CN105892179A - 显示设备 - Google Patents

Abstract

一种显示设备，包括多个像素，并且多个像素中的每一个包括：第一子像素，包括：连接至栅极线和数据线的晶体管、和连接至晶体管的第一液晶电容器，栅极线和数据线彼此交叉并且彼此绝缘；第二子像素，包括：连接至第一液晶电容器的第一电容器和连接至第一电容器的第二液晶电容器、连接至第一电容器的电阻器、和连接至电阻器的第二电容器。

Description

显示设备

相关申请的交叉引用

该专利申请要求于2015年2月16日提交的韩国专利申请第10-2015-0023585号的优先权，通过引用将其全部公开内容结合于此。

技术领域

在本文中，本公开涉及显示设备，且更具体地，涉及通过增加开口率具有改善的透光率的显示设备。

背景技术

最近，已开发各种显示设备，诸如液晶显示设备、电润湿显示设备、电泳显示设备、和有机发光显示设备。通常，显示设备包括用于显示图像的多个像素。像素响应于栅极信号接收数据信号并显示对应于数据信号的图像。

与其他显示设备相比，液晶显示设备具有低视角性能。液晶显示器的视角性能可通过将侧面可视性增强至正面可视性的水平来改善。为了改善视角性能，已开发采用各种模式(诸如构型垂直取向(PVA)模式、多畴垂直取向(MVA)模式、和超构型垂直取向(S-PVA)模式)的驱动***。

例如，S-PVA模式对于显示设备的每个像素包括两个子像素。不同的数据电压施加至两个子像素。两个子像素具有不同的亮度值，因为它们利用不同的像素电压来充电。

注视显示设备的人眼识别两个亮度值的中间值。可防止侧视角由于伽玛曲线在中间灰度级或者更小灰度级处的变形而劣化。因为两个子像素利用不同的像素电压来充电，所以可改善显示设备的侧面可视性。

发明内容

本公开提供通过增加开口率具有改善的透光率的显示设备。根据本公开的一个实施方式，显示设备包括多个像素。多个像素的每一个包括：第一子像素，包括连接至栅极线和数据线的晶体管、和连接至晶体管的第一液晶电容器，栅极线和数据线彼此交叉并且彼此绝缘；以及第二子像素，包括连接至第一液晶电容器的第一电容器、连接至第一电容器的第二液晶电容器、连接至第一电容器的电阻器、和连接至电阻器的第二电容器。

在本公开的其他实施方式中，晶体管可包括连接至栅极线的栅电极、连接至数据线的源电极、以及连接至第一液晶电容器的漏电极。

在本公开的又其他实施方式中，第一液晶电容器可包括：第一像素电极，连接至漏电极；公共电极，布置为面向第一像素电极；以及液晶层，布置在第一像素电极与公共电极之间。

在本公开的再其他实施方式中，第一电容器可包括：连接至第一像素电极的第一电极；和布置为与第一电极绝缘并且与第一电极重叠的第二电极。

在本公开的仍其他实施方式中，第一电极可布置在与栅电极相同的层上，并且第二电极可布置在与源电极和漏电极相同的层上。

在本公开的进一步的实施方式中，第二液晶电容器可包括：连接至第二电极的第二像素电极；布置为面向第二像素电极的公共电极；以及布置在第二像素电极与公共电极之间的液晶层。

在本公开的又进一步的实施方式中，多个像素中的每一个可进一步包括平面区域。平面区域可包括：第一像素区域，第一像素电极布置在第一像素区域上；第二像素区域，第二像素电极布置在第二像素区域上；和非像素区域，形成在第一像素区域和第二像素区域周围。晶体管、第一电容器、第二电容器、和电阻器布置在第一像素区域与第二像素区域之间的非像素区域上。

在本公开的再进一步的实施方式中，第二电容器可包括布置为彼此绝缘并且彼此重叠的第三电极和第四电极，第三电极可布置在与栅电极相同的层上，并且第四电极可布置在与源电极和漏电极相同的层上。

