CN105716751A - 一种扩散硅压力传感器 - Google Patents
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Abstract
一种扩散硅压力传感器,包括电极a、引出线a、扩散式电阻、引出线b、电极b、单晶硅膜片和硅环,硅环环绕于单晶硅膜片四周,硅环上方两侧接有电极a和电极b,电极a和电极b接有扩散式电阻位于硅环上方,电极a上接有引出线a,电极b上接有引出线b,硅环下方接有陶瓷基板,且硅环与陶瓷基板由陶瓷粘接剂连接。通过陶瓷基板高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的特性,提高温度稳定性和时间稳定性,延长产品的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及一种扩散硅压力传感器。
背景技术
压力传感器是工业实践中最为常用的一种传感器,其广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道等众多行业,下面就简单介绍一些常用传感器原理及其应用。另有医用压力传感器。
压力传感器以机械结构型的器件为主,以弹性元件的形变指示压力,但这种结构尺寸大、质量重,不能提供电学输出。随着半导体技术的发展,半导体压力传感器也应运而生。其特点是体积小、质量轻、准确度高、温度特性好。特别是随着MEMS技术的发展,半导体传感器向着微型化发展,而且其功耗小、可靠性高。
扩散硅压力传感器被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上(不锈钢或陶瓷),使膜片产生与介质压力成正比的微位移,使传感器的电阻值发生变化,和用电子线路检测这一变化,并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。
发明内容
本发明的目的是:提供一种结构简单方便,使用寿命长的扩散硅压力传感器。
本发明提供的技术方案是:
一种扩散硅压力传感器,包括电极a、引出线a、扩散式电阻、引出线b、电极b、单晶硅膜片和硅环,所述硅环环绕于单晶硅膜片四周,所述硅环上方两侧接有电极a和电极b,所述电极a和电极b接有扩散式电阻位于硅环上方,所述电极a上接有引出线a,所述电极b上接有引出线b,所述硅环下方接有陶瓷基板,且硅环与陶瓷基板由陶瓷粘接剂连接。
本发明有益效果是:
通过陶瓷基板高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的特性,提高温度稳定性和时间稳定性,延长产品的寿命。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
其中:1、电极a,2、引出线a,3、扩散式电阻,4、引出线b,5、电极b,6、单晶硅膜片,7、硅环,8、陶瓷粘接剂,9、陶瓷基板。
具体实施方式
一种扩散硅压力传感器,包括电极1a、引出线2a、扩散式电阻3、引出线4b、电极5b、单晶硅膜片6和硅环7,硅环7环绕于单晶硅膜片6四周,硅环7上方两侧接有电极1a和电极5b,电1极a和电极4b间接有扩散式电阻3位于硅环7上方,电极1a上接有引出线2a,电极5b上接有引出线4b,硅环下方接有陶瓷基板9,且硅环7与陶瓷基板9由陶瓷粘接剂8连接。通过陶瓷基板高弹性、抗腐蚀、抗磨损、抗冲击和振动的特性,提高温度稳定性和时间稳定性,延长产品的寿命,易于推广。
Claims (1)
1.一种扩散硅压力传感器,包括电极a、引出线a、扩散式电阻、引出线b、电极b、单晶硅膜片和硅环,所述硅环环绕于单晶硅膜片四周,所述硅环上方两侧接有电极a和电极b,所述电极a和电极b接有扩散式电阻位于硅环上方,所述电极a上接有引出线a,所述电极b上接有引出线b,其特征在于:所述硅环下方接有陶瓷基板,且硅环与陶瓷基板由陶瓷粘接剂连接。
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2016
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
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