CN105990380B - 具有抗反射层的图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种图像传感器，包括：像素层，其中形成有源像素阵列和光学黑色像素阵列；第一抗反射层，形成在所述有源像素阵列之上，且包括具有高透光率的第一氧化铪层；以及第二抗反射层，形成在所述光学黑色像素阵列之上，且包括具有低透光率的第二氧化铪层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年9月18日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0124295的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
各种实施例总体而言涉及图像传感器，且更具体地涉及通过互补金属氧化物半导体(CMOS)配置的图像传感器及其制造方法。
背景技术
图像传感器将外部图像感测为光，将感测到的光转换成电信号，且将电信号传输至处理数字信号的设备。通常，存在两种图像传感器，电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
CCD图像传感器包括形成在P型杂质层上的光电二极管、CCD和信号检测电路。光电二极管将光转换成电荷。CCD将电荷传送至信号检测电路，信号检测电路将电荷转换成电压，然后输出电压。
CMOS型图像传感器包括PMOS(P沟道金属氧化物半导体)晶体管和NMOS(N沟道金属氧化物半导体)晶体管相结合的CMOS晶体管，并且将图像转换成电信号。由于CMOS技术能够高度集成，且以低功耗来操作，所以CMOS技术通常用在小型电子电器(诸如移动电话)中。
CMOS图像传感器包括接收光的有源像素阵列和阻挡光的光学黑色像素阵列。
有源像素阵列具有接收光的像素，引起光电荷的产生和积累。光学黑色像素阵列阻挡不想要的光的引入以将干扰最小化。由于有源像素阵列和光学黑色像素阵列具有不同功能，所以它们还可以具有不同结构。
日本专利公开号2011-114292公开了具有不同结构且通过不同工艺制造的有源像素阵列和光学黑色像素阵列。因而，图像传感器制造工艺复杂且昂贵。本文公开的发明寻求简化图像传感器制造工艺且改善图像传感器产品质量。
发明内容
各种实施例针对光学黑色像素阵列的黑色水平补偿特性改善的图像传感器及其制造方法。
在一个实施例中，一种图像传感器包括：像素层，其中形成有有源像素阵列和光学黑色像素阵列；第一抗反射层，形成在所述有源像素阵列之上，且包括具有高透光率的氧化铪层；以及第二抗反射层，形成在所述光学黑色像素阵列之上，且包括具有低透光率的氧化铪层，其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
构成第一抗反射层的氧化铪层可以以HfO2形成，构成第二抗反射层的氧化铪层可以以HfOx(x等于或小于1)形成。
在另一个实施例中，一种图像传感器包括：像素层，包括有源像素阵列和光学黑色像素阵列；第一抗反射层，形成在所述有源像素阵列之上，且包括第一氧化铪层；以及第二抗反射层，形成在所述光学黑色像素阵列之上，且包括第二氧化铪层，其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的氧化物比例。
在一个实施例中，一种制造图像传感器的方法包括：提供形成有有源像素阵列和光学黑色像素阵列的衬底；在所述有源像素阵列和所述光学黑色像素阵列之上形成氧化硅层；去除所述氧化硅层的形成在所述光学黑色像素阵列之上的部分；在所述光学黑色像素阵列和所述氧化硅层之上形成铪层；在所述有源像素阵列之上形成具有高透光率的氧化铪层，以及在所述光学黑色像素阵列之上形成具有低透光率的氧化铪层，其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
形成氧化铪层可以包括：氧化所述铪层；以及去除剩余的硅材料。
在另一个实施例中，一种制造图像传感器的方法包括：在有源像素阵列之上形成第一氧化物层，且在光学黑色像素阵列之上形成第二氧化物层；在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之上形成铪层；使所述铪层与所述第一氧化物层和所述第二氧化物层反应，以在所述有源像素阵列中形成第一氧化铪层，且在所述光学黑色像素阵列中形成第二氧化铪层，其中，所述第二氧化物层比所述第一氧化物层更薄，并且所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的氧化物比例。
根据实施例，在具有有源像素阵列和光学黑色像素阵列的硅衬底中，在形成有有源像素阵列的有源像素阵列区之上形成具有高透光率的氧化铪层，以及在形成有光学黑色像素阵列的光学黑色像素阵列区之上形成具有低透光率的氧化铪层，其中，所述两种氧化物层经由相同的制造工艺形成为具有相同的结构。
相应地，形成在图像传感器的背侧上的P钉扎层(P pinning layer)的外扩散和场效应显示相同特性，结果，改善了黑色水平补偿特性，从而可以防止SNR和DR的降低。
此外，由于有源像素阵列区之上的氧化铪层(HfO2)和光学黑色像素阵列区之上的氧化铪层(HfOx，其中x等于或小于1)是经由相同制造工艺形成的，所以可以显著地缩短在硅衬底之上执行利用氧化铪层形成抗反射层的工艺所需的时间。
结果，降低了图像传感器的制造成本，降低了故障率，且改善了可靠性。
附图说明
图1是说明根据一个实施例的图像传感器中的像素阵列区的平面图。
图2是根据一个实施例的沿着图1中所示的像素阵列区的线A-A’截取的截面图。
图3是根据另一个实施例的沿着图1中所示的像素阵列区中的线A-A’截取的截面图。
图4至图8是说明根据一个实施例的制造图像传感器的方法的截面图。
图9是帮助解释图8中所示的工艺的流程图。
图10是说明氧气流量和氧化铪层的电阻率之间的关系的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将经由实施例的各种实例参照附图来描述具有抗反射层的图像传感器及其制造方法。
图1是说明根据一个实施例的设置在图像传感器中的像素阵列区101的平面图。参见图1，像素阵列区101划分为有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121。有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121彼此邻接。
像素阵列包括多个像素(参见图2和图3的212和213)。例如，多个光感测元件设置在有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121中。光学感测元件可以是光电晶体管、光电二极管、光电栅(photogate)、钉扎光电二极管(pinned photodiode)等。多个光感测元件可以以矩阵布置。
设置在有源像素阵列区111中的有源像素阵列感测从外部入射的光，将感测到的光转换成电信号，且输出电信号。电信号传输至外部设备(未示出)，诸如接收数字信号且显示图像的显示器。有源像素阵列包括以矩阵布置且起到主像素的功能的多个主光感测元件(参见图2和图3的212)。
设置在光学黑色像素阵列区121中的光学黑色像素阵列包括多个虚设像素(参见图2和图3的213)。光学黑色像素阵列阻挡从外部入射的光，且用于检查且评估有源像素阵列的电特性，即，由暗电流导致的暗噪声特性。换言之，光学黑色像素阵列通过暗电流来检查且评估暗噪声特性，且调节有源像素阵列的主像素的电流值以补偿暗电流(参见图2和图3的212)。因而，可以从图像传感器中去除暗电流。光学黑色像素阵列的长度和宽度可以根据工艺参数来改变和确定。
图2是沿着图1中所示的像素阵列区101的线A-A’截取的截面图。参见图2，图像传感器具有从顶部顺序地形成微透镜层250、平坦化层240、滤色器层230、抗反射层220、像素层210和绝缘层260的结构。这种结构应用于有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121二者。
在微透镜层250中形成有多个微透镜253。所述多个微透镜253会聚从外部入射的光，且将会聚的光传送至滤色器层230。所述多个微透镜253可以形成为使得它们的端部彼此接触，或使得它们的端部彼此分开预定的距离以保证光学遮蔽特性。
平坦化层240引导经由微透镜层250入射的光以预定的角度进入滤色器层230。平坦化层240可以包括氧化物层、氮化物层、或其组合的层。
滤色器层230仅从穿过所述多个微透镜253的光中传送可见光线。在滤色器层230中形成有多个滤色器223。所述多个滤色器223包括仅传送红色光线的多个红色滤光片R、仅传送绿色光线的多个绿色滤光片G、以及仅传送蓝色光线的多个蓝色滤光片B。在另一个实施例中，所述多个滤色器223可以包括多个青色滤光片、多个黄色滤光片、以及多个洋红色滤光片。
所述多个滤色器223形成为使得它们的端部彼此分开预定的距离。因此，由于所述多个滤色器223之间的距离的缘故，出现光学串扰(optical crosstalk)。为了防止光学串扰，在所述多个滤色器223之间形成防串扰层225。详细地，防串扰层225以防串扰层225的侧壁与滤色器223接触或与滤色器223重叠的方式形成在滤色器223之间。例如，防串扰层225可以沿着像素212和213的边界区域形成且以格状布置。防串扰层225可以由与滤色器223相同的材料形成。
抗反射层220划分成有源像素阵列区111的抗反射层221和光学黑色像素阵列区121的抗反射层222。
有源像素阵列区111的抗反射层221(也被称作为第一抗反射层221)将经由滤色器223入射的光传送至像素层210。第一抗反射层221可以形成为第一氧化铪(HfO2)层。第一氧化铪层具有高透光率。因而，从外部入射的大量的光能够穿过第一抗反射层221。
与有源像素阵列区111的抗反射层221不同，光学黑色像素阵列区121的抗反射层222(也被称作为第二抗反射层222)的功能是阻挡从外部经由滤色器223入射的光传送至像素层210。在阻挡入射光时，光学黑色像素阵列区121的像素213可以产生光学黑色信号。第二抗反射层222可以包括第二氧化铪层HfOx(x等于或小于1)。第二氧化铪层HfOx(x等于或小于1)具有低透光率。因而，从外部入射的光不会穿过第二抗反射层222，而是由第二抗反射层222反射。
在像素层210中形成有多个像素212和213。像素层210可以包括单晶硅层。
在绝缘层260中形成有包括金属材料的导线263。在另一个实施例中，导线263可以不形成在光学黑色像素阵列区121的绝缘层260中。绝缘层260可以包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、或其组合。除了导线263之外，在绝缘层260中可以形成有多个MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，例如，传输晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管、选择晶体管和偏置晶体管。MOSFET通过导线263彼此电耦接。
在绝缘层260之下可以另外地形成支撑层(未示出)。支撑层支撑且保护绝缘层260。支撑层防止在绝缘层260中形成的导线263受外部环境影响。支撑层可以包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、或其组合。在另一个实施例中，支撑层可以由单晶硅形成。
如上所述，由于第一抗反射层221和第二抗反射层222形成为氧化铪层(具有不同的氧比例)，它们可以具有相同的结构。虽然第一抗反射层221和第二抗反射层222具有相同的结构，但第一抗反射层221具有高透光率，而第二抗反射层222具有低透光率。因此，不仅可以改善图像传感器的光学特性，还可以降低图像传感器的制造成本。
图3是根据另一个实施例的沿着图1中所示的像素阵列区101中的线A-A’截取的截面图。参见图3，图像传感器具有从顶部顺序地形成微透镜层250、平坦化层240、滤色器层230、抗反射层220、绝缘层260和像素层210的结构。在像素层210之下可以另外地形成支撑层(与以上参照图2描述的支撑层相同)。这种结构应用于有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121二者。
如在图3中所示，图像传感器可以在抗反射层220和像素层210之间具有绝缘层260。除了绝缘层260的位置之外，图3中所示的结构与图2中的结构相同。即，微透镜层250、平坦化层240、滤色器层230、抗反射层220、像素层210和支撑层在结构上与图2中描述的相同。因而，将省略其重复描述。
在绝缘层260中形成有由金属材料形成的导线263。如在图3中所示，导线263设置在滤色器223之间。即，导线263可以位于防串扰层225之下。当导线263设置在防串扰层225之下时，穿过滤色器223的光在不受导线263干扰或干涉的情况到达像素213。
在另一个实施例中，导线263可以不设置在光学黑色像素阵列区121的绝缘层260中。绝缘层260可以包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、或其组合。除了导线263之外，在绝缘层260中可以形成有多个MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，例如，传输晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管、选择晶体管和偏置晶体管。MOSFET通过导线263彼此电耦接。
图3中所示的图像传感器的结构可以具有与图2中所示的图像传感器相同的优点。
图4至图8是说明根据一个实施例的制造图像传感器的方法的截面图。以下将参照图4至图8描述根据实施例的制造图像传感器的方法。
参见图4，制备形成有多个像素212和213的硅衬底210。硅衬底210对应于图2和图3中所示的像素层210。可以在硅衬底210之下形成支撑层(未示出)，以及可以另外地在硅衬底210和支撑层之间形成其中形成有导线(参见图2的263)的绝缘层(参见图2的260)。可替选地，可以在硅衬底210之上形成其中形成有导线(参见图3的263)的绝缘层(参见图3的260)。
硅衬底210划分成有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121。有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121彼此邻接。多个主像素212形成在有源像素阵列区111中，多个虚设像素213形成在光学黑色像素阵列区121中。
参见图5，在硅衬底210上、即在有源像素阵列区111和光学黑色像素阵列区121上形成氧化硅层510。为了在硅衬底210上沉积氧化硅层510，可以使用化学气相沉积、例如，感应耦合化学气相沉积。在感应耦合化学气相沉积中，可以通过产生高密度等离子体在甚至低温出现气相分解。由于通过使用远程等离子体而使等离子体产生的区域与硅衬底210分开，所以可以降低等离子体对层生长区域的离子损害。为了沉积氧化硅层510，可以使用SIH4、N2O和稀的He气作为反应气体。
参见图6，去除图5的氧化硅层510的形成在光学黑色像素阵列区121上的部分。为了去除氧化硅层510的形成在光学黑色像素阵列区121上的部分，首先，在氧化硅层510上形成光阻层(未示出)，且经由曝光和显影工艺去除光阻层的形成在光学黑色像素阵列区121上的部分，以在有源像素阵列区111上形成光阻图案。然后，利用形成在有源像素阵列区111上的光阻图案作为掩模来去除氧化硅层510的形成在光学黑色像素阵列区121上的部分。最后，去除保留在有源像素阵列区111上的光阻图案以形成氧化硅图案511。
参见图7，在光学黑色像素阵列区121上以及在氧化硅图案511上形成铪层520。换言之，铪层520形成在光学黑色像素阵列区121上且形成在有源像素阵列区111之上。为了在硅衬底210上形成铪层520，将硅衬底210放置在溅射室(未示出)中，以及经由溅射而在硅衬底210上沉积铪材料。
详细地，当将硅衬底210放置在溅射室中时，将溅射室保持在真空状态，且将溅射气体、诸如氩气(Ar)引入至溅射室中。然后，溅射气体的粒子电离进入等离子体状态，且电离的粒子撞击包括铪的目标。从所述目标发射出铪原子。发射的铪原子扩散至硅衬底210中，且沉积在硅衬底210上。结果，在硅衬底210上形成铪层520。粒子的电离概率由于置于目标的背侧上的磁体的N极和S极之间形成的磁场而增加。
作为溅射方法，例如，可以使用利用等离子体发射监控器的反应DC溅射方法。
参见图8，在有源像素阵列区111上形成具有高透光率的第一氧化铪(HfO2)层221，以及在光学黑色像素阵列区121上形成具有低透光率的第二氧化铪层(HfOx，其中x等于或小于1)222。氧化铪层221和222可以是电介质材料。然后，可以对第一氧化铪(HfO2)层221和第二氧化铪层执行平坦化工艺，因此第一氧化铪(HfO2)层221和第二氧化铪层的上表面彼此齐平。
图9是详细说明图8中所示的结构的流程图。参见图9，为了在硅衬底210上形成第一氧化铪层221和第二氧化铪层222(具有不同的氧比例)，包括第一步骤911和第二步骤921。以下将参照图7和图8描述图9中所示的流程图。
在第一步骤911中，氧化形成在硅衬底210上的铪层520。
作为形成第一氧化铪层221和第二氧化铪层222的第一种方法，将包括铪层520的硅衬底210在室温放置预定时间。然后，在铪层520和氧化硅图案511之间出现以下化学反应从而形成第一氧化铪层221。
2SiO2+Hf→HfO2+2SiO↑，SiO2+HfO2→HfSiO4，Hf+HfSiO4→2HfO2+Si
在有源像素阵列区111上，在之前形成的氧化硅图案511和铪层520之间发生热力学反应，因而，产生氧化铪(HfO2)层221。
然而，在光学黑色像素阵列区121上，由于去除了氧化硅层510，且仅极少量的硅(Si)或氧化硅层(SiO2)存在，所以在铪层520和所述极少量的硅之间发生热力学反应，因而，产生第二氧化铪层(HfOx，其中x等于或小于1)222。因为第二氧化铪层(HfOx，其中x等于或小于1)222具有低透光率，所以从外部入射的光不会穿过第二氧化铪层(HfOx，其中x等于或小于1)222，而是被反射。
参见图10，当氧气流量低时，电阻降低且接近金属Hf的电阻。当电阻降低时，透光率降低。
根据一个实施例，在光学黑色像素阵列区121上形成具有低氧比例的第二氧化铪层(HfOx，其中x等于或小于1)222。由于第二氧化铪层具有低光学透光率，所以从外部入射的光不会穿过光学黑色像素阵列区121的第二抗反射层(参见图2和图3的222)，且不被传输至形成在光学黑色像素阵列区121中的光学黑色像素阵列。
以下是形成第一氧化铪层221和第二氧化铪层222的另一种方法。在预定温度、例如300℃至450℃将包括铪层520的硅衬底210退火30分钟至150分钟。然后，通过上述热力学反应产生第一氧化铪层221和第二氧化铪层222。
在第二步骤921中，去除在硅衬底210上剩余的硅材料。为了去除硅材料，可以使用将硅衬底210浸入硅刻蚀溶液预定时间的方法、利用特定化学制品清洁硅衬底210以去除在硅衬底210上剩余的硅材料的方法等。
根据实施例，形成在硅衬底210的有源像素阵列区111上的、具有高透光率的第一氧化铪(HfO2)层221和形成在硅衬底210的光学黑色像素阵列区121上的、具有低透光率的第二氧化铪层(HfOx，其中x等于或小于1)222可以通过相同的制造工艺形成。
结果，可以显著地缩短在硅衬底210上形成包括第一氧化铪层221和第二氧化铪层222的抗反射层220所需的时间。
结果，可以降低图像传感器制造成本，可以降低故障率，且可以改善图像传感器的可靠性。
通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
技术方案1.一种图像传感器，包括：
像素层，包括有源像素阵列和光学黑色像素阵列；
第一抗反射层，形成在所述有源像素阵列之上，且包括第一氧化铪层；以及
第二抗反射层，形成在所述光学黑色像素阵列之上，且包括第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
技术方案2.如技术方案1所述的图像传感器，其中，所述第一氧化铪层包括HfO2。
技术方案3.如技术方案1所述的图像传感器，其中，所述第二氧化铪层包括HfOx(x等于或小于1)。
技术方案4.如技术方案1所述的图像传感器，其中，所述第一抗反射层和所述第二抗反射层彼此邻接。
技术方案5.如技术方案1所述的图像传感器，还包括：
绝缘层，形成在所述像素层之下；
导线，形成在所述绝缘层中；
滤色器层，适于传送光，形成在所述第一抗反射层和所述第二抗反射层之上；以及
微透镜层，适于会聚光，形成在所述滤色器层之上。
技术方案6.如技术方案1所述的图像传感器，还包括：
绝缘层，形成在所述像素层与所述第一抗反射层和所述第二抗反射层之间，
导线，形成在所述绝缘层中，
滤色器层，适于传送光，形成在所述第一抗反射层和所述第二抗反射层之上；以及
微透镜层，适于会聚光，形成在所述滤色器层之上。
技术方案7.一种制造图像传感器的方法，包括：
提供形成有有源像素阵列和光学黑色像素阵列的衬底；
在所述有源像素阵列和所述光学黑色像素阵列之上形成氧化硅层；
去除所述氧化硅层的形成在所述光学黑色像素阵列之上的部分；
在所述光学黑色像素阵列和所述氧化硅层之上形成铪层；以及
在所述有源像素阵列之上形成第一氧化铪层，以及在所述光学黑色像素阵列之上形成第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
技术方案8.如技术方案7所述的方法，其中，形成所述第一氧化铪层和所述第二氧化铪层包括：
氧化所述铪层；以及
去除剩余的硅材料。
技术方案9.如技术方案7所述的方法，其中，通过在300℃至450℃对所述铪层退火来形成所述第一氧化铪层和所述第二氧化铪层。
技术方案10.如技术方案7所述的方法，其中，通过将所述铪层在室温放置30分钟至150分钟来形成所述第一氧化铪层和所述第二氧化铪层。
技术方案11.一种图像传感器，包括：
像素层，包括有源像素阵列和光学黑色像素阵列；
第一抗反射层，形成在所述有源像素阵列之上，且包括第一氧化铪层；以及
第二抗反射层，形成在所述光学黑色像素阵列之上，且包括第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的氧化物比例。
技术方案12.如技术方案11所述的图像传感器，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
技术方案13.一种制造图像传感器的方法，包括：
在有源像素阵列之上形成第一氧化物层，且在光学黑色像素阵列之上形成第二氧化物层；
在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之上形成铪层，
使所述铪层与所述第一氧化物层和所述第二氧化物层反应，以在所述有源像素阵列中形成第一氧化铪层，且在所述光学黑色像素阵列中形成第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化物层比所述第一氧化物层更薄，以及
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的氧化物比例。
技术方案14.如技术方案13所述的方法，
其中，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层中的每个包括氧化硅、氮氧化硅、或其组合。
技术方案15.如技术方案13所述的方法，还包括：
去除所述第二氧化物层。
Claims (14)
1.一种图像传感器，包括：
像素层，包括有源像素阵列和光学黑色像素阵列；
第一抗反射层，形成在所述有源像素阵列之上，且包括第一氧化铪层；以及
第二抗反射层，形成在所述光学黑色像素阵列之上，且包括第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一氧化铪层包括HfO2。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二氧化铪层包括HfOx，其中x等于或小于1。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一抗反射层和所述第二抗反射层彼此邻接。
5.如权利要求1所述的图像传感器，还包括：
绝缘层，形成在所述像素层之下；
导线，形成在所述绝缘层中；
滤色器层，适于传送光，形成在所述第一抗反射层和所述第二抗反射层之上；以及
微透镜层，适于会聚光，形成在所述滤色器层之上。
6.如权利要求1所述的图像传感器，还包括：
绝缘层，形成在所述像素层与所述第一抗反射层和所述第二抗反射层之间，
导线，形成在所述绝缘层中，
滤色器层，适于传送光，形成在所述第一抗反射层和所述第二抗反射层之上；以及
微透镜层，适于会聚光，形成在所述滤色器层之上。
7.一种制造图像传感器的方法，包括：
提供形成有有源像素阵列和光学黑色像素阵列的衬底；
在所述有源像素阵列和所述光学黑色像素阵列之上形成氧化硅层；
去除所述氧化硅层的形成在所述光学黑色像素阵列之上的部分；
在所述光学黑色像素阵列和所述氧化硅层之上形成铪层；以及
在所述有源像素阵列之上形成第一氧化铪层，以及在所述光学黑色像素阵列之上形成第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一氧化铪层和所述第二氧化铪层包括：
氧化所述铪层；以及
去除剩余的硅材料。
9.如权利要求7所述的方法，其中，通过在300℃至450℃对所述铪层退火来形成所述第一氧化铪层和所述第二氧化铪层。
10.一种图像传感器，包括：
像素层，包括有源像素阵列和光学黑色像素阵列；
第一抗反射层，形成在所述有源像素阵列之上，且包括第一氧化铪层；以及
第二抗反射层，形成在所述光学黑色像素阵列之上，且包括第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的氧比例。
11.如权利要求10所述的图像传感器，
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的透光率。
12.一种制造图像传感器的方法，包括：
在有源像素阵列之上形成第一氧化物层，且在光学黑色像素阵列之上形成第二氧化物层；
在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层之上形成铪层，
使所述铪层与所述第一氧化物层和所述第二氧化物层反应，以在所述有源像素阵列中形成第一氧化铪层，且在所述光学黑色像素阵列中形成第二氧化铪层，
其中，所述第二氧化物层比所述第一氧化物层更薄，以及
其中，所述第二氧化铪层具有比所述第一氧化铪层更低的氧比例。
13.如权利要求12所述的方法，
其中，所述第一氧化物层和所述第二氧化物层中的每个包括氧化硅、氮氧化硅、或其组合。
14.如权利要求12所述的方法，还包括：
去除所述第二氧化物层。
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