CN105629615A - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，该阵列基板的制作方法包括：通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形。本发明中，隔垫物形成在阵列基板一侧，并与阵列基板上的像素电极通过一次构图工艺形成，即使用一张掩膜版，便可同时制作像素电极和隔垫物的图形，而彩膜基板一侧则无需形成隔垫物，减少了一次构图工艺，少使用一张掩膜版，从而降低了包括该阵列基板的显示面板的制作成本。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
随着科技发展，液晶显示面板的应用越来越多，同时，液晶显示面板的工艺制程也多，使用的掩膜版数量也多，例如，HIC(Hybridincell)产品需要使用13或者14张掩膜版，FIC(Fullincell)产品需要使用16张掩膜版，这无疑增加了液晶显示面板的制作成本。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，用以解决现有的液晶显示面板所使用的掩膜版数量多，导致制作成本高的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：
通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形。
优选地，所述隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物。
优选地，所述通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形的步骤包括：
依次形成透明导电薄膜和光刻胶层；
利用一掩膜版，对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域、第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率与所述第二光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率不同，所述光刻胶完全保留区域对应所述主隔垫物所在区域，所述第一光刻胶部分保留区域对应所述辅隔垫物所在区域，所述第二光刻胶部分保留区域对应所述像素电极所在区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，形成所述像素电极的图形；
采用灰化工艺去除所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶，去除所述光刻胶完全保留区域的部分光刻胶，形成所述主隔垫物的图形，以及去除所述第一光刻胶部分保留区域的部分光刻胶，形成所述辅隔垫物的图形。
优选地，所述通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形的步骤包括：
依次形成透明导电薄膜和隔垫物材料层；
在所述隔垫物材料层上涂覆光刻胶层；
利用一掩膜版，对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域、第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率与所述第二光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率不同，所述光刻胶完全保留区域对应所述主隔垫物所在区域，所述第一光刻胶部分保留区域对应所述辅隔垫物所在区域，所述第二光刻胶部分保留区域对应所述像素电极所在区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的隔垫物材料层和透明导电薄膜，形成所述像素电极的图形；
采用灰化工艺去除所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶，以及所述光刻胶完全保留区域和所述第一光刻胶部分保留区域的部分光刻胶；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第二光刻胶部分保留区域的隔垫物材料层；
采用灰化工艺去除所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶，以及所述光刻胶完全保留区域的部分光刻胶；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一光刻胶部分保留区域的部分隔垫物材料层，形成所述辅隔垫物的图形；
剥离剩余的光刻胶，露出所述主隔垫物的图形。
优选地，所述通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形的步骤之前还包括：
形成薄膜晶体管；
形成钝化层的图形，所述钝化层上形成有用于连接像素电极和薄膜晶体管的漏极的过孔；
其中，所述隔垫物在所述阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域。
本发明还提供一种阵列基板，采用上述方法制作而成，所述阵列基板包括：
像素电极；
隔垫物，设置于所述像素电极之上。
优选地，所述隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物。
优选地，所述阵列基板还包括：
薄膜晶体管；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管之上，所述钝化层上具有用于连接所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极的过孔；
其中，所述隔垫物在所述阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域。
优选地，所述隔垫物为柱状隔垫物，所述隔垫物的横截面为六角形。
本发明还提供一种显示面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板为上述阵列基板。
优选地，所述阵列基板包括：薄膜晶体管；钝化层，设置于所述薄膜晶体管之上，所述钝化层上具有用于连接所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极的过孔；所述隔垫物在阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域；
所述彩膜基板上的对应所述隔垫物的区域设置有黑矩阵。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
本发明实施例中，隔垫物形成在阵列基板一侧，并与阵列基板上的像素电极通过一次构图工艺形成，即使用一张掩膜版，便可同时制作像素电极和隔垫物的图形，而彩膜基板一侧则无需形成隔垫物，减少了一次构图工艺，少使用一张掩膜版，并节省了构图所用的材料，从而降低了包括该阵列基板的显示面板的制作成本。此外，用于制作隔垫物的材料还可用于填充阵列基板的钝化层上的用于连接像素电极和漏极的过孔，降低过孔造成的段差，提高阵列基板的平坦度，进一步地可改善取向膜的涂覆效果，减少因过孔引起的黑点等取向不良。
附图说明
图1-图4为本发明实施例一的形成像素电极和隔垫物的图形的方法示意图；
图5-图13为本发明实施例二的形成像素电极和隔垫物的图形的方法示意图；
图14为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图；
图15为本发明实施例的阵列基板的另一结构示意图。
具体实施方式
现有技术中的液晶显示面板包括：阵列基板和彩膜基板，阵列基板上使用的最后一张掩膜版通常为像素电极的掩膜版，而，彩膜基板上使用的最后一张掩膜版通常为隔垫物的掩膜版。
为解决现有技术中的液晶显示面板所使用的掩膜版数量多的问题，本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形。
也就是说，本发明实施例中，隔垫物形成在阵列基板一侧，并与阵列基板上的像素电极通过一次构图工艺形成，即使用一张掩膜版，便可同时制作像素电极和隔垫物的图形，而彩膜基板一侧则无需形成隔垫物，减少了一次构图工艺，少使用一张掩膜版，并节省了构图所用的材料，如光刻胶，从而降低了包括该阵列基板的显示面板的制作成本。
此外，用于制作隔垫物的材料还可用于填充阵列基板的钝化层上的用于连接像素电极和漏极的过孔，降低过孔造成的段差，提高阵列基板的平坦度，进一步地可改善取向膜的涂覆效果，减少因过孔引起的黑点等取向不良。
优选地，本发明实施例中，隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物，其中，主隔垫物的高度大于辅隔垫物的高度，其中，在正常情况下，主隔垫物维持液晶显示面板的盒厚，而辅隔垫物在主隔垫物被压缩到一定程度时起到支撑作用。
本发明实施例中，像素电极可以采用ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等透明导电氧化物材料制成。
本发明实施例中，隔垫物可以采用光刻胶、树脂等弹性较好的材料制成。当然，也可以采用其他类型的材料制成。
下面针对隔垫物为不同材料时，通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形的的方法举例进行说明。
<实施例一>
本实施例中，隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物，隔垫物采用光刻胶制成。
请参考图1-图4，本发明实施例一的形成像素电极和隔垫物的图形的方法包括以下步骤：
步骤S11：请参考图1，依次形成透明导电薄膜101和光刻胶层102；
所述透明导电薄膜101可以采用ITO或IZO等透明导电氧化物材料制成。
步骤S12：请参考图2，利用一掩膜版201，对所述光刻胶层102进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域102a、第一光刻胶部分保留区域102b、第二光刻胶部分保留区域102c和光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶部分保留区域102b对应的掩膜版区域201b的透光率与所述第二光刻胶部分保留区域102c对应的掩膜版区域201c的透光率不同，从而使得第一光刻胶部分保留区域102b和第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶的厚度不同，所述光刻胶完全保留区域102a对应所述主隔垫物所在区域，所述第一光刻胶部分保留区域102b对应所述辅隔垫物所在区域，所述第二光刻胶部分保留区域102c对应所述像素电极所在区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
本发明实施例中的用于形成隔垫物的光刻胶可以为正性光刻胶，也可以为负性光刻胶。当光刻胶为正性光刻胶时，掩膜版区域201b的透光率小于掩膜版区域201c的透光率。当光刻胶为负性光刻胶时，掩膜版区域201b的透光率大于掩膜版区域201c的透光率。从而，使得第一光刻胶部分保留区域102b的光刻胶的厚度大于第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶的厚度不同。
从图2中可以看出，光刻胶完全保留区域102a的光刻胶的厚度最高，第一光刻胶部分保留区域102b的光刻胶的厚度小于光刻胶完全保留区域102a的光刻胶的厚度，大于第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶的厚度。
本发明实施例中，主隔垫物对应的光刻胶区域的光刻胶完全保留，当然，在本发明的其他一些实施例中，主隔垫物对应的光刻胶区域的光刻胶也可以同辅隔垫物和像素电极对应的光刻胶区域一样，是部分保留。只要最终使得主隔垫物对应的光刻胶区域的光刻胶的厚度最高，辅隔垫物和像素电极对应的光刻胶区域的光刻胶的厚度依次降低即可。
步骤S13：请参考图3，采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，形成所述像素电极1011的图形；
步骤S14：请参考图4，采用灰化工艺去除所述第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶，去除所述光刻胶完全保留区域102a的部分光刻胶，形成所述主隔垫物1021的图形，以及去除所述第一光刻胶部分保留区域102b的部分光刻胶，形成所述辅隔垫物1022的图形。
本发明实施例中，采用光刻胶形成隔垫物，工艺步骤简单，成本较低。
<实施例二>
本实施例中，隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物，隔垫物采用非光刻材料制成，例如普通的树脂。
请参考图5-图13，本发明实施例二的形成像素电极和隔垫物的图形的方法包括以下步骤：
步骤S21：请参考图5，依次形成透明导电薄膜101和隔垫物材料层103；
步骤S22：请参考图6，在所述隔垫物材料层103上涂覆光刻胶层102；
步骤S23：请参考图7，利用一掩膜版201，对所述光刻胶层102进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域102a、第一光刻胶部分保留区域102b、第二光刻胶部分保留区域102c和光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶部分保留区域102b对应的掩膜版区域201b的透光率与所述第二光刻胶部分保留区域102c对应的掩膜版区域201c的透光率不同，从而使得第一光刻胶部分保留区域102b和第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶的厚度不同，所述光刻胶完全保留区域102a对应所述主隔垫物所在区域，所述第一光刻胶部分保留区域102b对应所述辅隔垫物所在区域，所述第二光刻胶部分保留区域102c对应所述像素电极所在区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
本发明实施例中的光刻胶可以为正性光刻胶，也可以为负性光刻胶。当光刻胶为正性光刻胶时，掩膜版区域201b的透光率小于掩膜版区域201c的透光率。当光刻胶为负性光刻胶时，掩膜版区域201b的透光率大于掩膜版区域201c的透光率。从而，使得第一光刻胶部分保留区域102b的光刻胶的厚度大于第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶的厚度不同。
从图7中可以看出，光刻胶完全保留区域102a的光刻胶的厚度最高，第一光刻胶部分保留区域102b的光刻胶的厚度小于光刻胶完全保留区域102a的光刻胶的厚度，大于第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶的厚度。
本发明实施例中，主隔垫物对应的光刻胶区域的光刻胶完全保留，当然，在本发明的其他一些实施例中，主隔垫物对应的光刻胶区域的光刻胶也可以同辅隔垫物和像素电极对应的光刻胶区域一样，是部分保留。只要最终使得主隔垫物对应的光刻胶区域的光刻胶的厚度最高，辅隔垫物和像素电极对应的光刻胶区域的光刻胶的厚度依次降低即可。
步骤S24：请参考图8，采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的隔垫物材料层和透明导电薄膜，形成所述像素电极1011的图形；
步骤S25：请参考图9，采用灰化工艺去除所述第二光刻胶部分保留区域102c的光刻胶，以及所述光刻胶完全保留区域102a和所述第一光刻胶部分保留区域102b的部分光刻胶；
步骤S26：请参考图10，采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第二光刻胶部分保留区域102c的隔垫物材料层；
步骤S27：请参考图11，采用灰化工艺去除所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶102b，以及所述光刻胶完全保留区域102a的部分光刻胶；
步骤S28：请参考图12，采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一光刻胶部分保留区域102b的部分隔垫物材料层，形成所述辅隔垫物1022的图形；
步骤S29：请参考图13，剥离剩余的光刻胶，露出所述主隔垫物1021的图形。
本发明实施例中，采用非光刻材料形成隔垫物，使得隔垫物所能使用的材料的可能性更加多样。
上述实施例中，均以包括主隔垫物和辅隔垫物两种高度的隔垫物为例，对本发明实施例中的形成像素电极和隔垫物的方法进行说明。当然，在本发明的其他一些实施例中，也不排除仅包括一种高度的隔垫物的情况，在仅包括一种高度的隔垫物的实施例中，制作过程中可采用现有的包括完全透光区域、部分透光区域和完全遮挡区域的半色调掩膜版或灰色调掩膜版，形成像素电极和隔垫物，具体流程不再一一说明。
本发明实施例的阵列基板的制作方法中，在形成像素电极和隔垫物的图形的步骤之前还包括：形成薄膜晶体管以及形成钝化层的图形的步骤，其中，所述钝化层上形成有用于连接像素电极和薄膜晶体管的漏极的过孔。用于制作隔垫物的材料可用于填充阵列基板的钝化层上的用于连接像素电极和漏极的过孔，降低过孔造成的段差，提高阵列基板的平坦度，进一步地可改善取向膜的涂覆效果，减少因过孔引起的黑点等取向不良。
优选地，所述隔垫物形成在所述过孔所在区域，即隔垫物在阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域，从而可在彩膜基板上的隔垫物所对应区域设置黑矩阵，防止隔垫物区域漏光，且不影响显示。
本发明实施例还提供一种阵列基板，采用上述任一实施例所述的方法制作而成，所述阵列基板包括：像素电极和隔垫物，所述隔垫物设置于所述像素电极之上。
优选地，本发明实施例中的隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物。
本发明实施例的阵列基板还可以包括：
薄膜晶体管和钝化层，钝化层设置于所述薄膜晶体管之上，所述钝化层上具有用于连接所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极的过孔；
用于制作隔垫物的材料可用于填充阵列基板的钝化层上的用于连接像素电极和漏极的过孔，降低过孔造成的段差，提高阵列基板的平坦度，进一步地可改善取向膜的涂覆效果，减少因过孔引起的黑点等取向不良。
优选地，所述隔垫物设置在所述过孔所在区域，即隔垫物在阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域，从而可在彩膜基板上的隔垫物所对应区域设置黑矩阵，防止隔垫物区域漏光，且不影响显示。
请参考图14，图14为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图，所述阵列基板包括像素电极1011和隔垫物1020，其中，隔垫物1020位于用于连接像素电极和漏极的过孔位置处。本发明实施例中的隔垫物1020为柱状隔垫物，所述隔垫物的横截面为六角形。
在本发明的其他一些实施例中，隔垫物的横截面也可以为圆形，椭圆形，正方形，长方形，菱形或其他不规则图形等。
在本发明的另外一些实施例中，隔垫物也可以为球形隔垫物。
上述各实施例中的主隔垫物和辅隔垫物的分布情况可以根据需要设定，例如，主隔垫物和辅隔垫物可间隔设置，或者，一个区域中，包括一个主隔垫物，多个辅助隔垫物等等。
上述实施例对应的附图14由于是俯视图，因而难以体现出隔垫物可将用于连接像素电极和漏电极的过孔填充平整的效果，下面将结合附图15进行说明。
请参考图15，图15为本发明实施例的阵列基板的另一结构示意图，所述阵列基板包括衬底基板301、薄膜晶体管、钝化层303、像素电极1011和隔垫物1020，其中，薄膜晶体管包括栅电极3021、栅绝缘层3022、有源层3023、源电极3024和漏电极3025，所述钝化层303上设置有过孔3031，像素电极1011通过过孔3031与漏电极3025连接，而，隔垫物1020则设置于过孔3031所在区域。
从图15中可以看出，隔垫物1020可以将过孔3031填充平整，从而提高了阵列基板的平坦度，进一步地可改善后续的取向膜的涂覆效果，减少因过孔引起的黑点等取向不良。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板为上述任一实施例中的阵列基板。
优选地，本发明实施例的阵列基板还可以包括：
薄膜晶体管；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管之上，所述钝化层上具有用于连接所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极的过孔；
所述隔垫物设置在所述过孔所在区域，即隔垫物在阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域。
所述彩膜基板上的对应所述隔垫物的区域设置有黑矩阵，以防止隔垫物所在区域漏光，且不影响显示。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形的步骤包括：
依次形成透明导电薄膜和光刻胶层；
利用一掩膜版，对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域、第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率与所述第二光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率不同，所述光刻胶完全保留区域对应所述主隔垫物所在区域，所述第一光刻胶部分保留区域对应所述辅隔垫物所在区域，所述第二光刻胶部分保留区域对应所述像素电极所在区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的透明导电薄膜，形成所述像素电极的图形；
采用灰化工艺去除所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶，去除所述光刻胶完全保留区域的部分光刻胶，形成所述主隔垫物的图形，以及去除所述第一光刻胶部分保留区域的部分光刻胶,形成辅隔垫物的图形。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形的步骤包括：
依次形成透明导电薄膜和隔垫物材料层；
在所述隔垫物材料层上涂覆光刻胶层；
利用一掩膜版，对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域、第一光刻胶部分保留区域、第二光刻胶部分保留区域和光刻胶完全去除区域，其中，所述第一光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率与所述第二光刻胶部分保留区域对应的掩膜版区域的透光率不同，所述光刻胶完全保留区域对应所述主隔垫物所在区域，所述第一光刻胶部分保留区域对应所述辅隔垫物所在区域，所述第二光刻胶部分保留区域对应所述像素电极所在区域，所述光刻胶完全去除区域对应其他区域；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的隔垫物材料层和透明导电薄膜，形成所述像素电极的图形；
采用灰化工艺去除所述第二光刻胶部分保留区域的光刻胶，以及所述光刻胶完全保留区域和所述第一光刻胶部分保留区域的部分光刻胶；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第二光刻胶部分保留区域的隔垫物材料层；
采用灰化工艺去除所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶，以及所述光刻胶完全保留区域的部分光刻胶；
采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一光刻胶部分保留区域的部分隔垫物材料层，形成所述辅隔垫物的图形；
剥离剩余的光刻胶，露出所述主隔垫物的图形。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成像素电极和隔垫物的图形的步骤之前还包括：
形成薄膜晶体管；
形成钝化层的图形，所述钝化层上形成有用于连接像素电极和薄膜晶体管的漏极的过孔；
其中，所述隔垫物在所述阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括：
像素电极和隔垫物，其中，所述隔垫物设置于所述像素电极之上。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
薄膜晶体管；
钝化层，设置于所述薄膜晶体管之上，所述钝化层上具有用于连接所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极的过孔；
其中，所述隔垫物在所述阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述隔垫物包括主隔垫物和辅隔垫物。
9.根据权利要求6-8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述隔垫物为柱状隔垫物，所述隔垫物的横截面为六角形。
10.一种显示面板，其特征在于，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板为如权利要求6-9任一项所述的阵列基板。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板包括：薄膜晶体管；钝化层，设置于所述薄膜晶体管之上，所述钝化层上具有用于连接所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极的过孔；所述隔垫物在阵列基板上的投影位于所述过孔所在区域；
所述彩膜基板上的对应所述隔垫物的区域设置有黑矩阵。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10或11所述的显示面板。
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