CN105895825A - 一种封装结构、封装方法及电子器件 - Google Patents

Abstract

本发明描述了一种封装结构、封装方法及电子器件，涉及敏感电子元件封装技术领域。其中，封装结构，包含显示区域和封装区域，另外还包括：第一基板；第二基板，与所述第一基板相对设置；封装胶，形成在封装区域内，且设置在所述第二基板朝向所述第一基板的表面，所述封装胶包含玻璃胶和填料，所述填料占所述封装胶的体积分数为0.001％‑3％。本发明能够成本较优地改善封装胶的导电和导热性能，提高电子器件封装区域的导电和导热性能，从而提高电子器件的抗静电能力和使用寿命。

Description

一种封装结构、封装方法及电子器件

技术领域

本发明涉及敏感电子元件领域，特别是涉及一种封装结构、包含该封装结构的封装方法及电子器件。

背景技术

OLED(有机发光二极管，Organic Light-Emitting Diode)显示器是通过在基板上制作有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，从而有机薄膜会发光。由于OLED具有主动发光、高亮度、高分辨率、宽视角、低能耗、响应速度快以及可柔性化的特点，使其成为研究热点。但是，由于有机薄膜对水气和氧气很敏感，容易因水氧发生老化变性，亮度和寿命会出现明显衰减，所以需要对OLED器件进行封装制程。

目前OLED器件封装主要是采用UV封装或者玻璃胶封装等工艺，玻璃胶封装方法是在氮气氛围中，利用激光束移动加热玻璃胶融化，融化的玻璃胶在上下基板间形成封闭区域。目前，为提高玻璃胶对光的吸收会加入铜、铁等元素。以及，在玻璃胶封装过程中需要在基板上镀一层金属，然后对金属进行打孔蚀刻，蚀刻出矩形金属块，通过金属块对光的反射作用提高玻璃胶对光的吸收能力。

目前玻璃胶封装方法存在如下问题：对于自发光OLED来说，持续发光的时候会产生热量，热量不能够及时传导会影响OLED器件的性能，影响使用寿命。玻璃胶材料的导热性为几个W/mK，导热性能很差，玻璃胶材料下面的金属通常是钼，导热性是几十个W/mK；用在封装材料下面的金属钼，电导 率是34，在高电压下的ESD静电防护电路，在玻璃胶封装边缘会由于金属电导率较小而使得屏幕的周边电路烧掉，使得整个屏幕失效。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种封装结构、封装方法及一种显示器件，用以提高封装胶的静电传导能力及热传导能力，从而提高显示器件的使用寿命和抗静电能力。

本发明实施例提供了一种封装结构，包含显示区域和封装区域，还包括，

第一基板；

第二基板，与第一基板相对设置；

封装胶，形成在所述封装区域内，且设置在所述第二基板相对所述第一基板的表面，所述封装胶包含玻璃胶和填料，所述填料占所述封装胶的体积分数为0.001％-3％。

优选地，所述填料占所述封装胶的体积分数为0.001％-1％。

本发明实施例中，所述封装胶接地。

本发明实施例中，还包含石墨烯，所述石墨烯形成在所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板的表面，所述石墨烯在垂直所述第二基板方向上的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影。

本发明实施例中，所述石墨烯接地。

本发明实施例中，还包含金属块，所述金属块形成在所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板的表面，所述金属块在垂直所述第二基板方向的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影；

所述金属块上覆盖有保护层。

本发明实施例中，所述金属块接地。

本发明实施例中，所述第一基板和所述第二基板相对表面设置有凹槽，所述凹槽位于所述封装区域内，所述封装胶覆盖所述凹槽。

本发明实施例中，所述凹槽在垂直基板方向的截面为三角形、梯形、半圆形、多边形、圆弧形、锯齿形中的一种或者其任意组合。

本发明实施例中，所述填料包含碳纳米管或者碳纳米线圈。

本发明实施例中，所述碳纳米管或者碳纳米线圈链接金属纳米粒子。

本发明实施例提供了一种封装方法，用于制备权利要求1-11任一项所述的的封装结构，包括，提供相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板包含显示区域和封装区域；

涂覆封装胶，所述封装胶位于所述封装区域内，且设置在所述第二基板相对所述第一基板的表面；

将所述第二基板与所述第一基板压合，利用激光对所述封装区域进行照射，将所述第一基板和所述第二基板在该封装区域处的所述封装胶熔融烧结。

本发明实施例中，还包含，涂覆石墨烯，所述石墨烯位于所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板的表面，所述石墨烯在垂直所述第二基板方向的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影。

本发明实施例中，还包含，涂覆一层金属层，所述金属层位于所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板的表面；

刻蚀所述金属层形成金属块，所述金属块在垂直所述第二基板方向上的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影；

在所述金属块上覆盖保护层。

本发明实施例中，还包含，在所述第一基板和所述第二基板相对表面的封装区域凹槽的制备过程，所述封装胶覆盖所述凹槽。

本发明实施例还提供了一种电子器件，包含利用权利要求1-11任一 项所述的封装结构以及位于所述封装结构内的发光功能层。

与现有技术相比，本发明至少具有如下突出的优点：本发明实施例通过在封装胶中加入碳纳米管或者碳纳米线圈以及在封装区域设置石墨烯，利用碳纳米管、碳纳米线圈和石墨烯的较强导热性能使得所述显示器件在工作时产生的热量能够及时传输出去，提高显示器件使用寿命。碳纳米管、碳纳米线圈和石墨烯的优越导电性大大提升封装胶的导电能力，从而有效提升显示器件的抗静电能力。并且在本发明实施例中加入金属纳米粒子，在提升封装胶导电和导热性能的同时可以降低成本。

附图说明

图1为本发明实施例一封装结构示意图

图2为本发明实施例二封装结构示意图

图3为本发明实施例三封装结构示意图

图4为本发明实施例四封装结构示意图

图5为本发明实施例五封装结构示意图

图6为本发明实施例六封装结构示意图

图7为本发明实施例七封装方法流程示意图

图8为本发明实施例八电子器件结构示意图

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。

需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公 开的具体实施方式的限制。

碳纳米管拥有优越的导热、导电性能，在轴向热导率可达3000W/(mK)，是玻璃胶的300倍，是钼的20倍，碳纳米管的导电性比钼高6个数量级。此外，碳纳米管还具有很高的电流负载量、纳米级发射尖端、大长径比、高强度、高韧性、良好的热稳定性和吸热性能。碳纳米线圈和石墨烯的导电导热性更是优于碳纳米管。本发明实施例中，在玻璃胶中加入碳纳米管或碳纳米线圈，以及在封装区域设置石墨烯，改善封装区域的导电、导热性，提高电子器件的使用寿命和抗静电能力。

请参考图1，图1是本发明提供的实施例一，实施例一是一种封装结构，包括第一基板10；与第一基板10相对设置的第二基板20；封装胶100，形成在封装区域内，且设置在第二基板20相对第一基板10的表面。

第一基板10和第二基板20可以由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成。然而，本发明不限于此。

封装胶100包含玻璃胶和填料。该填料包含碳纳米管或碳纳米线圈。碳纳米管或碳纳米线圈在封装胶中的体积分数为0.001％-3％，优选地，碳纳米管或碳纳米线圈在封装胶中的体积分数为0.001％-1％。优选地，碳纳米管或者碳纳米线圈链接金属纳米粒子。掺杂碳纳米管或碳纳米线圈的封装胶的导电性能和导热性能大幅增加。将封装胶与地线连接，使得电子器件在工作过程中产生的静电通过封装胶快速传导到接地端，防止由于静电在电子器件内部积累而对显示器件造成损坏。同时，电子器件在工作过程中产生的热量，也可以通过封装胶快速传导出去，防止热量对显示器件的损伤，提升电子器件的使用寿命。另外，在碳纳米管或碳纳米线圈上链接金属纳米粒子，减小碳纳米管或碳纳米线圈的用量，可以有效降低成本。

请参考图2，图2是本发明提供的实施例二，本实施例是另一种封装结构。在参照图2时，请同时参照实施例一封装结构图1，实施例二封装结构 与实施例一的封装结构类似，不同点在于，在实施例二封装结构的封装区域还覆盖有一层石墨烯110，该石墨烯110设置在第一基板10相对第二基板20的表面。石墨烯110在垂直第二基板20方向上的投影覆盖封装胶100在垂直第二基板20方向上的投影。实施例二的封装结构中，石墨烯和接地端连接，封装胶不需要和接地端连接。

常温下石墨烯的电子迁移率超过15 000cm²/(V·s)，比碳纳米管高。在第一基板10相对第二基板20一面的封装区域覆盖有一层石墨烯，石墨烯与接地端连接，可以将电子器件在使用过程中产生的静电迅速传导出去，改善电子器件的抗静电能力。石墨烯的导热系数高达5300W/(m·K)，高于碳纳米管，在第一基板10相对第二基板20一面的封装区域覆盖一层石墨烯，可以将电子器件在使用过程中产生的热量迅速传导出去，防止热量对显示器件的损伤，提升电子器件的使用寿命。

