CN106017699A - 一种温度检测*** - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种温度检测***，其特征在于，主要由处理芯片U1，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4，串接在处理芯片U1的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10等组成。本发明可以对检测信号的频率进行处理，使检测信号的频率更加稳定，从而可以使输入的检测信号的波形与输出的检测信号的波形相同，保持检测信号的保真度，避免信号失真而影响温度检测精度。

Description

一种温度检测***
技术领域
本发明涉及一种检测***，具体是指一种温度检测***。
背景技术
在工业生产过程和科研工作中，很多时候都需要对生产设备或者生产环境的温度进行检测并根据需求对温度进行控制，从而提高生产效率和产品的质量。然而，现有的温度检测***在对检测信号处理时容易使检测信号失真，从而导致其无法准确的检测出温度值，无法满足生产需求。
发明内容
本发明的目的在于克服目前的温度检测***在对检测信号处理时容易使检测信号失真的缺陷，提供一种温度检测***。
本发明的目的用以下技术方案实现：一种温度检测***，主要由处理芯片U1，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4，串接在处理芯片U1的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10，正极与处理芯片U1的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电容C5，负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片U1的IN-管脚相连接的电容C3，以及与处理芯片U1的OUT管脚相连接的射极输出电路组成；所述处理芯片U1的V-管脚与电容C3的正极相连接；所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。
进一步的，所述基极触发电路由三极管VT1，三极管VT2，场效应管MOS，正极与三极管VT1的发射极相连接、负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片U1的IN+管脚相连接的电容C1，N极经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接、P极顺次经电容C2和电阻R1后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2，P极与二极管D2的P极相连接的同时接地、N极经电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接的二极管D1，以及串接在三极管VT2的集电极和场效应管MOS的栅极之间的电阻R3组成；所述三极管VT1的基极与温度传感器U的信号输入端相连接、其集电极则与三极管VT2的基极相连接；所述场效应管MOS的漏极与电阻R8和电阻R9的连接点相连接。
所述射极输出电路由放大器P，三极管VT3，P极与处理芯片U1的OUT管脚相连接、N极与放大器P的正极相连接的二极管D3，串接在二极管D3的N极和三极管VT3的基极之间的电阻R11，以及正极与放大器P的输出端相连接、负极作为该射极输出电路的输出端的电容C6组成；所述放大器P的负极接地、其输出端与三极管VT3的发射极相连接；所述三极管VT3的集电极接地。
所述处理芯片U1为LM311集成芯片。
本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
本发明可以对检测信号的频率进行处理，使检测信号的频率更加稳定，从而可以使输入的检测信号的波形与输出的检测信号的波形相同，保持检测信号的保真度，避免信号失真而影响温度检测精度。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，本发明主要由处理芯片U1，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4，串接在处理芯片U1的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10，正极与处理芯片U1的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电容C5，负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片U1的IN-管脚相连接的电容C3，以及与处理芯片U1的OUT管脚相连接的射极输出电路组成；所述处理芯片U1的V-管脚与电容C3的正极相连接；所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。为了更好的实施本发明，所述处理芯片U1优选LM311集成芯片来实现。该温度传感器U则采用北京九纯健科技发展有限公司生产的JCJ100ZGF温度传感器来实现。
进一步的，基极触发电路由三极管VT1，三极管VT2，场效应管MOS，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R7，电容C1，电容C2，二极管D1以及二极管D2组成。
连接时，电容C1的正极与三极管VT1的发射极相连接、其负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片U1的IN+管脚相连接。二极管D2的N极经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接、其P极与电容C2的负极相连接。该电容C2的正极则经电阻R1后与三极管VT2的发射极相连接。二极管D1的P极与二极管D2的P极相连接的同时接地、其N极经电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接。电阻R3串接在三极管VT2的集电极和场效应管MOS的栅极之间。
同时，所述三极管VT1的基极与温度传感器U的信号输入端相连接、其集电极则与三极管VT2的基极相连接。所述场效应管MOS的漏极与电阻R8和电阻R9的连接点相连接。
另外，所述射极输出电路由放大器P，三极管VT3，电阻R11，二极管D3以及电容C6组成。二极管D3的P极与处理芯片U1的OUT管脚相连接、其N极与放大器P的正极相连接。电阻R11串接在二极管D3的N极和三极管VT3的基极之间。电容C6的正极与放大器P的输出端相连接、其负极作为该射极输出电路的输出端并接外部显示器。所述放大器P的负极接地、其输出端与三极管VT3的发射极相连接；所述三极管VT3的集电极接地。
工作时，温度传感器U采集实测对像的温度并输出检测信号给后续的处理电路，后续处理电路可以对检测信号的频率进行处理，使检测信号的频率更加稳定，从而可以使输入的检测信号的波形与输出的检测信号的波形相同，保持检测信号的保真度，避免信号失真而影响温度检测精度。
如上所述，便可很好的实现本发明。

Claims (4)

1.一种温度检测***，其特征在于，主要由处理芯片U1，温度传感器U，串接在温度传感器U和处理芯片U1的IN+管脚之间的基极触发电路，正极顺次经电阻R9和电阻R8后与处理芯片U1的V+管脚相连接、负极与处理芯片U1的BALANCE管脚相连接的电容C4，串接在处理芯片U1的BALANCE管脚和BAL管脚之间的电阻R10，正极与处理芯片U1的BAL管脚相连接、负极则与处理芯片U1的GND管脚相连接的同时接地的电容C5，负极接地、正极经电阻R6后与处理芯片U1的IN-管脚相连接的电容C3，以及与处理芯片U1的OUT管脚相连接的射极输出电路组成；所述处理芯片U1的V-管脚与电容C3的正极相连接；所述电阻R8和电阻R9的连接点与基极触发电路相连接的同时接电源。
2.根据权利要求1所述的一种温度检测***，其特征在于：所述基极触发电路由三极管VT1，三极管VT2，场效应管MOS，正极与三极管VT1的发射极相连接、负极顺次经电阻R2和电阻R7后与处理芯片U1的IN+管脚相连接的电容C1，N极经电阻R5后与场效应管MOS的漏极相连接、P极顺次经电容C2和电阻R1后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D2，P极与二极管D2的P极相连接的同时接地、N极经电阻R4后与场效应管MOS的源极相连接的二极管D1，以及串接在三极管VT2的集电极和场效应管MOS的栅极之间的电阻R3组成；所述三极管VT1的基极与温度传感器U的信号输入端相连接、其集电极则与三极管VT2的基极相连接；所述场效应管MOS的漏极与电阻R8和电阻R9的连接点相连接。
3.根据权利要求2所述的一种温度检测***，其特征在于：所述射极输出电路由放大器P，三极管VT3，P极与处理芯片U1的OUT管脚相连接、N极与放大器P的正极相连接的二极管D3，串接在二极管D3的N极和三极管VT3的基极之间的电阻R11，以及正极与放大器P的输出端相连接、负极作为该射极输出电路的输出端的电容C6组成；所述放大器P的负极接地、其输出端与三极管VT3的发射极相连接；所述三极管VT3的集电极接地。
4.根据权利要求3所述的一种温度检测***，其特征在于：所述处理芯片U1为LM311集成芯片。
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