CN105643118B - 透射激光束的检测方法 - Google Patents

透射激光束的检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105643118B
CN105643118B CN201510822647.7A CN201510822647A CN105643118B CN 105643118 B CN105643118 B CN 105643118B CN 201510822647 A CN201510822647 A CN 201510822647A CN 105643118 B CN105643118 B CN 105643118B
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser beam
sensitive film
machined object
face
photosensitive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510822647.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105643118A (zh
Inventor
相川力
远藤智裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of CN105643118A publication Critical patent/CN105643118A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105643118B publication Critical patent/CN105643118B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/59—Transmissivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/48—Photometry, e.g. photographic exposure meter using chemical effects
    • G01J1/50—Photometry, e.g. photographic exposure meter using chemical effects using change in colour of an indicator, e.g. actinometer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

提供透射激光束的检测方法，能够容易且低价地确认漏光的状态。透射激光束的检测方法将对于包含第1面和与该第1面相反侧的第2面的板状的被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部而从第1面侧照射该激光束，对透射到该第2面侧的激光束进行检测，该方法具有如下的步骤：感光片定位步骤，使具有感光层的感光片的该感光层与被加工物的该第2面相对，利用卡盘工作台的保持面隔着该感光片保持被加工物；激光束照射步骤，在实施了该感光片定位步骤之后，从被加工物的该第1面侧照射该激光束；以及确认步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，借助形成于该感光片的该感光层的感光反应区域来确认透射激光束的状态。

Description

透射激光束的检测方法
技术领域
本发明涉及透射激光束的检测方法，在向被加工物照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束时，检测透过了被加工物的激光束。
背景技术
公知有如下的加工方法：将对于半导体晶片或光器件晶片等板状的被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部而对被加工物照射激光束，在被加工物内部形成作为断裂起点的改质层，并对被加工物施加外力而将被加工物分割成各个芯片。
在该加工方法中，激光束几乎在被加工物的内部被吸收，但会产生透射到与激光束的照射面(第1面)相反侧的被加工物的第2面的所谓漏光(例如，参照日本特开2012-59989号公报)。
由激光振荡器振荡出激光束，经过由各种光学部件构成的光学***和聚光器而照射到被加工物，但因光学***的设置，存在激光束的截面的强度分布成为在径向上并不对称的扁圆的分布的情况。
如果利用这种激光束加工被加工物，则有可能会形成难以断裂的改质层，或者漏光的产生范围会扩展，漏光溢出分割预定线而对器件造成不良影响。
专利文献1：日本特开2012-59989号公报
以往，由于无法直接确认漏光，因此利用器件芯片的不良率来确认漏光的影响，但由于对各器件芯片的电特性的评价是非常耗费工时的评价，因此确认漏光的状态并不容易。
发明内容
本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于，提供一种透射激光束的检测方法，能够容易且低价地确认漏光的状态。
根据本发明，提供一种透射激光束的检测方法，将对于包含第1面和与该第1面相反侧的第2面的板状的被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部，从第1面侧照射该激光束，对透射到该第2面侧的激光束进行检测，其特征在于，该透射激光束的检测方法具有如下的步骤：感光片定位步骤，使具有感光层的感光片的该感光层与被加工物的该第2面相对，并利用卡盘工作台的保持面隔着该感光片保持被加工物；激光束照射步骤，在实施了该感光片定位步骤之后，从被加工物的该第1面侧照射该激光束；以及确认步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，借助形成于该感光片的该感光层的感光反应区域来确认透射激光束的状态。
优选在该感光片定位步骤中，该感光片隔着具有透光性的液体的层而粘接于被加工物的该第2面。
根据本发明，对感光片的感光层以使其与被加工物的第2面相对的方式进行定位而观察从第1面照射了激光束后的感光片，从而能够容易且低价地确认在对被加工物的第1面照射激光束时的透射激光束(漏光)的状态。其结果为，能够有效地进行对能够抑制漏光的加工条件的选定。
由于能够根据感光层的种类，根据感光层的颜色的变化来确认漏光的能量分布，因此本发明能够应用于对照射到被加工物的激光束的能量分布的检查，对于光学***的设置的调整也非常有效。
附图说明
图1是适合实施本发明的透射激光束的检测方法的激光加工装置的立体图。
图2是说明激光束照射步骤的框图。
图3是半导体晶片的正面侧立体图。
图4的(A)是说明感光片定位步骤的分解立体图，图4的(B)是其立体图。
图5是示出激光束照射步骤的剖视图。
图6的(A)是示出基于漏光的感光层的感光反应的一例的俯视图，图6的(B)是示出漏光的能量分布的图。
图7的(A)是示出基于漏光的感光层的感光反应的另一例的俯视图，图7的(B)是示出漏光的能量的图。
标号说明
2：激光加工装置；11：半导体晶片；23：感光片；27：感光层；27a：感光反应区域；28：卡盘工作台；29：改质层；31：漏光(透射激光束)；68：光学***；72：掩模；73：针孔；74：聚光透镜。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。若参照图1，示出适合实施本发明的透射激光束的检测方法的激光加工装置2的立体图。激光加工装置2包含以能够在X轴方向上移动的方式搭载在静止基台4上的第1滑动块6。
第1滑动块6借助由滚珠丝杠8和脉冲电动机10构成的加工进给机构12而沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向上移动。
第2滑动块16以能够在Y轴方向上移动的方式搭载在第1滑动块6上。即，第2滑动块16借助由滚珠丝杠18和脉冲电动机20构成的分度进给机构22而沿着一对导轨24在分度方向、即Y轴方向上移动。
在第2滑动块16上隔着圆筒支承部材26搭载有卡盘工作台28，卡盘工作台28能够旋转，并且能够借助加工进给机构12和分度进给机构22在X轴方向和Y轴方向上移动。
在卡盘工作台28上设置有夹持环状框架的夹具30，该环状框架隔着划片带对由卡盘工作台28吸引保持的半导体晶片进行支承。
在静止基台4上竖立设置有柱32，在该柱32上安装有激光束照射单元34。激光束照射单元34如图2所示那样包含收纳在外壳33中的激光束产生单元35、光学***68以及安装于外壳33的前端的聚光器36。
激光束产生单元35包含振荡出YAG激光或者YVO4激光的激光振荡器62、重复频率设定机构64以及脉冲宽度调整机构66。虽然未特别图示，但激光振荡器62具有布鲁斯特窗，从激光振荡器62射出的激光束是直线偏光的激光束。
从激光束产生单元35的激光振荡器62振荡出的脉冲激光束LB是对于图3所示的半导体晶片11具有透过性的波长的激光束，具有例如1064nm的波长。从激光束产生单元35的激光振荡器62振荡出的脉冲激光束LB穿过由多个光学部件构成的光学***68并入射到聚光器36。
入射到聚光器36的脉冲激光束LB被反射镜70反射，穿过掩模72的针孔73且借助聚光透镜74对保持在卡盘工作台28上的半导体晶片11进行照射。
若再次参照图1，在外壳33的前端部配设有摄像单元38，该摄像单元38与聚光器36在X轴方向上排列而检测应该进行激光加工的加工区域。摄像单元38包含借助可见光来拍摄半导体晶片的加工区域的通常的CCD等摄像元件。
摄像单元38还包含：红外线照射机构，其对半导体晶片照射红外线；光学***，其捕捉由红外线照射机构照射的红外线；以及由红外线CCD等红外线摄像元件构成的红外线摄像机构，其输出与由该光学***捕捉到的红外线对应的电信号，摄像单元38拍摄到的图像发送给控制器(控制机构)40。
控制器40由计算机构成，具有根据控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)42、保存控制程序等的只读存储器(ROM)44、保存运算结果等的能够读写的随机存取存储器(RAM)46、计数器48、输入接口50以及输出接口52。
标号56是由沿着导轨14配设的直线标尺54和配设于第1滑动块6的未图示的读取头构成的加工进给量检测机构，加工进给量检测机构56的检测信号输入到控制器40的输入接口50。
标号60是由沿着导轨24配设的直线标尺58和配设于第2滑动块16的未图示的读取头构成的分度进给量检测机构，分度进给量检测机构60的检测信号输入到控制器40的输入接口50。
由摄像单元38拍摄到的图像信号也输入到控制器40的输入接口50。另一方面，从控制器40的输出接口52向脉冲电动机10、脉冲电动机20、激光束照射单元34等输出控制信号。
若参照图3，示出作为激光加工装置2的加工对象的板状的被加工物的一例的半导体晶片11的正面侧立体图。在半导体晶片(以下，有时简称为晶片)11的正面11a上，在由形成为格子状的多个分割预定线(间隔道)13划分出的各区域中形成有IC、LSI等器件15。
半导体晶片11具有形成有多个器件15的器件区域17和围绕器件区域17的外周剩余区域19。在晶片11的外周形成有作为标记的缺口21，该缺口21表示由硅形成的半导体晶片11的结晶方位。
以下，关于基于以上述的方式构成的光加工装置2的本发明实施方式的透射激光束的检测方法，参照图4至图7进行说明。在本发明实施方式的透射激光束检测方法中，首先实施感光片定位步骤，如图4所示，使形成在感光片23的基材25上的感光层27与晶片11的正面(第2面)对置，利用激光加工装置2的卡盘工作台28隔着感光片23吸引保持晶片11。
在该感光片定位步骤中，如图4的(A)所示，隔着具有透光性的液体的层使感光片23的感光层27粘接于晶片11的正面(第2面)，如图4的(B)所示，将感光片23的基材25粘合在外周部被安装于环状框架F上的划片带T上。
由此，晶片11隔着感光片23和划片带T而被支承于环状框架F，晶片11的背面(第1面)11b露出。作为具有透光性的(透明的)液体的层可以使用水溶性树脂。
作为感光片23例如可以使用与KENTEK公司生产的5mJ/cm2～20J/cm2对应的对准片、ZAP-IT。
在实施了感光片定位步骤后，实施激光束照射步骤，如图5所示，将对于晶片11具有透过性的波长的脉冲激光束LB的聚光点P定位在晶片11的内部，从晶片11的背面(第1面)照射脉冲激光束LB。对于晶片11具有透过性的脉冲激光束LB具有例如1064nm的波长。
当将脉冲激光束LB的聚光点P定位在晶片11的内部而从晶片11的背面11b侧照射脉冲激光束LB，并在箭头X1方向上对卡盘工作台28进行加工进给时，因多光子吸收而在晶片11的内部形成改质层29。
脉冲激光束LB的绝大部分在聚光点P处被吸收，但一部分的脉冲激光束LB成为漏光(透射激光束)31而从晶片11的正面(第2面)11a射出。
因该漏光31会导致粘接于晶片11的正面(第2面)11a的感光片23的感光层27发生反应，而在感光层27中形成有感光反应区域27a。感光反应区域27a像例如图6的(A)所示那样，相对于漏光31的中心在Y轴方向上对称地形成。
在图6的(A)中，白色表示漏光的强度分布较强的部分，灰色表示漏光的强度分布较弱的部分。即，如图6的(B)所示，透射激光束(漏光)31的截面的强度分布相对于漏光31的中心在径向上对称。
在该情况下，脉冲激光束LB的中心与形成于掩模72的针孔73的中心一致，将脉冲激光束LB照射到晶片11，最佳地设定光学***68。
另一方面，在漏光31的强度分布如图7的(B)所示那样偏移的情况下，感光层27的感光反应区域27a成为图7的(A)所示的状态，能够通过观察感光反应区域27a而确认漏光31的状态。
在这样漏光(透射激光束)的强度分布相对于漏光31的中心不对称的情况下，能够判断其原因是照射到晶片11的脉冲激光束LB的中心与形成于掩模72的针孔73的中心不一致，调整光学***68的各种光学部件以使脉冲激光束LB的中心与掩模72的针孔73的中心一致。
在调整了光学***68的各种光学部件的设置后，再次观察感光层27的感光反应区域27a，由此重复进行光学***68的调整直到漏光31的强度分布相对于漏光31的中心在径向上对称。
在上述的实施方式中，对将本发明的透射激光束的检测方法应用于半导体晶片11的例子进行了说明，但被加工物不限于半导体晶片11，也能够同样地应用于光器件晶片等其他的板状的被加工物。并且，除了应用于激光束与针孔的对位确认，还可以应用于确认各种光学部件与激光束的偏差。

Claims (2)

1.一种透射激光束的检测方法，将对于包含第1面和与该第1面相反侧的第2面的板状的被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在被加工物的内部，从第1面侧照射该激光束，对透射到该第2面侧的激光束进行检测，其特征在于，该透射激光束的检测方法具有如下的步骤：
感光片定位步骤，使具有感光层的感光片的该感光层与被加工物的该第2面相对，并利用卡盘工作台的保持面隔着该感光片保持被加工物；
激光束照射步骤，在实施了该感光片定位步骤之后，从被加工物的该第1面侧照射该激光束；以及
确认步骤，在实施了该激光束照射步骤之后，借助形成于该感光片的该感光层的感光反应区域来确认所述透射激光束的强度分布是否相对于所述透射激光束的中心对称。
2.根据权利要求1所述的透射激光束的检测方法，其特征在于，
在该感光片定位步骤中，该感光片隔着具有透光性的液体的层而粘接于被加工物的该第2面。
CN201510822647.7A 2014-11-27 2015-11-24 透射激光束的检测方法 Active CN105643118B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-239681 2014-11-27
JP2014239681A JP6433264B2 (ja) 2014-11-27 2014-11-27 透過レーザービームの検出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105643118A CN105643118A (zh) 2016-06-08
CN105643118B true CN105643118B (zh) 2019-04-26

Family

ID=56079024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510822647.7A Active CN105643118B (zh) 2014-11-27 2015-11-24 透射激光束的检测方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9494513B2 (zh)
JP (1) JP6433264B2 (zh)
KR (1) KR102331288B1 (zh)
CN (1) CN105643118B (zh)
TW (1) TWI655048B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6757185B2 (ja) * 2016-06-08 2020-09-16 株式会社ディスコ レーザー光線の検査方法
JP6749727B2 (ja) * 2016-10-14 2020-09-02 株式会社ディスコ 検査用ウエーハ及び検査用ウエーハの使用方法
KR102104859B1 (ko) 2019-05-14 2020-04-27 (주)와이에스티 연성회로기판의 마이크 홀 레이저 가공방법
JP7465425B2 (ja) 2020-07-14 2024-04-11 株式会社東京精密 検査用ウェーハの検査方法及び検査装置並びに検査用ウェーハ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5838984A (ja) * 1981-08-12 1983-03-07 フアウ・エ−・ベ−・ウエルク・フユ−ル・フエルンゼ−エレクトロニク・イム・フアウ・エ−・ベ−・コムビナ−ト・ミクロエレクトロニク 高いインフオ−メ−シヨン容量を有するｌｅｄ−表示装置
US5331371A (en) * 1990-09-26 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure method
JP4776911B2 (ja) * 2004-11-19 2011-09-21 キヤノン株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法
CN102901461A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 株式会社迪思科 激光光线的光点形状检测方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU500199B2 (en) * 1975-01-13 1979-05-10 Associated Press, The Facsimile reproduction system
US5374291A (en) * 1991-12-10 1994-12-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method of processing photosensitive glass
JPH06270464A (ja) * 1993-03-19 1994-09-27 Fuji Xerox Co Ltd 集光位置検出装置
JP2003048086A (ja) * 2001-07-31 2003-02-18 Canon Inc エネルギービーム加工装置及び加工方法
JPWO2003046962A1 (ja) * 2001-11-26 2005-04-14 株式会社ニコン 評価方法及び露光装置の製造方法
KR101394764B1 (ko) * 2003-12-03 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
WO2005071491A2 (en) * 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
JP2006091341A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fuji Photo Film Co Ltd 走査露光用光源装置並びに走査露光方法及び走査露光装置
TW200633852A (en) * 2005-03-23 2006-10-01 Fuji Photo Film Co Ltd Apparatus for and method of manufacturing photosensitive laminated body
JP2006319198A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
JP2008050219A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Shibaura Mechatronics Corp スクライブ溝形成装置、割断装置およびスクライブ溝形成方法
JP2008053500A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2010087433A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ加工方法、レーザ加工装置およびチップの製造方法
JP2011134955A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd 板状材料からのチップ状部品の生産方法
JP5615107B2 (ja) 2010-09-10 2014-10-29 株式会社ディスコ 分割方法
JP5846764B2 (ja) * 2011-06-01 2016-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6062315B2 (ja) * 2013-04-24 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6208521B2 (ja) * 2013-10-07 2017-10-04 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5838984A (ja) * 1981-08-12 1983-03-07 フアウ・エ−・ベ−・ウエルク・フユ−ル・フエルンゼ−エレクトロニク・イム・フアウ・エ−・ベ−・コムビナ−ト・ミクロエレクトロニク 高いインフオ−メ−シヨン容量を有するｌｅｄ−表示装置
US5331371A (en) * 1990-09-26 1994-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Alignment and exposure method
JP4776911B2 (ja) * 2004-11-19 2011-09-21 キヤノン株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法
CN102901461A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 株式会社迪思科 激光光线的光点形状检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201618876A (zh) 2016-06-01
KR102331288B1 (ko) 2021-11-24
JP6433264B2 (ja) 2018-12-05
TWI655048B (zh) 2019-04-01
JP2016103506A (ja) 2016-06-02
CN105643118A (zh) 2016-06-08
US20160153908A1 (en) 2016-06-02
KR20160063978A (ko) 2016-06-07
US9494513B2 (en) 2016-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105643118B (zh) 透射激光束的检测方法
JP5733954B2 (ja) 光デバイスウエーハの分割方法
KR102178210B1 (ko) 레이저 광선의 스폿 형상 검출 방법
KR102322716B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
CN107470782B (zh) 激光光线的检查方法
JP2011230159A (ja) レーザ加工装置
TW200911431A (en) Height position detector for work held on chuck table
JP6494991B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6320261B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2015085376A (ja) レーザー加工方法およびレーザー加工装置
CN103418908A (zh) 改性层形成方法
JP6953210B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6253356B2 (ja) ウエーハのレーザー加工方法
JP2004179625A (ja) 二重波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカ
KR100825785B1 (ko) 칩 위치 식별장치 및 이를 이용한 칩 위치 식별 방법
JP2019061986A (ja) ウェーハの加工方法
CN106994556A (zh) 激光加工装置
JP2009088321A (ja) ボンディング装置
TW201738556A (zh) 被加工物之內部檢測裝置及內部檢測方法
JP2011056576A (ja) 板状物の加工方法
TWI697040B (zh) 晶圓的加工方法
JP2004111426A (ja) レーザーダイシング装置
JP6625928B2 (ja) レーザー加工装置
TW202110562A (zh) 雷射加工裝置之光軸確認方法
JP2016054202A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant