CN105977165A - p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 - Google Patents
p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105977165A CN105977165A CN201610338044.4A CN201610338044A CN105977165A CN 105977165 A CN105977165 A CN 105977165A CN 201610338044 A CN201610338044 A CN 201610338044A CN 105977165 A CN105977165 A CN 105977165A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film transistor
- cuo film
- type cuo
- copper oxide
- oxide thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 16
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 title abstract description 8
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 title abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 17
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 12
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 235000013877 carbamide Nutrition 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- PTVDYARBVCBHSL-UHFFFAOYSA-N copper;hydrate Chemical compound O.[Cu] PTVDYARBVCBHSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WXYNCCWBUXKSBG-UHFFFAOYSA-N copper;nitric acid Chemical compound [Cu].O[N+]([O-])=O WXYNCCWBUXKSBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen pentoxide Inorganic materials [O-][N+](=O)O[N+]([O-])=O ZWWCURLKEXEFQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 abstract description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SXTLQDJHRPXDSB-UHFFFAOYSA-N copper;dinitrate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O SXTLQDJHRPXDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/477—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
- H01L29/242—AIBVI or AIBVII compounds, e.g. Cu2O, Cu I
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,包括以强氧化性的硝酸铜为溶质,以乙酰丙酮、甘氨酸、尿素或柠檬酸为络合剂配置前驱体溶液;然后利用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理;最后在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。该方法制备过程中会自主释放出大量的热能,使缩合化反应和致密化过程在较低的温度下和较短的时间内发生从而制得电学性能稳定的p型氧化铜薄膜,该方法工艺简单、原料易得。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料与元器件领域,具体涉及一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法。
背景技术
薄膜晶体管是由沉积在衬底上的导电层、有源层、绝缘层等薄膜构成,是为适应全膜化薄膜集成电路的需要而发展起来的,它被广泛应用在平板显示器、薄膜集成电路、光电图像传感器、薄膜存储器和气敏传感器等领域。近十几年以来,以氧化物为沟道的薄膜晶体管具有较高的场效应迁移率、较小的亚阈值摆幅、较大的开关比、较好的透明性、可低温制备以及与硅基工艺基本兼容等诸多优点而备受关注。然而目前研究的氧化物薄膜晶体管主要是N型器件,N型氧化物晶体管只有与p型氧化物晶体管结合才能组成互补型金属氧化物电路,这是实现氧化物大面积电子电路的基础,然而有关P型氧化物薄膜晶体管的报道还比较少见。
氧化铜是一种重要的p型材料,一直以来被广泛的应用于催化剂、气敏传感器、光学开关、磁存储介质等领域。近年来,人们成功的采用溶胶凝胶工艺制备了以氧化铜薄膜为有源层的薄膜晶体管。其工艺所用溶质多为醋酸铜、氯化铜和硫酸铜等,且存在热处理温度高、电学性能不稳定等缺点。
为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足,从而提供一种热处理温度低、工艺简单、原料易得且所得产品电学性能稳定的p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法。
为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:
提供一种铜离子浓度为0.02 mol/L~0.06 mol/L的硝酸铜有机溶液;然后向所述硝酸铜有机溶液中加入络合剂进行混合制得前驱体溶液,其中所述络合剂为乙酰丙酮、甘氨酸、尿素、柠檬酸中的一种或几种的组合;
