CN105514240A - 一种高效发光二极管芯片 - Google Patents

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陈凯轩
张永
卓祥景
姜伟
方天足
陈亮
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    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
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    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
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Abstract

本发明公开一种高效发光二极管芯片，包括一衬底，一缓冲层，一非故意掺杂层，一N型导电层，一有源区，一电子阻挡层，一P型导电层，一P型接触层，一电流阻挡层，一ITO导电层，一P电极，一N电极以及一电极隔离层。本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。

Description

一种高效发光二极管芯片
技术领域
本发明涉及发光二极管的技术领域，特别提供一种高效发光二极管芯片。
背景技术
发光二极管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等优点，作为主要的光源得到较快发展，近年来发光二极管的利用领域迅速扩展。随着LED行业竞争越来越激烈，提高发光二极管的亮度及降低成本成为其重要方向。
为了使得芯片的亮度及可靠性更好，目前传统的芯片包括在P型电极下面的电流阻挡层(CurrentBlockingLayer)，N、P电极，以及制作芯片保护层(PV)。然而，传统的芯片不仅所需的工艺流程时间较长，而且芯片的成本和不良率均较高。
发明内容
本发明为解决上述问题，提供了一种高效发光二极管芯片。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种高效发光二极管芯片，其特征在于：包括
一衬底；
一缓冲层，设置于所述衬底上表面；
一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；
一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；
一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；
一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；
一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；
一P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；
一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；
一ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；
一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；
一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及
一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
优选的，还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面。
优选的，所述的电流阻挡层为非导电性材料层。
优选的，所述非导电性材料层包括SiN、Ti2O3和Al2O3。
采用上述结构，本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，本发明提供一种高效发光二极管芯片，包括
一衬底；
一缓冲层，设置于所述衬底上表面；
一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；
一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；
一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；
一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；
一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；
一P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；
一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；
一ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；
一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；
一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及
一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
优选的，该高效发光二极管芯片还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面，以对芯片起到保护作用。
在本实施例中，电流阻挡层材料为非导电性材料层，非导电性材料层优选包括SiN、Ti2O3和Al2O3等非导电性材料，采用非导电性材料隔阻P电极的电流方向，有效提高电流扩展效果。
本发明无需复杂的工艺流程，能够降低高效发光二极管芯片的制造成本和不良率，提高了发光二极管芯片的性价比，优化了发光二极管芯片的质量。
上述说明示出并描述了本发明的优选实施例，如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (4)

1.一种高效发光二极管芯片，其特征在于：包括
一衬底；
一缓冲层，设置于所述衬底上表面；
一非故意掺杂层，设置于所述缓冲层上表面；
一N型导电层，设置于所述非故意掺杂层上表面；
一有源区，设置于所述N型导电层的左侧部分上表面；
一电子阻挡层，设置于所述有源区上表面；
一P型导电层，设置于所述电子阻挡层上表面；
一P型接触层，设置于所述P型导电层上表面；
一电流阻挡层，设置于所述P型接触层的左侧部分上表面；
一ITO导电层，设置于所述P型接触层的右侧部分上表面，且与所述电流阻挡层完全覆盖所述P型接触层；
一P电极，设置于所述电流阻挡层上表面；
一N电极，设置于所述N型导电层的右侧部分，且深入到所述N型导电层的高掺部分；以及
一电极隔离层，设置于所述N电极与所述有源区、电子阻挡层、P型导电层、P型接触层和ITO导电层的右侧表面之间。
2.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于：还包括一芯片保护层，设置于所述高效发光二极管芯片除P电极和N电极之外的上表面和侧面。
3.根据权利要求1所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于：所述的电流阻挡层材料为非导电性材料层。
4.根据权利要求3所述的一种高效发光二极管芯片，其特征在于：所述非导电性材料层包括SiN、Ti2O3和Al2O3。
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