CN105679488A - 一种磁感应器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的磁感应器件包括多个外导体、第一衬底以及磁芯。所述多个外导体包括第一外导体以及第二外导体，所述第一衬底的表面设置有至少一个凹槽，所述至少一个凹槽包括第一凹槽，所述第一凹槽内沿延伸方向设置有内导体，所述内导体的一端与所述第一外导体相连接，所述内导体的另一端与所述第二外导体相连接，所述磁芯设置于所述内导体与所述多个外导体之间。与现有的磁感应器件相比，能够改善现有的底层导体厚度与高性能磁芯的制备难以兼顾的问题。
Description
技术领域
本发明涉及基本电气元件领域，具体而言，涉及一种磁感应器件。
背景技术
磁感应器件特别是功率电感的集成在处理器和移动可穿戴电源管理中具有迫切需求。在高集成度的情况下，实现具有大的电感值/直流电阻比的磁感应器件是关键技术问题。
现有的集成磁感应器件通常位于衬底的表面，具有底层导体、与底层导体连接的顶层导体以及位于底层导体和顶层导体之间的磁芯，底层导体与顶层导体通过连接关系呈螺线管状。高性能的磁芯需要在较为平坦的表面制备，因此就需要底层导体的厚度不能太厚，一般不超过5微米。若底层导体的厚度较薄，会导致底层导体的电阻阻值较高。因此，很难做到底层导体的厚度与高性能的磁芯的兼顾。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种磁感应器件，与现有的磁感应器件相比，能够改善现有的底层导体厚度与高性能磁芯的制备难以兼顾的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种磁感应器件，包括多个外导体、第一衬底以及磁芯，所述多个外导体包括第一外导体以及第二外导体，所述第一衬底的表面设置有至少一个凹槽，所述至少一个凹槽包括第一长条形凹槽，所述第一长条形凹槽内设置有内导体，所述内导体的一端与所述第一外导体相连接，所述内导体的另一端与所述第二外导体相连接，所述磁芯设置于所述内导体与所述第一外导体以及第二外导体之间。
具体地，所述第一外导体以及第二外导体可以与所述内导体具有预定的角度，所述预定的角度可以为小于90度的角，以使多个外导体与内导体连接成螺线管状。
优选地，还包括第三外导体，所述至少一个凹槽还包括与第一长条形凹槽平行设置的第二长条形凹槽，所述内导体包括第一内导体以及第二内导体，所述第一内导体以及第二内导体依次设置于所述第一长条形凹槽以及第二长条形凹槽，所述第一内导体的一端与所述第一外导体的一端相连接，所述第一内导体的另一端与所述第二外导体的一端相连接；所述第二外导体的另一端与所述第二内导体的一端相连接，所述第二内导体的另一端与所述第三外导体的一端相连接；所述磁芯设置于内导体与所述多个外导体之间。
因为所述第一内导体以及第二内导体分别设置于第一长条形凹槽以及第二长条形凹槽，所以第一内导体以及第二内导体相互平行。所述多个外导体也可以平行设置，并且第一内导体、第二内导体也平行设置，所以多个外导体与第一内导体、第二内导体可以形成螺线管状结构。
优选地，所述内导体中的每个内导体与所述第一衬底之间均设置有第一绝缘层。
所述第一绝缘层可以为氧化硅，具体可以通过热氧化的方式制备，也可以为氧化铝，也可以通过沉积等其他方式制备。
优选地，所述第一衬底的远离所述至少一个凹槽的表面设置有集成电路其他组成部分。
集成电路设置于第一衬底的远离至少一个凹槽的表面，可以与磁感应器件共享衬底面积，从而充分利用所述第一衬底的空间，从而更有利于小型化。
优选地，所述第一衬底的远离所述至少一个凹槽的表面设置有至少两个通孔，所述至少两个通孔分别延伸至所述至少一个凹槽中的一个或多个凹槽，所述至少两个通孔内均设置有导体材料。所述内导体可以通过所述导体材料与所述集成电路电连接。
所述至少两个通孔可以沿着与至少一个凹槽所在的表面相垂直的方向延伸，并延伸至与所述至少一个凹槽中的多个凹槽相连通，以使内导体与外导体构成的螺旋状结构与集成电路电连接，从而使磁感应器件作用于集成电路，实现单衬底集成。
优选地，上述的磁感应器件中，所述至少两个通孔内的导体材料与所述第一衬底之间均设置有第二绝缘层。
所述第二绝缘层可以为氧化硅，具体可以通过热氧化的方式制备，也可以为氧化铝，也可以通过沉积等其他方式制备。
优选地，上述的磁感应器件中，还包括第二衬底，所述第二衬底设置有至少两个第一导体，所述多个外导体中的至少两个外导体可通过焊接等方式分别与所述至少两个第一导体电连接，所述至少两个第一导体均可通过打线焊接等方式与所述集成电路电连接。
所述第二衬底以及设置于所述第二衬底的至少两个第一导体是为了将由内导体与外导体构成的螺线管状结构与集成电路电连接，集成电路具体可以设置于第一衬底的远离内导体的表面。其中，所述第一导体具体可以通过打线焊接等封装的方式与集成电路电连接。
优选地，上述的磁感应器件中，所述第一衬底的设置有至少一个凹槽的表面还设置有集成电路。
集成电路可以设置于远离所述至少一个凹槽的表面和至少一个凹槽所在的表面中的一个或者两个表面，集成电路的设置不应该理解为是对本发明的限制。
优选地，上述的磁感应器件中，所述内导体以及第一衬底与所述磁芯之间设置有第三绝缘层。
所述第三绝缘层可以为氧化硅，也可以为聚酰亚胺材料；可以通过沉积的方式制备，也可以通过旋涂法制备；所述第三绝缘层的具体材料和制备方式不应该理解为是对本发明的限制。
优选地，上述的磁感应器件中，所述多个外导体与所述磁芯之间设置有第四绝缘层。
所述第四绝缘层可以为氧化硅，也可以为聚酰亚胺材料；可以通过沉积的方式制备，也可以通过旋涂法制备；所述第四绝缘层的具体材料和制备方式不应该理解为是对本发明的限制。
本发明提供的磁感应器件包括多个外导体、第一衬底以及磁芯，所述多个外导体包括第一外导体以及第二外导体，所述第一衬底的表面设置有至少一个凹槽，所述至少一个凹槽包括第一凹槽，所述第一凹槽内设置有内导体，所述内导体的一端与所述第一外导体相连接，所述内导体的另一端与所述第二外导体相连接，所述磁芯设置于所述内导体与所述第一外导体以及第二外导体之间。与现有的磁感应器件相比，能够改善现有的底层导体厚度与高性能磁芯的制备难以兼顾的问题。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一实施例提供的磁感应器件的结构示意图；
图2是本发明第一实施例提供的磁感应器件的剖面图；
图3是本发明第二实施例提供的磁感应器件的结构示意图；
图4是本发明第二实施例提供的磁感应器件的剖面图；
图5是本发明第三实施例提供的磁感应器件的剖面图；
图6是本发明第四实施例提供的磁感应器件的剖面图；
图7是本发明第五实施例提供的磁感应器件的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的磁感应器件的制备流程图；
图9是图8的第一个步骤包含的步骤流程图；
图10为可用于制备本发明实施例提供的磁感应器件的LIGA流程图。
其中，附图标记汇总如下：
外导体110；第一外导体111；第二外导体112；第三外导体113；第一衬底120；磁芯130；第一凹槽141；第二凹槽142；第三凹槽143；柱形凹槽144；内导体150；第一内导体151；第二内导体152；第三内导体153；第一绝缘层161；第二绝缘层162；第三绝缘层163；第四绝缘层164；集成电路170；通孔180；
第二衬底210；第一导体220。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图1，图1示出了本发明第一实施例提供的一种磁感应器件，包括多个外导体110、第一衬底120以及磁芯130。所述多个外导体110包括依次排列的第一外导体111以及第二外导体112。所述第一衬底120的表面设置有至少一个凹槽，所述至少一个凹槽包括第一凹槽141，所述第一凹槽141内沿延伸方向设置有内导体150，所述内导体150的一端与所述第一外导体111相连接，所述内导体150的另一端与所述第二外导体112相连接，所述磁芯130设置于所述内导体150与所述多个外导体110之间。
具体地，所述第一外导体111以及第二外导体112均可以与所述内导体150具有预定的角度，所述预定的角度可以为小于九十度的角，详情请参见图1，第一外导体111与第二外导体112可以平行排练，使所述内导体150以及与所述内导体150连接的第一外导体111和第二外导体112呈螺线管状分布。
具体地，还包括第三外导体113，所述至少一个凹槽还包括与第一凹槽141平行依次设置的第二凹槽142以及第三凹槽143，所述内导体150包括第一内导体151、第二内导体152以及第三内导体153，所述第一内导体151、第二内导体152以及第三内导体153依次设置于所述第一凹槽141、第二凹槽142以及第三凹槽143，详情请参见图1。所述第一内导体151的一端与所述第一外导体111的一端相连接，所述第一内导体151的另一端与所述第二外导体112的一端相连接；所述第二外导体112的另一端与所述第二内导体152的一端相连接，所述第二内导体152的另一端与所述第三外导体113的一端相连接；所述磁芯130设置于内导体150与所述多个外导体110之间。
因为所述第一内导体151以及第二内导体152分别设置于第一凹槽141以及第二凹槽142第三凹槽143，所以第一内导体151以及第二内导体152相互平行。以第二外导体112为例，如图1所示，第二外导体112的一端与第二内导体152的如图所示的左端相连接，第二外导体112的另一端与第一内导体151的如图所示的右端相连接。第三外导体113的如图所示的右端与第二内导体152的如图所示的右端相连接。故外导体110与内导体150通过上述的连接方式构成螺旋状结构。
具体地，第一凹槽141、第二凹槽142、第三凹槽143具体可以为长条形凹槽，也可以为其他形状的凹槽。本发明实施例提供的磁感应器件还可以包括第三内导体153以及盛放第三内导体153的第三凹槽143和第三外导体113，外导体110、内导体150和凹槽的具体数量不应该理解为是对本发明的限制。
所述内导体150中的每个内导体150与所述第一衬底120之间均可以设置有第一绝缘层161，详情请参见图2。所述第一绝缘层161可以为氧化硅，具体可以通过热氧化的方式制备，也可以为氧化铝，也可以通过沉积等其他方式制备。
所述第一衬底120的远离所述至少一个凹槽的表面设置有集成电路170，详情请参见图4和图5。集成电路设置于第一衬底120的远离所述至少一个凹槽的表面，可以与磁感应器件共享衬底面积，从而可以充分利用所述第一衬底120的空间，从而更有利于小型化。
所述第一衬底120的远离所述至少一个凹槽的表面可以设置有两个通孔180，详情请参见图3和图4。所述两个通孔180分别延伸至所述至少一个凹槽中的两个凹槽，所述两个通孔180内均设置有导体材料，所述内导体150通过所述导体材料与集成电路电连接。集成电路具体可以放置于所述第一衬底120的远离所述至少一个凹槽的表面。
具体地，所述通孔180的位置还可以设置在其他位置，详情请参见图7。
所述两个通孔180可以沿着与至少一个凹槽所在的表面相垂直的方向延伸，并延伸至与所述至少一个凹槽中的两个凹槽相连通，以使内导体150与外导体110构成的螺线管状结构与集成电路电连接，从而使磁感应器件作用于集成电路。
所述内导体150与通孔180可以基于硅通孔(ThroughSiliconVia)、玻璃通孔(ThroughGlassVia)等商用先进封装工艺实现。外导体110可以基于铜柱(CopperPillar)等商用先进封装工艺实现。本发明实施例提供的磁感应器件容易量产。
具体地，所述至少一个凹槽可以包括第一凹槽141、第二凹槽142以及第三凹槽143，也可以包括与所述通孔180的延伸方向相同的柱形凹槽144，详情请参见图3。所述两个通孔180可以延伸至如图3所示的至少一个凹槽中的两个凹槽，也可以延伸至其他的凹槽，例如一个通孔180可以延伸至柱形凹槽144，另一个通孔180可以延伸至第三内导体153所对应的凹槽。
所述两个通孔180内的导体材料与所述第一衬底120之间均设置有第二绝缘层162，详情请参见图4。所述第二绝缘层162可以为氧化硅，具体可以通过热氧化的方式制备，也可以为氧化铝，也可以通过沉积等其他方式制备。
上述的磁感应器件中，还可以包括第二衬底210，所述第二衬底210设置有两个第一导体220，所述多个外导体110中的两个外导体110分别通过焊接等方式与所述两个第一导体220电连接，所述两个第一导体220均通过打线焊接等方式与所述集成电路电连接。
所述第二衬底210以及设置于所述第二衬底210的两个第一导体220是为了将由内导体150与外导体110构成的螺线管状结构与集成电路电连接，集成电路具体可以设置于第一衬底120的远离内导体150的表面。其中，所述第一导体220具体可以通过打线焊接等封装的方式与集成电路电连接。
所述两个第一导体220中的一个可以与如图1所示的第一外导体111相连接，所述两个第一导体220中的另一个可以与如图1所示的第三外导体113相连接。所述两个第一导体220与具体哪个外导体110相连不应该理解为是对本发明的限制。
所述第一衬底120的设置有至少一个凹槽的表面还设置有集成电路170，详情请参见图6。其中，集成电路170可以设置于远离所述至少一个凹槽的表面，也可以设置于至少一个凹槽所在的表面，或设置于上述两个表面，集成电路170不应该理解为是对本发明的限制。
所述内导体150以及第一衬底120与所述磁芯130之间设置有第三绝缘层163，详情请参见图2、图4、图5和图6。所述第三绝缘层163可以为氧化硅，也可以为聚酰亚胺材料；可以通过沉积的方式制备，也可以通过旋涂法制备；所述第三绝缘层163的具体材料和制备方式不应该理解为是对本发明的限制。
上述的磁感应器件中，所述多个外导体110与所述磁芯130之间设置有第四绝缘层164，详情请参见图2、图4、图5和图6。所述第四绝缘层164可以为氧化硅，也可以为聚酰亚胺材料；可以通过沉积的方式制备，也可以通过旋涂法制备；所述第四绝缘层164的具体材料和制备方式不应该理解为是对本发明的限制。
本发明实施例提供的磁感应器件可以通过如下工艺流程进行制备：
S1，在第一衬底120通过刻蚀等工艺形成用于放置内导体的凹槽和放置连接内导体与衬底另一面的导体材料的通孔。
S2，通过化学反应或沉积等工艺在第一衬底120以及开设于第一衬底120的凹槽、通孔180的表面形成绝缘层。
具体如设置于每个内导体150与第一衬底120之间的第一绝缘层161、通孔180内的导体材料与第一衬底120之间的第二绝缘层162。
S3，通过沉积等工艺在上述的绝缘层表面形成粘附阻挡层和导体电镀种子层。
S4，通过电镀等工艺实现导体材料对凹槽、通孔180的填充。
此处的导体材料包括内导体150以及通孔180中的导体材料。
S5，通过抛光(Polish)或刻蚀等工艺去掉第一衬底120表面的电镀导体、导体电镀种子层和粘附阻挡层。
S6，通过沉积等工艺在衬底具有内导体150的一面进行绝缘层的制备。
例如，内导体150以及第一衬底120与磁芯130之间的第三绝缘层163。
S7，通过电镀、沉积等工艺实现磁芯130的制备。
具体地，磁芯130还可以通过沉积磁性材料层、光刻、刻蚀磁性材料层进行工艺制备。
S8，通过沉积等工艺在衬底具有磁芯130的一面进行绝缘层的制备。
例如，多个外导体110与磁芯130之间设置的第四绝缘层164。
S9，对第一衬底120表面的绝缘层进行刻蚀露出内导体150用于与外导体110连接的部分。
S10，通过沉积等工艺进行第四绝缘层164之上的外导体110的制备。
其中，步骤S1具体可以包括如下制备流程：
S11，通过沉积、光刻、刻蚀等工艺在第一衬底120的一面形成具有内导体150版图图形的硬掩膜层。
S12，通过光刻在第一衬底120同一面形成具有通孔180版图图形的光刻胶层。
S13，以光刻胶层为掩膜进行衬底刻蚀，刻蚀深度不小于衬底厚度减去内导体厚度。
S14，去除光刻胶层。
S15，以硬掩膜层为掩膜进行第一衬底120的刻蚀，刻蚀深度与内导体150的厚度一致。
S16，去除硬掩膜层。
其中，步骤S7或S10，具体可以采用如下的LIGA工艺制备流程：
S201，通过沉积等工艺形成粘附阻挡层和电镀种子层。
S202，通过光刻形成光刻胶层。
S203，通过电镀在没有被光刻胶覆盖的区域填充磁性材料或者导体。
S204，去除光刻胶、电镀种子层和粘附阻挡层。
本发明提供的实施例中，第一衬底120的材料可以为硅，也可为玻璃、石英、有机基板、蓝宝石等其他材料。第一衬底120的厚度可在100微米到500微米之间。
内导体150的材料可主要为铜及其合金，也可为金、钨、铝等其他材料及其合金。内导体150的厚度可为20微米到200微米，内导体150的宽度可为5微米到200微米，相邻内导体150的间距可为5微米到200微米。内导体150与第一衬底120接触的表面可具有起增强粘附性(例如Ti、Ta等金属及其合金)、阻挡材料之间的扩散(例如TiN、TaN等金属氮化物)、为后续工艺做准备(例如Cu种子层)的一层或多层材料。
外导体110的材料可主要为铜及其合金，也可为金、钨、铝等其他材料及其合金。外导体110的厚度可为10微米到100微米，外导体110的宽度可为5微米到200微米，相邻外导体110的间距可为5微米到200微米。
磁芯130的材料可为镍、铁、钴等材料及其合金、氧化物、复合材料等，可通过电镀、溅射等方法制备。磁芯130的厚度可为1微米到10微米。磁芯130可采用分层结构，即由交替的磁性材料层和非磁性材料层叠置构成。磁芯130可为条形，也可为其他任何形状并可形成单个或多个闭合回路。
