CN105870350A - 有机发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机发光器件，该器件包括依序层叠的基板层、第一电极层、发光层、第二电极层，还包括设置于第一电极层、发光层之间，或第二电极层、发光层之间的阻挡层，阻挡层包括发光主体材料，发光材料的三线态能级T1≥2.5ev。本发明提供的有机发光器件由于设有包括发光主体材料的阻挡层，发光主体材料具有很高的三线态能级T1，当作为阻挡层时，能够阻挡三线态激子的扩散，减少激子淬灭，从而提高有机发光器件的寿命。

Description

有机发光器件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体是指一种有机发光器件。
背景技术
由于AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode的缩写，简称AMOLED)显示面板相对于LCD面板具有自发光、结构简单、成本低、反应速度快、广视角、色饱和度高、对比度高、轻薄等优点，越来越多的智能手机以及可穿戴设备，都开始采用AMOLED面板。
随着大规模的应用，对AMOLED的性能提出了更多更高的要求，如低电压、高亮度、高效率、低能耗、长寿命等等。
发明内容
本发明提供一种有机发光器件，以解决现有技术中AMOLED器件寿命短的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种有机发光器件，所述器件包括：
依序层叠的基板层、第一电极层、发光层、第二电极层，
还包括设置于所述第一电极层、发光层之间，或第二电极层、发光层之间的阻挡层，所述阻挡层包括发光主体材料，所述发光材料的三线态能级T1≥2.5ev。
根据本发明一实施例，所述第一电极层、第二电极层分别是阳极层、阴极层；
进一步包括设置于所述阻挡层与所述阴极层之间的电子传输层，所述阻挡层与所述电子传输层的最低未占分子轨道能级之差小于0.2ev，所述阻挡层与所述电子传输层的最高占据分子轨道能级之差大于0.2ev。
根据本发明一实施例，所述发光层由第一发光主体材料和磷光发光掺杂剂制成，所述阻挡层由第一发光主体材料制成。
根据本发明一实施例，所述第一发光主体材料的化学结构式为
根据本发明一实施例，所述第一发光主体材料的化学结构式为
根据本发明一实施例，所述第一发光主体材料的化学结构式为
根据本发明一实施例，所述发光层由第一发光主体材料、第二发光主体材料和磷光发光掺杂剂制成，所述阻挡层由第一发光主体材料制成。
根据本发明一实施例，所述第一发光主体材料、所述第二发光主体材料以及所述磷光发光掺杂剂的膜厚比为5:5:1。
根据本发明一实施例，所述第二主体发光材料的化学结构式为
根据本发明一实施例，所述阻挡层的厚度范围为1nm～30nm。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供的有机发光器件由于设有包括发光主体材料的阻挡层，发光主体材料具有很高的三线态能级T1，当作为阻挡层时，能够阻挡三线态激子的扩散，减少激子淬灭，从而提高有机发光器件的寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是本发明提供的有机发光器件第一实施例的结构示意图；
图2是本发明提供的有机发光器件第二实施例的结构示意图；
图3是本发明提供的有机发光器件第三实施例的结构示意图；
图4是本发明提供的有机发光器件第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1是本发明提供的有机发光器件第一实施例的结构示意图。
如图1所示，该有机发光器件100包括依序层叠的基板层110、第一电极层120、发光层130、第二电极层140，还包括设置于第一电极层120、发光层130之间的阻挡层150，阻挡层150包括发光主体材料，发光主体材料的三线态能级T1≥2.5ev，其中三线态能级T1最大能达到3.0ev或以上，其中一个具体应用例中，三线态能级T1可以为2.8ev。
本发明提供的有机发光器件100由于设有包括发光主体材料的阻挡层150，发光主体材料具有很高的三线态能级T1，当作为阻挡层150时，能够阻挡三线态激子的扩散，减少激子淬灭，从而提高有机发光器件的寿命。
基板层110是透明基板，可以是玻璃基板也可以是柔性基板，其中柔性基板采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的一种或多种材料制成。
第一电极层120为阳极层，该阳极层120可以采用无机材料或有机导电聚合物，其中无机材料为金属或金属氧化物，金属为功函数较高的金属，包括金、铜、银等，金属氧化物具体为氧化铟锡(ITO)、氧化锌、氧化锡锌等；有机导电聚合物为聚噻吩、聚乙烯基苯磺酸钠、聚苯胺中的一种材料。
第二电极层140为阴极层，该阴极层140可以采用金属或者金属合金，其中金属为功函数较低的金属，包括锂、镁、钙、锶、铝、铟等，金属合金为功函数较低的金属合金或它们与金、银、铜的合金，还有其他实施例，采用金属与金属氟化物交替形成的阴极层，如氟化锂与金属银、氟化锂与金属铝形成的阴极层。
发光层130由第一发光主体材料和磷光发光掺杂剂制成，阻挡层150由第一发光主体材料制成。
阻挡层的厚度范围为1nm～30nm，进一步可以为5nm～10nm。
(1)应用例一
本应用例中，有机发光器件100的发光层130和阻挡层150的第一发光主体材料为HOST1，磷光发光掺杂剂为绿色磷光染料Dopant1，磷光发光掺杂剂Dopant1在发光层130的膜厚度百分比为10％，其中HOST1的化学结构式为Dopant1的化学结构式为
(2)应用例二
本应用例的有机发光器件的结构与应用例一相同，不同的是，第一发光主体材料为HOST2，其中HOST2的化学结构式为
(3)应用例三
本应用例的有机发光器件的结构与应用例一相同，不同的是，第一发光主体材料为HOST3，其中HOST3的化学结构式为
发光层130由第一发光主体材料、第二发光主体材料和磷光发光掺杂剂制成，阻挡层150由第一发光主体材料制成。其中第一发光主体材料、第二发光主体材料以及磷光发光掺杂剂的膜厚比为5:5:1。
(4)应用例四
本应用例的有机发光器件的结构与应用例一相同，不同的是，在发光层130中增加了第二发光主体材料，第二发光主体材料为Co-HOST，其中第一发光主体材料HOST1、第二发光主体材料Co-HOST以及磷光发光掺杂剂Dopant1的膜厚比为5:5:1，其中Co-HOST的化学结构式为
(5)应用例五
本应用例的有机发光器件的结构与应用例四相同，不同的是，第一发光主体材料为HOST2。
(6)应用例六
本应用例的有机发光器件的结构与应用例四相同，不同的是，第一发光主体材料为HOST3。
还有其他应用例中，可以不采用包括第一发光主体材料的阻挡层150。
第一发光主体材料、第二发光主体材料的能级参数和迁移率见表1。
表1第一发光主体材料、第二发光主体材料的能级参数和迁移率
其中，HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital的缩写)为最高占据分子轨道，LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital的缩写)为最低未占分子轨道，单线态能级S1是最低未占分子轨道(LUMO)能级与最高占据分子轨道(HOMO)能级的差值。
从表1的数据可以看出，第一发光主体材料和第二发光主体材料具有很好的双极性，其有利于电子和空穴的注入及复合，使激子复合的区域宽，可以提高有机发光器件的寿命，同时第一发光主体材料和第二发光主体材料具有很高的三线态能级T1，当作为阻挡层时，能够阻挡三线态激子的扩散，减少激子淬灭，从而可以提高有机发光器件的寿命。
请参阅图2，本实施例中的有机发光器件200的阻挡层250设在第二电极层240、发光层230之间。
请参阅图3，图3是本发明提供的有机发光器件第三实施例的结构示意图。
第一电极层320、第二电极层340分别是阳极层、阴极层；进一步包括设置于阻挡层350与阴极层340之间的电子传输层360，阻挡层350与电子传输层360的最低未占分子轨道(LUMO)能级之差小于0.2ev，阻挡层350与电子传输层360的最高占据分子轨道(HOMO)能级之差大于0.2ev。
本发明的有机发光器件中，基板层、阳极层、发光层、阴极层和阻挡层作为必要层，但在必要层以外的层中，还可以包括空穴注入输送层、电子注入输送层，其中，空穴注入输送层是指空穴注入层和空穴输送层中的任一者或两者，电子注入输送层是指电子注入层和电子输送层中的任一者或两者。
请一并参阅图4，有机发光器件400为具体实施例，以下实施例中的有机发光器件的结构以此为参考。
有机发光器件400包括基板层410、阳极层420、空穴注入层490、空穴传输层480、发光层430、阻挡层450、电子传输层460、电子注入层470以及阴极层440。
(7)应用例七
基板层410采用的是玻璃基板，阳极层420采用的是氧化铟锡(ITO)，空穴注入层490采用的是HAT(CN)6，空穴传输层480采用的是merck公司的HTM081，发光层430采用的是第一发光主体HOST1和磷光发光掺杂剂Dopant1，阻挡层450采用的是第一发光主体HOST1，电子传输层460采用的是BPhen，电子注入层470采用的是LiF，阴极层440采用的是铝。
其中，HAT(CN)6的化学结构式为HTM081的具体成分为merck公司的商业秘密。BPhen的化学结构式为
有机发光器件400的制作方法主要为蒸镀法，其制作流程包括：
一、清洗基板层410、阳极层420
将涂覆有ITO的玻璃基板410在清洗剂中进行超声波清洗，然后在去离子水中冲洗，然后在丙酮：乙醇体积比为1:1的混合溶剂中进行超声清洗，然后在洁净环境下进行烘烤，烘烤温度范围为130℃～220℃，时间为一至两个小时，然后用紫外线光和臭氧进行清洗，然后用低能阳离子束轰击ITO的表面，使得玻璃基板410的ITO带有阳极，形成阳极层420。
二、蒸镀其他层
将处理后的涂覆有ITO的玻璃基板410置于真空腔内，抽真空至1×10-6至2×10-4Pa，在ITO的阳极表面上真空蒸镀HAT(CN)6作为空穴注入层490，其中蒸镀速率范围为0.01nm/s～0.1nm/s，蒸镀厚度的范围为1nm～10nm，本应用例采用蒸镀速率为0.05nm/s，蒸镀厚度为5nm。
在空穴注入层490表面蒸镀HTM081作为空穴传输层480，其中蒸镀速率范围为0.01nm/s～0.2nm/s，蒸镀厚度的范围为10nm～30nm，本应用例采用蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为20nm。
在空穴传输层480表面真空蒸镀第一发光主体材料HOST1和磷光发光掺杂剂Dopant1作为发光层430，磷光发光掺杂剂Dopant1在发光层430的膜厚度百分比为10％，其中以双源共蒸的方式真空蒸镀第一发光主体材料HOST1和磷光发光掺杂剂Dopant1，其中第一发光主体材料HOST1蒸镀速率范围为0.05nm/s～0.5nm/s，磷光发光掺杂剂Dopant1蒸镀速率范围为0.005nm/s～0.05nm/s，蒸镀总厚度的范围为10nm～50nm，各个材料的厚度按蒸镀速率比例分配；本应用例第一发光主体材料HOST1采用蒸镀速率为0.1nm/s，磷光发光掺杂剂Dopant1采用蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀总厚度为30nm。
在发光层430表面真空蒸镀第一发光主体材料作为阻挡层450，其中蒸镀速率范围为0.01nm/s～0.2nm/s，蒸镀厚度的范围为1nm～10nm，本应用例采用蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为5nm。
在阻挡层450表面真空蒸镀Bphen作为电子传输层460，其中蒸镀速率范围为0.01nm/s～0.2nm/s，蒸镀厚度的范围为10nm～30nm，本应用例采用蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为20nm。
在电子传输层460表面真空蒸镀氟化锂作为电子注入层470，其中蒸镀速率范围为0.005nm/s～0.1nm/s，蒸镀厚度的范围为0.1nm～5nm，本应用例采用蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为0.5nm。
在电子注入层470表面真空蒸镀铝作为阴极层440，其中蒸镀速率范围为0.005nm/s～0.5nm/s，蒸镀厚度的范围为100nm～200nm，本应用例采用蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为150nm，阴极层440的厚度远远大于其他层的厚度，因为阴极层440需要做到全反射条件。
以上各个层的真空蒸镀工艺可以不在一个真空腔内，每个真空腔内抽真空至1×10-6至2×10-4Pa。
(8)应用例八
本应用例的蒸镀方式及厚度与应用例七相同，不同的是，将发光层430和阻挡层450的第一发光主体材料HOST1换成第一发光主体材料HOST2。
(9)应用例九
本应用例的蒸镀方式及厚度与应用例七相同，不同的是，将发光层430和阻挡层450的第一发光主体材料HOST1换成第一发光主体材料HOST3。
(10)应用例十
本应用例的蒸镀方式及厚度与应用例七相同，不同的是，将发光层的第一发光主体材料HOST1换成第一发光主体材料HOST1和第二发光主体材料Co-HOST。
具体为，在空穴传输层480表面真空蒸镀第一发光主体材料HOST1、第二发光主体材料Co-HOST和磷光发光掺杂剂Dopant1作为发光层430，其中第一发光主体材料HOST1、第二发光主体材料Co-HOST以及磷光发光掺杂剂Dopant1在发光层430中的膜厚比为5:5:1。以三源共蒸的方式真空蒸镀第一发光主体材料HOST1、第二发光主体材料Co-HOST和磷光发光掺杂剂Dopant1，其中第一发光主体材料HOST1蒸镀速率范围为0.05nm/s～0.5nm/s，第二发光主体材料Co-HOST蒸镀速率范围为0.05nm/s～0.5nm/s磷光发光掺杂剂Dopant1蒸镀速率范围为0.005nm/s～0.05nm/s，蒸镀总厚度的范围为10nm～50nm，各个材料的厚度按蒸镀速率比例分配，本应用例第一发光主体材料HOST1采用蒸镀速率为0.1nm/s，第二发光主体材料Co-HOST采用蒸镀速率为0.1nm/s，磷光发光掺杂剂Dopant1采用蒸镀速率为0.02nm/s，蒸镀总厚度为30nm。
(11)应用例十一
本应用例的蒸镀方式及厚度与应用例十相同，不同的是，将发光层430和阻挡层450的第一发光主体材料HOST1换成第一发光主体材料HOST2。
(12)应用例十二
本应用例的蒸镀方式及厚度与应用例十相同，不同的是，将发光层430和阻挡层450的第一发光主体材料HOST1换成第一发光主体材料HOST3。
(13)对比例一
本对比例的蒸镀方式及厚度与应用例七相同，不同的是，不采用由第一发光主体材料HOST1制成的阻挡层450。
各个应用例与对比例的有机发光器件400获得的性能参数见表2。
表2有机发光器件获得的性能参数
从表2的数据可以看出，取色坐标(0.32，0.61)为参考，应用例七、应用例八、应用例九与对比例一(没有阻挡层450)相比，电压和电流效率基本相同，其中有机发光器件400的寿命延长一倍，其原因在于，第一发光主体材料具有很高的三线态能级T1，当作为阻挡层450时，能够阻挡三线态激子的扩散，减少激子淬灭，从而可以提高有机发光器件400的寿命；应用例十、应用例十一、应用例十二与对比例一相比，当采用第一发光主体材料和第二发光主体材料时，激子的复合区域得到了进一步的改善，从而进一步提高了有机发光器件400的寿命，其中有机发光器件400的寿命又延长一倍。
综上所述，本领域技术人员容易理解，本发明提供的有机发光器件由于设有包括发光主体材料的阻挡层，发光主体材料具有很高的三线态能级T1，当作为阻挡层时，能够阻挡三线态激子的扩散，减少激子淬灭，从而提高有机发光器件的寿命。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种有机发光器件，其特征在于，所述器件包括：
依序层叠的基板层、第一电极层、发光层、第二电极层，
还包括设置于所述第一电极层、发光层之间，或第二电极层、发光层之间的阻挡层，所述阻挡层包括发光主体材料，所述发光材料的三线态能级T1≥2.5ev。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，
所述第一电极层、第二电极层分别是阳极层、阴极层；
进一步包括设置于所述阻挡层与所述阴极层之间的电子传输层，所述阻挡层与所述电子传输层的最低未占分子轨道能级之差小于0.2ev，所述阻挡层与所述电子传输层的最高占据分子轨道能级之差大于0.2ev。
