CN105656463A - 一种超极结mos应用的保护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超极结MOS应用的保护电路,包括电阻R1和PWMIC1,所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联,所述R2分别与二极管Z1和R5串联,所述电容C2并联于电阻R4,所述电阻R4与电阻R3并联,所述电容C3与PWMIC1的公共端电性连接,所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接,IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接,所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。本发明电路应用在单级PFC电路里,或是通用的适配器里都可以,可以解决CoolMOS同类问题,相对于同规格的MOS,CoolMOSRDS(ON)小,降低了损耗,提高了整机效率,可以降低产品的成本,做到更高的功率密度,实现产品的优式。
Description
技术领域
本发明属于LED电源技术领域,尤其涉及一种超极结MOS应用的保护电路,具体应用到可以用到超极结MOS的电路里,保护超极结MOS。
背景技术
随着技术的进步,现在的CoolMOS的发展朝着Rds(ON)小,电流大,芯片小,生产工艺更成熟,成本更低的方向发展,但因为芯片面积小,其耐冲击电流的能力,抗雪崩的能力也会随着下降。高温下的电流冲击及生产中的打火电流冲击等等会产生不良,在实际应用过程中,会因此而受到限制,更严重时产生相当严重的客户投诉或赔款,在此情况下,现已发明一种CoolMOS(超极结MOS)的保护电路,可以有效的保护到CoolMOS.有效的解决此问题。
发明内容
本发明是提供一种超极结MOS应用的保护电路,特别是应用在单级PFCLED电源里的CoolMOS(超极结MOS)提供保护电路,防止MOS在生产及测试及客户端因各种较恶劣的应用情况下对MOS提供保护,防止CoolMOS因此情况下的崩溃,而产生不良,充分用到CoolMOS优式,使产品竞争能力强。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种超极结MOS应用的保护电路,包括电阻R1和PWMIC1,所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联,所述R2分别与二极管Z1和R5串联,所述二极管Z1和R5并联,所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联,所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联,所述电阻R10与电阻R16串联,所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联,且电阻R16串接于NPN型三极管Q3,所述电阻R16连接于地线,所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接,且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线,所述R5分别与电阻R4和电容C3串联,所述电阻R4和电容C2串联,所述电容C2并联于电阻R4,所述电阻R4与电阻R3并联,所述电容C3与PWMIC(SD6**)的公共端电性连接,所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接,IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接,所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。
优选的,所述电阻R3与电容C12并联,所述电容C12连接于地线和PWMIC1的公共端。
本发明还提供了一种超极结MOS应用的保护方法,该方法是把在异常交流输入时,通过检测输入时的电压,过压时关断IC的Ton时间,进而把CoolMOS的Id降低,起到防止变压器饱和,保护CoolMOS的功能,具体工作过程如下:
S1、当交流有较高的输入电压进来时,经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够高,把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极;
S2、当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到三极管的导通电压时,则Q2和Q3导通,则把IC1Comp1脚引脚拉低;
S3、当IC1Comp1脚引脚低时,则把IC的Ton时间拉短,控制了MOSId,让MOS提前关断,以免进入饱和状态,进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
本发明提供的一种超极结MOS应用的保护电路,与LED电路相比,本发明通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击,防止变压器饱和,减小CoolMOS的雪崩机会,有效的保护CoolMOS不至于损坏;本发明电路应用在单级PFC电路里,或是通用的适配器里都可以,可以解决CoolMOS同类问题,相对于同规格的MOS,CoolMOSRDS(ON)小,降低了损耗,提高了整机效率,可以降低产品的成本,做到更高的功率密度,实现产品的优式。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
请参照图1,本发明采用了如下技术方案:
一种超极结MOS应用的保护电路,包括电阻R1和PWMIC1,所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联,所述R2分别与二极管Z1和R5串联,所述二极管Z1和R5并联,所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联,所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联,所述电阻R10与电阻R16串联,所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联,且电阻R16串接于NPN型三极管Q3,所述电阻R16连接于地线,所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接,且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线,所述R5分别与电阻R4和电容C3串联,所述电阻R4和电容C2串联,所述电容C2并联于电阻R4,所述电阻R4与电阻R3并联,所述电阻R3与电容C12并联,所述电容C12连接于地线和PWMIC1的公共端,所述电容C3与PWMIC1的公共端电性连接,所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接,IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接,所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。
本发明还提供了一种超极结MOS应用的保护方法,该方法是把在异常交流输入时,通过检测输入时的电压,过压时关断IC的Ton时间,进而把CoolMOS的Id降低,起到防止变压器饱和,保护CoolMOS的功能,具体工作过程如下:
S1、当交流有较高的输入电压进来时,经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够高,把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极;
S2、当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到三极管的导通电压时,则Q2和Q3导通,则把IC1Comp1脚引脚拉低;
S3、当IC1Comp1脚引脚低时,则把IC的Ton时间拉短,控制了MOSId,让MOS提前关断,以免进入饱和状态,进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
从附表可以看出,增加了防雷电路能有效保护MOS,以免MOS在电压应力电流应力超标,而损坏。700VCoolMOS应用了防雷击电路后,由超过电压应力785V降到574V,完全可以满足设计余量的10%电压应力要求。
综上所述:本发明通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击,防止变压器饱和,减小CoolMOS的雪崩机会,有效的保护CoolMOS不至于损坏;本发明电路应用在单级PFC电路里,或是通用的适配器里都可以,可以解决CoolMOS同类问题,相对于同规格的MOS,CoolMOSRDS(ON)小,降低了损耗,提高了整机效率,可以降低产品的成本,做到更高的功率密度,实现产品的优式。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种超极结MOS应用的保护电路,包括电阻R1和PWMIC1,其特征在于:所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联,所述R2分别与二极管Z1和R5串联,所述二极管Z1和R5并联,所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联,所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联,所述电阻R10与电阻R16串联,所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联,且电阻R16串接于NPN型三极管Q3,所述电阻R16连接于地线,所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接,且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线,所述R5分别与电阻R4和电容C3串联,所述电阻R4和电容C2串联,所述电容C2并联于电阻R4,所述电阻R4与电阻R3并联,所述电容C3与PWMIC1的公共端电性连接,所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接,IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接,所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。
2.根据权利要求1所述的一种超极结MOS应用的保护电路,其特征在于:所述电阻R3与电容C12并联,所述电容C12连接于地线和PWMIC1的公共端。
3.一种权利要求1所述的超极结MOS应用的保护方法,其特征在于:该方法是把在异常交流输入时,通过检测输入时的电压,过压时关断IC的Ton时间,进而把CoolMOS的Id降低,起到防止变压器饱和,保护CoolMOS的功能,具体工作过程如下:
S1、当交流有较高的输入电压进来时,经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够高,把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极;
S2、当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到三极管的导通电压时,则Q2和Q3导通,则把IC1Comp1脚引脚拉低;
S3、当IC1Comp1脚引脚低时,则把IC的Ton时间拉短,控制了MOSId,让MOS提前关断,以免进入饱和状态,进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
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