CN106293256B - In-cell型触控面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种In‑cell型触控面板及其制造方法，属于显示技术领域。解决了In‑cell型触控面板存储电容小的问题。本发明所述的In‑cell型触控面板，包括在彩色滤光片一侧用于传输信号的走线层，在所述走线层上的绝缘层，绝缘层包括多个过孔，在绝缘层上的黑色矩阵层，黑色矩阵层分割为多个独立的黑色矩阵触控单元，多根走线与多个独立的黑色矩阵触控单元对应，多个过孔与多个独立的黑色矩阵触控单元对应，通过对应的过孔黑色矩阵触控单元与对应的走线导通。最终增大了像素的存储电容。本发明所述的In‑cell型触控面板的制造方法，通过在彩色滤光片上形成走线层和黑色矩阵层，最终增大了像素的存储电容。

Description

In-cell型触控面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及In-cell型触控面板及其制造方法。
背景技术
触控技术近些年发展迅猛，现有的触控面板，根据触控单元设置位置的不同，可分为触控单元覆盖于液晶盒上方式(On Cell)、触控单元内嵌在液晶盒内方式(In Cell)以及触控单元外挂于显示面板方式(Out Cell)。
如图1和图2所示，传统的自电容式In cell型触控面板结构是在薄膜晶体管玻璃板(TPT glass)的阵列(Array)侧沉积一层金属层作为传输触控信号的走线。将有效显示(AA)区内底层氧化铟锡(B-ITO)划分为若干个单独的小区域。每个小区域作为一个触控单元(Sensor pad)，触控单元之间断开。再将底部的金属层通过过孔(VIA)导通到上层的触控单元(Sensor pad)上。每一根金属走线控制一个触控单元。当面板处于显示阶段时，金属走线传输公共电压(Com)电位到底层氧化铟锡，当面板处于触控阶段时，金属层传输触控信号到每一个独立的触控单元。但是这种结构中，在阵列侧多增加了一层绝缘层(PV)，从而增大了像素电极与公共电压电极之间的距离。金属走线与底层氧化铟锡之间具有钝化层(TP-IL)，增加了底层氧化铟锡(B-ITO)与顶层氧化铟锡(T-ITO)之间的距离。这种结构减小了像素的储存电容，尤其当PPI(每英寸所拥有的像素数目)越高时，存储电容就越小，降低了面板的显示能力。
发明内容
针对上述现有技术的中In cell型触控面板的存储电容小，降低了面板的显示能力的问题，本发明提出了一种In-cell型触控面板及其制造方法。
本发明的一种In-cell型触控面板，包括：
在彩色滤光片的一侧用于传输信号的走线层，走线层包括多根走线。
在所述走线层上的绝缘层，所述绝缘层包括多个过孔。
在所述绝缘层上的黑色矩阵层，所述黑色矩阵层分割为多个独立的黑色矩阵触控单元，所述多根走线与所述多个独立的黑色矩阵触控单元对应，多个过孔与多个独立的黑色矩阵触控单元对应。
通过对应的过孔黑色矩阵触控单元与对应的走线导通。
优选的是，它还包括用于封装的玻璃罩，所述玻璃罩通过光学胶固定在所述黑色矩阵层上。
优选的是，多个独立的黑色矩阵触控单元之间的缝隙设有遮光结构。
优选的是，采用栅极线(Gate line)遮挡平行于扫描线方向的缝隙，采用源漏极线遮挡平行于数据线(Data line)方向的缝隙。
优选的是，彩色滤光片有效显示区的黑色矩阵层以像素为单元分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
通过对黑色矩阵触控单元之间的缝隙进行遮挡，能够有效避免有效显示区漏光。黑色矩阵层采用金属制程。
本发明的一种In-cell型触控面板的制造方法，包括以下步骤：
在彩色滤光片的一侧形成用于传输信号的走线层，走线层包括多根走线。
在所述走线层上形成绝缘层，所述绝缘层包括多个过孔。
在所述绝缘层上形成黑色矩阵层，使得黑色矩阵层分割为多个独立的黑色矩阵触控单元，所述多根走线与所述多个独立的黑色矩阵触控单元对应，多个过孔与多个独立的黑色矩阵触控单元对应，通过对应的过孔黑色矩阵触控单元与对应的走线导通。
优选的是，它还包括在黑色矩阵层上形成光学胶层，在光学胶层上形成用于封装的玻璃罩。
优选的是，在多个独立的黑色矩阵触控单元之间的缝隙形成遮光结构。
优选的是，采用栅极线遮挡平行于扫描线方向的缝隙，采用源漏极线遮挡平行于数据线方向的缝隙。
优选的是，彩色滤光片有效显示区的黑色矩阵层以像素为单元分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
本发明的In-cell型触控面板，走线层、绝缘层和黑色矩阵层在彩色滤光片上。此种结构在薄膜晶体管基板(TPT glass)的阵列(Array)侧没有钝化层(TP-IL)。本发明有效的降低了像素电极与公共电压电极之间的距离，增大了像素的存储电容，同时减少了阵列侧的制程，有利于提升阵列的良率。
本发明的In-cell型触控面板的制造方法，在彩色滤光片上沉积走线层、绝缘层和黑色矩阵层。本发明在薄膜晶体管玻璃板(TPT glass)的阵列(Array)侧没有钝化层(TP-IL)，有效的降低了像素电极与公共电压电极之间的距离，增大了像素的存储电容，提升面板的显示效果，减少了阵列侧的制程，有利于提升阵列的良率。
上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代，只要能够达到本发明的目的。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述，其中：
图1显示了现有技术的传统自电容式In cell型触控面板的结构示意图；
A1为底层氧化铟锡，A2为过孔，A3为有效显示区，A4为彩色滤光片(CF)，A5为薄膜晶体管(TFT)，A6为集成电路(IC),A7为柔性电路板(FPC)；
图2显示了现有技术的传统自电容式In cell型触控基板的剖面结构示意图；
4为黑色矩阵层(BM)，7为彩色滤光片与薄膜晶体管玻璃板间的支撑柱(PS)，A8为顶层氧化铟锡，A9为存储电容，A10为一号绝缘层(PV)，A11为第一金属层，A12为钝化层(TP-IL)，A13为平坦层(PLN)，A14为源极，A15为漏极，A16为第二绝缘层(ILD)，A17为第二金属层(GE)，A18为第三绝缘层(GI)，A19为低温多晶硅(LTPS)，A20为缓冲层(Buffer),A21为遮光金属层，A22为玻璃基板；
图3显示了实施例一的黑色矩阵层在彩色滤光片上的结构示意图；
图4显示了实施例一的黑色矩阵触控单元的结构示意图；
图5显示了实施例一的一种In-cell型触控面板的结构示意图；
图6显示了实施例一的一种In-cell型触控面板的剖面结构示意图；
8为薄膜晶体管玻璃；
图7显示了实施例一的水平时序驱动信号图。
在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清除完整地描述。显然，所描述的实施方式是本发明的一部分实施方式，而不是全部实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应属于本发明保护的范围。
本发明所要解决的技术问题是为了解决现有的液晶显示面板所存在的大视角色偏现象。为解决上述问题，本发明的提供了以下具体实施方式进行详细说明。
实施例一
下面结合图3至图7详细地说明本实施例。
本实施方式中的一种In-cell型触控面板，包括：
在彩色滤光片1的一侧用于传输信号的走线层2，走线层2包括多根走线；
在走线层2上的绝缘层3，绝缘层3包括多个过孔3a；
在绝缘层3上的黑色矩阵层4，黑色矩阵层4分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
如图3所示，黑色矩阵层4分布与彩色滤光片的有效显示区和周边，将周边的黑色矩阵层与有效显示区的黑色矩阵层分割，并将彩色滤光片1有效显示区的黑色矩阵层4以像素为单元分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
多根走线与多个独立的黑色矩阵触控单元对应，多个过孔3a与多个独立的黑色矩阵触控单元对应。
通过对应的过孔3a黑色矩阵触控单元与对应的走线导通。
基于上述具体实施方式，具体的：
它还包括用于封装的玻璃罩5，玻璃罩5通过光学胶6固定在黑色矩阵层4上。
如图4所示，多个独立的黑色矩阵触控单元之间的缝隙设有遮光结构。
采用栅极线遮挡平行于扫描线方向的缝隙，采用源漏极线遮挡平行于数据线方向的缝隙。图4中，9为源漏极线，10为栅极线。
彩色滤光片1有效显示区的黑色矩阵层4以像素为单元分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
图5中虚线框内的黑色矩阵层为一个黑色矩阵触控单元，黑色矩阵触控单元之间相互独立，一根走线与一个黑色矩阵触控单元通过过孔导通，彩色滤光片1有效显示区的黑色矩阵触控单元阵列式排布。
图6中，6为色阻层，色阻层在彩色滤光片的另一侧。
图7为水平时序驱动信号图。
在控制面板的最后一条Gate关闭到下一个周期第1条Gate写入时，存在着一个闪烁时间(Blinking Time)。这段时序中，将黑色矩阵层输入高电位的传输电极讯号。即将一个水平周期分为触控时间(Touch Time)与像素写入时间(Pixel Write Time)。在像素写入时间段，所有像素正常输入讯号，此时黑色矩阵层的走线传输GND信号，作为屏蔽信号。在触控时间段内，黑色矩阵层的走线写入高频的触控电极讯号。
本实施方式在彩色滤光片的另一侧沉积色阻层6，在彩色滤光片的一侧沉积走线层2，作为传输触控信号的走线，再沉积一层绝缘层(TP-IL)，在绝缘层上沉积一层金属的黑色矩阵层。通过过孔黑色矩阵层与走线导通。采用玻璃罩进行封装。
现有技术中将触控单元设置于薄膜晶体管玻璃板上，在薄膜晶体管玻璃板阵列侧多增加了一层绝缘层。从而增大了像素电极与公共电压电极之间的距离，金属走线与底层氧化铟锡之间具有钝化层，增加了底层氧化铟锡与顶层氧化铟锡之间的距离，这种结构减小了像素的储存电容。而本实施方式中，在彩色滤光片背离色阻层的一侧设置触控单元，解决了储存电容小的问题。本实施方式有效的降低了像素电极与Com电极之间的厚度，增大了像素的存储电容，提升了面板的显示能力。
实施例二
本实施方式中的一种In-cell型触控面板的制造方法，包括以下步骤：
在彩色滤光片1的一侧形成用于传输信号的走线层2，走线层2包括多根走线；
在走线层2上形成绝缘层3，绝缘层3包括多个过孔3a。
在绝缘层3上形成黑色矩阵层4，使得黑色矩阵层4分割为多个独立的黑色矩阵触控单元，多根走线与多个独立的黑色矩阵触控单元对应，多个过孔3a与多个独立的黑色矩阵触控单元对应，通过对应的过孔3a黑色矩阵触控单元与对应的走线导通。
基于上述具体实施方式，具体的：
它还包括在黑色矩阵层4上形成光学胶层，在光学胶层上形成用于封装例如黑色矩阵层的玻璃罩5。
在多个独立的黑色矩阵触控单元之间的缝隙形成遮光结构。
采用栅极线遮挡平行于扫描线方向的缝隙，采用源漏极线遮挡平行于数据线方向的缝隙。
彩色滤光片1有效显示区的黑色矩阵层4以像素为单元分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
现有技术中将触控单元形成于薄膜晶体管玻璃板上，在薄膜晶体管玻璃板阵列侧多增加了一层绝缘层，从而增大了像素电极与公共电压电极之间的距离，金属走线与底层氧化铟锡之间具有钝化层，增加了底层氧化铟锡与顶层氧化铟锡之间的距离，减小了像素的储存电容。而本实施方式中，在彩色滤光片的一侧形成触控单元，解决了储存电容小的问题。本实施方式在薄膜晶体管玻璃板上无TP-IL绝缘层，有效的降低了像素电极与Com电极之间的厚度，增大了像素的存储电容，提升了面板的显示能力。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。

Claims (10)

1.一种In-cell型触控面板，其特征在于，包括：
在彩色滤光片(1)的一侧用于传输信号的走线层(2)，所述走线层(2)包括多根走线；
在所述走线层(2)上的绝缘层(3)，所述绝缘层(3)包括多个过孔(3a)；
在所述绝缘层(3)上的黑色矩阵层(4)，所述黑色矩阵层(4)分割为多个独立的黑色矩阵触控单元，所述多根走线与所述多个独立的黑色矩阵触控单元对应，所述多个过孔(3a)与所述多个独立的黑色矩阵触控单元对应；
通过对应的过孔(3a)黑色矩阵触控单元与对应的走线导通。
2.如权利要求1所述的In-cell型触控面板，其特征在于，还包括用于封装的玻璃罩(5)，所述玻璃罩(5)通过光学胶(6)固定在所述黑色矩阵层(4)上。
3.如权利要求1或2所述的In-cell型触控面板，其特征在于，所述多个独立的黑色矩阵触控单元之间的缝隙设有遮光结构。
4.如权利要求3所述的In-cell型触控面板，其特征在于，采用栅极线遮挡平行于扫描线方向的缝隙，采用源漏极线遮挡平行于数据线方向的缝隙。
5.如权利要求1或2所述的In-cell型触控面板，其特征在于，所述彩色滤光片(1)有效显示区的所述黑色矩阵层(4)以像素为单元分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
6.一种In-cell型触控面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在彩色滤光片(1)的一侧形成用于传输信号的走线层(2)，所述走线层(2)包括多根走线；
在所述走线层(2)上形成绝缘层(3)，所述绝缘层(3)包括多个过孔(3a)；
在所述绝缘层(3)上形成黑色矩阵层(4)，使得所述黑色矩阵层(4)分割为多个独立的黑色矩阵触控单元，所述多根走线与所述多个独立的黑色矩阵触控单元对应，所述多个过孔(3a)与所述多个独立的黑色矩阵触控单元对应，通过对应的过孔(3a)黑色矩阵触控单元与对应的走线导通。
7.如权利要求6所述的In-cell型触控面板的制造方法，其特征在于，还包括在所述黑色矩阵层(4)上形成光学胶层，在所述光学胶层上形成用于封装的玻璃罩(5)。
8.如权利要求6或7所述的In-cell型触控面板的制造方法，其特征在于，在所述多个独立的黑色矩阵触控单元之间的缝隙形成遮光结构。
9.如权利要求8所述的In-cell型触控面板的制造方法，其特征在于，采用栅极线遮挡平行于扫描线方向的缝隙，采用源漏极线遮挡平行于数据线方向的缝隙。
10.如权利要求6或7所述的In-cell型触控面板的制造方法，其特征在于，所述彩色滤光片(1)有效显示区的所述黑色矩阵层(4)以像素为单元分割为多个独立的黑色矩阵触控单元。
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