3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述发光层由第一发光主体材料和磷光发光掺杂剂制成，所述阻挡层由第一发光主体材料制成。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一发光主体材料的化学结构式为
5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一发光主体材料的化学结构式为
6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一发光主体材料的化学结构式为
7.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述发光层由第一发光主体材料、第二发光主体材料和磷光发光掺杂剂制成，所述阻挡层由第一发光主体材料制成。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第一发光主体材料、所述第二发光主体材料以及所述磷光发光掺杂剂的膜厚比为5:5:1。
9.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述第二主体发光材料的化学结构式为
10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为1nm～30nm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105895820A (zh) * 2016-06-21 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 有机发光器件及其显示器
CN108550614A (zh) * 2018-05-31 2018-09-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133075A (ja) * 2001-07-25 2003-05-09 Toray Ind Inc 発光素子
CN101867021A (zh) * 2010-06-17 2010-10-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种蓝色磷光有机电致发光器件及其制备方法
CN102326273A (zh) * 2009-02-27 2012-01-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件
CN102983286A (zh) * 2012-12-18 2013-03-20 中国科学院长春应用化学研究所 绿色有机电致发光器件及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2480323A (en) * 2010-05-14 2011-11-16 Cambridge Display Tech Ltd OLED hole transport layer
CN103922995B (zh) * 2014-04-08 2018-05-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机电致发光器件及显示装置
CN104167428A (zh) * 2014-07-30 2014-11-26 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管阵列基板及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133075A (ja) * 2001-07-25 2003-05-09 Toray Ind Inc 発光素子
CN102326273A (zh) * 2009-02-27 2012-01-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件
CN101867021A (zh) * 2010-06-17 2010-10-20 中国科学院长春应用化学研究所 一种蓝色磷光有机电致发光器件及其制备方法
CN102983286A (zh) * 2012-12-18 2013-03-20 中国科学院长春应用化学研究所 绿色有机电致发光器件及其制备方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105895820A (zh) * 2016-06-21 2016-08-24 武汉华星光电技术有限公司 有机发光器件及其显示器
WO2017219424A1 (zh) * 2016-06-21 2017-12-28 武汉华星光电技术有限公司 有机发光器件及其显示器
US10147898B2 (en) 2016-06-21 2018-12-04 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Organic light-emitting device and display device
CN108550614A (zh) * 2018-05-31 2018-09-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置
CN108550614B (zh) * 2018-05-31 2020-03-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其显示装置

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