采用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理;
采用热蒸发镀膜法在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。
基于上述,制得所述前驱体溶液的步骤包括:将无水硝酸铜或水合硝酸铜溶于2-甲氧基乙醇溶剂中,制得铜离子浓度为0.02 mol/L~0.06 mol/L的所述硝酸铜有机溶液;然后按照摩尔比为1:(0.5~1.5)的比例向所述硝酸铜有机溶液中加所述络合剂进行混合制得所述前驱体溶液。
基于上述,制备所述氧化铜薄膜的步骤包括:将所述前驱体溶液分多次旋涂在在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜;然后在260℃~300℃温度下对其进行退火4小时~6小时;其中,每次旋涂后均需在260℃~300℃进行热处理15分钟~30分钟。
基于上述,制备所述贵金属层的步骤包括:采用热蒸发镀膜法以金或银为贵金属材料在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀厚度为50 nm~100 nm,沟道长度为20 μm~60 μm、沟道宽度为500 μm~1000 μm贵金属层分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。
由本发明提供的上述制备方法制备的p型氧化铜薄膜晶体管,它包括作为栅极的重掺杂硅衬底层和依次设置在所述重掺杂硅衬底层上的二氧化硅绝缘层和作为有缘层的p型氧化铜薄膜层;在所述p型氧化铜薄膜层表面还分别设置有作为源极和漏极的贵金属层。需要说明的是有本发明所述的制备方法适合于制备通用各种类型结构的p型氧化铜薄膜晶体管。
本发明相对现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步,具体的说,本发明采用溶胶凝胶法以强氧化性的硝酸铜为溶质,配合乙酰丙酮、甘氨酸、尿素、柠檬酸中的一种或几种络合剂提高反应物质活性的同时,还与其共同作为辅助燃料,在对p型氧化铜薄膜层退火处理过程中会放出大量的热能,使缩合反应和致密化过程能在260℃~300℃温度下和4小时~6小时内形成高质量的p型氧化铜薄膜。本发明公开的p型氧化铜薄膜晶体管制备方法具有热处理温度低、工艺简单、原料易得等优点,且制得的p型氧化铜薄膜晶体管具有电学性能稳定的特性。
附图说明
图1为本发明实施例1中的结构示意图。
图2为实施例1制备的p型氧化铜薄膜晶体管输出特性曲线图。
图3为实施例1制备的p型氧化铜薄膜晶体管转移特性曲线图。
图4为本发明实施例2中的结构示意图。
图中:1、重掺杂硅衬底层;2、二氧化硅绝缘层;3、p型氧化铜薄膜层;4、源极;5、漏极。
具体实施方式
下面通过具体实施方式,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
实施例
1
本实施例提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:
将三水合硝酸铜溶解于甲氧基乙醇溶剂中,配置铜离子浓度为0.06 mol/L的硝酸铜有机溶液,然后向所述硝酸铜有机溶液中加入与铜离子相同摩尔量的乙酰丙酮,25℃条件下进行磁力搅拌3小时形成前驱体溶液;
将所述前驱体溶液滴在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅层上,用台式匀胶机旋涂30秒,旋转速度为3000 rpm,然后将其置于300℃的热板上加热20分钟,重复上述旋涂、加热过程直至在所述二氧化硅层上形成厚度为50 nm的p型氧化铜薄膜层,然后将其置于300℃的热板上进行退火处理5小时;
将带有源漏电极图形的金属掩膜固定在所述p型氧化铜薄膜层表面,用热蒸发镀膜在其表面蒸镀金层分别作为源极和漏极,控制所述金层的厚度为50 nm、沟道长度为50 μm、沟道宽度为1000 μm,从而制得p型氧化铜薄膜晶体管。
由本实施例提供的制备方法制备的p型氧化铜薄膜晶体管结构如图1所示,它包括作为栅极的重掺杂硅衬底层1、依次设置在所述重掺杂硅衬底层1上的二氧化硅绝缘层2和p型氧化铜薄膜层3;在所述p型氧化铜薄膜层3表面还分别设置有作为源极4和漏极5的金层。
实验验证
采用特性测试仪对有本实施例所述的制备方法制得的p型氧化铜薄膜晶体管进行输出特性和转移特性测试,结果分别如图2和图3所示,图2中横坐标漏电压和纵坐标漏电流分别指的是所述p型氧化铜薄膜晶体管的源极和漏极之间的电压和电流,图3中触发电压是指晶体管栅极和源极之间的电压值,由图中可以看出,所述p型氧化铜薄膜晶体管在p沟道模式工作时,能表现出很好的饱和特性和夹断特性,因此由该方法制备的所述p型氧化铜薄膜晶体管具有稳定的电学性能。
实施例
2
本实施例提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,具体步骤与实施例1中的大致相同,不同之处在于:
本实施例以硝酸铜为溶质以甲氧基乙醇为溶剂配置铜离子浓度为0.02 mol/L的硝酸铜有机溶液,然后分别向所述硝酸铜有机溶液中加入与铜离子相同摩尔量的甘氨酸和尿素,25℃条件下进行磁力搅拌5小时形成所述前驱体溶液。
本实施例提供的一种由上述制备方法制备的p型氧化铜薄膜晶体管结构如图4所示,与实施例1不同的是本实施例中所述金层是一组对称的曲面结构;它具体包括作为栅极的重掺杂硅衬底层1、依次设置在所述重掺杂硅衬底层1上的二氧化硅绝缘层2和作为有源层的p型氧化铜薄膜层3;在所述p型氧化铜薄膜层3表面还分别设置有作为源极4和漏极5的贵金属层。
实施例
3
本实施例提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,具体步骤与实施例1中的大致相同,不同之处在于:
本实施例中采用台式匀胶机将制备的所述前驱体溶液旋涂在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上,在260℃进行热处理30分钟,重复上述旋涂和热处理步骤在所述二氧化硅层上形成厚度为30 nm的p型氧化铜薄膜层,然后在300℃温度下进行热处理4小时。
本实施例提供的一种由上述制备方法制备的p型氧化铜薄膜晶体管结构同实施例1中的结构。
实施例
4
