CN105646459A - 一种化合物及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种化合物,所述化合物具有结构式(I)所示结构:其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。本发明还提供一种含有结构式(I)所示化合物的OLED电子传输材料、空穴传输材料以及包含结构式(I)所示化合物的OLED器件有机层。本发明还提供一种结构式(I)所示化合物的制备方法。本发明提供的这种新颖结构的OLED材料,可以用于电子传输层、发光层、空穴传输层,制作的显示屏器件反应速率快、耗电少、视角广。
Description
技术领域
本发明涉及一种化合物,尤其涉及一种可用于OLED主体材料的化合物、所述化合物的制备方法、以及所述化合物的应用。
背景技术
目前显示屏以TFT(ThinFilmTransistor,薄膜场效应晶体管)-LCD为主,由于TFT-LCD为非自发光显示器,必须透过背光源投射光线,依序穿透TFT-LCD面板中的偏光板、玻璃基板、液晶层、彩色滤光片、等相关零部件,最后进入人眼睛成像,达到显示功能。
LED显示器集微电子技术、计算机技术、信息处理于一体,以其色彩鲜艳、动态范围广、亮度高、寿命长、工作稳定可靠等优点,成为最具优势的公众显示媒体,目前,LED显示器已广泛应用于大型广场、商业广告、体育场馆、证券交易等,可以满足不同环境的需要。
OLED显示是类似于且优于LCD的下一代平板显示技术。OLED具有非常简单的三明治结构,即两层电极之间夹有一层非常薄的有机材料,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。与LCD显示相比,OLED具有诸多优点:由于OLED本身可以发光、无需背光源,因此OLED显示屏可以做得更轻更薄,可视角度更大,色彩更加丰富,并且能够显著节省电能。基于这些优点,OLED已经广泛使用在MP3、手机等移动电子设备上,并逐渐扩展到PC显示器、笔记本电脑、电视机等中大尺寸显示领域。
OLED的基本结构是由一薄而透明具本道题特性的铟锡氧化物(ITO),与电力的正极相连,再加上另一个金属阴极,包成如三明治的结构,如US4769292中公开的OLED。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时,正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合,产生光亮,依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色,构成基本色彩。OLED的特性是自己发光,不像TFTLCD需要背光,因此可视度和亮度均高,其次是电压需求低且省电效率高,加上反应快、重量轻、厚度薄,构造简单,成本低。
发明内容
本发明为解决现有技术中的上述问题提出的。
本发明的一个方面提供了一种化合物,所述化合物具有结构式(I)所示结构:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
本发明的一个实施例中,所述A中至少存在一个如下结构的部分:
其中,R4和R5分别独立地选自H、C1-C5的烷基、苯基、苄基。
优选地,所述R1供电子基团选自:
其中,R1和R2分别独立地选自H、C1-C5烷基、芳香基取代的C1-C2烷基、芳香基,或者R1和R2与N形成氮杂环,并且R1和R2中至少一个含有芳香基。
优选地,R1和R2分别独立地选自:
H、C1-C5烷基、以及
另一优选方案中,R1和R2与N形成的氮杂环选自:
在另一优选实施例中,R1与苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团选自:
其中,R选自H、C1-C5烷基、芳香基。
本发明另一较佳实施例中,R2选自:
其中,R3、R4分别独立地选自H、C1-C5烷基、芳香基取代C1-C2烷基,芳香基。
本发明所述化合物的另一较佳实施例中,所述化合物具有结构式(II)的结构:
其中,n为0-20的整数,R5选自H、C1-C5烷基、芳香基取代C1-C2烷基,芳香基。
本发明所述化合物的一个较佳实施例中,所述化合物具有结构式(III)的结构:
其中,n为0-20的整数,N杂原子环为稠环的供电子基团。
本发明的第二个方面还提供了一种含有结构式(I)所示化合物的电子传输材料:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
本发明的第三个方面提供了一种含有结构式(I)所示化合物的空穴传输材料:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
本发明的第四个方面提供了一种OLED器件,包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的有机层,其特征在于,所述有机层含有结构式(I)所示的化合物:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
本发明的第五个方面是提供一种合成结构式(I)所示化合物的方法,所述方法为suzuki反应合成方法。
本发明采用上述技术方案,与现有技术相比,具有如下技术效果:
本发明提供一种新颖结构的OLED材料,可以用于电子传输层、发光层、空穴传输层,制作的显示屏器件反应速率快、耗电少、视角广。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明进行详细和具体的介绍,以使更好的理解本发明,但是下述实施例并不限制本发明范围。
本发明提供一种化合物,所述化合物具有包括下列结构式,可以用于OLED材料的电子传输层、发光层、空穴传输层:
制备例一:
化合物A通过下述方法制备:
向反应瓶中加入中间体10.1mol、中间体20.1mol、叔丁醇钾、醋酸钯三叔丁基膦四氟硼酸盐和甲苯(1000ml),在氮气保护下加热回流24小时,冷却,除去甲苯,加入二氯甲烷,水洗、干燥,粗产品过柱,再用二氯甲烷和乙醇重结晶纯化得到化合物A。
制得的化合物A的分子量表征:MS590.24;
H-NMR:1.67(6H),7.22(2H),7.32(4H),7.48(4H),7.50(2H),7.3(1H),7.21(1H),7.43(2H),7.0(2H),7.33(1H),8.06(1H),7.61(2H),7.36(2H)。
制备例二:
化合物B通过下述方法制备:
所述化合物B通过与制备例一所述相同的方法制备。
制得的化合物B的分子量表征:MS666.27;
H-NMR:1.67(6H),7.22(2H),7.32(4H),7.48(4H),7.50(2H),7.3(2H),7.21(2H),7.43(2H),7.0(2H),7.33(2H),8.06(1H),7.61(3H),7.36(2H)。
制备例三:
化合物C通过下述方法制备:
所述化合物C通过与制备例一所述相同的方法制备。
制得的化合物C的分子量表征:MS666.27;
H-NMR:1.67(6H),7.22(2H),7.32(4H),7.48(4H),7.50(2H),7.3(2H),7.21(2H),7.43(2H),7.0(2H),7.33(2H),8.06(1H),7.61(3H),7.36(2H)。
制备例四:
化合物D通过下述方法制备:
所述化合物D通过与制备例一所述相同的方法制备。
制得的化合物D的分子量表征:MS580.69;
H-NMR:7.22(2H),7.32(4H),7.48(4H),7.50(2H),7.3(1H),7.21(1H),7.43(2H),7.0(2H),7.33(1H),8.06(1H),7.61(2H),7.36(2H)。
制备例五:
化合物E通过下述方法制备:
所述化合物E通过与制备例一所述相同的方法制备。
制得的化合物E的分子量表征:MS656.79;
H-NMR:7.22(2H),7.32(4H),7.48(4H),7.50(2H),7.3(2H),7.21(2H),7.43(2H),7.0(2H),7.33(2H),8.06(1H),7.61(3H),7.36(2H)。
制备例六:
化合物F通过下述方法制备:
所述化合物F通过与制备例一所述相同的方法制备。
制得的化合物F的分子量表征:MS626.74;
H-NMR:7.22(2H),7.32(4H),7.48(4H),7.50(2H),7.3(2H),7.21(2H),7.43(2H),7.0(2H),7.33(2H),8.06(1H),7.61(3H),7.36(2H)。
器件制作:
实施例1:
将透明阳极电极ITO基板在异丙醇中超声清洗5-10分钟,并暴露在紫外光下20-30分钟,随后用plasma处理5-10分钟。随后将处理后的ITO基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层30-50nm的NPB,然后混合蒸镀化合物A,以及5-10%的Ir(ppy)3,随后蒸镀20-40nm的Alq3(8-羟基喹啉铝),然后再蒸镀0.5-2nmLiF,最后蒸镀100-200nm的金属Al。
实施例2:
将实施例1中的化合物A换成化合物B。
实施例3:
将实施例1中的化合物A换成化合物C。
实施例4:
将实施例1中的化合物A换成化合物D。
实施例5:
将实施例1中的化合物A换成化合物E。
实施例6:
将实施例1中的化合物A换成化合物F。
实施例7:
将实施例1中的化合物A换成CBP,将实施例1的Alq3换成化合物A。
实施例8:
将实施例1中的化合物A换成CBP,将实施例1的Alq3换成化合物B。
实施例9:
将实施例1中的化合物A换成CBP,将实施例1的Alq3换成化合物C。
实施例10:
将实施例1中的化合物A换成CBP,将实施例1的Alq3换成化合物D。
实施例11:
将实施例1中的化合物A换成CBP,将实施例1的Alq3换成化合物E。
实施例12:
将实施例1中的化合物A换成CBP,将实施例1的Alq3换成化合物F。
对比实施例:
将实施例1中的化合物A换成CBP。
其中,
OLED器件制作如下:
实施例1:ITO/NPB/化合物A:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al;
实施例2:ITO/NPB/化合物B:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al;
实施例3:ITO/NPB/化合物C:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al;
实施例4:ITO/NPB/化合物D:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al;
实施例5:ITO/NPB/化合物E:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al;
实施例6:ITO/NPB/化合物F:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al;
实施例7:ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/化合物A/LiF/Al;
实施例8:ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/化合物B/LiF/Al;
实施例9:ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/化合物C/LiF/Al;
实施例10:ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/化合物D/LiF/Al;
实施例11:ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/化合物E/LiF/Al;
实施例12:ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/化合物F/LiF/Al;
对比实施例:ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/Alq3/LiF/Al。
在1000nits下,OLED器件结果如表1所示。
表1OLED器件检测结果
器件 | Cd/A | Driver Voltage | CIEx | CIEy |
对比实施例 | 10cd/A | 4.6V | 0.33 | 0.64 |
实施例1 | 20cd/A | 4.5V | 0.33 | 0.64 |
实施例2 | 15cd/A | 4.4V | 0.33 | 0.64 |
实施例3 | 19cd/A | 4.3V | 0.33 | 0.64 |
实施例4 | 15cd/A | 4.5V | 0.33 | 0.64 |
实施例5 | 12cd/A | 4.7V | 0.33 | 0.64 |
实施例6 | 23cd/A | 4.8V | 0.33 | 0.64 |
实施例7 | 21cd/A | 4.9V | 0.33 | 0.64 |
实施例8 | 14cd/A | 4.8V | 0.33 | 0.64 |
实施例9 | 22cd/A | 5.0V | 0.33 | 0.64 |
实施例10 | 17cd/A | 4.7V | 0.33 | 0.64 |
实施例11 | 15cd/A | 4.6V | 0.33 | 0.64 |
实施例12 | 21cd/A | 4.5V | 0.33 | 0.64 |
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述,但其只是作为范例,本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言,任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此,在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改,都应涵盖在本发明的范围内。
Claims (13)
1.一种化合物,其特征在于,所述化合物具有结构式(I)所示结构:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述A中至少存在一个如下结构的部分:
其中,R4和R5分别独立地选自H、C1-C5的烷基、苯基、苄基。
3.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述R1供电子基团选自:
其中,R1和R2分别独立地选自H、C1-C5烷基、芳香基取代的C1-C2烷基、芳香基,或者R1和R2与N形成氮杂环,并且R1和R2中至少一个含有芳香基。
4.根据权利要求3所述的化合物,其特征在于,R1和R2分别独立地选自:
H、C1-C5烷基、以及
5.根据权利要求3所述的化合物,其特征在于,R1和R2与N形成的氮杂环选自:
6.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,R1与苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团选自:
其中,R选自H、C1-C5烷基、芳香基。
7.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,R2选自:
其中,R3、R4分别独立地选自H、C1-C5烷基、芳香基取代C1-C2烷基,芳香基。
8.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物具有结构式(II)的结构:
其中,n为0-20的整数,R5选自H、C1-C5烷基、芳香基取代C1-C2烷基,芳香基。
9.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物具有结构式(III)的结构:
其中,n为0-20的整数,N杂原子环为稠环的供电子基团。
10.一种含有结构式(I)所示化合物的电子传输材料:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
11.一种含有结构式(I)所示化合物的空穴传输材料:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
12.一种OLED器件,包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的有机层,其特征在于,所述有机层含有结构式(I)所示的化合物:
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
13.一种合成结构式(I)所示化合物的方法,其特征在于,所述方法为suzuki反应合成方法;
其中,R2为吸电子基团,A为0-20个苯环依次相连结构,R1为供电子基团或者R1与最后一个苯环的部分C原子一起形成供电子环状基团。
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