CN105845701A - 一种柔性显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种柔性显示装置及其制作方法,该方法包括:步骤一、将柔性基板划分为像素区和折弯区,所述折弯区以行和列的方式间隔出多行多列的所述像素区;步骤二、在柔性基板上的折弯区制作金属连接层;步骤三、在柔性基板上的像素区制作TFT;步骤四、制作完成TFT后,在各像素区之间的折弯区及各像素区上方制作平坦化层,以平坦化层进行各像素区之间的填充,所述金属连接层跨越所述折弯区的平坦化层实现相邻像素区的电连接;步骤五、进行后续OLED制作工艺。本发明在折弯区将柔性显示装置进行弯折时,应力会集中在折弯区,从而防止了像素区因为折弯而发生TFT特性改变或断裂的风险。
Description
技术领域
本发明有关一种柔性显示装置及其制作方法,特别是指一种成本低、弯曲程度大且不易使薄膜晶体管断裂的柔性显示装置及其制作方法。
背景技术
目前,柔性显示器的柔性基板各层结构均为无机物或金属,且各层厚度近似,在折弯时由于应力分布均匀,因此可能发生TFT(Thin
Film Transistor,薄膜晶体管)位置由于折弯特性而造成偏移,甚至出现断裂。
为解决上述问题,现有技术中往往采用柔性较好、易于弯曲的材料制造柔性显示装置中的显示结构,例如用氧化物半导体(铟镓锌氧化物,IGZO)或有机物半导体(如酞菁铜,PcCu)等取代薄膜晶体管有源区的硅基半导体材料。但是,并非所有的显示结构都能由柔性好的替代材料制造,其选材范围受限;且即使有替代材料,也不能保证其性能、成本等都达到现有材料的水平,因此替代材料的使用可能造成柔性显示装置性能的降低和成本的升高;另外,如果使用替代材料,则柔性显示基板的结构、制备工艺等都会发生明显变化,从而无法通过现有的工艺和设备制备。
目前还可以使用弹性材料层对柔性显示基板上的各种显示结构进行封装,以保护这些结构免受损伤。然而,弹性材料层虽可保护易损结构,但其也使柔性显示基板的变形受到限制,从而导致柔性显示装置的变形能力降低。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种制作简单、弯曲程度大且不易使TFT断裂的柔性显示装置及其制作方法。
为达到上述目的,本发明提供一种柔性显示装置的制作方法,其包括如下步骤:
步骤一、将柔性基板划分为像素区和折弯区,所述折弯区以行和列的方式间隔出多行多列的所述像素区;
步骤二、在柔性基板上的折弯区制作金属连接层;
步骤三、在柔性基板上的像素区制作TFT;
步骤四、制作完成TFT后,在各像素区之间的折弯区及各像素区上方制作平坦化层,以平坦化层进行各像素区之间的填充,所述金属连接层跨越所述折弯区的平坦化层实现相邻像素区的电连接;
步骤五、进行后续OLED制作工艺。
所述步骤三还包括如下工艺:在所述像素区制作通孔,所述金属连接层跨越所述折弯区的平坦化层通过所述通孔实现相邻像素区的电连接。
所述平坦化层材质为聚酰亚胺。
本发明还提供一种柔性显示装置,其包括有柔性基板,所述柔性基板划分为折弯区与多个像素区,所述像素区呈多行多列分布,相邻各像素区之间为所述折弯区,位于所述像素区的柔性基板上设有TFT,位于所述折弯区的柔性基板上设有金属连接层,相邻各所述像素区之间通过所述金属连接层电性连接,各所述像素区上方及所述折弯区设有平坦化层,所述平坦化层填充于各像素区之间。
所述TFT包括金属层、栅极层及设于金属层与栅极层下方的绝缘层,该绝缘层设有分别对应金属层与栅极层的不同通孔,所述金属连接层通过所述通孔分别电连接相邻所述TFT的金属层与栅极层。
所述平坦化层的材质为聚酰亚胺。
所述柔性基板与所述TFT层之间及所述柔性基板与所述金属连接层之间设有缓冲层。
所述缓冲层的材质为氮化硅或氧化硅。
本发明将TFT分割为像素区与折弯区,由于折弯区处的平坦化层为有机物,有机物容易弯区,因此在折弯区将柔性显示装置进行弯折时,应力会集中在折弯区,从而防止了像素区因为折弯而发生TFT特性改变或断裂的风险。
附图说明
图1为本发明柔性显示装置制作方法的步骤流程图;
图2为本发明柔性显示装置的剖视图;
图3为本发明柔性显示装置的俯视图。
具体实施方式
为便于对本发明的结构及方法及达到的效果有进一步的了解,现结合附图并举较佳实施例详细说明如下。
如图1所示,本发明柔性显示装置制作方法包括如下步骤:
步骤一、首先将柔性基板上划分出像素区与折弯区,该折弯区以行和列的方式间隔出多行多列的像素区;
步骤二、在柔性基板上预订的折弯区(即相邻像素区之间)制作金属连接层M3;
步骤三、在柔性基板上的像素区制作TFT,依次制作完成TFT的各层结构;
步骤四、制作完成TFT后,在各像素区之间的折弯区及各像素区上方制作平坦化层,以平坦化层进行各像素区之间的填充,该平坦化层的材质为有机物;所述金属连接层M3跨越折弯区的平坦化层使相邻像素区之间电连接;
步骤五、进行后续OLED(有机发光二极管)蒸镀等制作工艺。
本发明的步骤三还包括如下工艺:在像素区制作TFT时,在制作栅极层M1与金属层M2之前,分别对栅极层M1下方的绝缘层与金属层M2下方的绝缘层进行打孔,使栅极层M1与金属层M2可以分别通过通孔与金属连接层M3的不同部分电连接,即折弯区的金属连接层M3通过通孔实现相邻像素区的电连接。
本发明中栅极层M1与金属层M2在制作过程中同现有技术的制作工艺相同,由于在折弯区将相邻像素的栅极层M1隔断,同时将相邻像素的金属层M2隔断,因此通过本发明中的金属连接层M3分别将相邻像素的栅极层M1及金属层M2连接。
本发明在制作金属连接层M3与TFT之前,还可在柔性基板上制作缓冲层,该缓冲层的材质可为SiNx(氮化硅)或SiOx(氧化硅)。本发明的平坦化层为有机物,设于像素区之间的折弯区,以便增大显示装置的弯折程度。
如图3所示,本发明通过上述方法,将TFT基板分为像素区20和折弯区21,折弯区由平坦化层与金属连接层构成,平坦化层为有机物,容易折弯,在折弯时,应力会集中在折弯区,从而防止了像素区因为折弯而发生TFT特性改变或断裂的风险。
如图2所示,本发明的柔性显示装置包括有柔性基板1,该柔性基板1划分为折弯区21与多个像素区20,像素区20呈多行多列分布,相邻各像素区20之间为折弯区21,各像素区20具有TFT
2,位于折弯区21的柔性基板1上设有金属连接层22,相邻两个像素区20通过它们之间折弯区21的金属连接层22电性连接,各像素区20上方及折弯区21内设有平坦化层3,平坦化层3填充于各像素区20之间。本发明中的平坦化层3的材质为有机物,由于有机物容易弯曲,且弯曲性能较好,因此在折弯区21将柔性显示装置进行弯折时,应力会集中在折弯区21,从而防止了像素区20因为折弯而发生TFT特性改变或断裂的风险。本发明的平坦化层3材质可为聚酰亚胺。
本发明中像素区20的TFT
2,在其金属层下方的绝缘层上,可设有通孔23,同时在栅极层下方的绝缘层上也设有通孔(图中未示出),金属连接层22的不同部分通过通孔23与栅极层下方的通孔分别与TFT 2的金属层及栅极层连接,即折弯区21的金属连接层22通过通孔实现相邻像素区20的电连接。
该柔性基板1与TFT
2及柔性基板1与金属连接层22之间还可设有缓冲层(图中未示出),其材质为SiNx或SiOx。
以上所述,仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种柔性显示装置的制作方法,其特征在于,其包括如下步骤:
步骤一、将柔性基板划分为像素区和折弯区,所述折弯区以行和列的方式间隔出多行多列的所述像素区;
步骤二、在柔性基板上的折弯区制作金属连接层;
步骤三、在柔性基板上的像素区制作TFT;
步骤四、制作完成TFT后,在各像素区之间的折弯区及各像素区上方制作平坦化层,以平坦化层进行各像素区之间的填充,所述金属连接层跨越所述折弯区的平坦化层实现相邻像素区的电连接;
步骤五、进行后续OLED制作工艺。
2.如权利要求1所述的柔性显示装置的制作方法,其特征在于,所述步骤三还包括如下工艺:在所述像素区制作通孔,所述金属连接层跨越所述折弯区的平坦化层通过所述通孔实现相邻像素区的电连接。
3.如权利要求1所述的柔性显示装置的制作方法,其特征在于,所述平坦化层材质为聚酰亚胺。
4.一种柔性显示装置,其特征在于,其包括有柔性基板,所述柔性基板划分为折弯区与多个像素区,所述像素区呈多行多列分布,相邻各所述像素区之间为所述折弯区,位于所述像素区的柔性基板上设有TFT,位于所述折弯区的柔性基板上设有金属连接层,相邻各所述像素区之间通过所述金属连接层电性连接,各所述像素区上方及所述折弯区设有平坦化层,所述平坦化层填充于各像素区之间。
5.如权利要求4所述的柔性显示装置,其特征在于,所述TFT包括金属层、栅极层及设于金属层与栅极层下方的绝缘层,所述绝缘层设有分别对应所述金属层与所述栅极层的不同通孔,所述金属连接层通过所述通孔分别电连接相邻所述TFT的所述金属层与所述栅极层。
6.如权利要求4所述的柔性显示装置,其特征在于,所述平坦化层的材质为聚酰亚胺。
7.如权利要求4所述的柔性显示装置,其特征在于,所述柔性基板与所述TFT之间及所述柔性基板与所述金属连接层之间设有缓冲层。
8.如权利要求7所述的柔性显示装置,其特征在于,所述缓冲层的材质为氮化硅或氧化硅。
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