CN105517362A - 线路板选择性沉金方法 - Google Patents

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廖凯
李志东
谢添华
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Abstract

本发明涉及一种线路板选择性沉金方法，属于线路板制作技术领域。该方法包括以下工序：干膜、曝光、显影、UV固化、沉镍金、退膜工序，其中：所述UV固化工序中，将显影后的线路板以UV光照射固化，增强线路板贴附面与干膜之间的结合力。该方法在干膜显影后增加了UV固化，通过UV光的作用，既可以将干膜内残留的有机溶剂挥发，又可以使得干膜与线路板贴附面的结合力提高，进而避免在后续的沉镍金过程中，由于高温起泡而导致的渗金、渗镍问题。

Description

线路板选择性沉金方法
技术领域
本发明涉及线路板制作技术领域，特别是涉及一种线路板选择性沉金方法。
背景技术
线路板，如IC载板等，在其制作工序的选择性沉金过程中，常规流程为“贴干膜-曝光-显影-沉镍金-退膜”或“真空压膜-曝光-显影-沉镍金-退膜”，但是，由于沉金过程中，金缸温度高达80-85摄氏度，常规工艺存在明显的缺陷，如使用普通的贴干膜方式，容易出现在沉金过程中干膜起泡导致渗金或渗镍，导致其它铜面镀金的问题；而采用真空压膜的方式，又容易出现大面积退膜不净的问题。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题，提供一种线路板选择性沉金方法，采用该方法，IC载板在沉金过程中，不会因为高温起泡导致渗金、渗镍的问题。
一种线路板选择性沉金方法，包括以下工序：干膜、曝光、显影、UV固化、沉镍金、退膜工序，其中：
所述UV固化工序中，将显影后的线路板以UV光照射固化，增强线路板贴附面与干膜之间的结合力。
上述线路板选择性沉金方法，在干膜显影后增加了UV固化，通过UV光的作用，既可以将干膜内残留的有机溶剂挥发，又可以使得干膜与线路板贴附面(如阻焊)的结合力提高，进而避免在后续的沉镍金过程中，由于高温起泡而导致的渗金、渗镍问题。
在其中一个实施例中，所述UV固化工序中，UV光源的能量为Q，过板速度为V，则Q÷V的值为800-1700，其中，Q的单位为mj，V的单位为m/min。干膜与贴附面之间的结合力是整个工艺方法的关键，如结合力过大，则在后序退膜工序中出现退膜不净的问题，但如结合力过小，又会在后序沉镍金工序中出现渗镍、渗金的问题。因此，在UV固化工序中，需要严格控制UV光的能量，由于干膜接受的UV能量与UV光源的能量和过板速度有关，UV光源的能量越高，过板速度越慢，则干膜所接收的能量越大。将Q÷V的值限定在800-1700，既能降低渗镍、渗金的比例，又不至于出现大面积退膜不净的问题。
在其中一个实施例中，所述UV光源的能量为1200mj，所述过板速度为0.70-1.5m/min。由于能量和速度的关系式为：Q1×V1＝Q2×V2(Q：UV能量；V：过板速度)，可以方便的通过调节过板速度来调节干膜所接收的能量大小。
在其中一个实施例中，所述UV固化工序中，Q÷V的值为1200-1400。将Q÷V的值限定在上述范围内，具有最佳的固化效果，既能防止渗镍、渗金，又能避免退膜不净的问题。
在其中一个实施例中，所述UV光源的能量为1200mj，所述过板速度为0.85-1m/min。采用该工艺参数，既有最佳的固化效果，又有方便操作的优点。
在其中一个实施例中，所述干膜工序中，将干膜在110±5℃、0.45±0.01MPa压力的条件下贴敷于线路板上。将干膜以上述条件进行贴干膜工序，具有较好的效果。
在其中一个实施例中，所述干膜工序中，所述干膜的厚度为25-75μm。当干膜厚度在上述范围内，具有较好的UV固化效果。
在其中一个实施例中，所述干膜的厚度为50μm。干膜厚度在上述范围内，具有最佳的UV固化效果。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明的一种线路板选择性沉金方法，在干膜显影后增加了UV固化，通过UV光的作用，既可以将干膜内残留的有机溶剂挥发，又可以使得干膜与线路板贴附面(如阻焊)的结合力提高，进而避免在后续的沉镍金过程中，由于高温起泡而导致的渗金、渗镍问题。
并且，该方法还通过严格控制干膜所接受的UV能量大小，可将出现退膜不净或渗金的比例降低至5％以下。
附图说明
图1为实施例1中显影工序示意图；
图2为实施例1中UV固化工序示意图；
图3为实施例1中沉金工序示意图。
其中：1.芯板；2.铜层；3.干膜；4.金层。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
实施例1
一种线路板选择性沉金方法，包括以下工序：
一、干膜
选取厚度为50um的干膜，在110±5℃、0.45±0.01MPa压力的条件下将该干膜贴于线路板的阻焊面上。
二、曝光
按照常规方法，以UV进行曝光，曝光能量为7-9级(90mj)。
三、显影
按照常规方法，以2.55m/min的速度进行显影，显影后线路板如图1所示。
四、UV固化
设定UV光源的能量为1200mj，过板速度为0.85m/min，进行UV固化，如图2所示。
五、沉金
按照常规方法，以下述工艺参数进行沉金沉镍处理，如图3所示。
表1.沉金、沉镍工艺条件
工艺名称 温度/℃ 时间/min
沉镍 82±3 22-26
沉金 81±3 8-12
六、退膜
按照常规方法，以下述工艺参数进行退膜处理。
表2.退膜工艺条件
实施例2
一种线路板选择性沉金方法，与实施例1的方法基本相同，不同之处在于：
第四步的UV固化工艺中，设定UV光源的能量为1200mj，过板速度为1m/min，进行UV固化。
实施例3
一种线路板选择性沉金方法，与实施例1的方法基本相同，不同之处在于：
第四步的UV固化工艺中，设定UV光源的能量为1200mj，过板速度为0.7m/min，进行UV固化。
实施例4
一种线路板选择性沉金方法，与实施例1的方法基本相同，不同之处在于：
第四步的UV固化工艺中，设定UV光源的能量为1200mj，过板速度为1.5m/min，进行UV固化。
对比例1
一种线路板选择性沉金方法，为常规选择性沉金方法，包括：贴干膜-曝光-显影-沉镍金-退膜工序。
该对比例的沉金方法与实施例1的方法相比，省略了第四步的UV固化工序，其它工序参数条件与实施例1相同。
对比例2
一种线路板选择性沉金方法，为常规选择性沉金方法，包括：真空压膜-曝光-显影-沉镍金-退膜工序。
该对比例的沉金方法与实施例1的方法相比，除第一步的真空压膜工序与实施例1不同，并省略了实施例1方法第四步的UV固化工序外，其它工艺参数条件与实施例1相同。
所述真空压膜工序的条件如下表所示。
表3.真空压膜工艺条件
实验例
按照上述实施例和对比例的方法进行选择性沉金，每种方法选用16板进行试验，考察出现渗金或退膜不净的比例，结果如下表所示。
表4.不同方法出现问题线路板的情况(％)
所采用方法 渗金比例 退膜不净比例
实施例1 0％ 12.5％
实施例2 6.25％ 6.25％
实施例3 0％ 31.25％
实施例4 18.75％ 0％
对比例1 31.25％ 0％
对比例2 6.25％ 43.75％
从上述结果中可以看出，对比例1的方法，由于采用的是普通贴干膜工艺，在后序的沉镍金工序中，由于金缸温度较高，干膜起泡出现了严重的渗金现象。对比例2的方法，由于采用的是真空压膜，致使干膜与贴附面之间的结合力较强，后序出现了严重的退膜不净现象。
而实施例1-4的方法，采用了UV固化技术，并严格控制了干膜所接受的UV能量，其渗金比例和退膜不净比例均较低，特别是其中的实施例1-2，采用了最佳的工艺条件，具有最低的渗金比例，以及最低的退膜不净比例。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种线路板选择性沉金方法，其特征在于，包括以下工序：干膜、曝光、显影、UV固化、沉镍金、退膜工序，其中：
所述UV固化工序中，将显影后的线路板以UV光照射固化，增强线路板贴附面与干膜之间的结合力。
2.根据权利要求1所述的线路板选择性沉金方法，其特征在于，所述UV固化工序中，UV光源的能量为Q，过板速度为V，则Q÷V的值为800-1700，其中，Q的单位为mj，V的单位为m/min。
3.根据权利要求2所述的线路板选择性沉金方法，其特征在于，所述UV光源的能量为1200mj，所述过板速度为0.70-1.5m/min。
4.根据权利要求2所述的线路板选择性沉金方法，其特征在于，所述UV固化工序中，Q÷V的值为1200-1400。
5.根据权利要求4所述的线路板选择性沉金方法，其特征在于，所述UV光源的能量为1200mj，所述过板速度为0.85-1m/min。
6.根据权利要求1所述的线路板选择性沉金方法，其特征在于，所述干膜工序中，将干膜在110±5℃、0.45±0.01MPa压力的条件下贴敷于线路板上。
7.根据权利要求1-6任一项所述的线路板选择性沉金方法，其特征在于，所述干膜工序中，所述干膜的厚度为25-75μm。
8.根据权利要求7所述的线路板选择性沉金方法，其特征在于，所述干膜的厚度为50μm。
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