本实施例提供一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,具体步骤与实施例1中的大致相同,不同之处在于:
本实施例以硝酸铜为溶质以甲氧基乙醇为溶剂配置铜离子浓度为0.05 mol/L的硝酸铜有机溶液,然后分别向所述硝酸铜有机溶液中加入与铜离子摩尔比为1:1.5的尿素、柠檬酸,25℃条件下进行磁力搅拌5小时形成所述前驱体溶液。
本实施例提供的一种由上述制备方法制备的p型氧化铜薄膜晶体管结构同实施例1中的结构。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本发明技术方案的精神,其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。
Claims (4)
1.一种p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,包括以下步骤:
提供一种铜离子浓度为0.02
mol/L~0.06 mol/L的硝酸铜有机溶液;然后向所述硝酸铜有机溶液中加入络合剂进行混合制得前驱体溶液,其中所述络合剂为乙酰丙酮、甘氨酸、尿素、柠檬酸中的一种或几种的组合;
采用所述前驱体溶液在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜并对其进行退火处理;
采用热蒸发镀膜法在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀贵金属层分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,制得所述前驱体溶液的步骤包括:将无水硝酸铜或水合硝酸铜溶于2-甲氧基乙醇溶剂中,制得铜离子浓度为0.02 mol/L~0.06 mol/L的所述硝酸铜有机溶液;然后按照摩尔比为1:(0.5~1.5)的比例向所述硝酸铜有机溶液中加所述络合剂进行混合制得所述前驱体溶液。
3.根据权利要求1或2所述的p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,制备所述p型氧化铜薄膜的步骤包括:将所述前驱体溶液分多次旋涂在在以重掺杂硅为衬底的二氧化硅绝缘层上形成厚度为30 nm~50 nm的p型氧化铜薄膜;然后在260℃~300℃温度下对其进行退火4小时~6小时;其中,每次旋涂后均需在260℃~300℃进行热处理15分钟~30分钟。
4.根据权利要求3所述的p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,制备所述贵金属层的步骤包括:采用热蒸发镀膜法以金或银为贵金属材料在所述p型氧化铜薄膜表面蒸镀厚度为50 nm~100 nm,沟道长度为20 μm~60 μm、沟道宽度为500 μm~1000 μm贵金属电极分别作为源极和漏极,从而制得所述p型氧化铜薄膜晶体管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610338044.4A CN105977165B (zh) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610338044.4A CN105977165B (zh) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105977165A true CN105977165A (zh) | 2016-09-28 |
CN105977165B CN105977165B (zh) | 2018-07-13 |
Family
ID=56956083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610338044.4A Active CN105977165B (zh) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105977165B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106992148A (zh) * | 2017-04-05 | 2017-07-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 互补型tft器件的制作方法及oled显示面板的制作方法 |
CN107017309A (zh) * | 2017-04-12 | 2017-08-04 | 青岛大学 | 一种溶液法制备三元p型金属氧化物薄膜晶体管的方法 |
US10096656B1 (en) | 2017-05-16 | 2018-10-09 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method for complementary TFT device and manufacturing method for OLED display panel |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001077047A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
KR20110038966A (ko) * | 2009-10-09 | 2011-04-15 | 엘지이노텍 주식회사 | P형 반도체 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법 |
-
2016
- 2016-05-20 CN CN201610338044.4A patent/CN105977165B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001077047A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | 薄膜半導体装置およびその製造方法 |
KR20110038966A (ko) * | 2009-10-09 | 2011-04-15 | 엘지이노텍 주식회사 | P형 반도체 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JAEWON JANG ET AL: "P-type CuO and Cu2O transistor derived from a sol-gel copper (II) acetate monohydrate precursor", 《THIN SOLID FILMS》 * |
逯亚飞: "CuO纳米材料的制备以及应用研究进展", 《应用化工》 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106992148A (zh) * | 2017-04-05 | 2017-07-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 互补型tft器件的制作方法及oled显示面板的制作方法 |
WO2018184280A1 (zh) * | 2017-04-05 | 2018-10-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 互补型tft器件的制作方法及oled显示面板的制作方法 |
CN107017309A (zh) * | 2017-04-12 | 2017-08-04 | 青岛大学 | 一种溶液法制备三元p型金属氧化物薄膜晶体管的方法 |
US10096656B1 (en) | 2017-05-16 | 2018-10-09 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method for complementary TFT device and manufacturing method for OLED display panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105977165B (zh) | 2018-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN202405260U (zh) | 一种有源矩阵显示器 | |
CN104009093B (zh) | 一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法 | |
CN104051275B (zh) | 一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法 | |
CN105977165A (zh) | p型氧化铜薄膜晶体管的制备方法 | |
CN102280580A (zh) | 有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
CN103413833A (zh) | 一种柔性ZnO基薄膜晶体管及其制备方法 | |
CN105489486A (zh) | 一种基于超薄氧化镁高k介电层薄膜晶体管的制备方法 | |
CN102709184B (zh) | 含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板 | |
CN105514039A (zh) | 一种基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管器件的优化方法 | |
CN104882542A (zh) | 一种基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法 | |
CN108735821A (zh) | 一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
CN106328592A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
CN101188272A (zh) | 有机薄膜晶体管的制造方法 | |
CN108987283A (zh) | 一种镓锡氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法和应用 | |
CN106252278A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法 | |
CN104009091A (zh) | 一种基于规整性碳纳米管条纹阵列的铁电场效应晶体管及其制备方法 | |
Cho et al. | Electrical and chemical stability engineering of solution-processed indium zinc oxide thin film transistors via a synergistic approach of annealing duration and self-combustion process | |
Gao et al. | Solution-processed zirconium oxide gate insulators for top gate and low operating voltage thin-film transistor | |
CN104867834A (zh) | 基于soi衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法 | |
CN105304497B (zh) | 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法 | |
CN109037031A (zh) | 一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法 | |
CN209747522U (zh) | 一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管 | |
CN107903712A (zh) | 一种喷墨打印技术中的半导体金属氧化物墨水及使用方法 | |
CN102779758A (zh) | 一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法 | |
CN107611005A (zh) | 一种多晶硅薄膜的制备方法及其产物和包含该多晶硅薄膜的太阳能电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |