CN107690213A - 非隔离低压不闪烁led驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种非隔离低压不闪烁LED驱动电路,涉及LED驱动技术领域,包括启动电阻R1、稳压电容C1、UVLO模块、退磁时间检测模块、***控制模块、峰值检测模块、LED开路保护模块、高压MOS管M1、高压MOS管M2、电阻Rs以及LED照明电路;还包括最大导通时间检测模块,当其检测到电感导通时间达到了内部设定的最大值,输出触发信号对LED开路保护模块在退磁期间做屏蔽处理。在输入相同功率的情况下,可以减小母线输入高压电容的容值,这样可以降低成本;在输入相同功率的情况下,可以实现更低的输入母线电压并保持LED灯不闪烁;在电网电压不稳定的情况下,可以保持LED灯不闪烁。

Description

非隔离低压不闪烁LED驱动电路
技术领域
本发明涉及LED驱动技术领域,具体涉及一种非隔离低压不闪烁LED驱动电路。
背景技术
目前在国内市场上采用的非隔离驱动芯片都是采用降压型的BCM模式驱动芯片,并且***输出LED电压都是高达80V至200V之间,同时电流在200mA到350mA左右,有的甚至用到了420mA,这样的话,输入功率就会很大。同时在输入电压较低的情况下,会容易发生LED灯闪烁的情况。这样就要求母线输入电容尽量的大。功率越大,要求的输入电容就越大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是现有的LED驱动电路中母线电压降低后LED闪烁的技术问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案的:一种非隔离低压不闪烁LED驱动电路,包括启动电阻R1、稳压电容C1、UVLO模块、退磁时间检测模块、***控制模块、峰值检测模块、LED开路保护模块、高压MOS管M1、高压MOS管M2、电阻Rs以及LED照明电路;所述照明电路包括LED灯管、电阻、电容以及电感;所述UVLO模块用于设置LED照明电路开启和关闭的上下电压,防止反复开启关闭;电源通过启动电阻R1给稳压电容C1充电;稳压电容C1连接UVLO模块和高压MOS管M2的栅极,高压MOS管M2的源极连接照明电路,漏极连接退磁时间检测模块以及高压MOS管的源极;所述退磁时间检测模块用于设定电感的退磁时间来对LED灯管进行过压保护,退磁时间检测模块连接***控制模块;电阻Rs连接MOS管M1的源极,所述峰值检测模块连接电阻Rs,用于设置LED灯管的峰值电流,连接***控制模块;***控制模块根据控制信号控制高压MOS管M1的通断;所述LED开路保护模块用于LED灯管过压保护;还包括最大导通时间检测模块,当其检测到电感导通时间达到了内部设定的最大值,输出触发信号对LED开路保护模块在退磁期间做屏蔽处理。
进一步,所述最大导通时间检测模块包括发出的信号与高压MOS管的栅极同相位的DRV驱动模块、反相器、两个共栅极的NMOS管、PMOS管、电流源I1、迟滞比较器、RS触发器以及复位信号产生模块,DRV驱动模块分别连接反相器和复位信号产生模块,所述反相器的输出端连接NMOS管和PMOS管的栅极,PMOS管的漏极连接电流源I1,源极连接NMOS管的漏极,NMOS的源极接地,迟滞比较器的正极的连接NMOS管的漏极和PMOS管的源极连接,负极连接基准电压,输出端连接RS触发器的输入端S,复位信号产生模块连接RS触发器的输入端R,RS触发器连接LED开路保护模块。
进一步的,所述还包括产生内部5V电压模块,该模块用于产生5V电压和基准电压。
从上述技术方案可以看出本发明具有以下优点:当输出为24串LED灯(LED灯电压大约在76V左右)时,可以实现全电压输入(80V—265V输入),LED灯不闪烁;在输入相同功率的情况下,可以减小母线输入高压电容的容值,这样可以降低成本;在输入相同功率的情况下,可以实现更低的输入母线电压并保持LED灯不闪烁;在电网电压不稳定的情况下,可以保持LED灯不闪烁。
