CN105514302A - 量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置 - Google Patents

量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例涉及量子点发光二极管亚像素阵列的制造方法、由此制造的量子点发光二极管亚像素阵列以及包括该量子点发光二极管亚像素阵列的显示装置。根据本发明实施例的量子点发光二极管亚像素阵列的制造方法包括以下步骤：量子点接受层形成步骤：在衬底之上形成量子点接受层；热感性量子点材料层施加步骤：在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层，其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体；以及热感性量子点材料转移步骤：通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应，以将所述预定区域的热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。

Description

量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置
技术领域
本发明实施例一般地涉及显示装置领域，尤其涉及量子点发光二极管亚像素阵列的制造方法、由此制造的量子点发光二极管亚像素阵列以及包括该量子点发光二极管亚像素阵列的显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器(LCD)的下一代显示产品。但是，随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向，而高分辨的AMOLED产品很难同LCD竞争，这是因为有机发光显示产品的有机层结构通常采用掩模蒸发的方法制备，但是掩模蒸发方法存在着对位困难、良品率低、无法实现更小面积发光等的缺陷。这种精确控制蒸发区域能力不足的问题，无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示的需求。虽然可以采用印刷和打印的方法来取代掩模蒸发制备有机发光层的工艺，但印刷和打印的方法得到的分辨率也是极其有限的。因此，高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，而商品价格高的严重问题。
另一方面，随着量子点技术的深入发展，使用量子点材料作为发光层的电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。
发明内容
本发明实施例提供一种采用加热工艺制造量子点发光二极管(QD-LED)亚像素阵列的方法、利用该方法制成的量子点发光二极管亚像素阵列、以及包括该亚像素阵列的显示装置。本发明实施例避开了目前采用溶液打印方法制备QD-LED亚像素的工艺困难，同时也大幅度降低了制备高分辨率有源矩阵量子点发光二极管(AM-QD-LED)的难度，从而使得AM-QD-LED的技术成本比AMOLED技术的成本大为降低，也使得其有可能同现有LCD产品进行价格竞争。
根据本发明实施例的第一方面，提供一种制造量子点发光二极管亚像素阵列的方法，该方法可以包括以下步骤：
量子点接受层形成步骤：在衬底之上形成量子点接受层；
热感性量子点材料层施加步骤：在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层，其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体；以及
热感性量子点材料转移步骤：通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应，以将所述预定区域的所述热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，去除所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。
根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的承载基板，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。
根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述承载基板。
根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的导热性掩模版，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。
根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述导热性掩模版。
根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上涂布所述热感性量子点材料层。
根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，使用清洗工艺洗掉所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。
根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括激光加热、红外光源加热或加热炉加热中的一种或多种。
根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料转移步骤可以包括在加热之前，将导热性掩模版对位放置在所述热感性量子点材料层上，然后加热所述导热性掩模板。
根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括对热感性量子点材料进行激光的周期性扫描。
根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括对所述衬底整体加热和对所述热感性量子点材料进行激光的周期性扫描。
根据本发明的示例性实施例，所述加热可以还包括对所述衬底的整体加热。
根据本发明的示例性实施例，位于所述热感性量子点材料层与所述衬底之间的空穴传输层或电子传输层可以被用作所述量子点接受层。
根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料中的所述有机配体可以含有易受热分解而生成胺基、羟基、羧基或酚羟基的基团。
根据本发明的示例性实施例，所述量子点接受层为带有胺基、吡啶基、羧基或羟基的聚合物层。
根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层中的有机配体可含有1,3-丁二烯基团，所述量子点接受层可含有烯基；或者，所述热感性量子点材料层中的有机配体可含有烯基，所述量子点接受层可含有1,3-丁二烯基团。
根据本发明的示例性实施例，所述导热性掩模版可以由油溶性材料制成。
根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层的所述承载基板可以由油溶性材料制成。
根据本发明的示例性实施例，所述方法可以用于将两种以上的热感性量子点材料形成在相应的亚像素区域上，所述方法包括在所述量子点接受层形成步骤之后针对所述两种以上的热感性量子点材料中的每一种热感性量子点材料分别执行所述热感性量子点材料层施加步骤和所述热感性量子点材料转移步骤。
根据本发明的示例性实施例，形成在所述承载基板上的所述热感性量子点材料层可以为两种以上的热感性量子点材料层的叠层，其中所述叠层中的作为最远离所述承载基板的层的第一层为相变温度最低的热感性量子点材料层，所述叠层中的最邻近所述承载基板的层为相变温度最高的热感性量子点材料层，所述热感性量子点材料转移步骤包括：
用第一温度加热所述叠层的所述预定区域，以将所述预定区域的叠层中的所述第一层转移到所述量子点接受层上的第一亚像素区域，并因此使得在所述预定区域中，所述叠层中的与所述第一层相邻的第二层暴露；
将所述承载基板移动一个亚像素区位置，使所暴露的所述预定区域的叠层中的所述第二层对准第二亚像素区域，用高于第一温度的第二温度加热所述预定区域，以将所述第二层转移到所述量子点接受层上的第二亚像素区域，
按此方式使用逐渐增加的温度将所述预定区域的叠层中的各层热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
根据本发明的示例性实施例，形成在所述导热性掩模版上的所述热感性量子点材料层可以为两种以上的热感性量子点材料层的叠层，其中所述叠层中的作为最远离所述导热性掩模版的层的第一层为相变温度最低的热感性量子点材料层，所述叠层中的最邻近所述导热性掩模版的层为相变温度最高的热感性量子点材料层，所述热感性量子点材料转移步骤包括：
用第一温度加热所述叠层的所述预定区域，以将所述预定区域的叠层中的所述第一层转移到所述量子点接受层上的第一亚像素区域，并因此使得在所述预定区域中，所述叠层中的与所述第一层相邻的第二层暴露；
将所述导热性掩模版移动一个亚像素区位置，使所暴露的所述预定区域的叠层中的所述第二层对准第二亚像素区域，用高于第一温度的第二温度加热所述预定区域，以将所述第二层转移到所述量子点接受层上的第二亚像素区域，
按此方式使用逐渐增加的温度将所述预定区域的叠层中的各层热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
根据本发明的示例性实施例，所述两种以上的热感性量子点材料层可以为用于RGB像素布局或RGBW像素布局的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层。
根据本发明的示例性实施例，所述两种以上的热感性量子点材料层为用于RGB或RGBW像素布局中亚像素面积不等的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层。
根据本发明的示例性实施例，所述量子点发光二极管的亚像素区域中的至少一个或全部使用热感性量子点材料形成，剩余的亚像素区域使用有机发光材料形成。
根据本发明实施例的第二方面，提供一种通过上述方法之一制成的量子点发光二极管的亚像素阵列。
根据本发明实施例的第三方面，提供一种具有上述量子点发光二极管的亚像素阵列的显示装置。
本发明实施例利用热感性的量子点材料通过加热工艺在量子点接受层上形成诸如红、绿、蓝等的亚像素，避开了类似于有机发光二极管(OLED)在提升分辨率方面的技术难度，例如，需要OLED蒸镀掩模版进一步减小掩模工艺线宽的要求，需要更高精度的打印喷头等。本发明实施例能够有效实现高分辨率的有源矩阵量子点发光二极管(AM-QD-LED)的产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率，从而为大规模的AM-QD-LED的产业化铺平了道路。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1A-1C是通过截面图示例根据本发明实施例的热感性量子点材料的有机配体通过受热而向量子点接受层转移的原理图；
图2A-2K是通过截面图示例根据本发明的第一实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图；
图3A-3H是通过截面图示例根据本发明的第二实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图；
图4A-4H是通过截面图示例根据本发明的第三实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图；
图5A-5G是通过截面图示例根据本发明的第四实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图，以及
图6A-6F是通过截面图示例根据本发明的第五实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图。
附图仅仅示出了本发明的示例性实施例，因此不应当被认为是限制本发明的范围，因为本发明容许有其它等效实施例。图中示出的元件和特征不一定按比例绘制，相反地，重点放在了清楚地图示示例性实施例的原理。在附图中，相似的附图标记标出了相似或对应但并不一定相同的元件。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例的描述中需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。当诸如层、区域或衬底的要素被称为在另一要素“上”或“上方”时，它可以直接在该另一要素上，或者也可以存在中间要素。相反，当一个要素被称为“直接在”另一要素“上”或者“上方”时，不存在中间要素。还应当理解，当一个要素被称为在另一要素“下”或“下方”时，它可以直接在该另一要素下或下方，或者也可以存在中间要素。相反，当一个要素被称为“直接在”另一要素“下”或者“下方”时，不存在中间要素。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
根据本发明实施例的第一方面，提供了一种采用加热工艺制造量子点发光二极管(QD-LED)亚像素阵列的方法。
具体而言，根据本发明实施例的制造量子点发光二极管亚像素阵列的方法可以包括以下步骤：
量子点接受层形成步骤：在衬底之上形成量子点接受层；
热感性量子点材料层施加步骤：在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层，其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体；以及
热感性量子点材料转移步骤：通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应，以将所述预定区域的所述热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
如上所述，本发明实施例利用热感性的量子点材料通过加热工艺在量子点接受层上形成诸如红、绿、蓝等的亚像素。图1A-1C示出了根据本发明实施例的热感性量子点材料层的有机配体通过受热而向量子点接受层转移的原理图。包含热敏性有机配体的热感性量子点材料层被施加在量子点接受层106上。在一些实施例中，热感性量子点材料层可以被承载在承载基板112上(图1A)。在一些实施例中，热感性量子点材料层可以被承载在导热性掩模版114上(图1B)。然而，热感性量子点材料层的承载基板112或者导热性掩模版114不是必需的。在一些实施例中，热感性量子点材料层可以直接涂布在量子点接受层106上(图1C)。在受热之前，热感性量子点材料层与可选的承载基板112或可选的导热性掩模版114的材料具有良好的相容性，能够紧贴承载基板112或导热性掩模版114的表面；在热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料受热之后，该区域的热感性量子点材料的热敏性有机配体发生化学反应，变为与承载基板112或导热性掩模版114不相容，从而从承载基板112或导热性掩模版114的表面脱落。并且，反应后的所述预定区域的热感性量子点材料的有机配体能与位于QD-LED背板上的量子点接受层的表面官能团形成诸如氢键等的弱结合力连接，从而转移到位于QD-LED背板上的量子点接受层上。这样，在热的作用下，预定区域的热感性量子点材料完成了从可选的承载基板112或可选的导热性掩模版114的表面到量子点接受层(即QD-LED背板)的转移，或者直接转移到量子点接受层(即QD-LED背板)上。
这里应注意，图1A-1C中给出的仅仅是示例性实例，其中热感性量子点材料层的有机配体所包含的基团以及量子点接受层106所包含的官能团不限于图1A-1C中所示的-O-R1基团和-NH2基团。本领域技术人员可以设想使用其他能够在受热后发生反应而通过弱结合力转移到量子点接受层上的热感性量子点材料和相应的量子点接受层材料。
下面结合具体实施例来说明根据本发明实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法、由此制造的量子点发光二极管亚像素阵列以及包括该量子点发光二极管亚像素阵列的显示装置。然而，本发明不限于这些具体实施例。
第一实施例
图2A-2K是通过截面图示例根据本发明的第一实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图。在具体实例中，举例而言，可以通过激光加热法在衬底之上分别制备绿、蓝、红三色量子点发光二极管亚像素阵列。
首先，图2A示出了本实施例的初始结构。该初始结构为基础衬底202，其材料是本领域公知的，例如玻璃或石英等。该基础衬底202可以是透明的或不透明的。采用标准方法对该基础衬底202进行清洗。
接下来，如图2B所示，在基础衬底202之上制备可选的薄膜晶体管(TFT)阵列204。对TFT阵列的具体制备方法和结构不做限制，其可以为本领域公知的方法和结构。例如，可以如下形成TFT部分：沉积栅极金属Mo200nm，并图形化；沉积栅极介质SiO2150nm；沉积有源层IGZO(铟镓锌氧化物)40nm，并图形化；沉积源/漏极金属Mo200nm，并图形化；沉积钝化层SiO2300nm，并图形化；沉积像素电极ITO(铟锡氧化物)40nm，并图形化；旋涂沉积亚克力系材料并光刻、固化出像素界定层，约1.5um，由此形成TFT背板结构。当然，本领域技术人员可以设想使用其他材料、厚度、结构的常规TFT背板结构。
这里应注意，在基础衬底202之上的TFT阵列204是可选的，而不是必需的。本领域技术人员也将理解，根据实际需要，在基础衬底202之上可以形成或可以不形成可选的一个或多个电路结构或器件结构。可选的一个或多个电路结构或器件结构包括但不限于TFT或其阵列，本领域技术人员可以设想其他电路结构或器件结构。在本申请中，将基础衬底本身、或者基础衬底与其上形成的可选的电路结构或器件结构的组合统称为衬底。
在制备QD-LED部分前，可以采用等离子体处理可选的TFT的背板表面，以调整像素电极的功函数，从而使得LED器件的效率更高、寿命更长。并且，可以采用例如蒸镀、旋涂或溅射等工艺制备可选的第一共同层。在像素阳极位于底层的情况下，该第一共同层可以为空穴注入层和空穴传输层；而在像素阴极位于底层的情况下，该第一共同层可以为电子注入层和电子传输层。例如，在第一共同层为空穴注入层和空穴传输层的情况下，可以分别旋涂PEDOT:PSS和TFB等。在第一共同层为电子注入层和电子传输层的情况下，例如可以分别蒸镀LiF:Al，旋涂或溅射ZnO层等。第一共同层的整体厚度可以为例如50-100nm。
之后，在所得到的结构上施加(例如，旋涂)带有特定官能团的量子点接受层206，如图2B所示。所述特定官能团在稍后描述的热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料受热之后能够与该区域的量子点材料形成弱作用力结合。例如，所述官能团可以为胺基、吡啶基、羧基或羟基等。
接下来，如图2C所示，在量子点接受层206上施加第一热感性量子点材料层210，其中该第一热感性量子点材料层210包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第一热感性量子点材料层210的施加是通过在量子点接受层206上对位放置形成有第一热感性量子点材料层210的第一承载基板212而实现的，其中第一热感性量子点材料层210面向量子点接受层206。如上所述，第一热感性量子点材料层210在受热之前与第一承载基板212具有良好的相容性，能够紧贴第一承载基板212的表面。
在具体实例中，举例而言，第一热感性量子点材料层210可以包含用于绿光LED的热感性量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
如图2D所示，在施加第一热感性量子点材料层210之后，将第一导热性掩模版214置于其上承载有第一热感性量子点材料层210的第一承载基板212上，使得第一导热性掩模版214的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第一热感性量子点材料层210的第一亚像素区域。并且，采用激光216对第一导热性掩模版214进行加热，如图2D所示。从而，第一热感性量子点材料层210的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第一热感性量子点材料受热，其中的有机配体发生化学反应，从与第一承载基板212相容变为不相容，因而从第一承载基板212脱落。另一方面，受到激光照射的反应后的第一热感性量子点材料中的有机配体能够与量子点接受层206的表面官能团形成弱作用力结合，从而转而转移到量子点接受层206上。
由此，如图2E所示，第一热感性量子点材料层210的受到激光照射的区域的第一热感性量子点材料210’进入到相应的第一亚像素区域。之后，未被照射的区域的剩余第一热感性量子点材料随着整个第一承载基板212移走，从而仅在第一亚像素区域(在具体实例中，可以为绿光亚像素区域)中留下第一热感性量子点材料210’。
接下来，如图2F所示，在其上形成有第一热感性量子点材料210’的量子点接受层206之上施加第二热感性量子点材料层220，其中该第二热感性量子点材料层220包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第二热感性量子点材料层220的施加是通过在量子点接受层206上对位放置形成有第二热感性量子点材料层220的第二承载基板222而实现的，其中第二热感性量子点材料层220面向量子点接受层206。如上所述，第二热感性量子点材料层220在受热之前与第二承载基板222具有良好的相容性，能够紧贴第二承载基板222的表面。
在具体实例中，举例而言，第二热感性量子点材料层220可以包含用于蓝光LED的热感性量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
如图2G所示，在施加第二热感性量子点材料层220之后，将第二导热性掩模版224置于其上承载有第二热感性量子点材料层220的第二承载基板222上，使得第二导热性掩模版224的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第二热感性量子点材料层220的第二亚像素区域。并且，采用激光226对第二导热性掩模版224进行加热，如图2G所示。从而，第二热感性量子点材料层220的位于未被掩模材料掩蔽的区域的热感性量子点材料受热，其中的有机配体发生化学反应，从与第二承载基板222相容变为不相容，因而从第二承载基板222脱落。另一方面，受到激光照射的反应后的第二热感性量子点材料中的有机配体能够与量子点接受层206的表面官能团形成弱作用力结合，从而转而转移到量子点接受层206上。
由此，如图2H所示，第二热感性量子点材料层220的受到激光照射的区域的第二热感性量子点材料220’进入到相应的第二亚像素区域。之后，未被照射的区域的剩余第二热感性量子点材料随着整个第二承载基板222移走，从而仅在第二亚像素区域(在具体实例中，可以为蓝光亚像素区域)中留下第二热感性量子点材料220’。
接下来，如图2I所示，在其上形成有第一热感性量子点材料210’和第二热感性量子点材料220’的量子点接受层206之上施加第三热感性量子点材料层230，其中该第三热感性量子点材料层230包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第三热感性量子点材料层230的施加是通过在量子点接受层206上对位放置形成有第三热感性量子点材料层230的第三承载基板232而实现的，其中第三热感性量子点材料层230面向量子点接受层206。如上所述，第三热感性量子点材料层230在受热之前与第三承载基板232具有良好的相容性，能够紧贴第三承载基板232的表面。
在具体实例中，举例而言，第三热感性量子点材料层230可以包含用于红光LED的热感谢量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
如图2J所示，在施加第三热感性量子点材料层230之后，将第三导热性掩模版234置于其上承载有第三热感性量子点材料层230的第三承载基板232上，使得第三导热性掩模版234的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第三热感性量子点材料层220的第三亚像素区域。并且，采用激光236对第三导热性掩模版234进行加热，如图2J所示。从而，第三热感性量子点材料层230的位于未被掩模材料掩蔽的区域的热感性量子点材料受热，其中的有机配体发生化学反应，从与第三承载基板232相容变为不相容，因而从第三承载基板232脱落。另一方面，受到激光照射的反应后的第三热感性量子点材料中的有机配体能够与量子点接受层206的表面官能团形成弱作用力结合，从而转而转移到量子点接受层206上。
由此，如图2K所示，第三热感性量子点材料层230的受到激光照射的区域的第三热感性量子点材料230’进入到相应的第三亚像素区域。之后，未被照射的区域的剩余第三热感性量子点材料230随着整个第三承载基板232移走，从而仅在第三亚像素区域(在具体实例中，可以为红光亚像素区域)中留下第三热感性量子点材料230’。
从而，可以通过加热法在衬底之上的第一、第二、第三亚像素区域中分别形成第一热感性量子点材料210’、第二热感性量子点材料220’和第三热感性量子点材料230’的阵列(在具体实例中，可以分别为绿光、蓝光、红光亚像素阵列)。
进一步地，在完成各亚像素阵列的形成之后，可以在亚像素阵列之上形成(例如，通过旋涂或蒸镀等工艺)可选的第二共同层。在像素阳极位于底层的情况下，该第二共同层可以为电子传输层和电子注入层；而在像素阴极位于底层的情况下，该第二共同层可以为空穴传输层和空穴注入层。在第二共同层为电子传输层和电子注入层的情况下，例如，旋涂或蒸镀ZnO纳米颗粒或LiF等；而在第二共同层为空穴传输层和空穴注入层的情况下，例如，可以分别旋涂TFB、PEDOT:PSS等。
接下来，形成(例如，通过蒸镀工艺)第二电极的金属薄层。例如，在上述像素电极(第一电极)为阳极的情况下，该第二电极为阴极，反之亦然。阴极可采用例如LiF:Al层等，约为500-1000nm；阳极可以采用Al、Ag或Al/ITO等，约为30-100nm。第二电极形成之后进行Dam&Fritz(坝型融材封装法)封装并切割，完成整个AM-QD-LED的面板部分，从而实现基于AM-QD-LED的显示装置。
此外，根据需要，上述工艺过程中也可加入对各功能层的修饰。并且，例如，可根据实际需要增加电子阻挡层和/或空穴阻挡层；可根据实际需要省略空穴注入层和/或电子注入层等；也可根据需要对整个衬底进行辅助加热，以利于工艺的完成。
由此制备的AM-QD-LED器件的分辨率得到大幅提高。例如，其亚像素最小面积可以为10-30微米或更小，分辨率可以为约300-800ppi或更高。
如上所述，根据本实施例，利用热感性的量子点材料通过加热工艺直接形成诸如红、绿、蓝等的亚像素，能够有效实现高分辨率的有源矩阵量子点发光二极管的产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率。
第二实施例
在第二实施例中，使用与第一实施例相似的方法，分别独立地实现各热感性量子点材料层向相应亚像素区域上的转移。第二实施例与第一实施例的区别在于，不使用热感性量子点材料层的承载基板，而是直接使用导热性掩模来承载热感性量子点材料。在下面的描述中，对于第二实施例中与第一实施例中相似的部分不再进行详细的描述。
图3A-3H是通过截面图示例根据本发明的第二实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图。
如图3A和3B所示，在清洗后的基础衬底302上制备可选的TFT阵列304，并在可选的TFT阵列304之上形成量子点接受层306，这与第一实施例中图2A和2B所示的步骤相同。
接下来，如图3C所示，在量子点接受层306上施加第一热感性量子点材料层310，其中该第一热感性量子点材料层310包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第一热感性量子点材料层310的施加是通过如下方式实现的：将其上承载有第一热感性量子点材料层310的第一导热性掩模版314对位放置在量子点接受层306上，使得第一热感性量子点材料层310面向量子点接受层306，并且使得第一导热性掩模版314的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第一热感性量子点材料层310的第一亚像素区域。第一热感性量子点材料层310在受热之前与导热性掩模版314具有良好的相容性，能够紧贴导热性掩模版314的表面。
在具体实例中，举例而言，第一热感性量子点材料层310可以包含用于绿光LED的热感性量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
之后，采用激光316对第一导热性掩模版314进行加热，如图3C所示。从而，第一热感性量子点材料层310的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第一热感性量子点材料受热，其中的有机配体发生化学反应，从与第一导热性掩模版314相容变为不相容，因而从第一导热性掩模版314脱落。另一方面，受到激光照射的反应后的第一热感性量子点材料中的有机配体能够与量子点接受层306的表面官能团形成弱作用力结合，从而转而转移到量子点接受层306上。由此，如图3D所示，第一热感性量子点材料层310的受到激光照射的区域的第一热感性量子点材料310’进入到相应的第一亚像素区域。之后，未被照射的区域的剩余第一热感性量子点材料随着整个第一导热性掩模版314移走，从而仅在第一亚像素区域(在具体实例中，可以为绿光亚像素区域)中留下第一热感性量子点材料310’。
接下来，如图3E所示，在其上形成有第一热感性量子点材料310’的量子点接受层306之上施加第二热感性量子点材料层320，其中该第二热感性量子点材料层320包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第二热感性量子点材料层320的施加是通过如下方式实现的：将其上承载有第二热感性量子点材料层320的第二导热性掩模版324对位放置在量子点接受层306上，使得第二热感性量子点材料层320面向量子点接受层306，并且使得第二导热性掩模版324的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第二热感性量子点材料层320的第二亚像素区域。第二热感性量子点材料层320在受热之前与第二导热性掩模版324具有良好的相容性，能够紧贴导热性掩模版324的表面。
在具体实例中，举例而言，第二热感性量子点材料层320可以包含用于蓝光LED的热感性量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
之后，采用激光326对第二导热性掩模版324进行加热，如图3E所示。从而，第二热感性量子点材料层320的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第二热感性量子点材料受热，其中的有机配体发生化学反应，从与第二导热性掩模版324相容变为不相容，因而从第二导热性掩模版324脱落。另一方面，受到激光照射的反应后的第二热感性量子点材料中的有机配体能够与量子点接受层306的表面官能团形成弱作用力结合，从而转而转移到量子点接受层306上。
由此，如图3F所示，第二热感性量子点材料层320的受到激光照射的区域的第二热感性量子点材料320’进入到相应的第二亚像素区域。之后，未被照射的区域的剩余第二热感性量子点材料随着整个第二导热性掩模版324移走，从而仅在第二亚像素区域(在具体实例中，可以为蓝光亚像素区域)中留下第二热感性量子点材料320’。
接下来，如图3G所示，在其上形成有第一热感性量子点材料310’和第二热感性量子点材料320’的量子点接受层306之上施加第三热感性量子点材料层330，其中该第三热感性量子点材料层330包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第三热感性量子点材料层330的施加是通过如下方式实现的：将其上承载有第三热感性量子点材料层330的第三导热性掩模版334对位放置在量子点接受层306上，使得第三热感性量子点材料层330面向量子点接受层306，并且使得第三导热性掩模版334的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第三热感性量子点材料层330的第三亚像素区域。第三热感性量子点材料层330在受热之前与导热性掩模版334具有良好的相容性，能够紧贴导热性掩模版334的表面。
在具体实例中，举例而言，第三热感性量子点材料层330可以包含用于红光LED的热感性量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
之后，采用激光336对第三导热性掩模版334进行加热，如图3G所示。从而，第三热感性量子点材料层330的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第三热感性量子点材料受热，其中的有机配体发生化学反应，从与第三导热性掩模版334相容变为不相容，因而从第三导热性掩模版334脱落。另一方面，受到激光照射的反应后的第三热感性量子点材料330中的有机配体能够与量子点接受层306的表面官能团形成弱作用力结合，从而转而转移到量子点接受层306上。
由此，如图3H所示，第三热感性量子点材料层330的受到激光照射的区域的量子点材料330’进入到相应的第三亚像素区域。之后，未被照射的区域的剩余第三热感性量子点材料随着整个第三导热性掩模版334移走，从而仅在第三亚像素区域(在具体实例中，可以为红光亚像素区域)中留下第三热感性量子点材料330’。
从而，可以通过加热法在衬底之上的第一、第二、第三亚像素区域中分别形成第一热感性量子点材料310’、第二热感性量子点材料320’和第三热感性量子点材料330’的阵列(在具体实例中，可以分别为绿光、蓝光、红光亚像素阵列)。
在本实施例中，完成各亚像素阵列的形成之后的其他步骤以及配置与第一实施例中的相同，在此不再赘述。
如上所述，根据本实施例，利用热感性的量子点材料通过加热工艺直接形成诸如红、绿、蓝等的亚像素，能够有效实现高分辨率的有源矩阵量子点发光二极管的产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率。
第三实施例
在第三实施例中，使用与第一实施例相似的加热方法，分别独立地实现各热感性量子点材料层向相应亚像素区域的转移。第三实施例与第一实施例的主要区别在于，不使用热感性量子点材料层的承载基板，而是将热感性量子点材料层直接涂布在量子点接受层上。在下面的描述中，对于第三实施例中与第一实施例中相似的部分不再进行详细的描述。
图4A-4H是通过截面图示例根据本发明的第三实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图。
如图4A和4B所示，在清洗后的基础衬底402上制备可选的TFT阵列404，并在可选的TFT阵列404之上形成量子点接受层406，这与第一实施例中图2A和2B所示的步骤相同。
接下来，如图4C所示，在量子点接受层406上施加第一热感性量子点材料层410，其中该第一热感性量子点材料层410包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第一热感性量子点材料层410的施加是通过将第一热感性量子点材料层410直接涂布在量子点接受层406上而实现的。
在具体实例中，举例而言，第一热感性量子点材料层410可以包含用于绿光LED的热感性量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
之后，通过采用激光的周期性扫描416，或者通过如第一实施例那样使用图形化的第一导热性掩模版，对位于第一亚像素区域的第一热感性量子点材料层410进行加热，如图4C所示。第一热感性量子点材料层410的受到加热的区域中的发生反应后的第一热感性量子点材料中的有机配体能够与量子点接受层406的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层406上。
由此，如图4D所示，受到加热的区域的第一热感性量子点材料410’进入到相应的第一亚像素区域。之后，第一热感性量子点材料层410的未被加热的区域的剩余第一热感性量子点材料由于未与量子点接受层406的表面官能团形成弱作用力结合，因此在随后的清洗工艺中能够被洗掉，从而仅在第一亚像素区域(在具体实例中，可以为绿光亚像素区域)中留下第一热感性量子点材料410’。
接下来，如图4E所示，在其上形成有第一热感性量子点材料层410’的量子点接受层406之上施加第二热感性量子点材料层420，其中该第二热感性量子点材料层420包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第二热感性量子点材料层420的施加是通过将第二热感性量子点材料层420直接涂布在量子点接受层406上而实现的。
在具体实例中，举例而言，第二热感性量子点材料层420可以包含用于蓝光LED的热感性量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
之后，通过采用激光的周期性扫描426，或者通过如第一实施例那样使用图形化的第二导热性掩模版，对第二热感性量子点材料层420的位于第二亚像素区域上的第二热感性量子点材料进行加热，如图4E所示。第一热感性量子点材料层410的受到加热的区域中的发生反应后的第二热感性量子点材料420中的有机配体能够与量子点接受层406的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层406上。
由此，如图4F所示，受到加热的区域的第二热感性量子点材料420’进入到相应的第二亚像素区域。之后，第二热感性量子点材料层420的未被加热的区域的剩余第二热感性量子点材料由于未与量子点接受层406的表面官能团形成弱作用力结合，因此在随后的清洗工艺中能够被洗掉，从而仅在第二亚像素区域(在具体实例中，可以为蓝光亚像素区域)中留下第二热感性量子点材料420’。
接下来，如图4G所示，在其上形成有第一热感性量子点材料410’和第二热感性量子点材料420’的量子点接受层406之上施加第三热感性量子点材料层430，其中该第三热感性量子点材料层430包含热敏性的有机配体。在本实施例中，第三热感性量子点材料层430的施加是通过将第三热感性量子点材料层430直接涂布在量子点接受层406上而实现的。
在具体实例中，举例而言，第三热感性量子点材料层430可以包含用于红光LED的量子点材料，但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
之后，通过采用激光的周期性扫描436，或者通过如第一实施例那样使用图形化的第三导热性掩模版，对第三热感性量子点材料层430的位于第三亚像素区域上的第三热感性量子点材料进行加热，如图4G所示。第三热感性量子点材料层430的受到加热的区域中的发生反应后的第三热感性量子点材料430中的有机配体能够与量子点接受层406的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层406上。
由此，如图4H所示，第三热感性量子点材料层430的受到加热的区域的第三热感性量子点材料430’进入到相应的第三亚像素区域。之后，第三热感性量子点材料层430的未被加热的区域的剩余第三热感性量子点材料由于未与量子点接受层406的表面官能团形成弱作用力结合，因此在随后的清洗工艺中能够被洗掉，从而仅在第三亚像素区域(在具体实例中，可以为红光亚像素区域)中留下第三热感性量子点材料430’。
从而，可以通过加热法在衬底之上的第一、第二、第三亚像素区域中分别形成第一热感性量子点材料410’、第二热感性量子点材料420’和第三热感性量子点材料430’的阵列(在上述具体实例中，可以分别为绿光、蓝光、红光亚像素阵列)。
在本实施例中，完成各亚像素阵列的形成之后的其他步骤以及其他配置与第一实施例中的相同，在此不再赘述。
如上所述，根据本实施例，利用热感性的量子点材料通过加热工艺直接形成诸如红、绿、蓝等的亚像素，能够有效实现高分辨率的有源矩阵量子点发光二极管的产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率。
第四实施例
在第四实施例中，各热感性量子点材料层一起被涂布，并分别被转移到各相应亚像素区域上。图5A-5G是通过截面图示例根据本发明的第四实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图。
与第一实施例中相似地，如图5A和5B所示，在清洗后的基础衬底502上制备可选的TFT阵列504，并在可选的TFT阵列504之上形成量子点接受层506，这与第一实施例中图2A和2B所示的步骤相同。
接下来，如图5C所示，在量子点接受层506上施加热感性量子点材料层的叠层540。在本实施例中，热感性量子点材料层的叠层540的施加是通过如下方式实现的：将其上承载有热感性量子点材料层的叠层540的承载基板542置于量子点接受层506上，使得热感性量子点材料层的叠层540面向量子点接受层506。该叠层540是通过在承载基板542上依次整体涂布第三热感性量子点材料层(未示出)、第二热感性量子点材料层(未示出)和第一热感性量子点材料层(未示出)而形成的。其中作为最远离承载基板542的层(也就是与量子点接受层506相邻的层)的第一热感性量子点材料层为相变温度最低的热感性量子点材料层，作为最邻近承载基板542的层的第三热感性量子点材料层为相变温度最高的热感性量子点材料层。热感性量子点材料层的叠层540中的每种量子点材料包含热敏性的有机配体。热感性量子点材料层的叠层540在受热之前与承载基板542具有良好的相容性，能够紧贴承载基板542的表面。
在具体实例中，如果以用于绿光LED的热感性量子点材料的相变温度最低，用于红光LED的热感性量子点材料的相变温度最高，而用于蓝光LED的热感性量子点材料介于其中为例，则第一热感性量子点材料层(即，最远离承载基板542的层)包含用于绿光LED的热感性量子点材料，第三热感性量子点材料层(即，最邻近承载基板542的层)包含用于红光LED的热感性量子点材料，位于中间的第二热感性量子点材料层包含用于蓝光LED的热感性量子点材料。但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
如图5D所示，在施加热感性量子点材料层的叠层540之后，将第一导热性掩模版514置于其上承载有热感性量子点材料层的叠层540的承载基板542上，使得第一导热性掩模版514的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第一热感性量子点材料的第一亚像素区域。并且，采用激光516对第一导热性掩模版514用第一温度T1进行加热，如图5D所示。因此，第一热感性量子点材料层的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第一热感性量子点材料中的有机配体发生化学反应，其中的有机配体与量子点接受层506的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层506上，并因此使该区域的第二热感性量子点材料暴露。
由此，如图5E所示，第一热感性量子点材料进入到相应的第一亚像素区域(在上述具体实例中，为绿光亚像素区域)。
接下来，如图5E所示，将承载基板542移动一个亚像素区位置，使叠层540中的其中第一热感性量子点材料已被转移走而第二热感性量子点材料暴露的有效材料区域对准第二亚像素区域(在上述具体实例中，为蓝光亚像素区域)。并且，将第二导热性掩模版524置于承载基板542上，使得第二导热性掩模版524的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第二热感性量子点材料的上述第二亚像素区域。然后，采用激光526对第二导热性掩模版524用第二温度T2进行加热，如图5E所示，其中T2>T1。因此，第二热感性量子点材料层的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第二热感性量子点材料中的有机配体发生化学反应，其中的有机配体与量子点接受层506的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层506上，并因此使该区域的第三热感性量子点材料暴露。
由此，如图5F所示，第二热感性量子点材料进入到相应的第二亚像素区域(在上述具体实例中，为蓝光亚像素区域)。
接下来，如图5F所示，将承载基板542再移动一个亚像素区位置，使叠层540中的其中第一和第二热感性量子点材料已被转移走而第三热感性量子点材料暴露的有效材料区域对准第三亚像素区域(在上述具体实例中，为红光亚像素区域)。并且，将第三导热性掩模版534置于承载基板542上，使得第三导热性掩模版534的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第三热感性量子点材料的上述第三亚像素区域。然后，采用激光536对第三导热性掩模版534用第三温度T3进行加热，如图5F所示，其中T3>T2。因此，第三热感性量子点材料层的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第三热感性量子点材料中的有机配体发生化学反应，其中的有机配体与量子点接受层506的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层506上。
由此，如图5G所示，第三热感性量子点材料进入到相应的第三亚像素区域(在上述具体实例中，为红光亚像素区域)。之后，将未发生反应的剩余热感性量子点材料的叠层540随着整个承载基板542移走。
从而，可以通过加热法在衬底之上的第一、第二、第三亚像素区域中分别形成第一热感性量子点材料510’、第二热感性量子点材料520’和第三热感性量子点材料530’的阵列(在上述具体实例中，可以分别为绿光、蓝光、红光亚像素阵列)。
在本实施例中，完成各亚像素阵列的形成之后的其他步骤以及其他配置与第一实施例中的相同，在此不再赘述。
由此制备的AM-QD-LED器件的分辨率得到大幅提高。例如，其亚像素最小面积可以为10-30微米或更小，分辨率可以为约300-800ppi或更高。
通过该实施例的制造方法，利用热感性的量子点材料通过加热工艺直接形成诸如红、绿、蓝等的亚像素，能够有效实现高分辨率的有源矩阵量子点发光二极管的产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率。
第五实施例
在第五实施例中，使用与第四实施例相似的方法，各热感性量子点材料层一起整体被涂布，并分别被转移到各相应亚像素区域上，实现各热感性量子点材料层向相应亚像素区的转移。第五实施例与第四实施例的区别在于，不使用热感性量子点材料的叠层的承载基板，而是直接使用导热性掩模来承载量子点材料的叠层，这一点与第二实施例相似。
图6A-6F是通过截面图示例根据本发明的第五实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图。
如图6A和6B所示，在清洗后的基础衬底602上制备可选的TFT阵列604，并在可选的TFT阵列604之上形成量子点接受层606，这与第一实施例中图2A和2B所示的步骤相同。
接下来，如图6C所示，在量子点接受层606上施加热感性量子点材料层的叠层640。在本实施例中，热感性量子点材料层的叠层640的施加是通过如下方式实现的：将其上承载有热感性量子点材料层的叠层640的导热性掩模版644置于量子点接受层606上，使得热感性量子点材料层的叠层640面向量子点接受层606，并且使得导热性掩模版644的未覆盖掩模材料的区域对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第一热感性量子点材料的第一亚像素区域。该叠层640是通过在导热性掩模版644上依次整体涂布第三热感性量子点材料层(未示出)、第二热感性量子点材料层(未示出)和第一热感性量子点材料层(未示出)而形成的。其中作为最远离导热性掩模版644的层(也就是与量子点接受层606相邻的层)的第一热感性量子点材料层为相变温度最低的热感性量子点材料层，作为最邻近导热性掩模版644的层的第三热感性量子点材料层为相变温度最高的热感性量子点材料层。热感性量子点材料层的叠层640中的每种热感性量子点材料包含热敏性的有机配体。热感性量子点材料层的叠层640在受热之前与导热性掩模版644具有良好的相容性，能够紧贴导热性掩模版644的表面。
在具体实例中，如果以用于绿光LED的热感性量子点材料的相变温度最低，用于红光LED的热感性量子点材料的相变温度最高，而用于蓝光LED的热感性量子点材料介于其中为例，则第一热感性量子点材料层(即，最远离导热性掩模版644的层)包含用于绿光LED的热感性量子点材料，第三热感性量子点材料层(即，最邻近导热性掩模版644的层)包含用于红光LED的热感性量子点材料，位于中间的第二热感性量子点材料层包含用于蓝光LED的热感性量子点材料。但这仅仅是一个示例，本发明实施例不限于此。
如图6C所示，在施加热感性量子点材料层的叠层640之后，采用激光616对导热性掩模版644用第一温度T1进行加热。因此，第一热感性量子点材料层的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第一热感性量子点材料中的有机配体发生化学反应，其中的有机配体与量子点接受层606的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层606上，并因此使该区域的第二热感性量子点材料暴露。
由此，如图6D所示，第一热感性量子点材料进入到相应的第一亚像素区域(在上述具体实例中，为绿光亚像素区域)。
接下来，如图6D所示，将导热性掩模版644移动一个亚像素区位置，使叠层640中的其中第一热感性量子点材料已被转移走而第二热感性量子点材料暴露的有效材料区域(该区域也对应于导热性掩模版644的未覆盖掩模材料的区域)对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第二热感性量子点材料的第二亚像素区域(在上述具体实例中，为蓝光亚像素区域)。然后，采用激光626对导热性掩模版644用第二温度T2进行加热，如图6D所示，其中T2>T1。因此，位于未被掩模材料掩蔽的区域的第二热感性量子点材料中的有机配体发生化学反应，其中的有机配体与量子点接受层606的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层606上，并因此使该区域的第三热感性量子点材料暴露。
由此，如图6E所示，第二热感性量子点材料进入到相应的第二亚像素区域(在上述具体实例中，为蓝光亚像素区域)。
接下来，如图6E所示，将导热性掩模版644再移动一个亚像素区位置，使叠层640中的其中第一和第二热感性量子点材料已被转移走而第三热感性量子点材料暴露的有效材料区域(该区域也对应于导热性掩模版644的未覆盖掩模材料的区域)对准将要在接下来的加热工艺中向其上转移第三热感性量子点材料的第三亚像素区域(在上述具体实例中，为红光亚像素区域)。然后，采用激光636对导热性掩模版644用第三温度T3进行加热，如图6E所示，其中其中T3>T2。因此，第三热感性量子点材料层的位于未被掩模材料掩蔽的区域的第三热感性量子点材料中的有机配体发生化学反应，其中的有机配体与量子点接受层606的表面官能团形成弱作用力结合，从而转移到量子点接受层606上。
由此，如图6F所示，第三热感性量子点材料进入到相应的第三亚像素区域(在上述具体实例中，为红光亚像素区域)。之后，将未发生反应的剩余量子点材料的叠层640随着整个导热性掩模版644移走。
从而，可以通过加热法在衬底之上的第一、第二、第三亚像素区域中分别形成第一热感性量子点材料610’、第二热感性量子点材料620’和第三热感性量子点材料630’的阵列(在上述具体实例中，可以分别为绿光、蓝光、红光亚像素阵列)。
在本实施例中，完成各亚像素阵列的形成之后的其他步骤以及其他配置与第一实施例中的相同，在此不再赘述。
通过该实施例的制造方法，利用热感性的量子点材料通过加热工艺直接形成诸如红、绿、蓝等的亚像素，能够有效实现高分辨率的有源矩阵量子点发光二极管的产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率。
此外，本领域技术人员将理解，本发明的上述各具体实施例仅仅是示例性的，而不是限制性的。
在本发明的上述实施例中，虽然以激光加热为例进行加热工艺，但所述加热也可以为红外光源加热、加热炉加热等本领域公知的加热方式，或者使用上述加热法的任意组合。并且，加热方式可以为使用导热性掩模版加热、周期性扫描加热、整体加热等。此外，在对量子点材料进行加热以从使其成膜在相应的亚像素区域的同时，可以对整个衬底进行加热，以利于工艺的完成。在采用激光这种准直性较好的加热方式的情况下，加热的精准性比较高；在采用加热炉加热或者红外加热等加热方式的情况下，可以利用导热性掩模版在未覆有掩膜的区域和覆有掩膜的区域的导热性的显著差别，从而实现加热结合的目的。
也就是，本发明实施例中的加热包括但不限于：
a)配合高导热性掩模版，利用激光、红外光源或加热炉等对热感性量子点材料层进行加热处理(例如第一、第二、第四、第五实施例)；
b)直接利用激光的周期性扫描对热感性量子点材料层进行加热处理(例如第三实施例)；
c)对衬底整体加热，利用激光的周期性扫描对热感性量子点材料层进行加热处理；
d)不采用激光，配合高导热性掩模版，通过对不同材料的衬底的整体加热，对热感性量子点材料层进行加热处理；
e)可采用其他类似，或可配合使用的方法来完成该工艺。
本领域技术人员将理解，上述加热方式可以相互替换或组合。例如，在第一、第二、第四、第五实施例，可以采用激光的周期性扫描来替代使用导热性掩模版。
在上述各实施例的一个实例中，可以使热感性量子点材料层的有机配体含有易受热分解而生成胺基、羟基、羧基或酚羟基的基团(例如被叔丁酯(Boc)保护的羟基、胺基或酚羟基)，在生成胺基、羟基、羧基或酚羟基后，将与量子点接受层所包含的诸如胺基、吡啶基、羧基或羟基的官能团形成诸如氢键的弱作用力，从而从承载基板或导热性掩模版上脱离，被转移到量子点接受层上。这里的保护基团，除了Boc之外，还可以是苄基、三甲基硅烷等。由于热敏性优良，更优选Boc作为保护基团。
在本发明的示例性实施例中，可以没有单独的量子点接受层，而是由具有诸如胺基、吡啶基、羧基或羟基等的特定官能团的空穴传输层或电子传输层充当量子点接受层，从而可以简化制造过程以及器件结构。
如上所述，在本发明的示例性实施例中，热感性量子点材料层含有热敏性的有机配体，这些配体通过受热引发化学反应，实现量子点材料向QD-LED背板的转移。在本发明的示例性实施例中，实现方式包括但不限于有机配体对不同材料亲和性的变化：
1)热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的有机配体可通过加热反应，从与承载其的承载基板或导热性掩模版相容变成不相容，并且与量子点接受层形成弱作用力结合。作为例子，承载量子点材料的承载基板或导热性掩模版、热感性量子点材料、量子点接受层的材料组合可以是，但不限于以下材料组合中的一种或多种：
a)承载热感性量子点材料的承载基板或导热性掩模版为油溶性材料；热感性量子点材料的有机配体含有叔丁酯(Boc)保护的羟基或酚羟基；量子点接受层为带有胺基或吡啶基的聚合物层，例如聚苯胺，聚乙烯吡啶，聚乙烯胺等；
b)承载热感性量子点材料的承载基板或导热性掩模版为油溶性材料；热感性量子点材料的有机配体含有叔丁酯(Boc)保护的胺基；量子点接受层为带有羧基或羟基的聚合物层，例如聚丙烯酸，聚乙烯醇等；
c)承载热感性量子点材料的承载基板或导热性掩模版为油溶性材料；热感性量子点材料的有机配体含有叔丁酯(Boc)保护的羟基或酚羟基；但是没有单独的量子点接受层，位于量子点材料与衬底之间的空穴传输层或电子传输层的分子含有胺基或吡啶基，直接充当量子点接受层；
d)承载热感性量子点材料的承载基板或导热性掩模版为油溶性材料；热感性量子点材料的有机配体含有叔丁酯(Boc)保护的胺基；但是没有单独的量子点接受层，位于量子点材料与衬底之间的空穴传输层或电子传输层的分子含有羧基或羟基，直接充当量子点接受层。
2)热感性量子点材料层的有机配体可在受热条件下(例如，激光照射或者衬底加热)，与量子点接受层(或者充当量子点接受层的空穴传输层或电子传输层)发生化学反应，形成化学键，从而与量子点接受层(或者充当量子点接受层的空穴传输层或电子传输层)结合。其中，热感性量子点材料的有机配体以及量子点接受层(或者充当量子点接受层的空穴传输层或电子传输层)可以为但不局限于以下结构：热感性量子点材料的有机配体可含有1，3-丁二烯基团，量子点接受层(或者充当量子点接受层的空穴传输层或电子传输层)的分子可含有烯基；或者，热感性量子点材料的有机配体可含有烯基，量子点接受层(或者充当量子点接受层的空穴传输层或电子传输层)的分子可含有1,3-丁二烯基团。
需要注意的是，承载热感性量子点材料的承载基板或导热性掩模版不是必需的，例如在第三实施例中，不使用承载基板或导热性掩模版来承载热感性量子点材料，而是在量子点接受层上直接涂布热感性量子点材料。
在上面的第一至第三实施例中，采用用于发射三种颜色光的三种热感性量子点材料分别独立形成亚像素的方式；而在第四和第五实施例中，采用用于发射三种颜色光的三种热感性量子点材料一起整体涂布，但分别独立激光加热形成亚像素的方式。本领域技术人员还可以设想采用其它类似于以上方法或相结合的方法形成亚像素布局的方式。
此外，虽然上面的各实施例描述了包括诸如分别为绿色、蓝色、红色发光层(RGB像素布局)的热感性量子点材料层的三色亚像素阵列的AM-QD-LED显示装置，但本发明实施例不限制量子点发光二极管亚像素阵列的发光颜色的数量和形成顺序。所述热感性量子点材料层可以为用于单色、双色、三色、甚至更多颜色的像素布局的热感性量子点材料的层，例如为用于RGB像素布局或RGBW像素布局的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层，或者为用于RGB或RGBW像素布局中亚像素面积不等的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层。诸如RGB或RGBW的像素布局中的各亚像素区域之间可能出现发光效率不同的问题，为了解决该问题，可以使发光效率高的亚像素区域的发光面积减小来调低该亚像素区域的亮度并且/或者使发光效率低的亚像素区域的发光面积增大来调高该亚像素区域的亮度，以更好地实现白色平衡。此外，各亚像素区域的形成顺序不限于上面示例的绿、蓝、红的顺序，而是可以为任意的形成顺序。
虽然上面描述了量子点发光二极管的亚像素区域中的所有亚像素区域都是由热感性量子点材料形成，但本发明实施例不限于此。例如，所述量子点发光二极管的亚像素区域中的至少一个可以使用热感性量子点材料形成，剩余的亚像素区域可以使用有机发光材料形成。
本发明实施例对可选的TFT的制备并无特殊限制，如不只限于其中有源层为IGZO(铟镓锌氧化物)、a-Si(非晶硅)、LTPS(低温多晶硅)等的TFT，同样适用于其他类型的TFT。
本发明实施例对QD-LED的器件结构不做限制，例如不限于其中阳极位于底部(即，衬底侧)且阴极位于顶部的正置结构、或者其中阴极位于底部(即，衬底侧)且阳极位于顶部的倒置结构等。对于出光方式，本发明实施例也不做限制，例如可以为底出光或顶出光等。
在本文中的“弱作用力”，主要是指氢键、范德华力、盐键、卤键等。由于相对较强的结合力，优选氢键作为量子点材料与量子点接受层之间的弱作用力。但本领域技术人员将理解，也可以使用其他的弱作用力来结合热感性量子点材料与量子点接受层。
本发明的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行各种修改、组合，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、组合或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (27)

1.一种制造量子点发光二极管亚像素阵列的方法，包括以下步骤：
量子点接受层形成步骤：在衬底之上形成量子点接受层；
热感性量子点材料层施加步骤：在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层，其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体；以及
热感性量子点材料转移步骤：通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应，以将所述预定区域的所述热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，去除所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层施加步骤包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的承载基板，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述承载基板。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层施加步骤包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的导热性掩模版，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述导热性掩模版。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层施加步骤包括在所述量子点接受层上涂布所述热感性量子点材料层。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，使用清洗工艺洗掉所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述加热为激光加热、红外光源加热或加热炉加热中的一种或多种。
10.根据权利要求1-4、7、8中任一项所述的方法，其中，所述热感性量子点材料转移步骤包括在加热之前，将导热性掩模版对位放置在所述热感性量子点材料层上，然后加热所述导热性掩模板。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述加热包括对热感性量子点材料层进行激光的周期性扫描。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，所述加热包括对所述衬底整体加热和对所述热感性量子点材料层进行激光的周期性扫描。
13.根据权利要求112中任一项所述的方法，其中，所述加热还包括对所述衬底的整体加热。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中，位于所述热感性量子点材料层与所述衬底之间的空穴传输层或电子传输层被用作所述量子点接受层。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层中的所述有机配体含有易受热分解而生成胺基、羟基、羧基或酚羟基的基团。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中，
所述量子点接受层为带有胺基、吡啶基、羧基或羟基的聚合物层。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层中的所述有机配体含有1,3-丁二烯基团，所述量子点接受层含有烯基；或者，所述热感性量子点材料层中的所述有机配体含有烯基，所述量子点接受层含有1,3-丁二烯基团。
18.根据权利要求5或6所述的方法，其中，所述导热性掩模版由油溶性材料制成。
19.根据权利要求3或4所述的方法，其中，所述热感性量子点材料层的所述承载基板由油溶性材料制成。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中，所述方法用于将两种以上的热感性量子点材料形成在相应的亚像素区域上，所述方法包括在所述量子点接受层形成步骤之后针对所述两种以上的热感性量子点材料中的每一种热感性量子点材料分别执行所述热感性量子点材料层施加步骤和所述热感性量子点材料转移步骤。
21.根据权利要求3或4所述的方法，其中，形成在所述承载基板上的所述热感性量子点材料层为两种以上的热感性量子点材料层的叠层，其中所述叠层中的作为最远离所述承载基板的层的第一层为相变温度最低的热感性量子点材料层，所述叠层中的最邻近所述承载基板的层为相变温度最高的热感性量子点材料层，所述热感性量子点材料转移步骤包括：
用第一温度加热所述叠层的所述预定区域，以将所述预定区域的叠层中的所述第一层转移到所述量子点接受层上的第一亚像素区域，并因此使得在所述预定区域中，所述叠层中的与所述第一层相邻的第二层暴露；
将所述承载基板移动一个亚像素区位置，使所暴露的所述预定区域的叠层中的所述第二层对准第二亚像素区域，用高于第一温度的第二温度加热所述预定区域，以将所述第二层转移到所述量子点接受层上的第二亚像素区域，
按此方式使用逐渐增加的温度将所述预定区域的叠层中的各层热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
22.根据权利要求5或6所述的方法，其中，形成在所述导热性掩模版上的所述热感性量子点材料层为两种以上的热感性量子点材料层的叠层，其中所述叠层中的作为最远离所述导热性掩模版的层的第一层为相变温度最低的热感性量子点材料层，所述叠层中的最邻近所述导热性掩模版的层为相变温度最高的热感性量子点材料层，所述热感性量子点材料转移步骤包括：
用第一温度加热所述叠层的所述预定区域，以将所述预定区域的叠层中的所述第一层转移到所述量子点接受层上的第一亚像素区域，并因此使得在所述预定区域中，所述叠层中的与所述第一层相邻的第二层暴露；
将所述导热性掩模版移动一个亚像素区位置，使所暴露的所述预定区域的叠层中的所述第二层对准第二亚像素区域，用高于第一温度的第二温度加热所述预定区域，以将所述第二层转移到所述量子点接受层上的第二亚像素区域，
按此方式使用逐渐增加的温度将所述预定区域的叠层中的各层热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
23.根据权利要求20-22中任一项所述的方法，其中，所述两种以上的热感性量子点材料层为用于RGB像素布局或RGBW像素布局的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层。
24.根据权利要求20-22中任一项所述的方法，其中，所述两种以上的热感性量子点材料层为用于RGB或RGBW像素布局中亚像素面积不等的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层。
25.根据权利要求1-24中任一项所述的方法，其中，所述量子点发光二极管的亚像素区域中的至少一个或全部使用热感性量子点材料形成，剩余的亚像素区域使用有机发光材料形成。
26.一种通过根据权利要求1-25中任一项所述的方法制成的量子点发光二极管的亚像素阵列。
27.一种包括根据权利要求26所述的量子点发光二极管的亚像素阵列的显示装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017128737A1 (zh) * 2016-01-26 2017-08-03 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置
CN107331758A (zh) * 2017-06-27 2017-11-07 南方科技大学 一种Micro LED显示器件的制备方法
CN107799672A (zh) * 2017-10-30 2018-03-13 京东方科技集团股份有限公司 量子点层图案化的方法、量子点发光器件及其制作方法
CN109935614A (zh) * 2019-04-09 2019-06-25 南京大学 基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色qled阵列器件及其制备方法
CN110137387A (zh) * 2019-05-16 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置
CN110459691A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、和显示装置
WO2020041993A1 (zh) * 2018-08-29 2020-03-05 华为技术有限公司 一种采用混合型发光二极管的显示屏幕及其制备方法
CN111129355A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
CN113140683A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板
WO2022036652A1 (zh) * 2020-08-20 2022-02-24 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管器件、显示面板、显示装置和制作方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6987846B2 (ja) 2017-03-16 2022-01-05 丸善石油化学株式会社 水素添加石油樹脂の製造方法
US11957037B2 (en) * 2019-02-20 2024-04-09 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing light-emitting device
CN112018250B (zh) * 2019-05-31 2021-12-17 京东方科技集团股份有限公司 量子点电致发光器件及制作方法、显示装置
WO2021245880A1 (ja) * 2020-06-04 2021-12-09 シャープ株式会社 表示装置、及び、表示装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070215856A1 (en) * 2006-02-16 2007-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot electroluminescence device and method of fabricating the same
KR100825176B1 (ko) * 2007-01-26 2008-04-24 삼성전자주식회사 패턴형성용 기판 및 이를 이용한 나노결정 패턴형성 방법
KR20100093858A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 삼성전자주식회사 양자점층 제조 방법 및 이를 적용하여 제조된 양자점 발광소자
CN102983230A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 三星电子株式会社 量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件
GB2520384A (en) * 2013-09-13 2015-05-20 Nanoco Technologies Ltd Quantum dot ink formulation for heat transfer printing applications

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8308886B2 (en) 2006-07-17 2012-11-13 E I Du Pont De Nemours And Company Donor elements and processes for thermal transfer of nanoparticle layers
WO2008023716A1 (fr) 2006-08-25 2008-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Substrat de transfert pour dispositif d'affichage à électroluminescence organique
KR20080062907A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 제조방법
KR100807561B1 (ko) * 2007-02-16 2008-03-03 삼성에스디아이 주식회사 도너 기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
KR101652789B1 (ko) * 2009-02-23 2016-09-01 삼성전자주식회사 다중 양자점층을 가지는 양자점 발광소자
KR101502189B1 (ko) 2010-11-08 2015-03-12 이혁재 형광 나노복합체를 포함하는 발광 소자
CN104749879A (zh) 2012-06-13 2015-07-01 旭化成电子材料株式会社 功能转印体、功能层的转印方法、封装物以及功能转印膜辊
US9139770B2 (en) * 2012-06-22 2015-09-22 Nanosys, Inc. Silicone ligands for stabilizing quantum dot films
CN105070849B (zh) * 2015-07-14 2018-09-18 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
KR102527764B1 (ko) * 2015-12-17 2023-05-02 삼성전자주식회사 감광성 조성물, 이를 제조하기 위한 방법, 및 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 패턴
CN105514302B (zh) * 2016-01-26 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070215856A1 (en) * 2006-02-16 2007-09-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot electroluminescence device and method of fabricating the same
KR100825176B1 (ko) * 2007-01-26 2008-04-24 삼성전자주식회사 패턴형성용 기판 및 이를 이용한 나노결정 패턴형성 방법
KR20100093858A (ko) * 2009-02-17 2010-08-26 삼성전자주식회사 양자점층 제조 방법 및 이를 적용하여 제조된 양자점 발광소자
CN102983230A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 三星电子株式会社 量子点层的制造方法和转移方法以及量子点光电器件
GB2520384A (en) * 2013-09-13 2015-05-20 Nanoco Technologies Ltd Quantum dot ink formulation for heat transfer printing applications

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017128737A1 (zh) * 2016-01-26 2017-08-03 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置
US10505115B2 (en) 2016-01-26 2019-12-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Quantum dot light emitting diode subpixel array, method for manufacturing the same, and display device
CN107331758A (zh) * 2017-06-27 2017-11-07 南方科技大学 一种Micro LED显示器件的制备方法
CN107331758B (zh) * 2017-06-27 2019-03-05 南方科技大学 一种Micro LED显示器件的制备方法
CN107799672A (zh) * 2017-10-30 2018-03-13 京东方科技集团股份有限公司 量子点层图案化的方法、量子点发光器件及其制作方法
CN107799672B (zh) * 2017-10-30 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 量子点层图案化的方法、量子点发光器件及其制作方法
US10505156B2 (en) 2017-10-30 2019-12-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of patterning quantum dot layer, quantum dot light emitting device, and method of manufacturing the same
WO2020041993A1 (zh) * 2018-08-29 2020-03-05 华为技术有限公司 一种采用混合型发光二极管的显示屏幕及其制备方法
CN111129355A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 Tcl集团股份有限公司 量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
CN111129355B (zh) * 2018-10-31 2021-08-27 Tcl科技集团股份有限公司 量子点薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法
CN109935614B (zh) * 2019-04-09 2021-10-26 南京大学 基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色qled阵列器件及其制备方法
US11050004B2 (en) 2019-04-09 2021-06-29 Nanjing University Micro panchromatic QLED array device based on quantum dot transfer process of deep silicon etching templates, and preparation method therefor
CN109935614A (zh) * 2019-04-09 2019-06-25 南京大学 基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色qled阵列器件及其制备方法
CN110137387A (zh) * 2019-05-16 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置
CN110137387B (zh) * 2019-05-16 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置
US11795386B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Method for patterning nanoparticle layer, quantum dot light emitting device and display device all fees
CN110459691A (zh) * 2019-08-30 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、和显示装置
CN110459691B (zh) * 2019-08-30 2022-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、和显示装置
CN113140683A (zh) * 2020-01-20 2021-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板
CN113140683B (zh) * 2020-01-20 2022-10-04 京东方科技集团股份有限公司 一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板
WO2022036652A1 (zh) * 2020-08-20 2022-02-24 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管器件、显示面板、显示装置和制作方法

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