在本公开的仍进一步的实施方式中，显示设备可进一步包括布置在与栅极线相同的层上并且平行于栅极线延伸的存储线，并且第三电极可从存储线分支出。

在本公开的更多进一步的实施方式中，显示设备可进一步包括：第一基底基板，栅电极、第一电极、和第三电极布置在第一基底基板上；第一绝缘层，布置在第一基底基板上并且覆盖栅电极、第一电极、和第三电极；第一半导体层，布置在第一绝缘层上并且覆盖栅电极；第二半导体层，布置在第一电极与第三电极之间的第一绝缘层上并且覆盖第一电极和第三电极；第二绝缘层，布置在第一绝缘层上并且覆盖晶体管、第一电容器、第二电容器、和第二半导体层；以及滤色器，沿行方向延伸并且与沿行方向排布的像素重叠。布置在第一电容器与第二电容器之间的第一绝缘层上的第二半导体层可形成电阻器。

在本公开的其他实施方式中，第一电容器可具有比第二电容器更大的面积。

附图说明

包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图结合在该说明书中并构成该说明书的一部分。附图示出了本公开的示例性实施方式，并且与描述一起用来说明本公开的原理。在附图中：

图1示出了根据本公开的实施方式的显示设备的平面图；

图2示出了在图1中示出的像素的布局；

图3示出了沿在图2中示出的线I-I'截取的截面图；

图4示出了沿在图2中示出的线Ⅱ-Ⅱ'截取的截面图；

图5示出了沿在图2中示出的线Ⅲ-Ⅲ'截取的截面图；并且

图6示出了在图1中示出的像素的等效电路图。

具体实施方式

通过参考附图描述的以下实施方式将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可体现为不同的形式，并且不应被解释为局限于本文所阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式以使得本公开是详尽的和完整的，并且将范围充分地传达给本领域技术人员。遍及全文，相似的参考标号指代相似的元件。

还将理解的是，当元件或层被称为‘在’另一元件或层‘上’时，它可直接在另一元件或层上、或者也可存在中间元件或层。相反，当元件被称为‘直接在’另一元件‘上’或者‘直接在’另一元件‘上方’时，意味着可不存在中间元件或层。如在本文中所使用的，术语‘和/或’包括相关列举项的一个或多个的任何和所有组合。

本文中可使用诸如‘下方’、‘下面’、‘下部’、‘上方’、‘上部’等的空间相对术语来描述如在图中示出的一个元件或特征相对另一个元件或特征的关系。将理解，空间相对术语旨在包括除图中所示的方位以外的设备在使用或操作中的不同方位。尽管本文中可使用诸如第一和第二的术语来描述各个元件、部件和/或部分，然而，元件、部件和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件和/或部分与另一个进行区分。因此，在不背离本公开的精神和范围的前提下，下面讨论的第一元件、第一部件和/或第一部分可被称为第二元件、第二部件或第二部分。

在本文中，参照作为本公开的理想示例性实施方式的示意图的平面图和截面图来描述本公开的示例性实施方式。因而，预期例如因制造技术和/或容差导致的图示形状的变化。因此，本公开的示例性实施方式不应被解释为局限于本文中所示出的区域的特定形状，而是应理解为包括例如因制造而产生的形状上的偏差。因此，在图中示出的区域本质上是示意性的并且它们的形状、尺寸、和比例不旨在示出设备的区域的实际形状和限制本公开的范围。在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施方式。

图1是根据本公开的实施方式的显示设备的平面图。显示设备500包括显示面板100、栅极驱动器200、数据驱动器300、和印刷电路板400。显示面板100可以是包括布置在彼此面对的第一基板与第二基板之间的液晶层的液晶显示面板。

显示面板100包括多个栅极线GL1-GLm、多个数据线DL1-DLn，和多个像素PX11-PXmn，其中，m和n是大于零的整数。栅极线GL1-GLm和数据线DL1-DLn布置为在彼此绝缘的同时彼此交叉。

栅极线GL1-GLm在第一方向DR1上延伸并且连接至栅极驱动器200。数据线DL1-DLn在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸并且连接至数据驱动器300。第一方向DR1可以是行方向并且第二方向DR2可以是列方向。显示面板100的平面区包括显示图像的显示区DA和围绕显示区DA的非显示区NDA。

像素PX11-PXmn在显示区DA上排布为矩阵构造。例如，像素PX11-PXmn布置在通过彼此交叉的栅极线GL1-GLm和数据线DL1-DLn划分的区域中。像素PX11-PXmn可排布成m行和n列。

像素PX11-PXmn分别连接至栅极线GL1-GLm之中的相应栅极线和数据线DL1-DLn之中的相应数据线。像素PX11-PXmn中的每个可显示基色的一种。基色可包括红色、绿色、蓝色和白色。在另一个实施方式中，基色可包括各种颜色，诸如黄色、青色和品红色。