请参考图3，图3是本发明提供的实施例三，本实施例是另一种封装结构。参照图3时，请同时参照实施例一封装结构图1，实施例三封装结构与实施例一封装结构类似，区别点在于，在实施例三封装结构的封装区域还覆盖有金属块120，金属块120设置在第一基板10相对第二基板20的表面，金属块120在垂直第二基板20方向的投影覆盖封装胶100在垂直第二基板20方向上的投影，金属块120覆盖有保护层。在实施例三的封装结构中，封装胶不需要和接地端连接，而是将金属块120与接地端连接。

金属块120可以是钼等金属，保护层为SiOx和SiNx的层叠结构。

封装区域设置金属块120和掺杂碳纳米管或者碳纳米线圈的封装胶，与现有技术相比，电子器件在使用过程中产生的静电和热量可以快速传导出去，提高电子器件的抗静电能力和使用寿命。并且可以不用改变原来的工艺制程。

请参照图4，图4是本发明实施例提供的另一种实施例四封装结构。 请参照图4，参照图4时，请同时参照实施例一封装结构图1，实施例四和实施例一不同点在于，实施例四封装结构还包含在第一基板10和第二基板20相对表面的封装区域设置有凹槽30，封装胶100覆盖凹槽30。然而本发明不限于凹槽30设置于第一基板10和第二基板20，凹槽30也可以只位于第一基板10或者第二基板20。凹槽30在垂直基板方向的截面可以为三角形、梯形、半圆形、多边形、圆弧形、锯齿形中的一种或者其任意组合。

本发明还提供了实施例五和实施例六，实施例五和实施例六是本发明提供的另外两种封装结构，请分别参照图5和图6。请参照图5，在参照图5时请同时参照实施例二封装结构图2，实施例五与实施例二类似，实施例五和实施例二不同点在于，实施例五还包含在第一基板10和第二基板20相对表面的封装区域设置有凹槽30，封装胶100覆盖凹槽30。参照图6，在参照图6时，请同时参照实施例三封装结构图3，实施例六和实施例三不同点在于，实施例六封装结构还包含在第一基板10和第二基板20相对表面的封装区域设置有凹槽30，封装胶100覆盖凹槽30。然而本发明不限于凹槽30设置于第一基板10和第二基板20，凹槽30也可以只位于第一基板10或者第二基板20。凹槽30在垂直基板方向的截面可以为三角形、梯形、半圆形、多边形、圆弧形、锯齿形中的一种或者其任意组合。

基于上述封装结构实施例，本发明还提供了封装结构的制备方法，用于制备实施例一至六任一封装结构。参照图7，图7为实施例七，实施例七为施例一封装结构的制备流程图，包括，

步骤一，提供相对设置的第一基板10和第二基板20，第一基板10和第二基板20包含显示区域和封装区域。

步骤二，在封装区域覆盖封装胶100，封装胶100设置在第二基板20相对第一基板10的表面，封装胶100与接地端连接。

步骤三，将第二基板20与第一基板10压合。

步骤四，利用激光对封装区域进行照射，将第一基板10和第二基板20在封装区域处熔融烧结，在第一基板10和第二基板20间形成密闭区域。

本发明提供的实施例二封装结构的制备方法可以参照实施例一封装结构的制备方法。与实施例一封装结构制备方法不同点有两个，第一个是实施例二封装结构制备方法的步骤二还包括，在封装区域覆盖一层石墨烯110，石墨烯110设置在第一基板10相对第二基板20的表面，石墨烯110在垂直第二基板20方向的投影覆盖封装胶100在垂直第二基板20方向的投影。第二个是实施例二封装结构的制备方法为在石墨烯处接地。

本发明提供的实施例三封装结构的制备方法可以参照实施例一封装结构的制备方法。与实施例一封装结构制备方法不同点有两个，第一个是实施例三封装结构制备方法的步骤2还包括，在封装区域覆盖一层金属层，金属层设置在第一基板10相对第二基板20的表面，将金属层刻蚀成金属块120，金属块120在垂直第二基板20方向的投影覆盖封装胶100在垂直第二基板20方向的投影；在金属块120上覆盖保护层。第二个是实施例三封装结构的制备方法是在金属块120处接地。

本发明提供的实施例四封装结构的制备方法可以参照实施例一封装结构的制备方法。与实施例一封装结构制备方法不同点在于实施例四封装结构制备方法的步骤二还包括在第一基板10和第二基板20相对表面刻蚀凹槽30的制备过程，凹槽30位于封装区域，封装胶100覆盖凹槽30。然而本发明不限于凹槽30设置于第一基板10和第二基板20，凹槽30也可以只位于第一基板10或者第二基板20。凹槽30在垂直基板方向的截面可以为三角形、梯形、半圆形、多边形、圆弧形、锯齿形中的一种或者其任意组合。

本发明提供的实施例五和实施例六的制备方法与实施例四类似，还分别包含在实施例五和实施例六的第一基板10和第二基板20相对表面刻蚀凹槽30的制备过程，再此不再赘述。

本发明实施例提供的封装方法中，封装胶100可以采用点胶或者丝网印刷等方法，在第二基板20的边缘内部构成玻璃封装条状区域，形成所需要的预定图案。金属层可用物理气相沉积等方法形成，保护层可用化学气相沉积等方法形成，金属块120可用光刻蚀等方法形成。

本发明实施例提供的封装方法技术较成熟，简单易行。

最后，本发明实施例还提供了一种电子器件，参照图8。该电子器件可以是各种显示装置，如有机电致发光显示器(OLED)、液晶显示器等设备。该电子器件包括由本发明实施例提供的实施例一至实施例六的任一种封装结构，及位于所述实施例一至实施例六任一种封装结构密闭区域内的功能层12。功能层12可以是各种敏感电子元件，该敏感电子元件包含有机发光二极管。

综上所述，本发明实施例对现有的封装结构进行改进，通过引入掺杂碳纳米管或者碳纳米线圈的封装胶，以及在封装区域设置石墨烯，改善电子器件封装区域的导电和导热性能，提高电子器件的抗静电能力和使用寿命，在碳纳米管或碳纳米线圈中链接金属纳米粒子，减少碳纳米管或者碳纳米线圈的用量以节约成本。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种封装结构，包含显示区域和封装区域，其特征在于，还包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板相对设置；

封装胶，形成在所述封装区域内，且设置在所述第二基板朝向所述第一基板的表面，所述封装胶包含玻璃胶和填料，所述填料占所述封装胶的体积分数为0.001％-3％。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述填料占所述封装胶的体积分数为0.001％-1％。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装胶接地。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包含石墨烯，所述石墨烯形成在所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板的表面，所述石墨烯在垂直所述第二基板方向上的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述石墨烯接地。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包含金属块，所述金属块形成在所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板的表面，所述金属块在垂直所述第二基板方向的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影；

所述金属块上覆盖有保护层。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述金属块接地。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板相对表面设置有凹槽，所述凹槽位于所述封装区域内，所述封装胶覆盖所述凹槽。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述凹槽在垂直基板方向的截面为三角形、梯形、半圆形、多边形、圆弧形、锯齿形中的一种或者其任意组合。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述填料包含碳纳米管或者碳纳米线圈。

11.根据权利要求10所述的封装结构，其特征在于，所述碳纳米管或者碳纳米线圈链接金属纳米粒子。

12.一种封装方法，用于制备权利要求1-11任一项所述的封装结构，其特征在于，提供相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板包含显示区域和封装区域；

涂覆封装胶，所述封装胶位于所述封装区域内，且设置在所述第二基板相对所述第一基板的表面；

将所述第二基板与所述第一基板压合，利用激光对所述封装区域进行照射，将所述第一基板和所述第二基板在该封装区域处的所述封装胶熔融烧结。

13.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，还包括，涂覆石墨烯，所述石墨烯位于所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板的表面，所述石墨烯在垂直所述第二基板方向的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影。

14.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，还包括，涂覆一层金属层，所述金属层位于所述封装区域内，且设置在所述第一基板相对所述第二基板表面；

刻蚀所述金属层形成金属块，所述金属块在垂直所述第二基板方向的投影覆盖所述封装胶在所述第二基板方向上的投影；在所述金属块上覆盖保护层。

15.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，还包含在所述第一基板和所述第二基板相对表面的封装区域凹槽的制备过程，所述封装胶覆盖所述凹槽。

16.一种电子器件，其特征在于，包含，利用权利要求1-11任一项所述的封装结构以及位于所述封装结构内的发光功能层。