CN105656463A - 一种超极结mos应用的保护电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWMIC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWMIC1的公共端电性连接，所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接，IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。本发明电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOSRDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。

Description

一种超极结MOS应用的保护电路
技术领域
本发明属于LED电源技术领域，尤其涉及一种超极结MOS应用的保护电路，具体应用到可以用到超极结MOS的电路里，保护超极结MOS。
背景技术
随着技术的进步，现在的CoolMOS的发展朝着Rds(ON)小，电流大，芯片小，生产工艺更成熟，成本更低的方向发展，但因为芯片面积小，其耐冲击电流的能力，抗雪崩的能力也会随着下降。高温下的电流冲击及生产中的打火电流冲击等等会产生不良，在实际应用过程中，会因此而受到限制，更严重时产生相当严重的客户投诉或赔款，在此情况下，现已发明一种CoolMOS(超极结MOS)的保护电路，可以有效的保护到CoolMOS.有效的解决此问题。
发明内容
本发明是提供一种超极结MOS应用的保护电路，特别是应用在单级PFCLED电源里的CoolMOS(超极结MOS)提供保护电路，防止MOS在生产及测试及客户端因各种较恶劣的应用情况下对MOS提供保护，防止CoolMOS因此情况下的崩溃，而产生不良，充分用到CoolMOS优式，使产品竞争能力强。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWMIC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWMIC(SD6**)的公共端电性连接，所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接，IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。
优选的，所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWMIC1的公共端。
本发明还提供了一种超极结MOS应用的保护方法，该方法是把在异常交流输入时，通过检测输入时的电压，过压时关断IC的Ton时间，进而把CoolMOS的Id降低，起到防止变压器饱和，保护CoolMOS的功能，具体工作过程如下：
S1、当交流有较高的输入电压进来时，经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够高，把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极；
S2、当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到三极管的导通电压时，则Q2和Q3导通，则把IC1Comp1脚引脚拉低；
S3、当IC1Comp1脚引脚低时，则把IC的Ton时间拉短，控制了MOSId，让MOS提前关断，以免进入饱和状态，进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
本发明提供的一种超极结MOS应用的保护电路，与LED电路相比，本发明通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击，防止变压器饱和，减小CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏；本发明电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOSRDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参照图1，本发明采用了如下技术方案：
一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWMIC1，所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWMIC1的公共端，所述电容C3与PWMIC1的公共端电性连接，所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接，IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。
本发明还提供了一种超极结MOS应用的保护方法，该方法是把在异常交流输入时，通过检测输入时的电压，过压时关断IC的Ton时间，进而把CoolMOS的Id降低，起到防止变压器饱和，保护CoolMOS的功能，具体工作过程如下：
S1、当交流有较高的输入电压进来时，经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够高，把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极；
S2、当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到三极管的导通电压时，则Q2和Q3导通，则把IC1Comp1脚引脚拉低；
S3、当IC1Comp1脚引脚低时，则把IC的Ton时间拉短，控制了MOSId，让MOS提前关断，以免进入饱和状态，进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
从附表可以看出，增加了防雷电路能有效保护MOS，以免MOS在电压应力电流应力超标，而损坏。700VCoolMOS应用了防雷击电路后，由超过电压应力785V降到574V，完全可以满足设计余量的10%电压应力要求。
综上所述：本发明通过增加的电路较好的保护CoolMOS在异常情况下对MOS的电压电流冲击，防止变压器饱和，减小CoolMOS的雪崩机会，有效的保护CoolMOS不至于损坏；本发明电路应用在单级PFC电路里，或是通用的适配器里都可以，可以解决CoolMOS同类问题，相对于同规格的MOS，CoolMOSRDS(ON)小，降低了损耗，提高了整机效率，可以降低产品的成本，做到更高的功率密度，实现产品的优式。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种超极结MOS应用的保护电路，包括电阻R1和PWMIC1，其特征在于：所述电阻R1分别与高压电HV和R2串联，所述R2分别与二极管Z1和R5串联，所述二极管Z1和R5并联，所述二极管Z1分别与电阻R10和NPN型三极管串联，所述电阻R10和NPN型三极管Q2并联，所述电阻R10与电阻R16串联，所述电阻R16与NPN型三极管Q2并联，且电阻R16串接于NPN型三极管Q3，所述电阻R16连接于地线，所述NPN型三极管Q3的两个引脚与NPN型三极管Q2的两个引脚连接，且所述NPN型三极管Q3的另一个引脚连接于地线，所述R5分别与电阻R4和电容C3串联，所述电阻R4和电容C2串联，所述电容C2并联于电阻R4，所述电阻R4与电阻R3并联，所述电容C3与PWMIC1的公共端电性连接，所述PWMIC1的另一个引脚与IC1Comp1脚引脚电性连接，IC1Comp1脚引脚分别与NPN型三极管Q2和NPN型三极管Q3连接，所述电容C2连接于IC1Comp1脚引脚。
2.根据权利要求1所述的一种超极结MOS应用的保护电路，其特征在于：所述电阻R3与电容C12并联，所述电容C12连接于地线和PWMIC1的公共端。
3.一种权利要求1所述的超极结MOS应用的保护方法，其特征在于：该方法是把在异常交流输入时，通过检测输入时的电压，过压时关断IC的Ton时间，进而把CoolMOS的Id降低，起到防止变压器饱和，保护CoolMOS的功能，具体工作过程如下：
S1、当交流有较高的输入电压进来时，经电阻R1和R2检测分压加到Z1当输入电压足够高，把Z1击穿则该电压直接加到Q2、Q3和Vbe两极；
S2、当Q2、Q3和Vbe电压逐渐升高到三极管的导通电压时，则Q2和Q3导通，则把IC1Comp1脚引脚拉低；
S3、当IC1Comp1脚引脚低时，则把IC的Ton时间拉短，控制了MOSId，让MOS提前关断，以免进入饱和状态，进而保护CoolMOS避免进入雪崩至热崩溃而损坏。
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"兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET" *

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