栅极驱动器200布置在沿第一方向DR1与显示区DA的一侧相邻的非显示区NDA中。栅极驱动器200通过与安装在显示面板100上的像素PX11-PXmn的晶体管相同的工艺形成。栅极驱动器200可包括非晶硅TFT栅极驱动器电路(ASG)或者氧化硅TFT栅极驱动器电路(OSG)。

在另一个实施方式中，栅极驱动器200可包括安装在柔性印刷电路板(其以带载封装(TCP)类型连接至显示面板100)上的多个驱动器芯片。此外，包括多个驱动器芯片的栅极驱动器200可以玻璃上芯片(COG)类型安装在显示面板100上。

栅极驱动器200从安装在印刷电路板400上的时序控制器(未示出)接收栅极控制信号。尽管未示出，时序控制器可以以连接至栅极驱动器200和数据驱动器300的集成电路芯片的形式安装在印刷电路板400上。

栅极驱动器200响应于栅极控制信号生成多个栅极信号。栅极信号可按顺序输出。栅极信号通过栅极线GL1-GLm逐行地提供至像素PX11-PXmn。因此，可逐行地驱动像素PX11-PXmn。

数据驱动器300包括多个源驱动器芯片310_1-310_k。源驱动器芯片310_1-310_k安装在柔性电路板320_1-320_k上并连接至印刷电路板400和邻近于显示区DA的顶侧的非显示区NDA。数据驱动器300可以带载封装(TCP)类型连接至显示面板100。在另一个实施方式中，包括多个驱动器芯片的数据驱动器300可以玻璃上芯片(COG)类型安装在显示面板100上。

数据驱动器300从时序控制器接收图像数据和数据控制信号。数据驱动器300响应于数据控制信号生成对应于图像信号的模拟数据电压。数据电压通过数据线DL1-DLn提供至像素PX11-PXmn。像素PX11-PXmn响应于通过栅极线GL1-GLm提供的栅极信号通过数据线DL1-DLn接收数据电压。像素PX11-PXmn显示对应于数据电压的灰度等级(gradation)。因此，可以显示图像。

图2示出了在图1中示出的像素的布局。虽然图2仅示出了一个像素，在图1中示出的其他像素将具有相同的构造。在下文中，为了便于说明，将描述一个像素PXij的构造。

参考图2，像素PXij连接至栅极线GLi和数据线DLj。栅极线GLi在第一方向DR1上延伸。数据线DLj在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸。

像素PXij包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2。第一子像素SPX1包括晶体管TR和连接至晶体管TR的第一像素电极PE1。第二子像素SPX2包括连接至第一像素电极PE1的第一电容器CP1、连接至第一电容器CP1的第二像素电极PE2、和布置为邻近于第一电容器CP1的第二电容器CP2。

在第一子像素SPX1中显示图像的区域可被称为第一像素区域PA1。在第二子像素SPX2中显示图像的区域可被称为第二像素区域PA2。第一像素电极PE1布置在第一像素区域PA1上。第二像素电极PE2布置在第二像素区域PA2上。

像素PXij的第一像素区域PA1和第二像素区域PA2的***区域可被称为非像素区域NPA。栅极线GLi以及数据线DLj和DLj+1布置在非像素区域NPA上。

晶体管TR以及第一电容器CP1和第二电容器CP2布置在像素PXij的第一像素区域PA1和第二像素区域PA2之间的非像素区域NPA上。第一子像素SPX1的晶体管TR包括从栅极线GLi分支出的栅电极GE、从数据线DLj分支出的源电极SE、和连接至第一像素电极PE1的漏电极DE。漏电极DE延伸以通过第一接触孔CH1电连接至从第一像素电极PE1分支出的连接电极CNE。

存储线SLi在第一方向DR1上延伸。存储线SLi与第一像素电极PE1的底侧部分重叠。从存储线SLi沿第二方向DR2分支出的第一存储电极STE1和第二存储电极STE2在第一方向DR1上与第一像素电极PE1的左侧和右侧部分重叠。

存储线SLi以及第一存储电极STE1和第二存储电极STE2布置在与栅极线GLi相同的层上。存储线SLi可被施加存储电压。

第二子像素SPX2的第一电容器CP1包括布置为彼此重叠的第一电极E1和第二电极E2。第一电极E1和第二电极E2彼此绝缘并彼此面对。第一电极E1可布置在与栅电极GE相同的层上。第二电极E2可布置在与源电极SE和漏电极DE相同的层上。

第一电极E1延伸以通过第二接触孔CH2电连接至连接电极CNE。第二电极E2延伸以通过第三接触孔CH3连接至第二像素电极PE2。在示例性实施方式中，第二电极E2可延伸至第二像素电极PE2的中心部分以通过第三接触孔CH3连接至第二像素电极PE2的中心部分。

第二子像素SPX2的第二电容器CP2包括布置为彼此重叠的第三电极E3和第四电极E4。第三电极E3和第四电极E4彼此绝缘并彼此面对。第三电极E3从存储线SLi分支出。第四电极E4布置在与源电极SE和漏电极DE相同的层上。

在平面水平上，第一电容器CP1的面积可大于第二电容器CP2的面积。因此，第一电容器CP1的容量可大于第二电容器CP2的容量。

第一像素电极PE1包括第一主干单元PE1a和从第一主干单元PE1a突出并以径向形式延伸的多个第一分支单元PE1b。第一主干单元PE1a可设置为各种形状。在示例性实施方式中，第一主干单元PE1a可具有如在图2中示出的十字形。在该情况下，像素PXij的第一像素区域PA1可被第一主干单元PE1a划分成四个域。

第一分支单元PE1b对应于四个域的相应域以在彼此不同的方向上延伸。第一分支单元PE1b可在由第一主干单元PE1a分割的并布置为彼此间隔开的相应域内彼此平行地延伸。彼此相邻的第一分支单元PE1b彼此间隔开微米单位的距离以形成多个细缝。

第一像素区域PA1中的液晶层的液晶分子由于细缝对于四个域中的每一个沿不同的方向预倾斜。因此，在液晶层中形成具有沿不同方向定位的液晶分子的四个域。液晶分子倾斜的越多，显示设备实现的参考视角越宽。

第一像素电极PE1可由透明导电材料制成。例如，第一像素电极PE1可由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或者氧化锌铟锡(ITZO)的透明导电材料制成。

第二像素电极PE2包括第二主干单元PE2a和从第二主干单元PE2a突出并以径向形状延伸的多个第二分支单元PE2b。第二像素电极PE2的平面面积大于第一像素电极PE1的平面面积。

除了其面积上的差异之外，第二像素电极PE2的形状基本上与第一像素电极PE1的形状相同。另外，第二像素电极PE2可由与第一像素电极PE1相同的材料制成。因此，将不重复关于第二像素电极PE2的构造的描述。

虽然在图2中未示出，在第二方向DR2上延伸的多个滤色器可布置为与在第二方向DR2上排布的像素重叠。滤色器为穿过相应像素的光提供颜色。

虽然未在图2中示出，黑矩阵可布置在非像素区域NPA上。黑矩阵阻挡非像素区域NPA中的不必要的光。另外，黑矩阵阻挡由于在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2的边缘中的液晶分子的异常运动而可能泄漏的光。

图3示出了沿图2中示出的线I-I'截取的截面图。图4示出了沿图2中示出的线Ⅱ-Ⅱ'截取的截面图。图5示出了沿图2中示出的线Ⅲ-Ⅲ'截取的截面图。

参考图3、图4、和图5，显示设备500包括第一基板110、面向第一基板110的第二基板120、和布置在第一基板110和第二基板120之间的液晶层LC。

第一基板110包括第一基底基板SUB1和布置在第一基底基板SUB1上的晶体管TR、第一电容器CP1和第二电容器CP2、滤色器CF、以及第一像素电极PE1和第二像素电极PE2。

第一基底基板SUB1可以是透明基板或者不透明基板。例如，第一基底基板SUB1可以是硅基板、玻璃基板、或者塑料基板。栅极线GLi、存储线SLi、和晶体管TR的栅电极GE、第一电容器CP1的第一电极E1、和第二电容器CP2的第三电极E3布置在第一基底基板SUB1上。

第一绝缘层INS1布置在第一基底基板SUB1上并且覆盖栅极线GLi、存储线SLi、栅电极GE、第一电极E1、和第三电极E3。第一绝缘层INS1可被称为栅极绝缘膜。第一绝缘层INS1可以是包括无机材料的无机绝缘膜。

晶体管TR的第一半导体层SM1布置在覆盖栅电极GE的第一绝缘层INS1上。虽然未示出，第一半导体层SM1可包括活性层和欧姆接触层。

晶体管TR的源电极SE和漏电极DE布置为在第一半导体层SM1和第一绝缘层INS1上彼此间隔开。第一半导体层SM1形成源电极SE与漏电极DE之间的导电沟道。

第二半导体层SM2布置在第一电极E1与第三电极E3之间的第一绝缘层INS1上。第二半导体层SM2延伸并且布置在覆盖第一电极E1和第三电极E3的第一绝缘层INS1上。第二半导体层SM2具有与第一半导体层SM1相同的构造。

第二电极E2布置在第二半导体层SM2上以与第一电极E1重叠。第四电极E4布置在第二半导体层SM2上并且与第三电极E3重叠。

如在图3中示出的，第一电极E1延伸至其上布置第二接触孔CH2的区。如在图5中示出的，第二电极E2延伸至布置在第二像素电极PE2的中心部分上的第三接触孔CH3。

第一电容器CP1通过彼此重叠的第一电极E1和第二电极E2、布置在第一电极E1和第二电极E2之间的第一绝缘层INS1、和第二半导体层SM2形成。

第二电容器CP2通过彼此重叠的第三电极E3和第四电极E4、布置在第三电极E3和第四电极E4之间的第一绝缘层INS1、和第二半导体层SM2形成。

在第一电容器CP1与第二电容器CP2之间的第二半导体层SM2形成电阻。在下文中，在第一电容器CP1与第二电容器CP2之间的第二半导体层SM2被称为电阻器R。

数据线DLj和数据线DLj+1布置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2布置在第一绝缘层INS1上并覆盖晶体管TR、第一电容器CP1和第二电容器CP2、电阻器R、以及数据线DLj和数据线DLj+1。第二绝缘层INS2可被称为钝化膜。第二绝缘层INS2可以是包括无机材料的无机绝缘膜。

滤色器布置在第二绝缘层INS2上。如上所述，滤色器CF在第二方向DR2上延伸并与在第二方向DR2上排布的像素重叠。如在图3中示出的，滤色器CF的边界线可被布置为在其上布置有数据线DLj和数据线DLj+1的非像素区域NPA中彼此接触。

形成穿透滤色器CF和第二绝缘层INS2并暴露漏电极DE的预定区的第一接触孔CH1。形成穿透滤色器CF以及第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2并暴露第一电极E1的预定区的第二接触孔CH2。通过第二接触孔CH2暴露的第一电极E1的区域是不与第二电极E2重叠的区域。形成穿透滤色器CF和第二绝缘层INS2、延伸至第二像素电极PE2的中心部分并暴露第二电极E2的预定区的第三接触孔CH3。

第一像素电极PE1布置在第一像素区域PA1中的滤色器CF上。第二像素电极PE2布置在第二像素区域PA2中的滤色器CF上。

从第一像素电极PE1分支到非像素区域NPA中的连接电极CNE通过第一接触孔CH1电连接至晶体管TR的漏电极DE。连接电极CNE通过第二接触孔CH2连接至第一电容器CP1的第一电极E1。第二电极E2延伸以通过第三接触孔CH3电连接至第二像素电极PE2的中心部分。

第二基板120包括第二基底基板SUB2以及布置在第二基底基板SUB2下面的黑矩阵BM、保护层OC、和公共电极CE。第二基底基板SUB2可由与第一基底基板SUB1相同的材料制成。

黑矩阵BM布置在非像素区域NPA中的第二基底基板SUB2下面。保护层OC布置在第二基底基板SUB2下面并且覆盖黑矩阵BM。保护层OC可以是绝缘膜。

公共电极CE布置在保护层OC下面。公共电极CE被施加公共电压。在一个实施方式中，公共电压和存储电压可以是相同的电压电平。在另一个实施方式中，存储电压可具有与公共电压不同的电压电平。

第一液晶电容器CLC1通过彼此面对的第一像素电极PE1和公共电极CE、以及布置在第一像素电极PE1与公共电极CE之间的液晶层LC形成。第二液晶电容器CLC2通过彼此面对的第二像素电极PE2和公共电极CE、以及布置在第二像素电极PE2与公共电极CE之间的液晶层LC形成。

