CN105960068A - 一种防止led灯下电回闪电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种防止LED灯下电回闪电路，包括：一防止LED灯下电回闪电路本体，所述防止LED灯下电回闪电路本体连接一***电路；以及一输入电容快速放电模块，所述输入电容快速放电模块连接于所述防止LED灯下电回闪电路本体，用于当所述供电电容的输出电压达到一预设值后，将所述***电路的输入电压快速下降至零。本发明的一种防止LED灯下电回闪电路具有能够在解决下电回闪问题的同时不改变LED工作芯片的启动电流，从而不增加LED***正常上电时的启动时间，具有防下电回闪且上电启动时间短、用户体验佳的优点。

Description

一种防止LED灯下电回闪电路

技术领域

本发明涉及LED灯供电电路领域，尤其涉及一种防止LED灯下电回闪电路。

背景技术

现有的LED照明产品在关断电源下电过程中，偶尔会出现LED灯灭了之后又重新点亮的下电回闪问题，使得用户得不到较好的LED灯照明体验。

LED灯具在电源断开后，由于芯片供电不足进入欠压锁定状态，LED灯熄灭。此时输入电容Cin上的电荷还未放完，输入电压Vin未完全下电，LED灯的工作芯片工作电流大幅度减小，导致工作芯片再次充电至启动电压，工作芯片开始正常工作重新点亮LED灯。随着芯片再次工作，工作电流增大，工作芯片再次因供电不足进入欠压锁定状态，从而重复上述过程造成灯闪，直到输入电容上的电压Vin彻底下电。

欠压锁定(under voltage lock out)，常称之为UVLO，欠压锁定就是指当输入电压低于某一值时，电源芯片不工作，处于保护状态。

现有方案电路如图1所示，其包括：一高压供电MOS管JFET、一充电控制MOS管M0、一二极管D0、一供电电容Cvcc和一输入电容放电MOS管M1。其中所述高压供电MOS管JFET的漏极和栅极连接所述***电路。所述充电控制MOS管M0的栅极和漏极连接所述高压供电MOS管JFET的源极。所述二极管D0的阳极连接所述充电控制MOS管M0的源极。所述供电电容Cvcc的第一端连接所述二极管D0的阴极，所述供电电容Cvcc的第二端接地。所述输入电容放电MOS管M1的漏极连接所述高压供电MOS管JFET的源极，所述输入电容放电MOS管M1的源极接地。

输出电压检测模块11检测供电电容Cvcc电压，当外部LED工作芯片下降进入欠压锁定状态后，输出电压检测模块11输出电压检测模块11输出开关控制信号uvlo＝1。开关控制信号uvlo高电平打开补偿电容放电MOS管M1，并通过限流电阻R1、高压供电MOS管JFET的源端对输入电容Cin放电。在开关控制信号uvlo＝1期间输入电容Cin被完全放电，输入电压Vin为零，LED工作芯片无法继续充电至启动电压并持续下降。因为LED工作芯片无法正常启动，LED灯一直保持熄灭状态，避免下电回闪。

现有方案的工作波形如图2所示，***断电后，输入电压Vin缓慢下降，LED工作芯片掉电至欠压点，开关控制信号uvlo从低电平翻转为高电平。由于开关控制信号uvlo高电平期间对输入电容Cin的放电，输入电压Vin快速下电，供电电容Cvcc电压在输入电压vin下降的过程中先缓慢上升，后因供电不足也开始下降。此过程开关控制信号uvlo输出一直为高电平直到输入电压Vin和LED工作芯片彻底下电。

现有的方案虽然可以解决下电回闪的问题，但是在LED工作芯片上电的过程中，开关控制信号uvlo为高电平期间LED工作芯片的启动电流非常大，而给LED工作芯片充电的电流较小，导致了LED***正常上电时启动时间过长，给用户带来较差的LED使用体验。

发明内容

针对上述现有技术中的不足，本发明提供一种防止LED灯下电回闪电路，能够在解决下电回闪问题的同时不改变LED工作芯片的启动电流，从而不增加LED***正常上电时的启动时间，具有防下电回闪且上电启动时间短、用户体验佳的优点。

为了实现上述目的，本发明提供一种防止LED灯下电回闪电路，包括：

一防止LED灯下电回闪电路本体，所述防止LED灯下电回闪电路本体连接一***电路；以及

一输入电容快速放电模块；

所述防止LED灯下电回闪电路本体包括：

一高压供电MOS管，所述高压供电MOS管的漏极和栅极连接所述***电路；

一充电控制MOS管，所述充电控制MOS管的栅极和漏极连接所述高压供电MOS管的源极；

一二极管，所述二极管的阳极连接所述充电控制MOS管的源极；

一供电电容，所述供电电容的第一端连接所述二极管的阴极，所述供电电容的第二端接地；

一输入电容放电MOS管，所述输入电容放电MOS管的漏极连接所述高压供电MOS管的源极，所述输入电容放电MOS管的源极接地；和

一输出电压检测模块，所述输出电压检测模块的输入端连接所述二极管的阴极；

所述输入电容快速放电模块连接于所述输出电压检测模块的输出端与所述输入电容放电MOS管的栅极之间，用于当所述供电电容的输出电压达到一预设值后，将所述***电路的输入电压快速下降至零。

优选地，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述充电控制MOS管的漏极和栅极之间。

优选地，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一限流电阻，所述限流电阻连接于所述高压供电MOS管的源极和所述输入电容放电MOS管的漏极之间。

优选地，所述输入电容快速放电模块包括：

一补偿电容充电模块，所述补偿电容充电模块的第一输入端连接所述二极管的阴极，所述补偿电容充电模块的第二输入端连接所述输出电压检测模块的输出端；

一补偿电容电压检测模块，所述补偿电容电压检测模块的第一输入端连接所述输出电压检测模块的输出端，所述补偿电容电压检测模块的输出端连接所述补偿电容充电模块的第三输入端和所述输入电容放电MOS管的栅极；

一补偿电容放电MOS管，所述补偿电容放电MOS管的栅极连接所述输出电压检测模块的输出端，所述补偿电容放电MOS管的漏极连接所述补偿电容电压检测模块的第二输入端，所述补偿电容放电MOS管的源极接地；以及

一补偿电容，所述补偿电容第一端连接所述补偿电容放电MOS管的漏极和所述补偿电容充电模块的输出端，所述补偿电容第二端接地。

优选地，所述补偿电容充电模块包括：

一第一或非门，所述第一或非门的第一输入端连接所述输出电压检测模块的输出端；

一反相器，所述反相器的输入端连接所述补偿电容电压检测模块的输出端，所述反相器的输出端连接所述第一或非门的第二输入端；以及

一充电开关MOS管，所述充电开关MOS管的漏极连接所述二极管的阴极，所述充电开关MOS管的栅极连接所述第一或非门的输出端，所述充电开关MOS管的源极连接所述补偿电容。

优选地，所述补偿电容电压检测模块包括：

一比较器，所述比较器的正相输入端连接所述补偿电容放电MOS管的漏极，所述比较器的反相输入端连接一参考电压输入端；

一D触发器，所述D触发器的D端接地，所述D触发器的CP端连接所述比较器的输出端，所述D触发器的复位端连接所述输出电压检测模块的输出端；以及

一第二或非门，所述第二或非门的第一输入端连接所述D触发器的Q端，所述第二或非门的第二输入端连接所述输出电压检测模块的输出端，所述第二或非门的输出端连接所述补偿电容充电模块和所述输入电容放电MOS管的栅极。

优选地，所述***电路包括：

一交流电源；

一整流桥，所述整流桥的输入端连接所述交流电源；以及

一输入电容，所述输入电容的第一端连接所述整流桥的输出端，所述输入电容的第二端接地。

优选地，***电路还包括一开关，所述开关串联于所述交流电源与所述整流桥之间。

本发明由于采用了以上技术方案，使其具有以下有益效果：

输入电容快速放电模块用于当供电电容的输出电压达到一预设值后，将***电路的输入电压快速下降至零，实现在解决下电回闪问题的同时，不改变外连LED工作芯片的启动电流，从而不增加***正常上电的启动时间，解决了防回闪电路中LED灯***正常启动上电时间过长的问题。充电控制MOS管作为高压充电通路通断的控制管。限流电阻的采用，实现了当输入电容放电MOS管对高压供电MOS管源极下拉时的限流，防止下拉电流过大。二极管的采用实现了单向导通，防止输入电压低于输出电压时，产生电流自输出端向输入端反灌，产生反灌电流，从而造成供电电容对输入电容反向放电。供电电容用于向外接的LED工作芯片供电。输出电压检测模块用于检测判断输出电压的电压状态。输入电容放电MOS管作为对高压供电MOS管源极的下拉MOS管，用于对输入放电。补偿电容电压检测模块用于判断补偿电容上的电压是否够高，从而确定是否结束预充电。补偿电容放电MOS管作为输出电压下电后对补偿电容下拉放电的复位MOS管。补偿电容为外挂补偿电容，通过补偿电容的采用使得本发明的一种防止LED灯下电回闪电路在应用高功率因数LED驱动应用时，可实现高功率因数低总谐波失真的优点。补偿电容充电模块用于对补偿电容进行预充电。本发明的一种防止LED灯下电回闪电路，通过在外接LED工作芯片启动后的补偿电容预充电阶段对输入电容放电的方式解决LED电路下电回闪的问题。与现有方案相比，由于启动电流极小，可以大幅度缩短***的启动时间，提高用户的LED照明体验。

附图说明

图1为现有的一种防止LED灯下电回闪电路的结构示意图；

图2为现有的一种防止LED灯下电回闪电路的工作波形对比图；

图3本发明实施例的一种防止LED灯下电回闪电路的结构示意图；

图4为本发明实施例的补偿电容充电模块的结构示意图；

图5为本发明实施例的补偿电容电压检测模块的结构示意图；

图6为本发明实施例的一种防止LED灯下电回闪电路的工作波形对比图。

具体实施方式

下面根据附图3-6，给出本发明的较佳实施例，并予以详细描述，使能更好地理解本发明的功能、特点。

请参阅图3，本发明的一种防止LED灯下电回闪电路，包括：一防止LED灯下电回闪电路本体1和一输入电容快速放电模块2，其中，防止LED灯下电回闪电路本体1连接一***电路3，输入电容快速放电模块2用于当供电电容Cvcc的输出电压达到一预设值后，将***电路3的输入电压快速下降至零，实现在解决下电回闪问题的同时，不改变外连LED工作芯片的启动电流，从而不增加***正常上电的启动时间，解决了防回闪电路中LED灯***正常启动上电时间过长的问题。

本实施例中，防止LED灯下电回闪电路本体1包括：一高压供电MOS管JFET、一充电控制MOS管M0、一上拉电阻R0、一二极管D0、一供电电容Cvcc、一限流电阻R1、一输入电容放电MOS管M2和一输出电压检测模块11。

其中，高压供电MOS管JFET的漏极和栅极连接***电路3，接收输入电压Vin。

充电控制MOS管M0作为高压充电通路通断的控制管，充电控制MOS管M0的漏极连接高压供电MOS管JFET的源极，充电控制MOS管M0的栅极通过一上拉电阻R0连接高压供电MOS管JFET的源极。限流电阻R0的采用，实现了当输入电容放电MOS管M2对高压供电MOS管JFET源极下拉时的限流，防止下拉电流过大。

二极管D0的阳极连接充电控制MOS管M0的源极。二极管D0的采用实现了单向导通，防止输入电压Vin低于输出电压vcc时，产生电流自输出端向输入端反灌，产生反灌电流，从而造成供电电容Cvcc对输入电容Cin反向放电。

供电电容Cvcc的第一端连接二极管D0的阴极，供电电容Cvcc的第二端接地。供电电容Cvcc用于向外接的LED工作芯片供电。

限流电阻R1的第一端连接高压供电MOS管JFET的源极，限流电阻R1的第二端连接输入电容放电MOS管M2的漏极。

输出电压检测模块11的输入端连接二极管D0的阴极，输出电压检测模块11的输出端输出开关控制信号uvlo。

输出电压检测模块11用于检测判断输出电压vcc的电压状态。

输入电容快速放电模块2连接于输出电压检测模块11的输出端与输入电容放电MOS管M2的栅极之间。

输入电容放电MOS管M2的源极接地，输入电容放电MOS管M2作为对高压供电MOS管JFET源极的下拉MOS管，用于对输入放电。

本实施例中，输入电容快速放电模块2包括：一补偿电容充电模块21、一补偿电容电压检测模块22、一补偿电容放电MOS管M1和一补偿电容Ccomp。

其中，补偿电容充电模块21的第一输入端连接二极管D0的阴极，接收输出电压vcc，补偿电容充电模块21的第二输入端连接输出电压检测模块11的输出端，接收输出电压检测模块11输出端发出的开关控制信号uvlo。

补偿电容电压检测模块22的第一输入端连接输出电压检测模块11的输出端，接收开关控制信号uvlo；补偿电容电压检测模块22的输出端连接补偿电容充电模块21的第三输入端和输入电容放电MOS管M2的栅极，并输出一补偿电容充电检测结果comprdy。

补偿电容电压检测模块22用于判断补偿电容Ccomp上的电压是否够高，从而确定是否结束预充电。

补偿电容放电MOS管M1的栅极连接输出电压检测模块11的输出端，接收开关控制信号uvlo；补偿电容放电MOS管M1的漏极连接补偿电容电压检测模块22的第二输入端；补偿电容放电MOS管M1的源极接地。补偿电容放电MOS管M1作为输出电压vcc下电后对补偿电容Ccomp下拉放电的复位MOS管。

补偿电容Ccomp第一端(上极板)连接补偿电容放电MOS管M1的漏极和补偿电容充电模块21的输出端，补偿电容Ccomp第二端接地，补偿电容Ccomp上的电压为补偿电容电压comp。

补偿电容Ccomp为外挂补偿电容，通过补偿电容Ccomp的采用使得本发明的一种防止LED灯下电回闪电路在应用高功率因数LED驱动应用时，可实现高功率因数低总谐波失真的优点。

本发明中，当供电电容Cvcc的输出电压达到外接的LED工作芯片的启动电压大小的预设值后，输入电容快速放电模块2开始对补偿电容Ccomp充电，并在补偿电容充电阶段通过输入电容放电MOS管M2对高压供电MOS管JFET放电，从而实现输入电压Vin的快速下拉至零。

本实施例中，***电路3包括：一交流电源AC、一整流桥31、一开关S0和一输入电容Cin。

其中，整流桥31的输入端连接交流电源AC。

开关S0串联于交流电源AC与整流桥31之间。

输入电容Cin的第一端(上极板)连接整流桥31的输出端和高压供电MOS管JFET的漏极，输入电容Cin的第二端(下极板)连接高压供电MOS管JFET的栅极并接地，输入电容Cin上的电压为输入电压Vin。

请参阅图3、图4，补偿电容充电模块21包括：一第一或非门211、一反相器212和一充电开关MOS管213。

其中，第一或非门211的第一输入端连接输出电压检测模块11的输出端，并接收输出电压检测模块11的输出端输出的开关控制信号uvlo。

反相器212的输入端连接补偿电容电压检测模块22的输出端，并接收补偿电容电压检测模块22的输出端输出的补偿电容充电检测结果comprdy；反相器212的输出端连接第一或非门211的第二输入端。

充电开关MOS管213的漏极连接二极管D0的阴极，并接收输出电压vcc，充电开关MOS管213的栅极连接第一或非门211的输出端，充电开关MOS管213的源极连接补偿电容Ccomp。

补偿电容充电模块21可完成以下逻辑功能：

当开关控制信号uvlo＝1时，补偿电容Ccomp的充电通路断开；当开关控制信号uvlo＝0，且补偿电容充电检测结果comprdy＝1时，补偿电容Ccomp的充电通路导通。

也就是说，补偿电容充电模块21在开关控制信号uvlo＝0时使能，根据补偿电容充电检测结果comprdy确定是否继续对补偿电容Ccomp充电或断开补偿电容Ccomp的充电通路。

补偿电容充电模块21用于对补偿电容Ccomp进行预充电。

请参阅图3、图5，补偿电容电压检测模块22包括：一比较器221、一D触发器222和一第二或非门223。

其中，比较器221的正相输入端连接补偿电容放电MOS管M1的漏极；比较器221的反相输入端连接一参考电压输入端。

D触发器222的D端接地，D触发器222的CP端连接比较器221的输出端，D触发器222的复位端连接输出电压检测模块11的输出端，并接收输出电压检测模块11输出端发出的开关控制信号uvlo。

第二或非门223的第一输入端连接D触发器222的Q端，第二或非门223的第二输入端连接输出电压检测模块11的输出端，并接收开关控制信号uvlo；第二或非门223的输出端连接补偿电容充电模块21和输入电容放电MOS管M2的栅极，并输出补偿电容充电检测结果comprdy。

补偿电容电压检测模块22的作用在于：实时检测补偿电容Ccomp上的电压是否达到足够高，并在达到该足够高度时时输出补偿电容充电检测结果comprdy＝0并锁定。

补偿电容电压检测模块22可完成以下逻辑功能：

当开关控制信号uvlo＝1时D触发器222复位并输出Q＝0，补偿电容充电检测结果comprdy＝0。当开关控制信号uvlo＝0时，比较器221将补偿电容Ccomp上的补偿电容电压comp与内部参考电压vref比较，当补偿电容电压comp较高时，比较器221输出上升沿，D触发器222输出Q＝1且锁定，补偿电容充电检测结果comprdy＝0。

请参阅图3，本发明的工作原理如下：

开关S0断开后，输入电压Vin缓慢下降，输出电压vcc因供电不足下降到欠压点被输出电压检测模块11检测到并输出开关控制信号uvlo＝1。开关控制信号uvlo高电平信号驱动补偿电容放电MOS管M1对补偿电容Ccomp放电下拉到零，并屏蔽补偿电容充电模块21对补偿电容Ccomp的充电，同时电压检测模块11输出端输出的开关控制信号uvlo的高电平对补偿电容电压检测模块22清零复位输出补偿电容充电检测结果comprdy＝0。

由于供电电容Cvcc的外接的LED工作芯片进入欠压锁定状态，工作电流显著减小，输出电压vcc的供电电容Cvcc被重新充电。当输出电压vcc上升到LED工作芯片启动电压vcc_st时被输出电压检测模块11检测到并输出开关控制信号uvlo＝0。此时补偿电容放电MOS管M1停止对补偿电容Ccomp的下拉，补偿电容充电模块21模块开始对补偿电容Ccomp预充电，补偿电容电压检测模块22输出补偿电容充电检测结果comprdy＝1并实时检测补偿电容Ccomp上的电压。当补偿电容Ccomp上的电压被补偿电容电压检测模块22检测到足够高时，输出补偿电容充电检测结果comprdy＝0，并控制补偿电容充电模块21停止对补偿电容Ccomp的充电。

在补偿电容Ccomp被补偿电容充电模块21充电阶段，补偿电容充电检测结果comprdy＝1驱动输入电容放电MOS管M2对输入电容Cin放电，通过设置限流电阻R1，确保在补偿电容Comp预充电阶段将输入电容Cin上的电荷放完。

由于输入电压Vin放电后为零，输出电压vcc也逐渐下电，从而使***彻底下电。整个过程LED灯工作芯片连接的LED灯都不会被重新点亮。

本发明的一种防止LED灯下电回闪电路，通过在外接LED工作芯片启动后的补偿电容Ccomp预充电阶段对输入电容Cin放电的方式解决LED电路下电回闪的问题。

与现有方案相比，由于启动电流极小，可以大幅度缩短***的启动时间，提高用户的LED照明体验。

本发明电路实现外接LED工作芯片的启动电流极小，是指对输入电容Vin的快速放电处于补偿电容Ccomp预充电阶段，此时外接LED工作芯片已经成功上电，放电电流不影响外接LED工作芯片上电过程中的启动电流，从而可以实现极小的启动电流启动LED工作芯片，比较而言，现有方案在外接LED工作芯片上电阶段就对输入电容Vin放电，因此启动电流非常大。

请参阅图6，输入电压Vin在断电后缓慢下降，输出电压vcc因供电不足也开始下降。输出电压vcc下降到欠压点后，开关控制信号uvlo翻转为高电平，同时补偿电容电压comp被放电下拉到零。输出电压vcc重新上电至LED工作芯片启动电压vcc_st，开关控制信号uvlo翻转为低电平，同时补偿电容充电检测结果comprdy翻转为高电平，补偿电容电压comp电压开始充电缓慢上升。补偿电容充电检测结果comprdy为高电平时，输入电压Vin快速下电并下拉至零。随着输入电压Vin被下拉，输出电压vcc也开始因供电不足下降。同时补偿电容电压comp缓慢上升触发补偿电容充电检测结果comprdy翻转至低电平。LED工作芯片开始正常工作，但输入电压Vin为零，LED工作芯片连接的LED灯不会被点亮，输出电压vcc将持续下降至零。

以上记载的，仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围，本发明的上述实施例还可以做出各种变化。即凡是依据本发明申请的权利要求书及说明书内容所作的简单、等效变化与修饰，皆落入本发明专利的权利要求保护范围。

Claims (8)

1.一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，包括：

一防止LED灯下电回闪电路本体，所述防止LED灯下电回闪电路本体连接一***电路；以及

一输入电容快速放电模块；

所述防止LED灯下电回闪电路本体包括：

一高压供电MOS管，所述高压供电MOS管的漏极和栅极连接所述***电路；

一充电控制MOS管，所述充电控制MOS管的栅极和漏极连接所述高压供电MOS管的源极；

一二极管，所述二极管的阳极连接所述充电控制MOS管的源极；

一供电电容，所述供电电容的第一端连接所述二极管的阴极，所述供电电容的第二端接地；

一输入电容放电MOS管，所述输入电容放电MOS管的漏极连接所述高压供电MOS管的源极，所述输入电容放电MOS管的源极接地；和

一输出电压检测模块，所述输出电压检测模块的输入端连接所述二极管的阴极；

所述输入电容快速放电模块连接于所述输出电压检测模块的输出端与所述输入电容放电MOS管的栅极之间，用于当所述供电电容的输出电压达到一预设值后，将所述***电路的输入电压快速下降至零。

2.根据权利要求1所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一上拉电阻，所述上拉电阻连接于所述充电控制MOS管的漏极和栅极之间。

3.根据权利要求2所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述防止LED灯下电回闪电路本体还包括：一限流电阻，所述限流电阻连接于所述高压供电MOS管的源极和所述输入电容放电MOS管的漏极之间。

4.根据权利要求3所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述输入电容快速放电模块包括：

一补偿电容充电模块，所述补偿电容充电模块的第一输入端连接所述二极管的阴极，所述补偿电容充电模块的第二输入端连接所述输出电压检测模块的输出端；

一补偿电容电压检测模块，所述补偿电容电压检测模块的第一输入端连接所述输出电压检测模块的输出端，所述补偿电容电压检测模块的输出端连接所述补偿电容充电模块的第三输入端和所述输入电容放电MOS管的栅极；

一补偿电容放电MOS管，所述补偿电容放电MOS管的栅极连接所述输出电压检测模块的输出端，所述补偿电容放电MOS管的漏极连接所述补偿电容电压检测模块的第二输入端，所述补偿电容放电MOS管的源极接地；以及

一补偿电容，所述补偿电容第一端连接所述补偿电容放电MOS管的漏极和所述补偿电容充电模块的输出端，所述补偿电容第二端接地。

5.根据权利要求4所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述补偿电容充电模块包括：

一第一或非门，所述第一或非门的第一输入端连接所述输出电压检测模块的输出端；

一反相器，所述反相器的输入端连接所述补偿电容电压检测模块的输出端，所述反相器的输出端连接所述第一或非门的第二输入端；以及

一充电开关MOS管，所述充电开关MOS管的漏极连接所述二极管的阴极，所述充电开关MOS管的栅极连接所述第一或非门的输出端，所述充电开关MOS管的源极连接所述补偿电容。

6.根据权利要求5所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述补偿电容电压检测模块包括：

一比较器，所述比较器的正相输入端连接所述补偿电容放电MOS管的漏极，所述比较器的反相输入端连接一参考电压输入端；

一D触发器，所述D触发器的D端接地，所述D触发器的CP端连接所述比较器的输出端，所述D触发器的复位端连接所述输出电压检测模块的输出端；以及

一第二或非门，所述第二或非门的第一输入端连接所述D触发器的Q端，所述第二或非门的第二输入端连接所述输出电压检测模块的输出端，所述第二或非门的输出端连接所述补偿电容充电模块和所述输入电容放电MOS管的栅极。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，所述***电路包括：

一交流电源；

一整流桥，所述整流桥的输入端连接所述交流电源；以及

一输入电容，所述输入电容的第一端连接所述整流桥的输出端，所述输入电容的第二端接地。

8.根据权利要求7所述的一种防止LED灯下电回闪电路，其特征在于，***电路还包括一开关，所述开关串联于所述交流电源与所述整流桥之间。