CN105702299B - 存储器单元失效检测方法与*** - Google Patents

存储器单元失效检测方法与*** Download PDF

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Abstract

本发明提供一种存储器单元失效检测方法与***，将存储器单元中每一位设为初始数码，并读出存储器单元中每一位的内容，将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，当其他存储器单元中每一位的内容未发生改变时，读出存储器单元中每一位的内容，检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，再次将存储器单元中每一位的内容修改，再次检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，表明存储器单元正常。整个过程，能够检测可能发生的存储器单元转换故障以及对周边存储器单元数据操作引发的单个存储器单元的耦合故障，能够准确检测存储器单元是否失效。

Description

存储器单元失效检测方法与***
技术领域
本发明涉及失效检测技术领域，特别是涉及存储器单元失效检测方法与***。
背景技术
存储器单元用于存储记录数码，其广泛应用于各类控制设备。
在实际生产生活中，存储器单元刷写次数有限，且易受到强电干扰。当前，存储器单元的主要失效模式包括：(1)固定故障：单元的逻辑值总为1、0和开路的情况。其中固定故障分为以下情况：单元的逻辑值恒定在0、单元的逻辑值恒定在1以及单元一直开路或者无法访问，无法读取数值；(2)转换故障：转换故障时SAF故障的一种特殊形式，当写数码时某一存储器单元失效0→1转换或者1→0转换无法进行，表现为固定故障的形式；(3)耦合故障存储器单元中某些位的跳变导致其他位的逻辑值发生非预期的变化，它既可以发生在不同单元之间，也可以发生在同一单元不同位之间。比如：当往一个存储器单元写值时，相邻存储单位的数值在没有写的情况下发生了改变；(4)相邻单元矢量敏化故障：一个单元的活动导致其他单元的状态不正常，一个单元的相邻单元可以是5个，也可以是9个。
当前，存储器单元最常见的自检方法是方格存储器单元测试。方格存储器单元测试是交替地把0和1写到存储器单元。往存储器单元交替写入0和1(如01010101)，然后再把写入的数码读出检查其准确性。前一步准确后输入其互补样式进行测试(如01010101的互补样式是10101010)，然后把写入的数码读出检查其准确性。然而该种检测方式无法准确检测存储器单元是否失效，例如其不能检测存储器单元访问读写间隔操作时，引发的存储器单元转换故障；不能检测周边存储器单元数码操作引发的单个存储器单元的耦合故障。
发明内容
基于此，有必要针对一般存储器单元失效检测方式无法准确检测存储器单元是否失效的问题，提供一种能够准确检测存储器单元是否失效的存储器单元失效检测方法与***。
一种存储器单元失效检测方法，包括步骤：
将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容，若当前存储器单元中均为初始码，则表明当前存储器单元未失效，若当前存储器单元中某位内容不为初始码，则表明当前存储器单元已失效；
将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码；
检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容，其他存储器单元为当前存储器单元相邻的存储器单元；
检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明当前存储器单元正常；
其中，初始数码和变反数码分别包括二进制中两个不同的数码。
一种当前存储器单元失效检测***，包括：
设置模块，用于将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容，若当前存储器单元中均为初始码，则表明当前存储器单元未失效，若当前存储器单元中某位内容不为初始码，则表明当前存储器单元已失效；
修改模块，用于将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码；
第一检测模块，用于检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容，其他存储器单元为当前存储器单元相邻的存储器单元；
第二检测模块，用于检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明当前存储器单元正常；
其中，初始数码和变反数码分别包括二进制中两个不同的数码。
本发明当前存储器单元失效检测方法与***，将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，当其他存储器单元中每一位的内容未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容，检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容修改，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，表明当前存储器单元正常。整个过程，能够检测可能发生的当前存储器单元转换故障以及对周边当前存储器单元数据操作引发的单个当前存储器单元的耦合故障，能够准确检测当前存储器单元是否失效。
附图说明
图1为本发明当前存储器单元失效检测方法第一个实施例的流程示意图；
图2为本发明当前存储器单元失效检测***第一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，一种当前存储器单元失效检测方法，包括步骤：
S100：将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容。
初始数码与后续的变反数码分别包括二进制中两个不同的数码，即初始数码包括0和1，变反数码包括0和1，在当前存储器单元的相同位上的初始码和变反码是相互对立的，即在当前存储器单元的相同位上，当初始码为0时，其变反码为1；当初始码为1时，其变反码为0。将当前存储器单元中每一位设置为初始数码(例如设置后为0110)，并读出当前存储器单元中每一位的内容，若当前存储器单元未失效，此时读出的每一位的内容应均为初始数码(当前存储器单元存储为0110)，若出现某一位的内容不为初始数码，则表明当前存储器单元已经出现故障已经失效(例如读取当前存储器单元为0001)。
S200：将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码。
将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，例如从0000修改为1111。
S300：检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容。
其他存储器单元是指当前存储器单元周围的存储器单元，检测当前存储器单元中内容被修改后是否会引起其他存储器单元每一位的内容改变，当其他存储器单元中每一位的内容发生改变时，表明当前存储器单元引发了耦合故障，即表明当前存储器单元已经失效，当未发生改变时，表明当前存储器单元未引发耦合故障，读出当前存储器单元中每一位的内容。
S400：检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明当前存储器单元正常。
检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，即检测当前存储单元中每一位的内容是否均之前修改中从初始数码修改为变反数码，当不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容修改(例如将变反数码修改为初始数码)，再次检测修改是否准确，当不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当准确时，表明当前存储器单元正常，结束整个失效检测过程。在步骤S400中进行2次内容修改和检测，以检测当前存储器单元是否存在存储转换故障(初始数码→变反数码以及变反数码→初始数码)。
本发明当前存储器单元失效检测方法，将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，当其他存储器单元中每一位的内容未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容，检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容修改，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，表明当前存储器单元正常。整个过程，能够检测可能发生的当前存储器单元转换故障以及对周边当前存储器单元数据操作引发的单个当前存储器单元的耦合故障，能够准确检测当前存储器单元是否失效。
在其中一个实施例中，将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容的步骤具体包括：
以最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式将当前存储器单元中每一位设为初始数码，以最低位以升序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容。
以数值0000为例，以最低位以升序的方式即从右到左设为初始数码，以最高位以降序的方式即从左到右设为初始数码。在这里需要强调的是，将当前存储器单元中每一位设为初始数码的过程中需要按照顺序依次设置。在读取的过程中采用最低位以升序的方式读出。
在其中一个实施例中，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码的步骤具体包括：
检测当前存储器单元中每一位的内容是否为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码。
检测当前存储器单元中每一位的内容是否为初始数码，即检测当前存储器单元是否准确响应步骤S100的设置，若当前存储器单元中每一位的内容不为初始数码时，则表明步骤S100设置未成功，即当前存储器单元已失效，若当前存储器单元中每一位的内容为初始数码时，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码。
在其中一个实施例中，检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容的步骤具体包括：
检测其他存储器单元中每一位的内容是否仍然为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，重新以最低位以升序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容；
检测当前存储器单元中每一位的内容是否为变反数码，当不为变反数码时，表明当前存储器单元已失效，当为变反数码时，将当前存储器单元中每一位的内容从变反数码修改为初始数码；
检测其他存储器单元中每一位的内容是否仍然为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，以最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容。
在当前存储器单元中每一位转换有两种情况，一种是从初始数码→变反数码；另一种是从变反数码→初始数码，任何一种转换故障都可以导致当前存储器单元失效。同理，当前存储器单元中任何一种转换情况导致其他存储器单元耦合故障，均为当前存储器单元失效。因此，在上述实施例中，分别采用初始数码→变反数码以及变反数码→初始数码两次修改来分别检测当前存储器单元转换是否会引起周围其他存储器单元每一位的内容改变。需要指出的是，在上述检测过程，每一位的内容写入和读取均采用合理的顺序执行，避免其他异常情况对写入和读取结果的干扰。
在其中一个实施例中，检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明当前存储器单元正常的步骤具体包括：
检测当前存储器单元中每一位的内容是否为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，以最高位以降序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，以最高位以降序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容；
检测当前存储器单元中每一位的内容是否为变反数码，当不为变反数码时，表明当前存储器单元已失效，当为变反数码时，将当前存储器单元中每一位的内容从变反数码修改为初始数码，以最低位以升序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容；
检测当前存储器单元中每一位的内容是否为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，表明当前存储器单元正常。
如上，当前存储器单元的转换故障包括两种情况，一种是从初始数码→变反数码；另一种是从变反数码→初始数码，任何一种转换故障都可以导致当前存储器单元失效。因此，在本实施例中，进行二次不同的修改，以检测当前存储器单元是否存在转换故障，实现准确的当前存储器单元失效检测。需要指出的是，在上述检测过程，每一位的内容写入和读取均采用合理的顺序执行，避免其他异常情况对写入和读取结果的干扰。
如图2所示，一种当前存储器单元失效检测***，包括：
设置模块100，用于将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容；
修改模块200，用于将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码；
第一检测模块300，用于检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容；
第二检测模块400，用于检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明当前存储器单元正常；
其中，初始数码和变反数码分别包括二进制中两个不同的数码。
本发明当前存储器单元失效检测***，设置模块100将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出当前存储器单元中每一位的内容，修改模块200将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，当第一检测模块300检测到其他存储器单元中每一位的内容未发生改变时，读出当前存储器单元中每一位的内容，第二检测模块400检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，再次将当前存储器单元中每一位的内容修改，再次检测当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，表明当前存储器单元正常。整个过程，能够检测可能发生的当前存储器单元转换故障以及对周边当前存储器单元数据操作引发的单个当前存储器单元的耦合故障，能够准确检测当前存储器单元是否失效。
在其中一个实施例中，设置模块100具体用于：
以最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式将当前存储器单元中每一位设为初始数码，以最低位以升序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容。
在其中一个实施例中，修改模块200具体用于：
检测当前存储器单元中每一位的内容是否为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码。
在其中一个实施例中，第一检测模块300具体包括：
第一检测单元，用于检测其他存储器单元中每一位的内容是否仍然为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，重新以最低位以升序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容；
第二检测单元，用于检测当前存储器单元中每一位的内容是否为变反数码，当不为变反数码时，表明当前存储器单元已失效，当为变反数码时，将当前存储器单元中每一位的内容从变反数码修改为初始数码；
第三检测单元，用于检测其他存储器单元中每一位的内容是否仍然为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，以最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容。
在其中一个实施例中，第二检测模块400具体包括：
第四简单单元，用于检测当前存储器单元中每一位的内容是否为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，以最高位以降序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容，将当前存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，以最高位以降序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容；
第五检测单元，用于检测当前存储器单元中每一位的内容是否为变反数码，当不为变反数码时，表明当前存储器单元已失效，当为变反数码时，将当前存储器单元中每一位的内容从变反数码修改为初始数码，以最低位以升序的方式读出当前存储器单元中每一位的内容；
第六检测单元，用于检测当前存储器单元中每一位的内容是否为初始数码，当不为初始数码时，表明当前存储器单元已失效，当为初始数码时，表明当前存储器单元正常。
为了更进一步详细解释本发明当前存储器单元失效检测方法与***的技术方案及其带来的效果，下面将采用具体实例进行解释说明。
假定具体实例中，在当前存储器单元某一位上，其初始数码为0，其变反数码为1。
步骤一：从当前存储器单元最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式写入0。
步骤二：接着从当前存储器单元的最低位以升序的方式读出当前存储器单元的内容，检查其是否为0，如果为0，则将该位改写为1。
步骤三：再检测其他存储器单元是否仍然为0，否则认为出现错误。
步骤四：结束之后再从当前存储器单元的最低位以升序的方式读出当前存储器单元的内容，检查其是否为1，如果为1，则将该位改写为0。
步骤五：再检测其他存储器单元是否仍然为0，否则认为出现错误。
步骤六：接着可以从当前存储器单元最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式写入0。
步骤七：然后从当前存储器单元最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式读出当前存储器单元的内容，检查其是否为0，如果不为0，则出现错误。
步骤八：接着从当前存储器单元的最高位以降序的方式读出当前存储器单元的内容，检查其是否为0，如果为0，则将该位改写为1，否则认为出现错误。
步骤九：结束之后再从当前存储器单元的最高位以降序的方式读出当前存储器单元的内容，检查其是否为1，如果为1，则将该位改写为0，否则认为出现错误。
步骤十：最后从当前存储器单元最低位以升序的方式或者以最高位以降序的方式读出当前存储器单元的内容，检查其是否为0，如果为0，则测试通过，否则出现错误。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种存储器单元失效检测方法，其特征在于，包括步骤：
将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出所述当前存储器单元中每一位的内容，若所述当前存储器单元中均为所述初始数码，则表明所述当前存储器单元未失效，若所述当前存储器单元中某位内容不为所述初始数码，则表明所述当前存储器单元已失效；
将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述初始数码修改为变反数码；
检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明所述当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出所述当前存储器单元中每一位的内容，所述其他存储器单元为所述当前存储器单元相邻的存储器单元；
检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明所述当前存储器单元已经失效，当修改准确时，将所述当前存储器单元中每一位的内容由所述变反数码修改为初始数码，再次检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明所述当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明所述当前存储器单元正常；
其中，所述初始数码和所述变反数码分别包括二进制中两个不同的数码。
2.根据权利要求1所述的存储器单元失效检测方法，其特征在于，所述将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出所述当前存储器单元中每一位的内容的步骤具体包括：
以最低位升序的方式或者以最高位降序的方式将当前存储器单元中每一位设为初始数码，以最低位升序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容。
3.根据权利要求2所述的存储器单元失效检测方法，其特征在于，所述将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述初始数码修改为变反数码的步骤具体包括：
当所述当前存储器单元中每一位的内容为所述初始数码时，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述初始数码修改为变反数码。
4.根据权利要求3所述的存储器单元失效检测方法，其特征在于，所述检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明所述当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出所述当前存储器单元中每一位的内容的步骤具体包括：
检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明所述当前存储器单元已失效，当未发生改变时，重新以所述最低位升序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容。
5.根据权利要求4所述的存储器单元失效检测方法，其特征在于，所述检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明所述当前存储器单元已经失效，当修改准确时，将所述当前存储器单元中每一位的内容由所述变反数码修改为初始数码，再次检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明所述当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明所述当前存储器单元正常的步骤具体包括：
检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述变反数码，当不为所述变反数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述变反数码时，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述变反数码修改为所述初始数码；
检测所述其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明所述当前存储器单元已失效，当未发生改变时，以所述最低位升序的方式或者以最高位降序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容；
检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述初始数码，当不为所述初始数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述初始数码时，以最高位降序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述初始数码修改为变反数码，以所述最高位降序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容；
检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述变反数码，当不为所述变反数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述变反数码时，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述变反数码修改为所述初始数码，以所述最低位升序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容；
检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述初始数码，当不为所述初始数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述初始数码时，表明所述当前存储器单元正常。
6.一种存储器单元失效检测***，其特征在于，包括：
设置模块，用于将当前存储器单元中每一位设为初始数码，并读出所述当前存储器单元中每一位的内容，若所述当前存储器单元中均为所述初始数码，则表明所述当前存储器单元未失效，若所述当前存储器单元中某位内容不为所述初始数码，则表明所述当前存储器单元已失效；
修改模块，用于将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述初始数码修改为变反数码；
第一检测模块，用于检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明所述当前存储器单元已失效，当未发生改变时，读出所述当前存储器单元中每一位的内容，所述其他存储器单元为所述当前存储器单元相邻的存储器单元；
第二检测模块，用于检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明所述当前存储器单元已经失效，当修改准确时，将所述当前存储器单元中每一位的内容由所述变反数码修改为初始数码，再次检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明所述当前存储器单元已经失效，当修改准确时，表明所述当前存储器单元正常；
其中，所述初始数码和所述变反数码分别包括二进制中两个不同的数码。
7.根据权利要求6所述的存储器单元失效检测***，其特征在于，所述设置模块具体用于：
以最低位升序的方式或者以最高位降序的方式将当前存储器单元中每一位设为初始数码，以最低位升序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容。
8.根据权利要求7所述的存储器单元失效检测***，其特征在于，所述修改模块具体用于：
当所述当前存储器单元中每一位的内容为所述初始数码时，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述初始数码修改为变反数码。
9.根据权利要求8所述的存储器单元失效检测***，其特征在于，所述第一检测模块具体包括：
第一检测单元，用于检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明所述当前存储器单元已失效，当未发生改变时，重新以所述最低位升序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容。
10.根据权利要求9所述的存储器单元失效检测***，其特征在于，所述第二检测模块具体包括：
第二检测单元，用于检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述变反数码，当不为所述变反数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述变反数码时，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述变反数码修改为所述初始数码；
第三检测单元，用于检测所述其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明所述当前存储器单元已失效，当未发生时，以所述最低位升序的方式或者以最高位降序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容；
第四检测单元，用于检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述初始数码，当不为所述初始数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述初始数码时，以最高位降序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述初始数码修改为变反数码，以所述最高位降序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容；
第五检测单元，用于检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述变反数码，当不为所述变反数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述变反数码时，将所述当前存储器单元中每一位的内容从所述变反数码修改为所述初始数码，以所述最低位升序的方式读出所述当前存储器单元中每一位的内容；
第六检测单元，用于检测所述当前存储器单元中每一位的内容是否为所述初始数码，当不为所述初始数码时，表明所述当前存储器单元已失效，当为所述初始数码时，表明所述当前存储器单元正常。
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