图6示出了在图1中示出的像素的等效电路图。像素PXij连接至栅极线GLi和数据线DLj。像素PXij包括第一子像素SPX1和第二子像素SPX2。

第一子像素SPX1包括连接至栅极线GLi和数据线DLj的晶体管TR、以及连接至晶体管TR的第一液晶电容器CLC1。晶体管TR的栅电极GE连接至栅极线GLi。晶体管TR的源电极SE连接至数据线DLj。晶体管TR的漏电极DE连接至第一液晶电容器CLC1的第一像素电极PE1。

第二子像素SPX2包括连接至第一液晶电容器CLC1的第一电容器CP1、连接至第一电容器CP1的第二液晶电容器CLC2、连接至第一电容器CP1的电阻器R、和连接至电阻器R的第二电容器CP2。第一电容器CP1的第一电极E1连接至第一液晶电容器CLC1的第一像素电极PE1。第一电容器CP1的第二电极E2连接至第二液晶电容器CLC2的第二像素电极PE2。第一电容器CP1连接至电阻器R的一端，并且第二电容器CP2连接至电阻器R的另一端。第二电容器CP2的第三电极E3连接至存储线SLi。

如上所述，公共电极CE被施加公共电压，并且存储线GLi被施加存储电压。因此，存储电压被施加至第二电容器CP2的第三电极E3。

栅极信号通过栅极线GLi施加至晶体管TR的栅电极GE。晶体管TR通过栅极信号导通。导通的晶体管TR通过数据线DLj接收数据电压并将所接收的电压施加至第一液晶电容器CLC1的第一像素电极PE1。第一液晶电容器CLC1利用与数据电压和公共电压之间的电平差对应的第一像素电压来充电。

因为从第一像素电极PE1分支出的连接电极CNE连接至晶体管TR的漏电极DE和第一电容器CP1的第一电极E1，所以数据电压施加至第一电容器CP1的第一电极E1。因为第一电容器CP1的第二电极E2连接至第二液晶电容器CLC2的第二像素电极PE2，所以第一电容器CP1和第二液晶电容器CLC2基本上具有串联连接构造。在该情况下，与数据电压和公共电压之间的电平差对应的第一像素电压被分配为对第一电容器CP1和第二液晶电容器CLC2进行充电。换言之，电荷被分配至第一电容器CP1和第二液晶电容器CLC2。因此，第二液晶电容器CLC2利用低于第一像素电压的第二像素电压来充电。

在晶体管TR的导通状态中，由第二半导体层SM2形成的电阻器R具有高电阻值，因此电流可不流向第二电容器CP2。当晶体管TR截止时，第二液晶电容器CLC2和第二电容器CP2共享穿过电阻器R的电荷。因此，在第二液晶电容器CLC2中充入的第二像素电压会变得更小。

第一子像素SPX1利用第一像素电压来充电，并且第二子像素SPX2利用小于第一像素电压的第二像素电压来充电。当在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中充入不同电平的像素电压时，注视显示设备的人眼识别两个像素电压的中间值。因此，可防止显示设备的侧视角由于伽玛曲线在中间灰度级或者更小灰度级处的变形而劣化。因为第一子像素SPX1和第二子像素SPX2利用不同的像素电压来充电，所以可改善显示设备的可视性。

与参考图1至图6示出的当前实施方式相比，以下将说明电阻器分配结构(resistor distribution structure)。在电阻器分配结构中，第一子像素可包括接收数据电压的第一晶体管和连接至第一晶体管的第一液晶电容器。第二子像素可包括接收数据电压的第二晶体管、连接至第二晶体管的第二液晶电容器、和连接至第二晶体管并接收存储电压的第三晶体管。第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管可连接至相同的栅极线并同时导通。第一晶体管和第二晶体管连接至相同的数据线。在电阻器分配结构中，第一晶体管向第一液晶电容器提供数据电压。第一液晶电容器利用与数据电压对应的像素电压来充电。第二晶体管接收数据电压，并且第三晶体管接收存储电压。在该情况下，第二晶体管和第三晶体管的连接点的电压具有与存储电压和数据电压的中间电平对应的电压值。因此，第二液晶电容器利用比第一液晶电容器的像素电压低的像素电压来充电。

在电阻器分配结构中，像素可包括：第一晶体管、第二晶体管、和第三晶体管，将第一晶体管和第一像素电极彼此连接的接触孔，将第二晶体管和第二像素电极彼此连接的接触孔，将第三晶体管和从存储线分支出的分支电极彼此连接的接触孔。在电阻器分配结构中，三个晶体管和三个接触孔布置在第一像素区域与第二像素区域之间的非像素区域上。

随着可用的晶体管和接触孔的数量增加，需要用于布置晶体管和接触孔的更大的区，导致非像素区域的增加。在该情况下，第一像素区域和第二像素区域相对减小。

与电阻器分配结构相比，本公开包括布置在第一像素区域PA1和第二像素区域PA2之间的非像素区域NPA上的一个晶体管TR和两个接触孔CH1和CH2。因为可用的晶体管和接触孔的数量减少，与电阻器分配结构相比，非像素区域可减小。因为非像素区域减小，所以第一像素区域PA1和第二像素区域PA2可相对增大。因此，像素PX11-PXmn的开口率增加，并且可改善透光率。因此，根据本公开的实施方式的显示设备可增加开口率以通过增加开口率来改善透光率。

本文已公开了示例性实施方式。虽然使用了特定术语，但它们仅用于并被解释为一般性和说明性的含义而并非用于限制的目的。在某些情况下，如对本申请提交的领域的普通技术人员显而易见的，结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独地使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件相组合，除非另外明确表示。因此，本领域技术人员将理解，在不背离本公开的精神和范围的情况下，可做出在形式和细节上的各种变化。

Claims (12)

1.一种显示设备，包括多个像素，其中，所述多个像素中的每一个包括：

第一子像素，包括连接至栅极线和数据线的晶体管、和连接至所述晶体管的第一液晶电容器，所述栅极线和所述数据线彼此交叉并且彼此绝缘；以及

第二子像素，包括连接至所述第一液晶电容器的第一电容器、连接至所述第一电容器的第二液晶电容器、连接至所述第一电容器的电阻器、和连接至所述电阻器的第二电容器。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述晶体管包括：

栅电极，连接至所述栅极线；

源电极，连接至所述数据线；以及

漏电极，连接至所述第一液晶电容器。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一液晶电容器包括：

第一像素电极，连接至所述漏电极；

公共电极，布置为面向所述第一像素电极；以及

液晶层，布置在所述第一像素电极与所述公共电极之间。

4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第一电容器包括：

第一电极，连接至所述第一像素电极；以及

第二电极，布置为与所述第一电极绝缘并且与所述第一电极重叠。

5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一电极布置在与所述栅电极相同的层上，并且所述第二电极布置在与所述源电极和所述漏电极相同的层上。

6.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二液晶电容器包括：

第二像素电极，连接至所述第二电极；

所述公共电极，布置为面向所述第二像素电极；以及

所述液晶层，布置在所述第二像素电极与所述公共电极之间。

7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述多个像素中的每一个进一步包括平面区域，并且其中，所述平面区域包括：

第一像素区域，所述第一像素电极布置在所述第一像素区域上；

第二像素区域，所述第二像素电极布置在所述第二像素区域上；以及

非像素区域，形成在所述第一像素区域和所述第二像素区域周围，

其中，所述晶体管、所述第一电容器、所述第二电容器、和所述电阻器布置在所述第一像素区域与所述第二像素区域之间的所述非像素区域上。

8.根据权利要求7所述的显示设备，进一步包括布置在所述非像素区域上的黑矩阵。

9.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第二电容器包括布置为彼此绝缘并且彼此重叠的第三电极和第四电极。

10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第三电极布置在与所述栅电极相同的层上，并且所述第四电极布置在与所述源电极和所述漏电极相同的层上。

11.根据权利要求9所述的显示设备，进一步包括布置在与所述栅极线相同的层上并且平行于所述栅极线延伸的存储线，其中，所述第三电极从所述存储线分支出。

12.根据权利要求9所述的显示设备，进一步包括：

第一基底基板，所述栅电极、所述第一电极、和所述第三电极布置在所述第一基底基板上；

第一绝缘层，布置在所述第一基底基板上并且覆盖所述栅电极、所述第一电极、和所述第三电极；

第一半导体层，布置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述栅电极；

第二半导体层，布置在所述第一电极与第三电极之间的所述第一绝缘层上并且覆盖所述第一电极和所述第三电极；

第二绝缘层，布置在所述第一绝缘层上并且覆盖所述晶体管、所述第一电容器、所述第二电容器、和所述第二半导体层；以及

滤色器，沿行方向延伸并且与沿所述行方向排布的像素重叠，

其中，布置在所述第一电容器与所述第二电容器之间的所述第一绝缘层上的所述第二半导体层形成所述电阻器。