的厚度。另一方面，当第一衬底110的中心部分(区域A)的反射率大于第一衬底110的另一部分(区域B或区域C)的反射率时，沉积单元600可将第一衬底110的中心部分(区域A)上的中间层182形成为具有小于第一衬底110的另一部分(区域B或区域C)上的中间层182的厚度的厚度。在这种情况下，通过控制沉积源610内的加热器612的操作，沉积单元600可将中间层182形成为在不同的区域具有不同的厚度。换言之，如上所述，沉积源610可通过基于每一个区域的反射率控制温度来控制沉积材料615的蒸发度。
在如上所述形成中间层182之后，相对电极183可形成于中间层182上。有机材料可通过等离子体从第一衬底110的边缘去除。
因此，在用于制造显示设备的设备10和制造显示设备的方法中，中间层182的厚度与第一衬底110的反射率同步，并因此可最小化由于第一衬底110的一些部分的反射率之间的差异而引起的第一衬底110的颜色饱和度不均匀。
在用于制造显示设备的设备10和制造显示设备的方法中，第一衬底110的反射率在制造显示设备期间测量并应用至沉积单元600，从而减少制造时间和制造成本。
在用于制造显示设备的设备10和制造显示设备的方法中，具有颜色均匀性的显示设备100被制造，从而改善显示设备100的制造良率。
根据本发明的实施方式的显示设备具有改善的颜色饱和度。
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅以描述意义被考虑而不是出于限制的目的。对每一个实施方式内的特征或方面的描述一般应被认为对于其它实施方式中的其它类似的特征或方面是可用的。
虽然已经参照本发明的实施方式具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不背离如通过所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (19)

1.一种显示设备，包括：
基底，包括：
衬底，
多个像素电极，形成于所述衬底上方，以及
像素限定层，形成于所述多个像素电极上方；以及
中间层，形成于所述基底的所述多个像素电极中的每一个的上方，
其中，所述基底被划分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域分别具有第一反射率和第二反射率，其中，所述第一反射率和所述第二反射率彼此不同，其中，形成于所述基底的所述第一区域上方的所述中间层具有第一厚度，并且形成于所述基底的所述第二区域上方的所述中间层基于所述第一反射率和所述第二反射率而具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述中间层包括公共层和功能层，以及
其中，形成于所述基底的所述第一区域上方的所述中间层的所述公共层和所述功能层中的至少一个具有与形成于所述基底的所述第二区域上方的所述中间层的所述公共层和所述功能层中的至少一个的厚度不同的厚度。
3.一种用于制造显示设备的设备，所述设备包括：
清洁单元，配置为清洁作为用于制造所述显示设备的中间产物的基底；
干燥单元，配置为干燥从所述清洁单元接收的所述基底；
反射率测量单元，配置为测量所述基底的多个区域的反射率；以及
沉积单元，配置为至少在所述基底的多个区域中的每一个的上方形成中间层，形成于所述基底的所述多个区域上方的所述中间层基于通过所述反射率测量单元测量的所述多个区域的所述反射率而具有不同的厚度。
4.根据权利要求3所述的设备，进一步包括等离子体处理单元，所述等离子体处理单元连接至所述沉积单元并配置为在所述基底上执行等离子体处理。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述反射率测量单元设置在所述干燥单元和所述等离子体处理单元之间，或设置在从所述干燥单元和所述等离子体处理单元中选择的至少一个中。
6.根据权利要求3所述的设备，其中，所述沉积单元包括：
沉积源，配置为排放沉积材料；
沉积源喷嘴单元，设置在所述沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；以及
狭缝片，与所述沉积源相对地设置并包括多个狭缝，所述沉积材料穿过所述多个狭缝，
其中，所述沉积源配置为通过根据所述基底的所述多个区域的所述反射率形成不同的温度而将所述沉积材料沉积在所述基底上以形成具有不同厚度的所述中间层。
7.根据权利要求3所述的设备，其中，所述沉积单元配置为将所述基底的中心部分上的所述中间层的厚度形成为不同于所述基底的另一部分上的所述中间层的厚度，其中所述基底的所述另一部分具有与所述基底的所述中心部分的反射率不同的反射率。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，当所述基底的所述中心部分的所述反射率大于所述基底的所述另一部分的所述反射率时，所述基底的所述中心部分上方的所述中间层的所述厚度形成为小于所述基底的所述另一部分上方的所述中间层的所述厚度。
9.根据权利要求3所述的设备，其中，所述基底包括：
衬底；
多个像素电极，形成于所述衬底上方；以及
像素限定层，形成于所述衬底和所述多个像素电极上方，其中，所述中间层形成于所述多个像素电极中的每一个的上方。
10.根据权利要求3所述的设备，其中，所述中间层包括公共层和功能层，并且其中，从所述公共层的厚度和所述功能层的厚度中选择的至少一个根据所述基底的所述多个区域而改变。
11.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
提供基底，所述基底包括：
衬底，
多个像素电极，形成在所述衬底上方，以及
像素限定层，形成于所述衬底和所述多个像素电极上方，
其中，所述基底被划分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域；
测量所述第一区域和所述第二区域的反射率，其中，测量的所述第一区域的反射率不同于测量的所述第二区域的反射率；
将所述基底放置在沉积腔室中，与设置在所述沉积腔室中的沉积单元间隔开；以及
在所述第一区域中的所述像素电极中的第一像素电极上方形成第一中间层；
相对于所述沉积单元移动所述基底；
在所述第二区域中的所述像素电极中的第二像素电极上方形成第二中间层，其中，所述第一中间层具有第一厚度，并且所述第二中间层基于测量的所述第一区域的反射率和测量的所述第二区域的反射率而具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
清洁所述基底；以及
干燥所述经过清洁的基底。
13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述基底上执行等离子体处理。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述沉积单元包括多个沉积源，所述多个沉积源配置为发射所述沉积材料，并且其中，所述多个沉积源中的每一个的温度基于所述多个区域中的每一个的所述反射率而被控制。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括：调节沉积源的温度，使得用于形成所述第一中间层的所述沉积源的所述温度不同于用于形成所述第二中间层的所述沉积源的所述温度，
其中，所述第一区域是所述基底的中心部分，并且所述第二区域是所述基底的另一部分。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一区域是所述基底的中心部分，并且所述第二区域是所述基底的另一部分。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一区域的所述反射率大于所述第二区域的所述反射率，其中，所述第一中间层的所述第一厚度小于所述第二中间层的所述第二厚度。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，形成于所述第一区域上方的所述第一中间层具有相同的厚度。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的每个包括公共层和功能层，并且从所述公共层的厚度和所述功能层的厚度中选择的至少一个根据所述基底的所述多个区域而改变。
CN201610178367.1A 2015-03-30 2016-03-25 显示设备以及制造显示设备的设备和方法 Active CN106024828B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150044394A KR102373436B1 (ko) 2015-03-30 2015-03-30 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR10-2015-0044394 2015-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106024828A CN106024828A (zh) 2016-10-12
CN106024828B true CN106024828B (zh) 2021-08-06

