CN105518886A - 发光单元、发光装置及发光单元的制造方法 - Google Patents

发光单元、发光装置及发光单元的制造方法 Download PDF

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Abstract

具备：光透射性的第1绝缘薄片，对于可见光具有透射性；第2绝缘薄片，与所述第1绝缘薄片对置地配置；多个导体图案，例如由对于可见光具有透射性的网格图案构成，形成在所述第1绝缘薄片和所述第2绝缘薄片之中的至少一方的表面上；多个第1发光元件，与所述多个导体图案之中的任意2个导体图案连接；以及树脂层，配置在所述第1绝缘薄片与所述第2绝缘薄片之间，保持所述第1发光元件。

Description

发光单元、发光装置及发光单元的制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及发光单元、发光装置及发光单元的制造方法。
背景技术
近年来，用于减少能量消耗量的措施得到重视。在这样的背景下，耗电较少的LED(LightEmittingDiode)作为下一代光源受到关注。LED体积小且发热量少，响应性也很好。因此，LED被广泛应用于室内用、室外用、固定设置用、移动用等的显示装置、显示用灯、各种开关类、信号装置、一般照明等光学装置。
以往，将这种LED安装到布线板时，一直使用线接合法。但是，线接合法并不适于将LED芯片安装到柔性基板等具有挠性的材料。于是，提出了各种不使用线接合法来安装LED芯片的技术。
在这样的模块中，LED芯片配置在形成有透明电极的1组透明薄片之间。在这种模块中，需要确保模块的透明性及挠性，并且有效地向LED芯片供电。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2012-084855号公报
发明内容
发明所要解决的技术课题
本发明是鉴于上述情况而做出的，其课题在于，实现模块的透明性及挠性，并且有效地供电。
解决课题所采用的技术手段
为了解决上述课题，本实施方式的发光单元具有，第1绝缘薄片，例如相对于可见光具有透射性；第2绝缘薄片，与所述第1绝缘薄片对置地配置；多个导体图案，例如由相对于可见光具有透射性的导体图案构成，形成在所述第1绝缘薄片和所述第2绝缘薄片中的至少一方的表面上；多个第1发光元件，与所述多个导体图案中的任2个导体图案连接；以及树脂层，配置在所述第1绝缘薄片与所述第2绝缘薄片之间，保持所述第1发光元件。
根据本实施方式，能够提供具有对光的透射性或者挠性的发光单元。
附图说明
图1是发光单元的立体图。
图2是发光单元的展开立体图。
图3是发光面板的侧面图。
图4是发光单元的平面图。
图5是发光元件的立体图。
图6是表示与导体图案连接的发光元件的图。
图7是表示与导体图案连接的发光元件的情形的图。
图8是柔性缆线的侧面图。
图9是用于说明发光面板和柔性缆线的连接要领的图。
图10是用于说明导体图案的制造要领的图。
图11是用于说明导体图案的制造要领的图。
图12是用于说明导体图案的制造要领的图。
图13是用于说明导体图案的制造要领的图。
图14是用于说明导体图案的制造要领的图。
图15是用于说明导体图案的制造要领的图。
图16是用于说明发光面板的制造要领的图。
图17是用于说明发光面板的制造要领的图。
图18是具备发光单元的发光装置的框图。
图19是表示导体图案的变形例的图。
图20是表示发光面板的变形例的图。
图21是表示发光单元的变形例的图。
图22是表示发光单元的变形例的图。
图23是表示发光面板的变形例的图。
图24是表示发光面板的变形例的图。
图25是表示发光面板的变形例的图。
图26是表示发光面板的变形例的图。
图27是发光元件的侧面图。
图28是透明薄片的立体图。
图29是发光面板的侧面图。
图30是表示发光面板的变形例的图。
图31是表示发光面板的变形例的图。
图32是表示发光面板的变形例的图。
图33A是用于说明导体图案的制造要领的图。
图33B是用于说明导体图案的制造要领的图。
图34A是用于说明导体图案的制造要领的图。
图34B是用于说明导体图案的制造要领的图。
图35是发光单元的平面图。
图36是用于说明导体图案的制造要领的图。
图37是用于说明导体图案的制造要领的图。
图38是用于说明导体图案的制造要领的图。
图39是用于说明导体图案的制造要领的图。
图40是用于说明本实施方式的效果的图。
图41是用于说明本实施方式的效果的图。
图42是表示发光面板的变形例的图。
图43是表示发光面板的变形例的图。
图44是表示发光面板的变形例的图。
图45是表示发光面板的变形例的图。
图46是用于说明导体图案的制造要领的图。
图47是用于说明导体图案的制造要领的图。
图48是用于说明导体图案的制造要领的图。
图49是用于说明导体图案的制造要领的图。
图50是用于说明导体图案的制造要领的图。
图51是用于说明导体图案的制造要领的图。
图52是表示发光面板的变形例的图。
图53是表示发光面板的变形例的图。
图54是表示与构成导体图案的薄膜导体的线宽和间距对应的透射率的对应表的图。
具体实施方式
《第1实施方式》
以下使用附图说明本发明的第1实施方式。在说明中，使用由相互正交的X轴、Y轴、Z轴构成的XYZ坐标系。
图1是本实施方式的发光单元10的立体图。此外，图2是发光单元10的展开立体图。参照图1及图2可知，发光单元10具有发光面板20、柔性缆线40、连接器50、加强板60。
图3是发光面板20的侧面图。如图3所示，发光面板20具有1组透明薄片21、22、形成在透明薄片21、22之间的树脂层24、配置在树脂层24的内部的8个发光元件301～308。
透明薄片21、22是以长边方向为X轴方向的长方形的薄片。透明薄片21的厚度为50～300μm左右，相对于可见光具有透射性。透明薄片21的总光线透射率优选为5～95％左右。另外，总光线透射率指的是依据日本工业标准JISK7375：2008而测定的总光透射率。
透明薄片21、22具有挠性，其弯曲弹性率为0～320kgf/mm2左右。另外，弯曲弹性率是通过依据于ISO178(JISK7171：2008)的方法测定出的值。
作为透明薄片21、22的素材，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丁二酸乙二醇酯(PES)、ARTON、丙烯酸树脂等。
在上述1组透明薄片21、22中的透明薄片21的下表面(图3中的－Z侧的面)形成有厚度为0.05μm～2μm左右的导体层23。
图4是发光单元10的平面图。参照图3及图4可知，导体层23由沿着透明薄片21的+Y侧外缘形成的L字状的导体图案23a、以及沿着透明薄片21的－Y侧的外缘排列的长方形的导体图案23b～23i构成。导体图案23a～23i是由铜(Cu)或银(Ag)等金属材料构成的导体图案。此外，在发光单元10中，导体图案23a～23i彼此的距离D约为100μm以下。透明薄片21被由狭缝划分的导体图案23a～23i整面地覆盖。由此，能够实现低电阻化。此外，导体图案23a的L字状的部分构成折返部分。
在发光单元10中，透明薄片22与透明薄片21相比，X轴方向的长度更短。因此，参照图3可知，构成导体层23的导体图案23a和导体图案23i的+X侧端成为露出的状态。
树脂层24形成在透明薄片21、22之间。树脂层24相对于可见光具有透射性。
维卡软化温度下的树脂层24的拉伸储能模量为0.1MPa以上。此外，树脂层24的熔解温度优选为180℃以上、或者比维卡软化温度高40℃以上。并且，树脂层24的玻璃转移温度优选为－20℃以下。作为树脂层24所使用的弹性体，可以想到丙烯酸系弹性体、烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、酯系弹性体、聚氨酯系弹性体等。此外，关于树脂层24，维卡软化温度处于80℃以上160℃以下的范围，0℃～100℃之间的拉伸储能模量处于0.01GPa以上10GPa以下的范围。
发光元件301是正方形的LED芯片。如图5所示，发光元件301是由衬底基板31、N型半导体层32、活性层33、P型半导体层34构成的4层构造的LED芯片。发光元件301的额定电压约为2.5V。
衬底基板31是蓝宝石基板或半导体基板。在衬底基板31的上表面，形成有与该衬底基板31同形状的N型半导体层32。并且，在N型半导体层32的上表面，依次层积着活性层33、P型半导体层34。层积在N型半导体层32上的活性层33及P型半导体层34，在－Y侧且－X侧的角落部分形成有切口，N型半导体层的表面露出。作为N型半导体层32、活性层33、P型半导体层34，例如使用化合物半导体。
在N型半导体层32的从活性层33和P型半导体层34露出的部分，形成有与N型半导体层32电连接的焊盘36。此外，在P型半导体层34的+X侧且+Y侧的角落部分，形成有与P型半导体层34电连接的焊盘35。焊盘35、36由铜(Cu)、金(Au)构成，在上表面形成具有导电性的凸起37、38。凸起37、38由金(Au)或金合金等的金属凸起构成，并整形为半球状。作为金属凸起，可以使用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、AuSn等或者这些金属的合金。也可以取代金属凸起而使用焊锡凸起。在发光元件30中，凸起37作为阴电极起作用，凸起38作为阳电极起作用。
如上述那样构成的发光元件301如图6所示，配置在导体图案23a、23b之间，凸起37与导体图案23a连接，凸起38与导体图案23b连接。
图7是表示与导体图案23a、23b连接的发光元件301的情形的图。参照图7可知，导体图案23a～23i由线宽d1约为10μm的薄膜导体构成，薄膜导体的间距d2约为300μm。此外，线间距离d3为290μm。导体图案23a～23i的透射率Pe用下式表示。在本实施方式中，导体图案23a～23i的透射率Pe为93.44％左右。
Pe＝(d3×d3)/(d2×d2)＝(d2－d1)2/d22
如图7所示，在发光元件301中，凸起37与设置于导体图案23a的连接焊盘P连接，凸起38与设置于导体图案23b的连接焊盘P连接。在图7的例子中，发光元件的凸起37、38的间距是构成导体图案23a、23b的薄膜导体的间距d2的2倍以下，在该例中，与间距d2同等。
其他发光元件302～308也具有与发光元件301同等的构成。并且，发光元件302配置在导体图案23b、23c之间，凸起37、38分别与导体图案23b、23c连接。以下同样，发光元件303跨及导体图案23c、23d而配置。发光元件304跨及导体图案23d、23e而配置。发光元件305跨及导体图案23e、23f而配置。发光元件306跨及导体图案23f、23g而配置。发光元件307跨及导体图案23g、23h而配置。发光元件308跨及导体图案23h、23i而配置。由此，导体图案23a～23i及发光元件301～308串联连接。在发光面板20中，发光元件30以10mm间隔配置。
图8是柔性缆线40的侧面图。如图8所示，柔性缆线40由基材41、导体层43、覆盖层42构成。
基材41是以长边方向作为X轴方向的长方形的部件。该基材41例如由聚酰亚胺构成，在上表面形成有导体层43。导体层43是通过将粘贴在聚酰亚胺的上表面的铜箔进行图案形成而制作的。在本实施方式中，导体层43如图4所示由2个导体图案43a、43b构成。
形成在基材41的上表面上的导体层43被真空热压接的覆盖层42覆盖。该覆盖层42如图8所示，与基材41相比，X轴方向的长度更短。因此，构成导体层43的导体图案43a、43b的－X侧端部成为露出的状态。此外，在覆盖层42设置有开口部42a，导体图案43a、43b的+X侧端部从该开口部42a露出。
参照图4及图9可知，如上述那样构成的柔性缆线40，在从覆盖层42露出的导体图案43a、43b与发光面板20的导体图案23a、23i的+X侧端部接触的状态下被粘接到发光面板20。
如图2所示，连接器50是正方体状的零件，连接着从直流电源引出的缆线。连接器50安装在柔性缆线40的+X侧端部上表面。连接器50被安装到柔性缆线40后，如图9所示，连接器50的一对端子50a分别经由设置于覆盖层42的开口部42a与柔性缆线40的导体图案43a、43b连接。
如图2所示，加强板60是以长边方向作为X轴方向的长方形板状的部件。加强板60例如由环氧树脂或丙烯酸构成。如图9所示，该加强板60粘贴在柔性缆线40的下表面。因此，柔性缆线40能够在加强板60的－X侧端与发光面板20的+X侧端之间弯曲。
接下来，说明构成上述的发光单元10的发光面板20的制造方法。首先，准备由PET构成的透明薄片21。然后，如图10所示，使用去除法或添加法等，在透明薄片21的表面整体形成网格状的导体层23。然后，使用能量束、例如激光对该导体层23进行切断，由此形成导体图案23a～23i。
导体层23的切断，通过向形成于透明薄片21的表面上的导体层23照射激光来进行。然后，使激光的激光点沿着图11所示的虚线移动。由此，导体层23沿着虚线的狭缝被切断，如图12所示，形成导体图案23a～23i。
在本实施方式中，如图13所示，在导体层23预先形成连接焊盘P。连接焊盘P在形成导体层23时与发光元件30被安装的位置对应地设置。如果使激光的激光点在导体层23的表面上沿着图13所示的虚线移动，则位于激光点的移动路径附近的部分升华。由此，如图14所示，切割出导体图案23a～23i，并且形成1对连接焊盘P。在发光面板20中，如图15的黑圆点所示，形成1对连接焊盘P。
在图13、图14所示的例子中，利用激光将与连接焊盘P彼此成为一体的导体图案23a～23i进一步细分。但是，如果需要，也可以不分为2次工序，而是通过一次光刻工序来形成图14所示的最终形状的带连接焊盘的导体图案23a～23i。
或者，也可以是，使用图13所示的导体图案，使图13所示的连接焊盘例如以矩阵状规则地分散在导体图案中，根据各个发光装置所要求的发光元件的连接布局，选择导体图案和连接焊盘并用激光切割出。这种情况下，发光元件的连接中不使用的连接焊盘作为伪焊盘残留。
这时，用作电路的区域成为图14所示的被切出的图案，不用作电路的区域还是图13所示的初始图案不变。像这样，导体图案的形成有几种方法。
接着，如图16所示，在形成有导体图案23a～23i的透明薄片21的表面上设置热可塑性树脂240。然后，将发光元件301～308设置在热可塑性树脂240之上。这时，以形成于导体图案23a～23i的连接焊盘P位于发光元件301～308的凸起37、38的正下方的方式将发光元件301～308定位。
接着，如图17所示，将在下表面设置有热可塑性树脂240的透明薄片22配置在透明薄片21的上表面侧。然后，将透明薄片21、22分别在真空氛围下加热而使其压接。由此，首先，形成于发光元件30的凸起37、38穿透热可塑性树脂240而到达导体图案23a～23i，与该导体图案23a～23i电连接。然后，热可塑性树脂240无间隙地填充到导体图案25及透明薄片21、22与发光元件30之间。如图3所示，该热可塑性树脂240成为在透明薄片21、22之间保持发光元件30的树脂层24。经过以上的工序，发光面板20完成。
作为热可塑性树脂240，可以使用片状的树脂，也可以进行涂覆。此外，也可以不使用上侧的热可塑性树脂240而仅使用下侧的热可塑性树脂240。也可以在用上下2层的热可塑性树脂240将发光元件夹持的状态下对整体进行加压，得到电极与导体图案的电连接之后，将2层热可塑性树脂240之中的、位于发光元件的电极的相反侧的热可塑性树脂240剥离，重新覆盖与剥离的热可塑性树脂240厚度相同的热可塑性树脂240和最终的透明薄片22，从而得到同样的构造。热可塑性树脂240例如是热可塑性的弹性体。另外，作为树脂层使用了热可塑性树脂，但是不限于此。
如图9所示，在如上述那样构成的发光面板20上连接粘贴着加强板60的柔性缆线40，在该柔性缆线40安装连接器50，从而完成图1所示的发光单元10。
如上述那样构成的发光单元10，当经由连接器50向图4所示的导体图案43a、43b施加直流电压时，构成发光面板20的发光元件30发光。发光元件30的额定电压约为2.5V，所以在发光单元10中，导体图案43a、43b被施加20V左右的电压。
图18是具备发光单元10的发光装置100的框图。如图18所示，如上述那样构成的发光装置100与驱动装置70及控制驱动装置70的控制装置80一起使用。
控制装置80具有：CPU(CentralProcessingUnit)、成为CPU的作业区域的主存储部、存储由CPU执行的程序的辅助存储部。在控制装置80中，通过由CPU执行从辅助存储部读出的程序，向驱动装置70输出驱动信号。驱动装置70基于控制装置80的指示，向发光单元10施加直流电压。由此，基于程序控制发光单元10。
如以上说明，在本实施方式中，发光元件30通过导体图案23a～23i而被连接。这些导体图案23a～23i由线宽约为10μm的金属薄膜构成。铜(Cu)或银(Ag)等金属是不透明的金属材料，但是网格图案的开口部透射光。因此，能够充分地确保发光面板20的透明性及挠性。此外，导体图案23a～23i形成为平面状，所以能够减小向发光元件30供电的电路的电阻值。由此，能够高效地向发光元件供电。
在本实施方式中，在1组透明薄片21、22之中的透明薄片21的上表面上形成由导体图案23a～23i构成的导体层23。因此，本实施方式的发光面板20比在发光元件30的上表面及下表面的双方形成导体层的发光面板更薄。其结果，能够提高发光面板20的挠性和透明度。
另外，在上述实施方式中，说明了导体图案23b～23i为矩形的情况。但是不限于此，如图19所示，导体图案23b～23i也可以外缘弯曲。这种情况下，能够将发光元件30以其外缘平行于X轴的方式排列。
在上述实施方式中，说明了发光元件30串联连接的情况。但是不限于此，发光元件30也可以并联连接。图20是表示变形例的发光面板20的图。发光面板20在透明薄片21具有以长边方向作为X轴方向的一对导体图案23x、23y。在导体图案23x的－Y侧的外缘整体连接着由铜或银构成的导体图案26A。并且，在导体图案23y的+Y侧的外缘整体也连接着由铜或银构成的导体图案26B。这些导体图案26A、26B的线宽远大于构成导体图案23y、23x的金属薄膜的线宽。
各发光元件301～308在凸起37连接到导体图案23x、凸起38连接到导体图案23y的状态下沿着X轴排列。
在本变形例的发光面板20中，在导体图案26A与导体图案26B之间经由连接器50连接着直流电源200。通过该直流电源200向导体图案26A与导体图案26B之间施加电压时，各发光元件301～308被施加电压。由此，发光元件301～308发光。
在上述那样构成的发光面板20中，在导体图案23x的－Y侧的外缘整体连接着由铜或银构成的导体图案26A。并且，在导体图案23y的+Y侧的外缘整体连接着由铜或银构成的导体图案26B。导体图案26A、26B的每单位体积的电阻值远小于导体图案23x、23y的每单位体积的电阻值。
因此，通过与导体图案23x、23y相邻地设置导体图案26A，导体图案23x、23y的电流密度被均匀化，发光元件301～308各自被施加的电压没有偏差。因此，能够使各发光元件301～308各自的明亮度均匀化。
在前述的实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308串联连接的情况。但是不限于此，也可以如图21所示，发光元件3011～3018分别相对于发光元件301～308并联连接。在图21中，黑圆点表示阳电极。如图21所示，在使发光元件301～308各自的极性与发光元件3011～3018的极性一致的状态下，对于发光元件301～308分别并联地连接发光元件3011～3018，由此，能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018同时点亮。
此外，如图22所示，以发光元件301～308各自的极性与发光元件3011～3018的极性彼此相反的方式，将发光元件3011～3018并联地连接到发光元件301～308，由此，能够将各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018分别点亮。具体地说，通过使连接器50被施加的电压反转，能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018交替地点亮。
例如，通过将射出色调不同的光的一组发光元件30如上述那样以极性彼此相反的方式并联连接，能够使用1个发光单元10交替地再现不同的颜色。
在上述实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308配置为1列且彼此串联连接的情况。但是不限于此，例如如图23所示，发光元件30也可以配置为多列。在图23所示的变形例的发光面板20中，在一组导体图案23a之间，多个导体图案23m配置为Y轴方向4个、X轴方向3个的矩阵状。各导体图案23a、23m之间成为通过将导电性膜除去而形成的绝缘带21a。
在X轴方向上排列的各个发光元件301～304、各个发光元件305～308、各个发光元件309～3012、各个发光元件3013～3016串联连接。并且，由串联连接的发光元件301～304构成的元件群、由发光元件305～308构成的元件群、由发光元件309～3012构成的元件群、由发光元件309～3012构成的元件群并联连接。
此外，如图23所示，2个导体图案23a各自的外缘整体分别与由铜或银构成的导体图案26A、26B连接。并且，在导体图案26A、26B之间经由连接器50连接着直流电源200。通过该直流电源200向导体图案26A与导体图案26B之间施加电压时，各发光元件301～3016被施加电压。由此，发光元件301～3016发光。像这样，通过将发光元件30配置为矩阵状，能够使发光面板20以面状发光。
此外，如图24所示，对于各个发光元件301～3016，也可以并联连接另外的发光元件3017～3032。这种情况下，在发光元件301～3016的极性与发光元件3017～3032的极性相等的情况下，能够使发光元件301～3032同时点亮。另一方面，在发光元件301～3016的极性与发光元件3017～3032的极性相反的情况下，例如通过取代直流电源200而连接交流电源，能够使发光元件301～3016和发光元件3017～3032交替地点亮。由此，通过使发光元件301～3016的色调和发光元件3017～3032的色调不同，能够使发光面板20交替地以不同的颜色发光。
另外，在上述变形例的发光面板20中，如图24所示，需要对位于－X侧的外缘和位于+X侧的外缘的一对导体图案23a施加电压。这种情况下，需要将不透明的布线引到发光面板20的周围。在此，如图25所示，也可以将一个导体图案23a引到另一个导体图案23a的附近。由此，如图25所示那样将不透明的布线配置到一个外缘侧(+X侧)即可。因此，能够扩大发光面板20的用途。
另外，在图25中，也可以对汇总了串联电路的上侧的导体图案23a的－X侧的外缘整体粘贴以Y方向作为长边方向的由铜或银构成的金属层。由此，能够使各发光元件30中流动的电流的大小均匀化。
此外，在上述实施方式中，说明了发光元件30排列为直线状的情况。但是不限于此，发光元件30也可以排列为曲线状。图26示出了发光元件30排列为曲线状的例子。如图26所示，导体图案MP2～MP8相对于导体图案MP1串联地配置，导体图案MP9～MP15相对于导体图案MP1串联地配置。并且，发光元件30跨及相邻的导体图案而配置。因此，通过使用直流电源200在导体图案MP1与导体图案MP8之间、以及导体图案MP1与导体图案MP15之间施加电压，能够使配置为曲线状的发光元件30点亮。
图26所示的例子是发光元件的串并联电路，如果从下边的两侧向透明的导体图案MP1施加正(负)电位、对中央的2个串联电路以2个同时或2个交替的方式施加负(正)电位，则能够使2个串联电路的发光元件同时点亮或按时间序列点亮。
像这样，根据发光元件30的配置位置来形成导体图案，从而能够将发光元件30配置为能够在任意的位置点亮。
另外，在图26中，在基板的3边设置细分化的导体图案，但也可以在2个串联电路之间、2个串联电路的外侧也设置这样细分化的导体图案。
通过设置这样的细分化的图案，能够减少导电性异物所导致的漏电。
《第2实施方式》
接着，参照附图说明本发明的第2实施方式。对于与第1实施方式相同或同等的构造，使用同等的符号并省略或简化其说明。本实施方式的发光单元10的不同点在于，构成发光面板20的发光元件30在两面具有电极。
图27是代表性地示出本实施方式的发光元件301～308中的发光元件301的图。发光元件301是正方形的LED芯片，如图27所示，具有衬底基板31和形成在衬底基板31的上表面的N型半导体层32、活性层33及P型半导体层34。在衬底基板31的下表面形成有焊盘36，在P型半导体层34的上表面形成有焊盘35。此外，在焊盘35形成有半球状的凸起38。
图28是表示构成发光面板20的透明薄片21、22的立体图。如图28所示，在透明薄片21的下表面形成有L字状的导体图案23a和沿着透明薄片21的－Y侧的外缘排列的长方形的导体图案23b～23e。此外，在透明薄片22的上表面形成有沿着透明薄片22的－Y侧的外缘排列的长方形的导体图案23g～23i。
图29是发光面板20的侧面图。如图29所示，发光元件301～308由被填充在透明薄片21与透明薄片22之间的树脂层24保持。
参照图28及图29可知，发光元件301配置在导体图案23a与导体图案23f之间。发光元件302配置在导体图案23f与导体图案23b之间。发光元件303配置在导体图案23b与导体图案23g之间。发光元件304配置在导体图案23g与导体图案23c之间。发光元件305配置在导体图案23c与导体图案23h之间。发光元件306配置在导体图案23h与导体图案23d之间。发光元件307配置在导体图案23d与导体图案23i之间。发光元件308配置在导体图案23i与导体图案23e之间。
如上述那样配置的发光元件301、303、305、307中，凸起38与透明薄片22的导体图案连接，焊盘36与透明薄片21的导体图案连接。此外，关于发光元件302、304、306、308，凸起38与透明薄片21的导体图案连接，焊盘36与透明薄片22的导体图案连接。由此，发光元件301～308成为串联连接的状态。
接着，说明构成上述的发光单元10的发光面板20的制造方法。使用去除法或添加法，在由PET构成的透明薄片21、22的表面上形成网格状的导体层23。然后，通过使用激光对该导体层23进行切断，在透明薄片21的表面上形成导体图案23a～23e，在透明薄片22的表面上形成导体图案23f～23i。这时，在各导体图案23a～23i形成有连接焊盘P。
接着，在透明薄片21的表面设置热可塑性树脂，将发光元件301～308配置在热可塑性树脂之上。然后，将在下表面设置有热可塑性树脂的透明薄片22配置在透明薄片21的上表面侧。使这些部件在真空氛围下加热而使其压接。经过以上的工序，发光面板20完成。
如以上说明，在本实施方式中，发光元件30通过导体图案23a～23i而被连接。这些导体图案23a～23i由线宽约为10μm的金属薄膜构成。因此，能够充分地确保发光面板20的透明性及挠性。此外，导体图案23a～23i形成为平面状，所以能够减小向发光元件30供电的电路的电阻值。由此，能够高效地向发光元件供电。
在上述实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308串联连接的情况。但是不限于此，参照图30可知，也可以相对于各个发光元件301～308将发光元件3011～3018并联连接。在图30中，白圆点表示阳电极。在使发光元件301～308各自的极性与发光元件3011～3018的极性一致的状态下，将发光元件3011～3018并联连接到各个发光元件301～308，由此，能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018同时点亮。
此外，参照图31可知，以使发光元件301～308各自的极性与发光元件3011～3018的极性彼此相反的方式将发光元件3011～3018并联连接到各个发光元件301～308，从而能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018单独地点亮。具体地说，通过使连接器50被施加的电压反转，能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018交替地点亮。
例如，通过将射出色调不同的光的一组发光元件30如上述那样以极性彼此相反的方式并联连接，能够使用1个发光单元10交替地再现不同的颜色。
在上述实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308串联连接的情况。发光元件30的个数不限于此。此外，发光元件30的个数为奇数的情况下，如图32所示，也可以取代某个发光元件30而配置铜芯片等金属片39。此外，发光元件也可以配置为由多列和多行构成的矩阵状。
以上说明了第1实施方式及第2实施方式，但是本发明不由上述实施方式限定。例如，在上述各实施方式中，网格图案由铜或银构成。但是不限于此，网格图案也可以由金(Au)、铂(Pt)等金属构成。
图33A、图33B、图34A、图34B是用于说明图27～图32中说明的两面电极构成的发光元件所使用的网格图案的连接焊盘P的形态的平面图。
两面电极构成的发光元件的情况下，与网格图案的连接包括凸起侧的连接(A)和凸起的相反侧的背面的连接(B)。
(A)的情况下，在发光元件的表面电极如上述那样设置有导电性的凸起，但是关于与网格图案的连接，有a)配置与单侧2电极构成同样的焊盘；b)配置比凸起直径更小的网格(网格面积为凸起径～凸起径的1.5倍左右))；c)不配置焊盘而在网格的交点配置凸起电极；等方法。
图33A是(A)a)的情况的连接焊盘P的例子，图33B是(A)b)的情况的焊盘的例子。
另一方面，(B)的情况下，是与发光元件的凸起的相反侧、即背面电极的连接，与网格图案的连接包括：a)配置焊盘(焊盘面积为芯片的大小的1/2～1.5倍左右)；b)配置比芯片的大小更小的网格(网格面积为芯片大小的1/2～1.5倍左右)；c)不配置焊盘而在网格的交点配置凸起相反侧电极；等方法。
图34A是(B)a)的情况的连接焊盘P的例子，图34B是(B)b)的情况的焊盘的例子。
在图例中，凸起侧的焊盘比网格的单元格稍小，相反侧的焊盘是与网格的单元格同等的大小，但是不限于此。
并且，在图33A、图33B、图34A、图34B的任一例中，连接焊盘P可以在网格图案的交点，也可以在网格图案的相邻的网格交点之间跨及2个网格。此外，如图34A、图34B所示，在焊盘是与网格的单元格同等大小的情况下，也可以配置为用连接焊盘P封堵网格图案的一个单元格。
图33A、图33B、图34A、图34B的带焊盘网格图案可以通过2次加工工序来制造，也可以不将图案形成分为2次工序，而是通过一次光刻加工工序来形成图33A、图33B、图34A、图34B那样的最终形状的带连接焊盘的网格图案。
或者，也可以使用图33A、图33B、图34A、图34B的网格图案，使某个连接焊盘P例如以矩阵状规则地分散到网格图案，根据各个发光装置所要求的发光元件的连接布局，选择用作电路的区域。
《第3实施方式》
以下，使用附图说明本发明的第3实施方式。对于与上述各实施方式同一或同等的构造，使用同等的符号并省略或简略其说明。
本实施方式的发光单元10与上述第1实施方式的发光单元的不同点在于，导体图案不是网格图案，而是由大致透明的导体构成。
图35是发光单元10的平面图。参照图35可知，导体层23由沿着透明薄片21的+Y侧外缘形成的L字状的导体图案23a和沿着透明薄片21的－Y侧的外缘排列的长方形的导体图案23b～23i构成。导体图案23a～23i由氧化铟锡(ITO：IndiumTinOxide)等透明的导电性材料构成。此外，在发光单元10中，导体图案23a～23i彼此的距离D约为100μm以下。
在发光单元10中，透明薄片22与透明薄片21相比，X轴方向的长度更短。因此，参照图3可知，成为构成导体层23的导体图案23a和导体图案23i的+X侧端露出的状态。
接下来，说明构成上述的发光单元10的发光面板20的制造方法。首先，准备由PET构成的透明薄片21，使用溅射法或蒸镀法在表面形成由ITO构成的导体层23。然后，对该导体层23使用激光进行图案形成，从而形成导体图案23a～23i。
导体层23的图案形成为，对整体地形成于透明薄片21的上表面的ITO膜照射激光。并且，使激光的激光点沿着图36所示的虚线移动。由此，导体层23沿着虚线的狭缝被切断，如图37所示，形成导体图案23a～23i。此外，包围这些导体图案23a～23i的导体图案25沿着透明薄片21的外缘形成。
接着，使用激光对导体图案25在图38的箭头所示的位置切断。由此，如图39所示，导体图案25被细分为多个小片25a。这些多个小片25a彼此电绝缘，并且相对于导体图案23a～23i也绝缘。
接着，如图16所示，在形成有导体图案23a～23i的透明薄片21的表面设置热可塑性树脂240。然后，将发光元件301～308配置在热可塑性树脂240之上。
接着，如图17所示，将在下表面设置有热可塑性树脂240的透明薄片22配置到透明薄片21的上表面侧。然后，将各个透明薄片21、22在真空氛围下加热而使其压接。由此，首先，形成于发光元件30的凸起37、38穿透热可塑性树脂240而到达导体图案23a～23i，与该导体图案23a～23i电连接。然后，热可塑性树脂240无间隙地填充到导体图案25、小片25a、透明薄片21、22与发光元件30之间。该热可塑性树脂240如图3所示，成为在透明薄片21、22之间保持发光元件30的树脂层24。经过以上的工序，发光面板20完成。
如图9所示，在如上述那样构成的发光面板20上连接粘贴着加强板60的柔性缆线40，并在该柔性缆线40上安装连接器50，从而完成图1所示的发光单元10。
如以上说明，在本实施方式中，发光元件30通过导体图案23a～23i而被连接。这些导体图案23a～23i通过对形成在透明薄片21的上表面的透明的ITO膜进行图案形成，作为平面图案而形成。ITO膜的透明性及挠性较高，所以能够充分确保发光面板20的透明性及挠性。此外，导体图案23a～23i形成为平面状，所以能够减小向发光元件30供电的电路的电阻值。由此，能够高效地向发光元件供电。
在本实施方式中，在1组透明薄片21、22之中的透明薄片21的上表面上形成由导体图案23a～23i构成的导体层23。因此，本实施方式的发光面板20比在发光元件30的上表面及下表面的双方形成有导体层的发光面板更薄。其结果，能够提高发光面板20的挠性和透明度。
在本实施方式中，在形成发光面板20的导体图案23a～23i的情况下，使用激光对形成于透明薄片21的表面上的ITO膜进行图案形成。这时，如图39所示，形成在导体图案23a～23i的周围的导体图案25被细分为多个小片25a。因此，能够降低在发光面板20的制造工序产生的导电性异物的影响。
具体地说，如图40所示，不将导体图案25细分的情况下，导电性异物91跨及导体图案25和导体图案23f地附着、导电性异物92跨及导体图案25和导体图案23g地附着时，导致导体图案23f和导体图案23g经由导体图案25被连接。这种情况下，跨及导体图案23f和导体图案23g而配置的发光元件30无法点亮。
但是，如图41所示，将导体图案25细分的情况下，导电性异物91跨及导体图案25和导体图案23f地附着、导电性异物92跨及导体图案25和导体图案23g地附着时，由于导体图案25被细分为小片25a，所以导体图案23f和导体图案23g不会经由导体图案25而被连接。因此，降低了在发光面板20的制造工序中产生的导电性异物的影响。
在发光面板20的制造工序中，在导体层23的切口产生导电性异物的频度较高。因此，通过将以包围导体图案23a～23i的方式形成的导体图案25细分，能够大幅提高发光面板20的成品率。
另外，在上述实施方式中，说明了导体图案23b～23i为矩形的情况。不限于此，导体图案23b～23i也可以如图19那样外缘弯曲。这种情况下，能够将发光元件30以其外缘平行于X轴的方式排列。
在上述实施方式中，说明了发光元件30串联连接的情况。但是不限于此，发光元件30也可以如图20那样并联连接。
在前述的实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308串联连接的情况。不限于此，也可以如图21所示，发光元件3011～3018相对于各个发光元件301～308并联连接。
此外，如图22所示，以发光元件301～308各自的极性与发光元件3011～3018的极性彼此相反的方式，将发光元件3011～3018分别相对于发光元件301～308并联连接，由此，能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018单独地点亮。
在上述实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308配置为1列且相互串联连接的情况。不限于此，例如也可以如图42所示，发光元件30配置为多个列。在图42所示的变形例的发光面板20中，在一组导体图案23a之间，多个导体图案23m配置为Y轴方向4个、X轴方向3个的矩阵状。各导体图案23a、23m之间成为通过除去导电性膜而形成的绝缘带21a。
X轴方向上排列的各个发光元件301～304、各个发光元件305～308、各个发光元件309～3012、各个发光元件3013～3016串联地连接。并且，由串联连接的发光元件301～304构成的元件群、由发光元件305～308构成的元件群、由发光元件309～3012构成的元件群、由发光元件309～3012构成的元件群并联连接。
此外，如图42所示，2个导体图案23a各自的外缘整体分别与由铜或银构成的导体图案26A、26B连接。并且，在导体图案26A、26B之间经由连接器50连接着直流电源200。通过该直流电源200向导体图案26A和导体图案26B之间施加电压时，各发光元件301～3016被施加电压。由此，发光元件301～3016发光。像这样，通过将发光元件30配置为矩阵状，能够使发光面板20以面状发光。
此外，如图43所示，也可以将另外的发光元件3017～3032相对于各个发光元件301～3016并联连接。这种情况下，在发光元件301～3016的极性与发光元件3017～3032的极性相同的情况下，能够使发光元件301～3032同时点亮。另一方面，在发光元件301～3016的极性与发光元件3017～3032的极性相反的情况下，例如通过取代直流电源200而连接交流电源，从而能够使发光元件301～3016和发光元件3017～3032交替地点亮。由此，通过使发光元件301～3016的色调与发光元件3017～3032的色调不同，能够使发光面板20交替地发出不同的颜色。
另外，在上述变形例的发光面板20中，如图43所示，需要对位于－X侧的外缘和位于+X侧的外缘的一对导体图案23a施加电压。这种情况下，需要将不透明的布线引导至发光面板20的周围。在此，如图44所示，可以将一个导体图案23a引到另一个导体图案23a的附近。由此，如图44所示，将不透明的布线配置在一方的外缘侧(+X侧)即可。因此，能够扩大发光面板20的用途。
另外，在图44中，也可以在汇总了串联电路的上侧的导体图案23a的－X侧的外缘整体粘贴以Y轴方向作为长边方向的由铜或银构成的金属层。由此，能够使各发光元件30中流动的电流的大小均匀化。
此外，在上述实施方式中，说明了发光元件30排列为直线状的情况。不限于此，发光元件30也可以如图26那样排列为曲线状。
图45是表示在发光元件30的除去连接部之外的所有部位设置有间距比构成电路的导体图案更细的、细分化的导体图案S的例子的图。图中的着色部分表示分离槽。如图示那样，被分离槽包围的细分化的导体图案S设置在电路部的导体图案23a与导体图案23b之间、以及电路部的导体图案23a、23b与发光面板周边的导体图案之间。通过在电路部的导体图案的周围设置这样的细分化的导体图案S，能够均匀地减少导电性异物所导致的漏电。另外，在图中例示了斜槽，但是根据期望，也可以是与透明薄片21的短边平行的槽，也可以是斜槽彼此交叉的构造。另外，在图45的例子中，在安装发光元件30的区域不设置细分化的导体图案而仅存在槽。
《第4实施方式》
接下来，参照附图说明本发明的第4实施方式。对于上述各实施方式同一或同等的构成，使用同等的符号并省略或简略其说明。本实施方式的发光单元10与上述第2实施方式的发光单元的不同点在于，导体图案不是网格图案，而是由大致透明的导体构成。
图28所示的导体图案23a～23i由透明的导电性材料构成，该透明的导电性材料由氧化铟锡(ITO：IndiumTinOxide)构成。并且，如图29所示，发光元件301～308由被填充在透明薄片21与透明薄片22之间的树脂层24保持。
参照图28及图29可知，发光元件301配置在导体图案23a与导体图案23f之间。发光元件302配置在导体图案23f与导体图案23b之间。发光元件303配置在导体图案23b与导体图案23g之间。发光元件304配置在导体图案23g与导体图案23c之间。发光元件305配置在导体图案23c与导体图案23h之间。发光元件306配置在导体图案23h与导体图案23d之间。发光元件307配置在导体图案23d与导体图案23i之间。发光元件308配置在导体图案23i与导体图案23e之间。
如上述那样配置的发光元件301、303、305、307为，凸起38与透明薄片22的导体图案连接，焊盘36与透明薄片21的导体图案连接。此外，发光元件302、304、306、308为，凸起38与透明薄片21的导体图案连接，焊盘36与透明薄片22的导体图案连接。由此，发光元件301～308成为串联连接的状态。
接下来，说明构成上述的发光单元10的发光面板20的制造方法。首选，准备由PET构成的透明薄片21，使用溅射法或蒸镀法在表面整体形成由ITO构成的导体层23。然后，使用激光对该导体层23进行图案形成，从而形成导体图案23a～23f。
导体层23的图案形成通过对形成于透明薄片21的上表面的ITO膜照射激光来进行。并且，使激光的激光点沿着图46所示的虚线移动。由此，导体层23沿着虚线被切断，如图47所示，形成导体图案23a～23e。此外，包围这些导体图案23a～23e的导体图案25沿着透明薄片21的外缘形成。
接着，使用激光对导体图案25进行切断。由此，如图48所示，导体图案25被细分为多个小片25a。这些多个小片25a彼此电绝缘，并且从导体图案23a～23e也绝缘。
接着，准备由PET构成的透明薄片22，使用溅射法在表面整体形成由ITO构成的导体层23。然后，使用激光对该导体层23进行图案形成，从而形成导体图案23f～23i。
导体层23的图案形成通过对形成在透明薄片22的上表面的ITO膜照射激光来进行。并且，使激光的激光点沿着图49所示的虚线移动。由此，导体层23沿着虚线的狭缝被切断，如图50所示，形成导体图案23f～23i。此外，形成包围这些导体图案23f～23i的导体图案25。
接着，使用激光对导体图案25进行切断。由此，如图51所示，导体图案25被细分为多个小片25a。这些多个小片25a彼此电绝缘，并且相对于导体图案23f～23i也绝缘。
接着，在透明薄片21的表面涂覆热可塑性树脂，将发光元件301～308配置在热可塑性树脂之上。然后，将在下表面涂覆有热可塑性树脂的透明薄片22配置在透明薄片21的上表面侧。将这些部件在真空氛围下加热而使其压接。经过以上的工序，发光面板20完成。
如以上说明，在本实施方式中，发光元件30通过导体图案23a～23i而连接。这些导体图案23a～23i通过对形成在透明薄片21的上表面上的透明的ITO膜进行图案形成，来作为平面图案而形成。ITO膜的透明性及挠性较高，所以能够充分地确保发光面板20的透明性及挠性。此外，导体图案23a～23i形成为平面状，所以能够减小向发光元件30供电的电路的电阻值。由此，能够高效地向发光元件供电。
在本实施方式中，在形成发光面板20的导体图案23a～23i的情况下，使用激光对形成在透明薄片21、22的表面上的ITO膜进行图案形成。这时，如图48、49所示，形成在导体图案23a～23i的周围的导体图案25被细分为多个小片25a。因此，能够降低在发光面板20的制造工序中产生的导电性异物的影响。
在上述实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308串联连接的情况。不限于此，参照图52可知，也可以将发光元件3011～3018相对于各个发光元件301～308并联连接。在图52中，白圆点表示阳电极。参照图52可知，在使发光元件301～308各自的极性与发光元件3011～3018的极性一致的状态下，将发光元件3011～3018相对于各个发光元件301～308并联连接，从而能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018同时点亮。
此外，参照图53可知，以发光元件301～308各自的极性与发光元件3011～3018的极性彼此相反的方式，将发光元件3011～3018相对于各个发光元件301～308并联连接，从而能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018单独地点亮。具体地说，通过使连接器50被施加的电压反转，能够使各个发光元件301～308和各个发光元件3011～3018交替地点亮。
例如，通过将射出色调不同的光的一组发光元件30如上述那样以极性彼此相反的方式并联连接，能够使用1个发光单元10交替地再现不同的颜色。
在上述实施方式中，说明了构成发光面板20的8个发光元件301～308串联连接的情况。发光元件30的个数不限于此。此外，发光元件30的个数为奇数的情况下，如图32所示，也可以取代某个发光元件30而配置铜芯片等金属片39。此外，发光元件也可以配置为由多列和多行构成的矩阵状。
以上说明了本发明的实施方式，但是本发明不由上述实施方式限定。例如，在上述第1实施方式中，说明了构成导体图案的薄膜导体的线宽d1为10μm、薄膜导体的排列间距d2约为300μm的情况。线宽d1及排列间距d2的值能够进行各种变更。但是，优选为线宽d1处在1μm以上且100μm以下的范围、排列间距d2处在10μm以上且1000μm以下的范围。
图54示出了表示与线宽d1和排列间距d2对应的透射率Pe的对应表。排列间距d1、d2的单位是μm。为了确保发光单元10的透射性，参照图54，例如可以想到设定线宽d1和排列间距d2以使得射率Pe成为75％以上。此外，使导体图案的电阻成为100Ω以下的情况下，例如可以设定与着色的矩阵对应的线宽d1和排列间距d2。由此，能够确保发光单元10的透射性，并且减小导体图案的电阻。
在上述实施方式中，说明了具备8个发光元件30的发光单元10。不限于此，发光单元10也可以具备9个以上或7个以下发光元件。
在上述第1实施方式及第2实施方式中，导体图案由铜或银构成。不限于此，导体图案也可以由金(Au)、铂(Pt)等金属构成。
在上述第3实施方式及第4实施方式中，说明了使用激光对导体层23进行图案形成而形成导体图案的情况。不限于此，也可以通过在透明薄片21上印刷通过将ITO油墨化而生成的ITO油墨而形成由ITO构成的导体图案。
此外，说明了通过槽来划分导电性膜的情况，但是也可以在氧化性或氮化性氛围中对透明导电性膜照射能量束，使照射区域绝缘层化来划分透明导电性膜。即，作为绝缘带，可以使用槽和绝缘层的任一种。
此外，在第3实施方式及第4实施方式中，作为导体图案使用了ITO。但是，作为导体图案的导电性膜，除了氧化铟锡(ITO)之外，也可以使用掺氟氧化锡(FTO)、氧化锌、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料。导体图案例如能够应用溅射法和电子束蒸镀法等来形成薄膜，并将得到的薄膜通过激光加工或蚀刻处理等进行图案形成来制作。
在第1～第4实施方式中，作为凸起，可以使用金、AuSn合金、银、铜、镍、或者与它们以外的金属的合金、混合物、共晶、非晶材料，也可以是焊锡或共晶焊锡、金属微粒子与树脂的混合物、各向异性导电膜等。此外，也可以是使用焊线机形成的线凸起、通过电解镀、无电解镀、将含有金属微粒子的油墨进行喷墨印刷而烧制的凸起、通过含有金属微粒子的糊剂的印刷或涂覆球安装、弹丸安装、蒸溅等形成的凸起。
如上所述，例如可以通过金属微粒子和树脂的混合物来形成导电性凸起。这种情况下，例如将银(Ag)、铜(Cu)等金属或其合金混入到热固化树脂而成为糊剂，通过喷墨法或针分配法将糊剂的小滴吹附到电极上而形成为突起状，再通过热处理加固而形成导电层凸起即可。
凸起的熔点优选为180℃以上、更优选为200℃以上。作为实用的范围，上限为1100℃以下。凸起的熔点低于180℃时，在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，会产生凸起较大地变形而无法维持充分的厚度、或者从电极溢出而使LED的光度下降等问题。
凸起的熔点例如是使用岛津制作所制DSC－60示差扫描热量计以5℃/分的升温速度、使用约10mg的试件而测定出的熔点值，在固相线温度和液相线温度不同的情况下，是固相线温度的值。
凸起的动态硬度DHV为3以上150以下、优选为5以上100以下、更优选为5以上50以下。凸起的动态硬度DHV低于3时，在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，凸起较大地变形而无法维持充分的厚度。此外，会产生凸起从电极溢出而使LED的光度下降等问题。另一方面，凸起的动态硬度DHV超过150时，在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，凸起使透光性支持基体变形而产生外观不良或连接不良，所以并不合适。
凸起的动态硬度DHV例如在20℃下使用岛津制作所制的岛津动态超微硬度计DUH-W201S而通过实验求出。在该实验中，将对面角136°的钻石正四方锥压入器(维式压入器)以负荷速度0.0948mN/秒向凸起压入。然后，将压入器的压入深度(D/μm)达到0.5μm时的实验力(P/mN)代入到下式。
DHV＝3.8584P/D2＝15.4336P
凸起的高度优选为5μm以上50μm以下，更优选为10μm以上30μm以下。凸起的高度低于5μm时，防止导体图案与P型半导体层、或者导体图案与N型半导体层的短路的效果变弱，并不合适。另一方面，超过50μm时，在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，凸起使透光性支持基体变形而产生外观不良或连接不良，所以并不合适。
此外，发光二极管主体的电极与凸起的接触面积优选为100μm2以上15000μm2以下，更优选为400μm2以上8000μm2以下。这些各尺寸是在室温和被测定物的温度成为20℃±2℃的稳定环境下计测的值。
在本实施方式的发光装置中，发光二极管主体的电极与透光性支持基体的导体图案使用凸起、通过真空热冲压而被连接。因此，在真空热冲压时，凸起的至少一部分在未熔解的状态下与发光二极管的电极电连接。因此，发光二极管主体的电极面与凸起的接触角例如优选为135度以下。
另外，如第1实施方式所述，在第1、第3实施方式中，作为形成在透明薄片之间的树脂层、例如热可塑性树脂，可以使用片状的树脂层，也可以进行涂覆。此外，也可以不使用上侧的热可塑性树脂而仅使用下侧的热可塑性树脂。也可以是，在使用上下2层的热可塑性树脂夹着发光元件的状态下对整体进行加压而得到电极与导体图案的电连接之后，将2层热可塑性树脂之中的、位于发光元件的电极的相反侧的热可塑性树脂剥离，重新覆盖与剥离的热可塑性树脂厚度相同的热可塑性树脂和最终的透明薄片，进行加热/加压而得到同样的构造。
此外，在第1～第4实施方式中，不限于热可塑性树脂，也可以使用热固化性树脂。
此外，在以上的实施方式中，夹着发光元件的第1绝缘薄片和第2绝缘薄片使用透光性材料，能够从发光单元的上下两面射出光。但是，如果需要，也可以使单侧不透明或者反射。这种情况下，可以使绝缘薄片自身具有这样的功能，也可以在上述的由透明薄片LED构成的发光单元的单面从上方粘贴不透明或反射材料的薄片。
以上说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式只是作为例子提示，不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围和主旨中，也包含在权利要求所记载的发明及其等同的范围内。
只要不脱离本发明的广义的精神和范围，本发明能够以各种实施方式及变形来实施。此外，上述的实施方式只是用于说明本发明，不限定本发明的范围。即，本发明的范围不是由实施方式，而是由权利要求规定。并且，在权利要求的范围内及与其同等的发明的意义的范围内实施的各种变形也看做本发明的范围内。
本申请以2013年12月2日提交的日本专利申请2013-249453号、日本专利申请2013-249454号、日本专利申请2013-249456号、日本专利申请2013-249457号为基础。在本说明书中，援引了日本专利申请2013-249453号、日本专利申请2013-249454号、日本专利申请2013-249456号、日本专利申请2013-249457号的说明书、权利要求及附图的整体。
工业实用性
本发明的发光单元、发光装置适合作为显示装置或显示用灯。本发明的发光单元的制造方法适于制造发光单元。
符号说明：
10发光单元
20发光面板
21、22透明薄片
21a绝缘带
23导体层
23a～23i、23m、23x、23y、25、26A、26B导体图案
24树脂层
25a小片
30发光元件
31衬底基板
32N型半导体层
33活性层
34P型半导体层
35焊盘
36焊盘
37凸起
38凸起
39金属片
40柔性缆线
41基材
42覆盖层
42a开口部
43导体层
43a、43b导体图案
50连接器
50a端子
60加强板
70驱动装置
80控制装置
91、92导电性异物
100发光装置
200直流电源
240热可塑性树脂
MP1～MP15导体图案
连接P焊盘

Claims (29)

1.一种发光单元，具有：
第1绝缘体，具有光透射性；
第2绝缘体，与所述第1绝缘体对置地配置；
多个导体图案，形成在所述第1绝缘体和所述第2绝缘体之中的至少一方的表面上，对于光具有透射性；
多个第1发光元件，在电极上具有凸起，与所述多个导体图案之中的任意2个导体图案连接；以及
树脂层，配置在所述第1绝缘体与所述第2绝缘体之间，保持所述第1发光元件。
2.如权利要求1所述的发光单元，
所述导体图案是通过开口部来透射光的网格图案、或者具有光透射性的导电性膜。
3.一种发光单元，具有：
第1绝缘薄片，具有光透射性；
第2绝缘薄片，与所述第1绝缘薄片对置地配置；
多个网格图案，形成在所述第1绝缘薄片和所述第2绝缘薄片之中的至少一方的表面上；
多个第1发光元件，与所述多个网格图案之中的任意2个网格图案连接；以及
树脂层，配置在所述第1绝缘薄片与所述第2绝缘薄片之间，保持所述第1发光元件。
4.如权利要求3所述的发光单元，
在所述第1发光元件中，阳极与形成在所述第1绝缘薄片和所述第2绝缘薄片之中的一方的表面上的第1网格图案连接，阴极与第2网格图案连接。
5.如权利要求3所述的发光单元，
在所述第1发光元件中，阳极与形成在所述第1绝缘薄片的表面上的第1网格图案连接，阴极与形成在所述第2绝缘薄片的表面上的第2网格图案连接。
6.如权利要求4或5所述的发光单元，
在所述第1网格图案与所述第2网格图案之间连接着2个以上的所述第1发光元件。
7.如权利要求3～6中任一项所述的发光单元，
在所述绝缘薄片上形成有3个以上的所述网格图案，所述第1发光元件串联连接。
8.如权利要求3～7中任一项所述的发光单元，
所述网格图案具有连接焊盘。
9.如权利要求4～6中任一项所述的发光单元，
具有与所述第1发光元件不同的第2发光元件，该第2发光元件配置在所述第1网格图案与所述第2网格图案之间，阴极与所述第1网格图案连接，阳极与所述第2网格图案连接。
10.如权利要求9所述的发光单元，
所述第1发光元件与所述第2发光元件射出光谱彼此不同的光。
11.如权利要求3～10中任一项所述的发光单元，
所述网格图案的线宽和排列间距被规定为使得透射率成为75％以上，并且电阻为100Ω以下。
12.一种发光单元，具备：
第1绝缘薄片，具有光透射性；
第2绝缘薄片，与所述第1绝缘薄片对置地配置；
多个平面导体图案，由具有光透射性的导电性膜构成，形成在所述第1绝缘薄片和所述第2绝缘薄片之中的至少一方的表面上；
多个第1发光元件，与所述多个平面导体图案之中的任意2个平面导体图案连接；以及
树脂层，配置在所述第1绝缘薄片与所述第2绝缘薄片之间，保持所述第1发光元件，
所述平面导体图案通过对形成在所述第1绝缘薄片和所述第2绝缘薄片之中的至少一方的表面上的所述导电性膜进行划分而形成。
13.如权利要求12所述的发光单元，
在所述第1发光元件中，阳极与形成在所述第1绝缘薄片和所述第2绝缘薄片之中的一方的表面上的第1平面导体图案连接，阴极与第2平面导体图案连接。
14.如权利要求12所述的发光单元，
在所述第1发光元件中，阳极与形成在所述第1绝缘薄片的表面上的第1平面导体图案连接，阳极与形成在所述第2绝缘薄片的表面上的第2平面导体图案连接。
15.如权利要求13或14所述的发光单元，
在所述第1平面导体图案与所述第2平面导体图案之间连接着2个以上的所述第1发光元件。
16.如权利要求12～15中任一项所述的发光单元，
在所述绝缘薄片上形成有3个以上的所述平面导体图案，所述第1发光元件串联连接。
17.如权利要求13～16中任一项所述的发光单元，
具有与所述第1发光元件不同的第2发光元件，该第2发光元件配置在所述第1平面导体图案与所述第2平面导体图案之间，阴极与所述第1平面导体图案连接，阳极与所述第2平面导体图案连接。
18.如权利要求17所述的发光单元，
所述第1发光元件与所述第2发光元件射出光谱彼此不同的光。
19.如权利要求12～18中任一项所述的发光单元，
所述平面导体图案是ITO膜。
20.如权利要求1或2所述的发光单元，
所述多个导体图案包含具有L字状折返部分的导体图案。
21.如权利要求1、2及20中任一项所述的发光单元，
在所述导体图案的周围具有细分化的导体图案，该细分化的导体图案被切断成所述导体图案的排列间距以下的长度。
22.如权利要求1、2、20及21中任一项所述的发光单元，
所述导体图案是通过对形成在所述绝缘体的表面上的导体膜使用激光进行图案形成而制作的。
23.如权利要求1～4中任一项所述的发光单元，
所述发光元件是在一个面上具有阳极和阴极的LED芯片。
24.如权利要求23所述的发光单元，
在所述发光元件的阳极及阴极形成有从所述一个面突出的凸起。
25.如权利要求1、2、20～24中任一项所述的发光单元，
由狭缝划分的所述导体图案覆盖所述绝缘体的表面。
26.一种发光装置，具备：
权利要求1～25中任一项所述的发光单元；以及
电源，向所述发光元件供电。
27.如权利要求26所述的发光装置，
具备控制装置，该控制装置按照规定的程序控制所述发光单元。
28.一种发光单元的制造方法，包括：
在具有光透射性的绝缘薄片的一个面上形成多个网格图案的工序；以及
在所述多个网格图案之中的第1网格图案与第2网格图案之间配置发光元件，将所述发光元件的阳极连接到所述第1网格图案，将所述发光元件的阴极连接到所述第2网格图案的工序。
29.一种发光单元的制造方法，包括：
在具有光透射性的绝缘薄片上形成具有光透射性的导电性膜的工序；
对所述导电性膜进行图案形成而在所述绝缘薄片上形成多个平面导体图案的工序；以及
在所述多个平面导体图案之中的第1平面导体图案与第2平面导体图案之间配置发光元件，将所述发光元件的阳极连接到所述第1平面导体图案，将所述发光元件的阴极连接到所述第2平面导体图案的工序。
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