CN105723538B - 串联白色有机发光器件 - Google Patents
串联白色有机发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105723538B CN105723538B CN201480062562.7A CN201480062562A CN105723538B CN 105723538 B CN105723538 B CN 105723538B CN 201480062562 A CN201480062562 A CN 201480062562A CN 105723538 B CN105723538 B CN 105723538B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- electrode
- luminescent device
- organic luminous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000972773 Aulopiformes Species 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000019515 salmon Nutrition 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
- H10K50/131—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit with spacer layers between the electroluminescent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种串联白色有机发光器件,更具体地,涉及一种由于在被层压的多个有机发光层之间形成的电荷产生层的增强的导电性而具有优异的电性能的串联白色有机发光器件。为此,本发明提供了一种串联白色有机发光器件,所述串联白色有机发光器件包括:基础基底;第一电极,形成在基础基底上;第二电极,形成为与第一电极相对;两个或更多个有机发光层,形成在第一电极与第二电极之间;以及电荷产生层,形成在相邻的有机发光层之间,其中,电荷产生层由具有不同的逸出功的第一金属层和第二金属层的层压结构形成。
Description
技术领域
本发明涉及一种串联白色有机发光器件(OLED)。更具体地,本发明涉及一种由于多个层压的有机发光层之间形成的电荷产生层的增强的导电性而具有优异的电性能的串联白色OLED。
背景技术
最近,显示装置和照明装置已经需要成为例如质轻的、薄的、高效的和环保的。为了满足这些需求,已经积极地开展关于有机发光器件(OLED)的使用的研究。
OLED被分为单个OLED和串联OLED,每个单个OLED具有单个有机发光层,每个串联OLED具有彼此串联堆叠的两个或更多个有机发光层。与单个OLED相比,由于串联OLED的较高的可靠性和较长的使用寿命,串联OLED可以用于需要高水平的亮度和长使用寿命的显示装置或照明装置。
白色OLED在阳极和阴极之间具有不同的有机发光层,以发射不同颜色的光。电荷产生层设置在有机发光层之间。至今,电荷产生层由有机材料、盐、有机-无机材料或金属-有机材料形成。在这种情况下,电荷产生层的厚度不可避免地增大,且电荷产生层的导电性减小。这会使得难以形成高质量的电荷产生层,此问题是悬而未决的。因此,白色OLED的电性能会降低。
现有技术文献
专利文献1:第4966176号日本专利(2012年4月6日)。
发明内容
技术问题
本发明的各方面提供一种由于多个层压的有机发光层之间形成的电荷产生层的增强的导电性而具有优异的电性能的串联白色有机发光器件(OLED)。
技术方案
根据一个方面,串联白色有机发光器件(OLED)可以包括:基础基底;第一电极,设置在基础基底上;第二电极,面对第一电极;两个或更多个有机发光层,设置在第一电电极与第二电极之间;以及一个或更多个电荷产生层,分别设置在两个或更多个有机发光层中的相邻的有机发光层之间。每个电荷产生层具有包括具有不同逸出功的第一金属层和第二金属层的层压结构。
第一金属层的逸出功可以小于第二金属层的逸出功。
第一金属层可以紧靠着两个或更多个有机发光层中的一个有机发光层的电子层,第二金属层可以紧靠着两个或更多个有机发光层中的相邻的有机发光层的空穴层。
第一金属层可以包括从Li、Cs、Na、Ba、Ca、Mg和Al组成的组中选择的一种元素或者两种或更多种元素的组合。
第二金属层可以包括从Au、Ag、Cu、Sn、Ti和Al组成的组中选择一种元素或者两种或更多种元素的组合。
每个电荷产生层还可以包括位于第一金属层与第二金属层之间的绝缘层。
绝缘层可以包括聚合物绝缘层或者可以包括从SiOx、SiNx、WOx、MoOx和Al2O3组成的组中选择的一种。
每个电荷产生层还可以包括位于第一金属层与第二金属层之间的半导体层。
半导体层可以包括从共轭聚合物、共轭分子、金属氧化物和硅组成的组中选择的一种。
每个电荷产生层的厚度可以在从0.1nm至50nm的范围。
技术效果
如上面阐述的,电荷产生层(CGL)位于多个有机发光层之间以连接多个有机发光层。每个电荷产生层由具有不同逸出功的金属的层压结构形成,诸如第一金属层和第二金属层的结构,第一金属层、半导体层和第二金属层的结构,以及第一金属层、绝缘层和第二金属层的结构。可以因此改善电荷产生层的导电性,从而允许实现具有优异电性能的串联白色OLED。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的串联有机发光器件(OLED)的概念性剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细地描述根据本发明的示例性实施例的串联有机发光器件(OLED)。
另外,在本发明的描述中,在本发明的主题由其包括的内容不清楚地呈现的情况下,将省略已知的功能和组件的详细描述。
如图1中所示,根据本发明的示例性实施例的串联OLED 100包括基础基底110、第一电极120、第二电极130、有机发光层140和电荷产生层(CGL)150。
基础基底110用作由有机发光层140产生的光射出所经由的导光件。在这方面,基础基底110设置在有机发光层140的前面,即,设置在由有机发光层140产生的光射出的方向上。另外,基础基底110用于使包括第一电极120、第二电极130、有机发光层140和CGL 150的器件层免受外部环境的影响。在这方面,即,为了包封器件层,基础基底110的外周表面通过形成在其上的诸如环氧树脂的密封材料结合到设置在第二电极130上方以面对基础基底110的后基底(未示出)的外周表面。由基础基底110、面对基础基底110的后基底(未示出)和密封材料限定的内部空间可以填充惰性气体或者可以形成为真空。
基础基底110可以是具有优异的透光率和机械性能的透明基底。例如,基础基底110可以由诸如热固化有机膜或紫外光(UV)固化有机膜的聚合的材料形成。可选择地,基础基底110可以由诸如钠钙玻璃(SiO2-CaO-Na2O)或铝硅酸盐玻璃(SiO2-Al2O3-Na2O)的化学增强玻璃形成。当根据本发明的实施例的串联白色OLED 100应用到照明***时,基础基底110可以由钠钙玻璃形成。基础基底110也可以是由金属氧化物或金属氮化物形成的基底。根据本发明的实施例,基础基底110可以是具有1.5mm或更小的厚度的薄玻璃基底。薄玻璃基底可以使用熔化工艺或浮动工艺制造。与基础基底110合作以形成包封部的后基底(未示出)可以由与基础基底110相同的材料形成或者由与基础基底110不同的材料形成。
第一电极120形成在基础基底110上。第一电极120是用作串联白色OLED 100的阳极的透明电极。第一电极120可以包括从具有较大的逸出功的材料中选择的材料,以促进空穴注入到有机发光层140中,选择的材料能够增大由有机发光层140产生的光的透射。例如,第一电极120可以包括氧化铟锡(ITO)。
第二电极130设置为面对第一电极120,使得有机发光层140和CGL 150位于第二电极130与第一电极120之间。第二电极130是用作串联白色OLED 100的阴极的金属电极。第二电极130可以包括从向前(即,在基础基底110的方向上)反射由有机发光层140产生的光的材料中选择的材料,选择的材料具有较小的逸出功以改善电子注入。例如,第二电极130可以是由Al、Al:Li或Mg:Ag形成的金属薄膜。
另外,第二电极130可以与第一电极120一起形成微腔,以改善串联白色OLED 100的发光效率。当第二电极130和第一电极120形成微腔时,由有机发光层140产生的光在微腔内经历相长干扰和共振,从而改善基础基底110的方向上的发光效率。
两个或更多个有机发光层140形成在第一电极120与第二电极130之间以形成串联白色OLED 100。即,两个或更多个有机发光层140与一个或更多个CGL 150交替。尽管在图中未示出,但是每个有机发光层140可以包括例如包括空穴注入层和空穴传输层的空穴层、发射层以及包括电子传输层和电子注入层的电子层。根据此结构,在有机发光层140的一个有机发光层140位于第一电极120与CGL 150之间的情况下,响应于施加到第一电极120和第二电极130的正向电压,电子从CGL 150通过电子注入层和电子传输层迁移到发射层,空穴从第一电极120通过空穴注入层和空穴传输层迁移到发射层。另外,在有机发光层140位于第二电极130与CGL 150之间的情况下,电子从第二电极130迁移到发射层,空穴从CGL 150迁移到发射层。在CGL 150设置在有机发光层140的上方和下方的情况下,电子从上CGL 150迁移到发射层,空穴从下CGL迁移到发射层。如上注入到发射层的电子和空穴彼此结合产生激子。当这种激子从激发态跃迁到基态时,发射光。发射光的亮度与作为阳极的第一电极120和作为阴极的第二电极130之间流动的电流的量成正比。
根据本发明的实施例,有机发光层140的一个有机发光层140的发射层可以由用于发射蓝色波段的光的高分子量材料形成,有机发光层140的另一有机发光层140的发射层可以由用于发射桔红色波段的光的低分子量材料形成。然后,通过由这些发射层产生的蓝光和桔红光的颜色混合产生白色光。然而,这仅是示例,可以基于多种结构、形状和材料通过形成多个有机发光层140来产生白光。只要可以通过与蓝光进行颜色混合产生白光,就还可以提供由用于发射不同颜色的光的材料形成的一个或更多个发射层。
CGL 150形成在相邻的有机发光层140之间。因为CGL 150用于调节相邻的有机发光层140之间的电荷平衡,所以CGL 150作为互联层。CGL 150可以使用例如气相沉积、溅射、溶胶-凝胶涂覆等形成。
根据本发明的实施例,CGL 150可以具有第一金属层151和第二金属层152的层压结构,第一金属层151和第二金属层152具有不同逸出功。这里,靠近有机发光层140的电子层的电子注入层或电子传输层的第一金属层151作为n型电荷产生层以促进电子注入到下面的有机发光层140,其中,在图上所述有机发光层140位于第一金属层151下方。优选地,第一金属层151包括逸出功比第二金属层152的逸出功小的金属。根据本发明的实施例,第一金属层151可以包括从Li、Cs、Na、Ba、Ca、Mg和Al中选择的一种元素或者两种或更多种元素的组合。另外,紧靠有机发光层140的空穴层的空穴注入层或空穴传输层的第二金属层152作为p型电荷产生层以促进空穴注入到上面的有机发光层140,在图上所述有机发光层140位于第二金属层152上方。优选地,第二金属层152包括逸出功大于第一金属层151的逸出功的金属。根据本发明的实施例,第二金属层152可以包括从Au、Ag、Cu、Sn、Ti和Al中选择的一种元素或者两种或更多种元素的组合。因为第一金属层151和第二金属层152包括具有不同逸出功的金属,所它们具有不同的组成。
根据本发明的实施例的CGL 150可以具有非常小的厚度范围,例如,从0.1nm至50nm。在这种情况下,第一金属层151和第二金属层152的用于调节相邻的有机发光层140之间的电荷平衡的特性会消失。为了防止这种情况,根据本发明的另一实施例的CGL 150还可以包括位于第一金属层151与第二金属层152之间的绝缘层(未示出)。绝缘层(未示出)可以包括聚合物绝缘层或可以包括从SiOx、SiNx、WOx、MoOx和Al2O3中选择的一种。另外,根据本发明的又一实施例的CGL 150还可以包括形成在第一金属层151与第二金属层152之间的半导体层(未示出),以增大绝缘层(未示出)的电荷迁移率。半导体层(未示出)可以包括从共轭聚合物、共轭分子、金属氧化物和硅中选择的一种。
如上所述,在根据本发明的实施例的串联白色OLED 100中,CGL 150具有逸出功不同的第一金属层151和第二金属层152的双层结构,绝缘层(未示出)位于第一金属层151与第二金属层152之间的三层结构,或者半导体层(未示出)位于第一金属层151与第二金属层152之间的三层结构。从而可以改善CGL 150的导电性,借此串联白色OLED 100可以实现优异的电性能。
已经针对附图提出本发明的具体示例性实施例的前述描述。它们不意图是详尽的或者将本发明限制为在这里公开的精确形式,并且根据上述教导对于本领域的普通技术人员来说,许多修改和变化是明显可能的。
因此意图本发明的范围不应该限制于前述的实施例,而应该是由权利要求和其等同物限定。
Claims (6)
1.一种串联白色有机发光器件,所述串联白色有机发光器件包括:
基础基底;
第一电极,设置在基础基底上;
第二电极,面对第一电极,并且与第一电极一起形成微腔;
两个或更多个有机发光层,设置在第一电极与第二电极之间;以及
一个或更多个电荷产生层,分别设置在两个或更多个有机发光层中的相邻的有机发光层之间,
其中,每个电荷产生层具有包括第一金属层和第二金属层的层压结构,其中,第一金属层和第二金属层具有不同的逸出功,
其中,每个电荷产生层还包括位于第一金属层和第二金属层之间的半导体层,
其中,半导体层包括从共轭聚合物、共轭分子和硅组成的组中选择的一种。
2.根据权利要求1所述的串联白色有机发光器件,其中,第一金属层的逸出功小于第二金属层的逸出功。
3.根据权利要求2所述的串联白色有机发光器件,其中,第一金属层紧靠两个或更多个有机发光层中的一个有机发光层的电子层,第二金属层紧靠两个或更多个有机发光层中的相邻的有机发光层的空穴层。
4.根据权利要求3所述的串联白色有机发光器件,其中,第一金属层包括从Li、Cs、Na、Ba、Ca、Mg和Al组成的组中选择的一种元素或者两种或更多种元素的组合。
5.根据权利要求4所述的串联白色有机发光器件,其中,第二金属层包括从Au、Ag、Cu、Sn、Ti和Al组成的组中选择的一种元素或者两种或更多种元素的组合。
6.根据权利要求1所述的串联白色有机发光器件,其中,每个电荷产生层的厚度在0.1nm至50nm的范围。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130138175A KR101525459B1 (ko) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 탠덤형 백색 유기발광소자 |
KR10-2013-0138175 | 2013-11-14 | ||
PCT/KR2014/010864 WO2015072748A1 (ko) | 2013-11-14 | 2014-11-12 | 탠덤형 백색 유기발광소자 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105723538A CN105723538A (zh) | 2016-06-29 |
CN105723538B true CN105723538B (zh) | 2018-06-12 |
Family
ID=53057628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480062562.7A Expired - Fee Related CN105723538B (zh) | 2013-11-14 | 2014-11-12 | 串联白色有机发光器件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160285025A1 (zh) |
JP (1) | JP6451016B2 (zh) |
KR (1) | KR101525459B1 (zh) |
CN (1) | CN105723538B (zh) |
WO (1) | WO2015072748A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102642369B1 (ko) | 2016-03-25 | 2024-03-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102518836B1 (ko) * | 2016-11-29 | 2023-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 특성이 개선된 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치 |
CN107425129B (zh) * | 2017-07-26 | 2019-12-06 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、其色温调节方法及显示装置 |
KR102522288B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2023-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이에 포함되는 전하생성층용 화합물 |
CN117042491A (zh) | 2019-10-17 | 2023-11-10 | 北京夏禾科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4045178A (en) * | 1975-11-08 | 1977-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Reducing gas sensor |
US6337492B1 (en) * | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
US7273663B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
US7494722B2 (en) * | 2005-02-23 | 2009-02-24 | Eastman Kodak Company | Tandem OLED having an organic intermediate connector |
KR101407574B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2014-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
US8372526B2 (en) * | 2008-07-16 | 2013-02-12 | Universal Display Corporation | Intermediate connector for stacked organic light emitting devices |
JP5476061B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2014-04-23 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
KR20100054252A (ko) * | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 |
KR101365824B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2014-02-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR101777123B1 (ko) * | 2010-12-22 | 2017-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
KR101715857B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2017-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
KR101786880B1 (ko) * | 2010-12-29 | 2017-10-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 |
KR20130032675A (ko) * | 2011-09-23 | 2013-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 듀얼 모드 유기발광소자 및 이를 포함하는 화소 회로 |
CN103137876B (zh) * | 2011-11-22 | 2016-01-13 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光装置及其制备方法 |
KR101429924B1 (ko) * | 2011-12-08 | 2014-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 탠덤형 백색 유기 발광 소자 |
-
2013
- 2013-11-14 KR KR1020130138175A patent/KR101525459B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-11-12 WO PCT/KR2014/010864 patent/WO2015072748A1/ko active Application Filing
- 2014-11-12 US US15/036,322 patent/US20160285025A1/en not_active Abandoned
- 2014-11-12 CN CN201480062562.7A patent/CN105723538B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-11-12 JP JP2016530932A patent/JP6451016B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015072748A1 (ko) | 2015-05-21 |
KR101525459B1 (ko) | 2015-06-03 |
JP2016537777A (ja) | 2016-12-01 |
CN105723538A (zh) | 2016-06-29 |
US20160285025A1 (en) | 2016-09-29 |
KR20150055784A (ko) | 2015-05-22 |
JP6451016B2 (ja) | 2019-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105723538B (zh) | 串联白色有机发光器件 | |
US9876190B2 (en) | Organic light-emitting diode and method for manufacturing same | |
JP4833748B2 (ja) | 有機発光素子 | |
US9960381B2 (en) | Lighting device, method for producing a lighting device | |
CN104124259A (zh) | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 | |
KR20130053380A (ko) | 광전 변환 장치 | |
US10084146B2 (en) | Organic electroluminescent element and lighting device | |
US10770674B2 (en) | OLED lighting apparatus | |
US9941486B2 (en) | Component and method for producing a component | |
US20160219673A1 (en) | Optoelectronic component device and method for operating an optoelectronic component | |
Weng et al. | Hybrid device of blue GaN light-emitting diodes and organic light-emitting diodes with color tunability for smart lighting sources | |
CN104779353A (zh) | 卧式oled/qled发光元器件 | |
US9818982B2 (en) | Optoelectronic assembly and method for producing an optoelectronic assembly | |
KR102661550B1 (ko) | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 | |
KR20170025126A (ko) | 유기발광 표시장치 및 이를 적용한 차량용 조명장치 | |
CN111564566A (zh) | 有机电致发光器件及阵列基板 | |
CN107452885B (zh) | 有机发光器件及其制备方法、显示装置 | |
CN107768420A (zh) | 一种显示器件 | |
US9978996B2 (en) | Method for producing an optoelectronic component | |
JP2018181954A (ja) | 有機el表示装置 | |
US20170229437A1 (en) | Optoelectronic component device and method for producing an optoelectronic component device | |
KR20170112452A (ko) | 유기발광소자 | |
US20160268535A1 (en) | Organic light-emitting component | |
CN104795506A (zh) | 量子点发光二极管结构及制造方法 | |
KR102381544B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이를 구비한 표시소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180612 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |