CN105528106A - 内嵌式触控显示***、内嵌式触控面板及其布局 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种内嵌式触控显示***、内嵌式触控面板及其布局。内嵌式触控面板包含多个像素。每个像素的一叠层结构由下而上依序包含基板、薄膜晶体管元件层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层、液晶层、彩色滤光层及玻璃层。第一导电层或第二导电层为跨桥结构的一部分。跨桥结构靠近于薄膜晶体管元件层的一侧或靠近于液晶层的一侧。

Description

内嵌式触控显示***、内嵌式触控面板及其布局
技术领域
本发明与触控面板(Touchpanel)有关，特别是关于一种内嵌式(In-cell)触控显示***、内嵌式触控面板及其布局。
背景技术
请参照图1，图1为传统具有On-Cell叠层结构的电容式触控面板的叠层结构示意图。如图1所示，传统On-Cell的电容式触控面板的叠层结构1由下至上依序是：基板10、薄膜晶体管(TFT)元件层11、液晶层12、彩色滤光层13、玻璃层14、触控感应层15、偏光片16、粘合剂17及上覆透镜18。
由图1可知：传统具有On-Cell叠层结构的电容式触控面板则是将触控感应层15设置于玻璃层14的上方，亦即设置于液晶显示模块之外。虽然传统具有On-Cell叠层结构的电容式触控面板的厚度已较单片式玻璃触控面板(OneGlassSolution,OGS)来得薄，但在现今手机、平板电脑及笔记本电脑等可携式电子产品强调轻薄短小的趋势下，传统具有On-Cell叠层结构的电容式触控面板已达到其极限，无法满足最薄化的触控面板设计的需求。
因此，本发明提出一种内嵌式(In-cell)触控显示***、内嵌式(In-cell)触控面板及其布局，以改善现有技术所遭遇的种种问题。
发明内容
根据本发明的一较佳具体实施例为一种内嵌式触控面板。于此实施例中，内嵌式触控面板包含多个像素。每个像素的叠层结构包含基板、薄膜晶体管元件层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层、液晶层、彩色滤光层及玻璃层。薄膜晶体管元件层设置于基板上。第一绝缘层设置于薄膜晶体管元件层上。第一导电层设置于第一绝缘层上。第二绝缘层设置于第一导电层上。第二导电层设置于第二绝缘层上。第三绝缘层设置于第二导电层上。液晶层设置于第三绝缘层上方。彩色滤光层设置于液晶层上方。玻璃层设置于彩色滤光层上方。
于一实施例中，第一导电层与第二导电层均与薄膜晶体管元件层分离且均未与薄膜晶体管元件层进行整合。
于一实施例中，内嵌式触控面板为一自电容触控面板或一互电容触控面板。
于一实施例中，第一导电层与第二导电层均未耦接至一共同电压电极。
于一实施例中，第一导电层或第二导电层耦接至一共同电压电极。
于一实施例中，第一导电层及/或第二导电层为一跨桥结构的一部分，跨桥结构靠近于薄膜晶体管元件层的一侧或靠近于液晶层的一侧。
于一实施例中，第一导电层及第二导电层透过第三绝缘层而与液晶层彼此隔离。
于一实施例中，内嵌式触控面板适用于采用横向电场效应显示技术(In-Plane-SwitchingLiquidCrystal，IPS)、边界电场切换广视角技术(FringeFieldSwitching，FFS)或高阶超广视角技术(AdvancedHyper-ViewingAngle，AHVA)的显示器。
于一实施例中，彩色滤光层包含一彩色滤光片(ColorFilter)及一黑色矩阵光阻(BlackMatrixResist)，黑色矩阵光阻具有良好的光遮蔽性。
于一实施例中，第一导电层及第二导电层位于黑色矩阵光阻的下方。
于一实施例中，第一导电层及第二导电层为透明或不透明的导电材料所构成。
于一实施例中，第一导电层及第二导电层之间彼此耦接或不耦接。
于一实施例中，第一导电层及第二导电层为水平排列、垂直排列或交错(Mesh)排列。
于一实施例中，当内嵌式触控面板为互电容式触控面板时，驱动电极可由第一导电层及第二导电层组成，感测电极则为第二导电层。或反之感测电极由第一导电层及第二导电层组成，驱动电极则为第二导电层。
根据本发明的另一较佳具体实施例亦为一种内嵌式触控面板。于此实施例中，内嵌式触控面板包含多个像素。每个像素的叠层结构包含基板、薄膜晶体管元件层、液晶层、彩色滤光层及玻璃层。薄膜晶体管元件层设置于基板上。薄膜晶体管元件层内整合设置有第一导电层及第二导电层，其中第一导电层与源极及汲极同时形成且第二导电层设置于第一导电层的上方。液晶层设置于薄膜晶体管元件层上方。彩色滤光层设置于液晶层上方。玻璃层设置于彩色滤光层上方。
于一实施例中，于形成该源极及该汲极的工艺中，该第一导电层亦同时形成。
于一实施例中，为一点自电容触控面板。
于一实施例中，该第一导电层与该第二导电层均未耦接至一共同电压电极。
于一实施例中，该第一导电层或该第二导电层耦接至一共同电压电极。
于一实施例中，该第一导电层为感测电极且该第二导电层为走线，或是该第一导电层为走线且该第二导电层为感测电极。
于一实施例中，该感测电极耦接至少一条走线且该至少一条走线的方向为直线或非直线。
于一实施例中，该彩色滤光层包含一彩色滤光片及一黑色矩阵光阻，该黑色矩阵光阻具有良好的光遮蔽性。
于一实施例中，该第一导电层及该第二导电层位于该黑色矩阵光阻的下方。
于一实施例中，该第一导电层及该第二导电层为透明或不透明的导电材料所构成。
于一实施例中，该第一导电层及该第二导电层之间彼此耦接或不耦接。
于一实施例中，该第一导电层为水平排列或垂直排列且该第二导电层为水平排列、垂直排列或交错排列。
根据本发明的另一较佳具体实施例为一种内嵌式触控显示***。于此实施例中，内嵌式触控显示***包含内嵌式触控面板、驱动IC及触控IC。其中，内嵌式触控面板可如同前述两较佳具体实施例所述。驱动IC包含一共同电压选择开关。触控IC耦接至驱动IC。
于一实施例中，当内嵌式触控面板为全内嵌式(Fullyin-cell)触控面板时，内嵌式触控面板中的第一导电层或第二导电层耦接至共同电压或是切换成第一导电层及第二导电层均不耦接至共同电压。
于一实施例中，内嵌式触控面板中的至少一传送电极透过至少一传送电极走线直接电性连接至触控IC且触控IC亦电性连接至驱动IC中，并可选择是否切换至共同电压或传送电压；内嵌式触控面板中的至少一接收电极透过至少一接收电极走线直接电性连接至驱动IC中，并可选择是否切换至共同电压或接收电压。
于一实施例中，内嵌式触控面板中的至少一传送电极透过至少一传送电极走线电性连接至驱动IC中的一传送/接收单元且传送/接收单元亦电性连接至触控IC，而触控IC亦电性连接至驱动IC中，并可选择是否切换至共同电压或传送电压；内嵌式触控面板中的至少一接收电极透过至少一接收电极走线直接电性连接至驱动IC中，并可选择是否切换至共同电压或接收电压。
相较于现有技术，根据本发明的内嵌式触控面板及其布局采用最简化的叠层结构及触控感测电极的设计，较容易生产且可降低成本，并可在触控电极不与TFT元件整合的情况下将触控电极与TFT元件层之间的驱动关系单纯化，以避免传统上内嵌式触控面板中的触控电极与TFT元件层整合所导致的良率不佳现象，由以提升内嵌式触控面板的整体效能及良率。
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明具体实施方式及所附附图得到进一步的了解。
附图说明
图1为传统具有On-Cell叠层结构的电容式触控面板的叠层结构示意图。
图2为本发明的内嵌式触控面板的叠层结构示意图。
图3为图2中的触控元件层22的一实施例的叠层结构示意图。
图4为图3中的跨桥结构B1与触控电极323的俯视示意图。
图5为触控元件层22的另一实施例的叠层结构示意图。
图6为图5中的跨桥结构B2与触控电极321的俯视示意图。
图7为采用网格状的图样设计的导电层的示意图。
图8为互电容触控电极的跨桥结构的俯视示意图。
图9为触控电极及其走线的俯视示意图。
图10为采用点自电容(nodetypeself-capacitance)触控感测技术的内嵌式电容式触控面板的示意图。
图11及图12分别为采用点自电容触控感测技术的内嵌式电容式触控面板中的触控感测电极与其走线的不同连接方式。
图13为采用点自电容触控感测技术的内嵌式电容式触控面板的叠层结构示意图。
图14及图15分别为内嵌式触控显示***中的全内嵌式触控面板的传送器电极及接收器电极与驱动IC及触控IC的不同设计的示意图。
图16A及图16B分别为一般的内嵌式触控显示***与本发明的内嵌式触控显示***的信号波形图。
主要组件符号说明
1～2叠层结构
10、20、111基板
11、21、112薄膜晶体管(TFT)元件层
12、23、113液晶层
13、24、114彩色滤光层
14、25、115玻璃层
15触控感应层
16、26偏光片
17粘合剂
18上覆透镜
22触控元件层
CF彩色滤光片
BM黑色矩阵光阻
M1、M2、321、323导电层
320、322、324绝缘层
TE1～TE3触控电极
W1～W3走线
B、B1、B2跨桥结构
LC液晶单元
S源极
D汲极
G闸极
TP内嵌式触控面板
TX、TX1～TX2传送器电极及其走线
RX、RX1～RX2接收器电极及其走线
11A触控与显示IC
11B控制IC
120触控IC
DDIC驱动IC
VCOM共同电压
S/R传送/接收单元
HV高电压
LV低电压
△T充放电时间
具体实施方式
根据本发明的一较佳具体实施例为一种内嵌式的电容式触控面板。实际上，由于内嵌式的电容式触控面板可达成最薄化的触控面板设计，可广泛应用于智能手机、平板电脑及笔记本电脑等各种可携式消费性电子产品上。
于此实施例中，内嵌式的电容式触控面板所适用的显示器可以是采用横向电场效应显示技术(In-Plane-SwitchingLiquidCrystal，IPS)或由其延伸的边界电场切换广视角技术(FringeFieldSwitching，FFS)或高阶超广视角技术(AdvancedHyper-ViewingAngle，AHVA)的显示器，但不以此为限。
一般而言，目前市场上的主流电容式触控感测技术应为投射式电容触控感测技术，可分为互电容(Mutualcapacitance)及自电容(Selfcapacitance)两种。互电容触控感测技术就是当触碰发生时，会在邻近两电极间产生电容耦合的现象，并由电容量变化来确定触碰动作的发生；自电容触控感测技术就是触控物与电极间产生电容耦合，并量测电极的电容量变化，以确定触碰动作的发生。
需说明的是，此实施例中的内嵌式的电容式触控面板可采用互电容(Mutualcapacitance)或自电容(Selfcapacitance)触控感测技术，其触控电极是以网格状分布且可视实际需求形成不同布局以分别应用于自电容式触控或互电容式触控上。
此外，此实施例将触控电极设置于薄膜晶体管(TFT)元件层与液晶层之间，使得触控电极整合至与显示器的驱动元件(TFT元件)同侧，但触控电极在结构上是独立的，并未使用到TFT元件的任何部分，由以将触控电极与TFT元件之间的驱动关系单纯化，避免由于触控电极与部分的TFT元件整合所导致的良率不佳问题。
接下来，将分别就此实施例的内嵌式的电容式触控面板的叠层结构进行详细的说明。
请参照图2，图2为此实施例的内嵌式的电容式触控面板的叠层结构示意图。如图2所示，于一实施例中，内嵌式的电容式触控面板的叠层结构由下至上依序是：基板20、薄膜晶体管(TFT)元件层21、触控元件层22、液晶层23、彩色滤光层24、玻璃层25及偏光片层26。其中，需特别说明的是触控元件层22设置于TFT元件层21与液晶层23之间。TFT元件层21的结构并无特定的限制，可以是任何可能的设计。TFT元件层21中的半导体层由半导体材料构成，例如低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)、氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)或非晶质硅(a-Si)等材料，但不以此为限。
于此实施例中，彩色滤光层24包含彩色滤光片(ColorFilter)CF及黑色矩阵光阻(BlackMatrixResist)BM两部分，其中黑色矩阵光阻BM具有良好的光遮蔽性，可应用于彩色滤光层24中，作为区隔红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的彩色滤光片的材料。此外，黑色矩阵光阻BM亦可用来与触控元件层22中的触控电极对准，由以遮住触控元件层22中的触控电极，故触控元件层22中的触控电极除了可由透明的导电材料构成之外，亦可由不透明的导电材料构成，均不会影像到显示器的像素的开口率。
接着，请参照图3，图3为触控元件层22的一实施例的叠层结构示意图。如图3所示，首先，在TFT元件层21上形成绝缘层320；再于绝缘层320上形成导电层321；接着，将绝缘层322覆盖于导电层321上；然后，在绝缘层322制作通孔(VIA)；之后，在通孔内与绝缘层322上分别形成导电层323，使得形成于通孔内的导电层323会与导电层321彼此电性连接，而形成一跨桥结构；最后，在导电层323上方形成绝缘层324。由此，由导电层321与导电层323共同形成的跨桥结构B1为一触控电极(例如X方向感测电极)，其可从另一触控电极-导电层323(例如Y方向感测电极)的下方绕过，由以达到触控电极跨接的功效。
需说明的是，由于此实施例中的跨桥结构B1(例如X方向感测电极)是从导电层323(例如Y方向感测电极)的下方绕过，故此实施例中的跨桥结构B1是较靠近于TFT元件层21的一侧。请参照图4，图4为图3中的跨桥结构B1与触控电极(导电层)323的俯视示意图。由图4很明显可看出：跨桥结构B1是从触控电极(导电层)323的下方绕过。
于实际应用中，导电层321与导电层323可以是由相同的导电材料构成，亦可以是由不同的导电材料构成，并无特定的限制。同理，绝缘层320、322与324可以是由相同的有机或无机绝缘材料构成，亦可以是由不同的有机或无机绝缘材料构成，并无特定的限制。此外，由上述可知：作为X方向感测电极的跨桥结构B1由导电层321与导电层323共同形成，这代表同一个方向的感测电极可由不同的导电层组成。
接着，请参照图5，图5为触控元件层22的另一实施例的叠层结构示意图。如图5所示，首先，在TFT元件层21上形成绝缘层320；再于绝缘层320上分别形成彼此分离的数个导电层321；接着，将绝缘层322覆盖于该些导电层321上；然后，在绝缘层322制作通孔(VIA)；之后，在通孔内与绝缘层322上分别形成导电层323，使得形成于通孔内的导电层323会与导电层321彼此电性连接，而形成一跨桥结构B2。由此，由导电层321与导电层323共同形成的跨桥结构B2为一触控电极(例如X方向感测电极)，其可从另一触控电极-导电层321(例如Y方向感测电极)的上方绕过，由以达到触控电极跨接的功效。
需说明的是，由于此实施例中的跨桥结构B2(例如X方向感测电极)是从导电层321(例如Y方向感测电极)的上方绕过，故此实施例中的跨桥结构将会是较靠近于液晶层33的一侧。请参照图6，图6为图5中的触控电极(导电层)321与跨桥结构B2的俯视示意图。由图6很明显可看出：跨桥结构B2是从触控电极(导电层)321的上方绕过。
接下来，将就触控元件层22中的触控电极的图样(Pattern)设计进行说明。
于此实施例中，触控电极采用网格状的图样设计，并可透过上述的跨桥结构B1或B2在适当位置进行触控电极的跨接，再搭配断开导电层形成断路的方式，即可依照不同需求分别将网格状的导电层设计为自电容触控电极或互电容触控电极。如图7所示，图7为采用网格状的图样设计的导电层，其中第一电极区域TE1与第二电极区域TE2之间透过断开导电层形成断路的方式彼此分离；第一电极区域TE1与第三电极区域TE3之间则因B区并无断开而彼此电性相连。
请参照图8，图8为互电容触控电极的跨桥结构的俯视示意图。如图8所示，第一触控电极TX1与TX2之间透过跨桥结构B从第二触控电极RX1与RX2上方跨过而彼此电性相连。
请参照图9，图9为触控电极及其走线的俯视示意图。如图9所示，触控电极TE1～TE3及其走线W1～W3可分别于在前述的不同导电层321及导电层323，可根据不同设计应用于互电容或自电容触控感测上。
根据本发明的另一较佳具体实施例亦为一种内嵌式的电容式触控面板。实际上，由于内嵌式的电容式触控面板可达成最薄化的触控面板设计，可广泛应用于智能手机、平板电脑及笔记本电脑等各种可携式消费性电子产品上。
需说明的是，此实施例中的内嵌式的电容式触控面板采用点自电容(nodetypeself-capacitance)触控感测技术，透过两导电层将触控电极设置于TFT元件层的基板上，其具有最简化的叠层结构设计，并且其触控感测电极及其走线的设计简单，容易生产并可降低成本。
于此实施例中，上述两导电层包含第一导电层M1与第二导电层M2。第一导电层可以是由任何导电材料构成，其排列可以是水平排列或垂直排列，并可通过位于具有良好光遮蔽性的黑色矩阵光阻的下方来获得遮蔽，但不以此为限。第二导电层亦可以是由任何导电材料构成，其排列可以是水平排列、垂直排列，或交错排列，亦可通过位于具有良好光遮蔽性的黑色矩阵光阻的下方来获得遮蔽，但不以此为限。实际上，第一导电层与第二导电层可彼此电性连接或彼此分离，并无特定的限制。
请参照图10，图10为采用点自电容(Nodetypeself-capacitance)触控感测技术的内嵌式电容式触控面板的示意图。如图10所示，内嵌式电容式触控面板TP包含设置于下基板上的触控感测电极M2及其走线M1。每个触控感测电极M2均会透过其走线M1电性连接至触控与显示IC11A。需说明的是，此实施例中的触控IC与显示IC整合于同一芯片，但实际上两者亦可彼此分开设置，并无特定的限制。
接着，请参照图11及图12，图11及图12分别为采用点自电容触控感测技术的内嵌式电容式触控面板中的触控感测电极与其走线的不同连接方式。由图11及图12可知：触控感测电极M2与其走线M1之间的连接方式非常弹性，每个触控感测电极M2可连接一条或多条走线M1，并且每个触控感测电极M2与其走线M1之间的连接可以是对称性或非对称性的排列。此外，每条走线M1的走线方向亦不一定非要直线，亦可视实际需要做调整。
需说明的是，由于内嵌式电容式触控面板中的触控感测电极M2与其走线M1之间采用非常弹性的连接方式，这会对于内嵌式电容式触控面板的阻抗匹配设计有所帮助。
传统上，当触控感测电极与其走线位于同一层时，若欲维持触控感测电极的面积不变，则其走线占用区域(Deadzone)的面积过大，将会影响内嵌式电容式触控面板进行触控感测时的准确性；若欲避免走线占用区域的面积过大，则必须缩小触控感测电极的面积，将会导致触控感测电极面积大小不一，亦会影响内嵌式电容式触控面板进行触控感测的准确性。
为了克服上述缺点，如图13所示，本发明中的两导电层M1及M2位于上下两层，而非位于同一层，亦即本发明中的触控感测电极M2与其走线M1并非位于同一层，因此，此一设计可同时克服传统上走线占用区域的面积过大以及触控感测电极面积大小不一等缺点，故能够维持内嵌式电容式触控面板进行触控感测的准确性。
需说明的是，本发明中的两导电层M1及M2于叠层结构中的相对位置关系并不以图13为限，亦可依照不同的面板特性有不同的设计。
于另一实施例中，本发明公开一种内嵌式触控显示***。于此实施例中，内嵌式触控显示***包含内嵌式触控面板、驱动IC及触控IC。其中，内嵌式触控面板可以是全内嵌式(Fullyin-cell)触控面板，其每个像素的叠层结构可参照前述两实施例所示，并且驱动IC及触控IC均经过重新设计设置及连接，但不以此为限。于一实施例中，请参照图14，内嵌式触控面板TP中的TX电极透过TX走线直接电性连接至触控IC120，且触控IC120亦电性连接至驱动ICDDIC中并可选择是否切换至共同电压VCOM；内嵌式触控面板TP中的RX电极则透过RX走线直接电性连接至驱动ICDDIC中，并可选择是否切换至共同电压VCOM或感测电压。
于本案实施例中，内嵌式触控面板TP中的第一导电层M1或第二导电层M2可耦接至共同电压电极或是切换成第一导电层M1及第二导电层M2均不耦接至共同电压电极，并无特定的限制。
于另一实施例中，请参照图15，内嵌式触控面板TP中的TX电极透过TX走线电性连接至驱动ICDDIC中的传送/接收单元S/R(shiftregister)，且传送/接收单元S/R亦电性连接至触控IC120，而触控IC120亦电性连接至驱动ICDDIC中并可选择是否切换至共同电压VCOM；内嵌式触控面板TP中的RX电极则透过RX走线直接电性连接至驱动ICDDIC中并可选择是否切换至共同电压VCOM或感测电压。
于本案实施例中，内嵌式触控面板TP中的第一导电层M1或第二导电层M2可耦接至共同电压电极或是切换成第一导电层M1及第二导电层M2均不耦接至共同电压电极，并无特定的限制。
请参照图16A及图16B，图16A及图16B分别为一般的内嵌式触控显示***与本发明的内嵌式触控显示***的信号波形图。比较图16A与图16B可知：相较于一般的内嵌式触控显示***，本发明的内嵌式触控显示***可省去***信号从共同电压VCOM充电至低电压LV以及从低电压LV放电至共同电压VCOM所耗费的充放电时间△T，还能够更有效地控制***信号的电压准位。
相较于现有技术，根据本发明的内嵌式触控面板及其布局采用最简化的叠层结构及触控感测电极的设计，容易生产并降低成本，并在不使用TFT元件的情况下将触控电极与TFT元件的驱动关系单纯化，以避免内嵌式触控面板中的触控电极与TFT元件整合所导致的良率不佳现象，由以提升内嵌式触控面板的整体效能及良率。
通过以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所公开的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的权利要求的范畴内。

Claims (30)

1.一种内嵌式触控面板，其特征在于，该内嵌式触控面板包含：
多个像素(Pixel)，每个像素的一叠层结构包含：
一基板；
一薄膜晶体管元件层，设置于该基板上；
一第一绝缘层，设置于该薄膜晶体管元件层上；
一第一导电层，设置于该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，设置于该第一导电层上；
一第二导电层，设置于该第二绝缘层上；
一第三绝缘层，设置于该第二导电层上；
一液晶层，设置于该第三绝缘层上方；
一彩色滤光层，设置于该液晶层上方；以及
一玻璃层，设置于该彩色滤光层上方。
2.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层均与该薄膜晶体管元件层分离且均未与该薄膜晶体管元件层进行整合。
3.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该内嵌式触控面板为一自电容触控面板或一互电容触控面板。
4.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层均未耦接至一共同电压电极。
5.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层或该第二导电层耦接至一共同电压电极。
6.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及/或该第二导电层为一跨桥结构的一部分，该跨桥结构靠近于该薄膜晶体管元件层的一侧或靠近于该液晶层的一侧。
7.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层透过该第三绝缘层而与该液晶层彼此隔离。
8.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，适用于采用横向电场效应显示技术、边界电场切换广视角技术或高阶超广视角技术的显示器。
9.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该彩色滤光层包含一彩色滤光片及一黑色矩阵光阻，该黑色矩阵光阻具有良好的光遮蔽性。
10.如权利要求9所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层位于该黑色矩阵光阻的下方。
11.如权利要求10所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层为透明或不透明的导电材料所构成。
12.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层之间彼此耦接或不耦接。
13.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层为水平排列、垂直排列或交错排列。
14.如权利要求1所述的内嵌式触控面板，其特征在于，当该内嵌式触控面板为一互电容式触控面板时，该互电容式触控面板的一驱动电极由该第一导电层及该第二导电层组成且该互电容式触控面板的一感测电极为该第二导电层，或是该感测电极由该第一导电层及该第二导电层组成且该驱动电极为该第二导电层。
15.一种内嵌式触控面板，其特征在于，该内嵌式触控面板包含：
多个像素(Pixel)，每个像素的一叠层结构包含：
一基板；
一薄膜晶体管元件层，设置于该基板上，该薄膜晶体管元件层内整合设置有一第一导电层及一第二导电层，且该第二导电层设置于该第一导电层的上方；
一液晶层，设置于该薄膜晶体管元件层上方；
一彩色滤光层，设置于该液晶层上方；以及
一玻璃层，设置于该彩色滤光层上方。
16.如权利要求15所述的内嵌式触控面板，其特征在于，于形成该源极及该汲极的工艺中，该第一导电层亦同时形成。
17.权利要求15所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该内嵌式触控面板为一点自电容触控面板。
18.如权利要求15所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层均未耦接至一共同电压电极。
19.如权利要求15所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层或该第二导电层耦接至一共同电压电极。
20.如权利要求17所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层为感测电极且该第二导电层为走线，或是该第一导电层为走线且该第二导电层为感测电极。
21.如权利要求20所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该感测电极耦接至少一条走线且该至少一条走线的方向为直线或非直线。
22.如权利要求15所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该彩色滤光层包含一彩色滤光片及一黑色矩阵光阻，该黑色矩阵光阻具有良好的光遮蔽性。
23.如权利要求22所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层位于该黑色矩阵光阻的下方。
24.如权利要求23所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层为透明或不透明的导电材料所构成。
25.如权利要求15所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层之间彼此耦接或不耦接。
26.如权利要求15所述的内嵌式触控面板，其特征在于，该第一导电层为水平排列或垂直排列且该第二导电层为水平排列、垂直排列或交错排列。
27.一种内嵌式触控显示***，其特征在于，该内嵌式触控显示***包含：
如权利要求1～26所述的内嵌式触控面板；
一驱动IC，包含一共同电压选择开关；以及
一触控IC，耦接至该驱动IC。
28.如权利要求27所述的内嵌式触控显示***，其特征在于，当该内嵌式触控面板为全内嵌式(Fullyin-cell)触控面板时，该第一导电层或该第二导电层耦接至该共同电压或是切换成该第一导电层及该第二导电层均不耦接至该共同电压。
29.如权利要求27所述的内嵌式触控显示***，其特征在于，该内嵌式触控面板中的至少一传送电极透过至少一传送电极走线直接电性连接至该触控IC且该触控IC亦电性连接至该驱动IC中，并可选择是否切换至该共同电压或传送电压；该内嵌式触控面板中的至少一接收电极透过至少一接收电极走线直接电性连接至该驱动IC中，并可选择是否切换至该共同电压或接收电压。
30.如权利要求27所述的内嵌式触控显示***，其特征在于，该内嵌式触控面板中的至少一传送电极透过至少一传送电极走线电性连接至该驱动IC中的一传送/接收单元且该传送/接收单元亦电性连接至该触控IC，而该触控IC亦电性连接至该驱动IC中，并可选择是否切换至该共同电压或传送电压；该内嵌式触控面板中的至少一接收电极透过至少一接收电极走线直接电性连接至该驱动IC中，并可选择是否切换至该共同电压或接收电压。
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