附图说明
图1为本发明的电路原理图;
图2为本实用新型的母线电压的波形图;
图3为本发明中最大导通时间检测模块的电路原理图;
图4为本发明的电路在正常工作时的各信号波形图;
图5为本发明的电路在母线电压降低后的各信号波形图;
图6为本发明中屏蔽部分的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式做详细说明
如图1所示,本发明的非隔离低压不闪烁LED驱动电路,包括启动电阻R1、稳压电容C1、产生内部5V电压模块、UVLO模块、退磁时间检测模块、***控制模块、峰值检测模块、LED开路保护模块、高压MOS管M1、高压MOS管M2、电阻Rs以及LED照明电路;所述照明电路包括LED灯管、电阻、电容以及电感;产生内部5V电压模块用于产生5V电压和基准电压,用于***各模块使用;所述UVLO模块用于设置LED照明电路开启和关闭的上下电压,防止反复开启关闭;电源通过启动电阻R1给稳压电容C1充电;稳压电容C1连接UVLO模块和高压MOS管M2的栅极,高压MOS管M2的源极连接照明电路,漏极连接退磁时间检测模块以及高压MOS管的源极;所述退磁时间检测模块用于设定电感的退磁时间来对LED灯管进行过压保护,退磁时间检测模块连接***控制模块;电阻Rs连接MOS管M1的源极,所述峰值检测模块连接电阻Rs,用于设置LED灯管的峰值电流,连接***控制模块;***控制模块根据控制信号控制高压MOS管M1的通断;所述LED开路保护模块用于LED灯管过压保护;还包括最大导通时间检测模块,当其检测到电感导通时间达到了内部设定的最大值,输出触发信号对LED开路保护模块在退磁期间做屏蔽处理。
如图一所示。***上电后,通过启动电阻R1对VDD端口的电容C1充电,当电压充电到UVLO_ON则***开始启动,内部的NMOSFET,M1打开了,此时电流流过LED灯,电感到DN端口,并通过内部的M1管流到电阻Rs,Rs的电压随着电流的增大慢慢增大,并由峰值检测模块检测Rs的电压,当Rs电压达到其内部的峰值检测点,则***关闭M1管,此时***进入退磁模式,电感开始退磁,电感电流通过肖特基二极管到LED灯形成放电回路并放电。当电感的电流为零时,电感和DN端口的NMOSFET的寄生电容开始谐振,此时内部的退磁检测电路检测到电感谐振波形,则认为退磁结束,则重新开启内部的NMOSFET管M1,如此反复。
***最终工作在BCM临界导通模式,同时其LED过压检测是通过检测LED的退磁时间来设定的。当LED的退磁时间小于内部设定的最小退磁时间,则***认为,输出电压超过了设定的最大值,则电路发生LED过压保护。母线电压是交流信号通过二极管桥堆整流后的信号,其上有纹波电压如图二,当输入交流信号减小则母线电压也随之减小,此时LED的负载电压不变,当电压到达如图二所示的“母线下电压”,此时电感上的压降变小,则电感的充电时间变长,当电感的充电时间达到了内部设定的最大值后,如果Rs电压还没有达到峰值检测电压的检测点,则LED电流会逐渐变小,退磁时间的计算公式如下:
所以当IP(电感的峰值电流)减小,则意味着TOFF时间会慢慢随之减小,当TOFF时间减小到内部设定的最小退磁时间,则***会发生LED过压保护,LED灯灭。当母线电压到达“母线上电压”,此时LED又正常工作,如此反复,则会导致LED灯闪,本发明增加了最大导通时间检测,当检测到***电感导通时间达到了内部设定的最大值,则认为***工作在母线下电压状态,则会输出触发信号S1,S1信号对LED开路保护模块在退磁期间做屏蔽处理,这样的话LED灯就不会灭了。当下个周期开始时,复位此信号S1,并在周期内做检测。这样的话可以对每个周期做检测,并做相应的处理。在这种情况下LED灯就不会闪烁,同时LED灯的电流会相应的减小。
最大导通时间检测模块如图3所示,包括发出的信号与高压MOS管的栅极同相位的DRV驱动模块、反相器、两个共栅极的NMOS管、PMOS管、电流源I1、迟滞比较器、RS触发器以及复位信号产生模块,DRV驱动模块分别连接反相器和复位信号产生模块,所述反相器的输出端连接NMOS管和PMOS管的栅极,PMOS管的漏极连接电流源I1,源极连接NMOS管的漏极,NMOS的源极接地,迟滞比较器的正极的连接NMOS管的漏极和PMOS管的源极连接,负极连接基准电压,输出端连接RS触发器的输入端S,复位信号产生模块连接RS触发器的输入端R,RS触发器连接LED开路保护模块。所谓的屏蔽处理,也就是使LED保护模块的输出信号没有传输出去。就相当于RS触发器的S1为低电位,则输出OUT一直是低电位,当S1为高,则OVP信号能传输到OUT口,如图6所示。
其工作原理如下:DRV驱动模块输入DRV信号,等同于高压MOS管M1的栅极驱动信号,当DRV为高电压,则高压MOS管M1打开,***进入正激状态;当DRV为低电压,则高压MOS管M1关闭,***进入退磁状态。在图3中,DRV为高,则VA信号从0V开始上升,在正常情况下,VA电压一直会小于VREF,则S2一直是低电位,S1一直是高电位,RST在每个周期去复位RS触发器。LED开路保护模块不受影响,波形如图4所示。母线电压降低后,此时电感充电时间变长,当DRV信号为高电压,VA信号从0V开始上升,并上升到VREF,(VA信号从0V上升到VREF的时间,即为最大导通时间TON_MAX)此时迟滞比较器翻转,S2信号翻转,去触发关闭图一所示的M1管,也就是关闭***。S1信号翻转去触发屏蔽OVP模块信号。此时在***退磁的时间内,OVP不起作用,LED灯就不闪烁了,波形如图5所示。

Claims (3)

1.一种非隔离低压不闪烁LED驱动电路,包括启动电阻R1、稳压电容C1、UVLO模块、退磁时间检测模块、***控制模块、峰值检测模块、LED开路保护模块、高压MOS管M1、高压MOS管M2、电阻Rs以及LED照明电路;
所述照明电路包括LED灯管、电阻、电容以及电感;
所述UVLO模块用于设置LED照明电路开启和关闭的上下电压,防止反复开启关闭;
电源通过启动电阻R1给稳压电容C1充电;
稳压电容C1连接UVLO模块和高压MOS管M2的栅极,高压MOS管M2的源极连接照明电路,漏极连接退磁时间检测模块以及高压MOS管的源极;
所述退磁时间检测模块用于设定电感的退磁时间来对LED灯管进行过压保护,退磁时间检测模块连接***控制模块;
电阻Rs连接MOS管M1的源极,所述峰值检测模块连接电阻Rs,用于设置LED灯管的峰值电流,连接***控制模块;
***控制模块根据控制信号控制高压MOS管M1的通断;
所述LED开路保护模块用于LED灯管过压保护;
其特征在于:还包括最大导通时间检测模块,当其检测到电感导通时间达到了内部设定的最大值,输出触发信号对LED开路保护模块在退磁期间做屏蔽处理。
2.根据权利要求1所述的非隔离低压不闪烁LED驱动电路,其特征在于:所述最大导通时间检测模块包括发出的信号与高压MOS管的栅极同相位的DRV驱动模块、反相器、两个共栅极的NMOS管、PMOS管、电流源I1、迟滞比较器、RS触发器以及复位信号产生模块,DRV驱动模块分别连接反相器和复位信号产生模块,所述反相器的输出端连接NMOS管和PMOS管的栅极,PMOS管的漏极连接电流源I1,源极连接NMOS管的漏极,NMOS的源极接地,迟滞比较器的正极的连接NMOS管的漏极和PMOS管的源极连接,负极连接基准电压,输出端连接RS触发器的输入端S,复位信号产生模块连接RS触发器的输入端R,RS触发器连接LED开路保护模块。
3.根据权利要求2所述的非隔离低压不闪烁LED驱动电路,其特征在于:所述还包括产生内部5V电压模块,该模块用于产生5V电压和基准电压。
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