Family

ID=57016345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610178367.1A Active CN106024828B (zh) 2015-03-30 2016-03-25 显示设备以及制造显示设备的设备和方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9653527B2 (zh)
KR (1) KR102373436B1 (zh)
CN (1) CN106024828B (zh)
TW (1) TWI690077B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105552107A (zh) * 2016-02-29 2016-05-04 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、制作方法以及电子设备
US10630256B2 (en) * 2018-09-07 2020-04-21 Vtt Technical Research Centre Of Finland Ltd Two-stage lateral bulk acoustic wave filter
KR20210088800A (ko) * 2020-01-06 2021-07-15 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법
CN112125298A (zh) * 2020-08-20 2020-12-25 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种垂直结构石墨烯的衬底快速筛选方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101350361A (zh) * 2004-11-22 2009-01-21 精工爱普生株式会社 El装置和电子机器
CN102286727A (zh) * 2010-04-28 2011-12-21 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3655487B2 (ja) 1999-03-24 2005-06-02 大日本スクリーン製造株式会社 反射率計測装置、温度計測装置および基板熱処理装置ならびに反射率計測方法、温度計測方法および基板熱処理方法
JP2003272858A (ja) 2002-03-20 2003-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4475942B2 (ja) * 2003-12-26 2010-06-09 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
KR20100071539A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
KR101193190B1 (ko) 2009-08-25 2012-10-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101280795B1 (ko) * 2010-08-13 2013-07-05 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP5883230B2 (ja) 2011-03-14 2016-03-09 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法
KR20140007683A (ko) * 2012-07-10 2014-01-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치와, 이의 제조 방법
KR101952706B1 (ko) * 2012-07-24 2019-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20140022625A (ko) 2012-08-14 2014-02-25 동우 화인켐 주식회사 패턴 시인성이 개선된 터치 패널
KR101963180B1 (ko) * 2012-09-18 2019-03-29 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102035251B1 (ko) * 2013-03-12 2019-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101350361A (zh) * 2004-11-22 2009-01-21 精工爱普生株式会社 El装置和电子机器
CN102286727A (zh) * 2010-04-28 2011-12-21 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9653527B2 (en) 2017-05-16
KR20160117700A (ko) 2016-10-11
CN106024828A (zh) 2016-10-12
KR102373436B1 (ko) 2022-03-14
US20170207283A1 (en) 2017-07-20
US20160293680A1 (en) 2016-10-06
US10002914B2 (en) 2018-06-19
TW201637193A (zh) 2016-10-16
TWI690077B (zh) 2020-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9279177B2 (en) Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US20190226078A1 (en) Thin film deposition apparatus
US8852687B2 (en) Organic layer deposition apparatus
US9748483B2 (en) Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US8882922B2 (en) Organic layer deposition apparatus
US8871542B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8461058B2 (en) Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US8907326B2 (en) Organic light-emitting display device and thin film deposition apparatus for manufacturing the same
US9018647B2 (en) Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR102401484B1 (ko) 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조 방법
US8876975B2 (en) Thin film deposition apparatus
US8883259B2 (en) Thin film deposition apparatus
US20120009328A1 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US20130217164A1 (en) Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US8865252B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
CN106024828B (zh) 显示设备以及制造显示设备的设备和方法
US20110262625A1 (en) Thin film deposition apparatus
KR102424976B1 (ko) 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
JP6429491B2 (ja) 蒸着装置用マスク、蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US9644272B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
KR102411539B1 (ko) 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20140122037A (ko) 증발 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant