CN105988250B - 显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种显示面板。显示面板包括一第一基板、一第一绝缘层、一共同电极、一第二绝缘层、一第一像素电极以及一第二像素电极。第一绝缘层位于第一基板上。共同电极位于第一绝缘层上，且共同电极具有一第一通孔。第二绝缘层覆盖共同电极与部分的第一通孔。第一像素电极位于第二绝缘层上，且第一像素电极通过第一通孔。第二像素电极位于第二绝缘层上，且第二像素电极相邻第一像素电极。第二像素电极重叠第一通孔的一部分。

Description

显示面板

技术领域

本发明涉及一种显示面板，且特别是涉及一种具有高分辨率的显示面板。

背景技术

液晶显示器已被广泛地应用在各式电子产品，如手机、笔记型电脑(notebook)及平板电脑(Tablet PC)等，而且随着大尺寸平面显示器市场的快速发展，具有轻量化与薄型化特性的液晶显示器更是扮演着相当重要的角色，进而逐渐取代阴极射线管(CRT)显示器成为市场主流。

并且，具有高分辨率的液晶显示器已经成为目前既定的趋势。然而，基于高分辨率所引入的新技术，也容易伴随衍生新的问题，而影响显示品质的问题。因此，如何提供一种具有良好显示品质且具有高分辨率的液晶显示面板，为相关业者努力的课题之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板。实施例中，第二像素电极相邻第一像素电极、且第二像素电极重叠共同电极的第一通孔的一部分，如此一来，可以有效缩短像素电极之间的距离，使得单位面积内可以设置较多数目的像素电极，因而可以有效提升显示面板的每英寸像素值(ppi)。

为达上述目的，根据本发明的一实施例，提出一种显示面板。显示面板包括一第一基板、一第一绝缘层、一共同电极、一第二绝缘层、一第一像素电极以及一第二像素电极。第一绝缘层位于第一基板上。共同电极位于第一绝缘层上，且共同电极具有一第一通孔。第二绝缘层覆盖共同电极与部分的第一通孔。第一像素电极位于第二绝缘层上，且第一像素电极通过第一通孔。第二像素电极位于第二绝缘层上，且第二像素电极相邻第一像素电极。第二像素电极重叠第一通孔的一部分。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A为本发明一实施例的显示面板的上视图；

图1B为图1A的显示面板沿剖面线1B-1B’的剖视图；

图2A为本发明另一实施例的显示面板的上视图；

图2B为图2A的显示面板沿剖面线2B-2B’的剖视图；

图3A为本发明再一实施例的显示面板的上视图；

图3B为图3A的显示面板沿剖面线3B-3B’的剖视图；

图4为本发明又一实施例的显示面板的上视图。

符号说明

100、200、300、400：显示面板

110：第一基板

120：第一绝缘层

130：共同电极

130a：第一通孔

140：第二绝缘层

140a：第二通孔

150：第一像素电极

160：第二像素电极

160a：狭缝

170：液晶层

180：第二基板

181、183、185、187：绝缘层

189：半导体层

190：第一晶体管元件

191：第二晶体管元件

A1：第一面积

A2：第二面积

BM：黑色矩阵

D1：第一距离

D2：第二距离

D3：第三距离

DL：数据线

1B-1B’、2B-2B’、3B-3B’：剖面线

M1：扫描线

M1-1：第一扫描线

M1-2：第二扫描线

M2：金属层

具体实施方式

根据本发明的实施例，提出一种显示面板。实施例中，第二像素电极相邻第一像素电极、且第二像素电极重叠共同电极的第一通孔的一部分，如此一来，可以有效缩短像素电极之间的距离，使得单位面积内可以设置较多数目的像素电极，因而可以有效提升显示面板的每英寸像素值(ppi)。然而，实施例仅用以作为范例说明，并不会限缩本发明欲保护的范围。此外，实施例中的附图省略部分要的元件，以清楚显示本发明的技术特点。

图1A绘示根据本发明一实施例的显示面板100的上视图。图1B绘示图1A的显示面板100沿剖面线1B-1B’的剖视图。如图1A～图1B所示，显示面板100包括一第一基板110、一第一绝缘层120、一共同电极130、一第二绝缘层140、一第一像素电极150以及一第二像素电极160。第一绝缘层120位于第一基板110上。共同电极130位于第一绝缘层120上，且共同电极130具有一第一通孔130a。第二绝缘层140覆盖共同电极130与部分的第一通孔130a。第一像素电极150位于第二绝缘层140上，且第一像素电极150通过第一通孔130a。第二像素电极160位于第二绝缘层140上，且第二像素电极160相邻第一像素电极150。第二像素电极160重叠第一通孔130a的一部分。

根据本发明的实施例，第二像素电极160相邻第一像素电极150、且第二像素电极160重叠第一通孔130a的一部分，如此一来，可以有效缩短像素电极之间的距离，使得单位面积内可以设置较多数目的像素电极，也就是可以设置较多的像素单元，因而可以有效提升显示面板100的每英寸像素值(ppi)。

实施例中，共同电极130全面性地覆盖一个像素单元中的第一绝缘层120以下的结构，仅以第一通孔130a暴露出共同电极130之下的结构。

实施例中，第一基板110例如是玻璃基板或塑胶基板，第一绝缘层120例如包括有机绝缘材料。共同电极130、第一像素电极150及第二像素电极160的材质例如可分别包括透明导电材料，例如是铟锡氧化物(ITO)。

实施例中，如图1A～图1B所示，第一像素电极150与第二像素电极160相隔一第一距离D1，第二像素电极160向第一通孔130a内延伸一第二距离D2，第一距离D1例如是大于第二距离D2。

由于现今显示面板的每英寸像素值(ppi)渐趋提高的趋势，使得像素单元的尺寸减小，像素电极与共同电极彼此重叠的面积也减少，因而可能产生存储电容减小的疑虑。根据本发明的实施例，如图1B所示，第二像素电极160向第一通孔130a内延伸一第二距离D2，换言之，第二像素电极160完全覆盖共同电极130。再者，如图1B所示，第一像素电极150也完全覆盖共同电极130。根据本发明的第一像素电极150/第二像素电极160和共同电极130的设计，可以使得共同电极130与第一像素电极150/第二像素电极160重叠的面积极大化并夹有第二绝缘层140于其中，如此一来，可以有效提高像素电极与共同电极重叠的面积，进而可以达到提高显示面板的每英寸像素值(ppi)同时也有效提高存储电容。

再者，根据本发明的实施例，第二像素电极160向第一通孔130a内延伸一第二距离D2，也就是说，第二像素电极160延伸并超过共同电极130而覆盖一部分的第一通孔130a，可以有效防止因为制作工艺的误差造成第二像素电极160相对于共同电极130的位置的偏移。换言之，第二像素电极160延伸并超过共同电极130的边缘可以提供制作工艺上的缓冲，使得最终完成的产品可以具有共同电极130与第一像素电极150/第二像素电极160的重叠面积极大化的结构。

实施例中，第一距离D1例如是2.0～5.0微米(μm)，第二距离例如是0.1～1.0微米。

如图1A所示，实施例中，第二像素电极160可具有至少一狭缝160a，狭缝160a与第一通孔130a相隔一第三距离D3，第三距离D3例如是大于第二距离D2。

实施例中，第三距离D3例如是2.0～5.0微米。

如图1A所示，实施例中，第一像素电极150与第一通孔130a重叠的一第一面积A1例如是大于第二像素电极160与第一通孔130a重叠的一第二面积A2。

实施例中，显示面板100还可包括一扫描线M1。如图1A～图1B所示，本实施例中，扫描线M1例如是与第二像素电极160的一部分重叠。

如图1A所示，实施例中，第一绝缘层140具有一第二通孔140a，第二通孔140a位于第一通孔130a之中，且第二通孔140a例如是小于第一通孔130a。

实施例中，如图1B所示，显示面板100还可包括一金属层M2。第一像素电极150通过第二通孔140a电连接金属层M2。

实施例中，第一像素电极150可以经由金属层M2电连接至漏极/源极。

实施例中，如图1A所示，显示面板100还可包括一数据线DL。金属层M2可电连接至数据线DL。换言之，第一像素电极150可通过第二通孔140a电连接金属层M2并进而电连接至数据线DL。

实施例中，如图1B所示，显示面板100还可包括一第二基板180以及一液晶层170。第一基板110和第二基板180对组，液晶层170位于第一基板110和第二基板180之间。实施例中，第二基板180例如是彩色滤光层基板。

实施例中，如图1B所示，显示面板100还可包括一黑色矩阵BM。黑色矩阵BM位于第二基板180上，且对应共同电极130的第一通孔130a。但在其他实施例中，该黑色矩阵BM也可位于第一基板110上，以作为BOA(Black matrix on array)架构。

实施例中，如图1B所示，显示面板100还可包括绝缘层181、183、185和187以及半导体层189。扫描线M1位于绝缘层185上，半导体层189位于绝缘层187上。绝缘层181、183、185和187例如可分别包括氮化硅、氧化硅或两者的组合。半导体层189例如可包括多晶硅(polysilicon)、低温多晶硅(LTPS)或非晶相硅(amorphous silicon)。

根据本发明的实施例，共同电极130、第一像素电极150和第二像素电极160均位于液晶层170的同一侧，且共同电极130和像素电极150/160之间以第二绝缘层140相隔开来，且此些电极都位于晶体管元件侧的第一基板110之上，显示面板100例如是边缘电场切换型(fringe field switching，FFS)液晶显示面板。

图2A绘示根据本发明另一实施例的显示面板200的上视图。图2B绘示图2A的显示面板200沿剖面线2B-2B’的剖视图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图2A～图2B所示，本实施例中，显示面板200的扫描线M1例如是位于第一像素电极150和第二像素电极160之间。扫描线M1并未与第一像素电极150或第二像素电极160重叠。

图3A绘示根据本发明再一实施例的显示面板的上视图。图3B绘示图3A的显示面板沿剖面线3B-3B’的剖视图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图3A～图3B所示，本实施例中，显示面板300的扫描线M1可同时与第一像素电极150的一部分及第二像素电极150的一部分重叠。

图4绘示根据本发明又一实施例的显示面板400的上视图。本实施例中与前述实施例相同或相似的元件沿用同样或相似的元件标号，且相同或相似元件的相关说明请参考前述，在此不再赘述。

如图4所示，显示面板400还可包括一第一晶体管元件190、一第一扫描线M1-1、一第二晶体管元件191及一第二扫描线M1-2。请同时参照图1A～图1B及图4，第一晶体管元件190、第一扫描线M1-1、第二晶体管元件191及第二扫描线M1-2位于第一基板110上。第一晶体管元件190由第一扫描线M1-1所控制，第一晶体管元件190电连接于第一像素电极150。第二晶体管元件191由第二扫描线M1-2所控制，且第二晶体管元件191电连接于第二像素电极160。第二扫描线M1-2相邻第一扫描线M1-1，且第一绝缘层120覆盖第一晶体管元件190与第二晶体管元件191。

虽然结合以上优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (12)

1.一种显示面板，包括：

第一基板；

第一绝缘层，位于该第一基板上；

共同电极，位于该第一绝缘层上，具有第一通孔；

第二绝缘层，覆盖该共同电极与部分的该第一通孔；

第一像素电极，位于该第二绝缘层上，该第一像素电极通过该第一通孔；

第二像素电极，位于该第二绝缘层上，该第二像素电极相邻该第一像素电极；

其中，该第二像素电极重叠该第一通孔的一部分，该第一像素电极与该第二像素电极相隔一第一距离，该第二像素电极向该第一通孔内延伸一第二距离，该第一距离大于该第二距离，该第二像素电极具有狭缝，该狭缝与该第一通孔相隔一第三距离，该第三距离大于该第二距离。

2.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一距离为2.0～5.0微米(μm)。

3.如权利要求1所述的显示面板，其中该第二距离为0.1～1.0微米。

4.如权利要求1所述的显示面板，其中该第三距离为2.0～5.0微米。

5.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一像素电极与该第一通孔重叠的第一面积大于该第二像素电极与该第一通孔重叠的第二面积。

6.如权利要求1所述的显示面板，还包括：

扫描线，其中该扫描线同时与该第一像素电极的一部分及该第二像素电极的一部分重叠。

7.如权利要求1所述的显示面板，还包括：

扫描线，其中该扫描线与该第二像素电极的一部分重叠。

8.如权利要求1所述的显示面板，其中该第一绝缘层具有第二通孔，该第二通孔位于该第一通孔之中且小于该第一通孔。

9.如权利要求8所述的显示面板，还包括：

金属层，其中该第一像素电极通过该第二通孔电连接该金属层。

10.如权利要求9所述的显示面板，还包括：

数据线，该金属层电连接至该数据线。

11.如权利要求1所述的显示面板，还包括：

第一晶体管元件及第一扫描线，位于该第一基板上，该第一晶体管元件由该第一扫描线所控制，且该第一晶体管元件电连接于该第一像素电极；以及

第二晶体管元件及第二扫描线，位于该第一基板上，该第二晶体管元件由该第二扫描线所控制，且该第二晶体管元件电连接于该第二像素电极；

其中该第二扫描线相邻该第一扫描线，该第一绝缘层覆盖该第一晶体管元件与该第二晶体管元件。

12.如权利要求1所述的显示面板，还包括：

第二基板；以及

液晶层，位于该第一基板和该第二基板之间。