在现有的一些方案中，有时会在内导体150所在的表面开设长方体凹槽并将内导体150和磁芯130均设置于长方体凹槽中，但该结构的制备工艺较为复杂，需要在存在深硅沟槽的情况下进行光刻，不容易量产。
本发明实施例仅展示了由一个螺线管线圈缠绕磁芯130形成的电感，也可以很容易地实现多个螺线管型线圈缠绕磁芯130形成耦合电感或者变压器。本发明实施例中的磁芯130可以是非闭合的形状，也可以具有一个或多个闭合回路形状。螺线管型线圈之间可以通过磁芯130或空气回路进行耦合。
本发明提供的磁感应器件包括多个外导体110、第一衬底120以及磁芯130，所述多个外导体110包括第一外导体111以及第二外导体112，所述第一衬底120的表面设置有至少一个凹槽，所述至少一个凹槽包括第一凹槽141，所述第一凹槽141内设置有内导体150，所述内导体150的一端与所述第一外导体111相连接，所述内导体150的另一端与所述第二外导体112相连接，所述第一外导体111以及第二外导体112均与所述内导体150具有预定的角度，所述磁芯130设置于所述内导体150与所述第一外导体111以及第二外导体112之间。与现有的磁感应器件相比，能够改善现有的底层导体厚度与高性能磁芯130的制备难以兼顾的问题。
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，上面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行了清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以上对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
Claims (10)
1.一种磁感应器件，其特征在于：包括多个外导体、第一衬底以及磁芯，所述多个外导体包括依次排列的第一外导体以及第二外导体，所述第一衬底的表面设置有至少一个凹槽，所述至少一个凹槽包括第一凹槽，所述第一凹槽内沿延伸方向设置有内导体，所述内导体的一端与所述第一外导体相连接，所述内导体的另一端与所述第二外导体相连接，所述磁芯设置于所述内导体与所述多个外导体之间。
2.根据权利要求1所述的磁感应器件，其特征在于：还包括第三外导体，所述至少一个凹槽还包括第二凹槽，所述内导体包括第一内导体以及第二内导体，所述第一内导体以及第二内导体依次设置于所述第一凹槽以及第二凹槽，
所述第一内导体的一端与所述第一外导体的一端相连接，所述第一内导体的另一端与所述第二外导体的一端相连接；
所述第二外导体的另一端与所述第二内导体的一端相连接，所述第二内导体的另一端与所述第三外导体的一端相连接；所述磁芯设置于所述内导体与所述多个外导体之间。
3.根据权利要求1所述的磁感应器件，其特征在于：所述内导体与所述第一衬底之间均设置有第一绝缘层。
4.根据权利要求1所述的磁感应器件，其特征在于：所述第一衬底的远离所述至少一个凹槽的表面设置有集成电路。
5.根据权利要求4所述的磁感应器件，其特征在于：所述第一衬底的远离所述至少一个凹槽的表面设置有至少两个通孔，所述至少两个通孔分别延伸至所述至少一个凹槽中的多个凹槽，所述至少两个通孔内均设置有导体材料，所述内导体通过所述导体材料与所述集成电路电连接。
6.根据权利要求5所述的磁感应器件，其特征在于：所述两个通孔内的导体材料与所述第一衬底之间均设置有第二绝缘层。
7.根据权利要求4所述的磁感应器件，其特征在于：还包括第二衬底，所述第二衬底设置有至少两个第一导体，所述多个外导体中的至少两个外导体分别与所述至少两个第一导体电连接，所述至少两个第一导体均与所述集成电路电连接。
8.根据权利要求1所述的磁感应器件，其特征在于：所述第一衬底的设置有至少一个凹槽的表面还设置有集成电路。
9.根据权利要求1所述的磁感应器件，其特征在于：所述第一衬底的远离所述至少一个凹槽的表面设置有至少两个通孔，所述至少两个通孔分别延伸至所述至少一个凹槽中的多个凹槽，所述至少两个通孔内均设置有导体材料，所述内导体通过所述导体材料与所述第一衬底远离所述至少一个凹槽的表面电连接。
10.根据权利要求1—9任一项所述的磁感应器件，其特征在于：所述内导体以及第一衬底与所述磁芯之间设置有第三绝缘层，所述多个外导体与所述磁芯之间设置有第四绝缘层。
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