CN105510999A - 减反射结构及其制造方法、显示器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种减反射结构及其制造方法、显示器及其制造方法,该减反射结构顺次包括:延迟膜;第一取向层,设置在所述延迟膜的出光侧;以及线偏振片,设置在所述第一取向层的出光侧;其中,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。根据本发明实施例的减反射结构具有超薄的厚度且对入射的环境光有很好的防反效果,从而采用该减反射结构的显示器能够实现超薄显示。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及一种减反射结构及其制造方法、显示器及其制造方法。
背景技术
柔性显示由于具有厚度薄,重量轻,可弯折甚至可卷曲等等众多优点,已经成为显示技术的主要趋势之一,未来市场前景广阔。
对于柔性显示器,为了减少内部金属配线等对外部光的反射,一般采用贴附在显示面板外部的偏振器作为减反射结构,但是这样的减反射结构厚度很大,例如,一般常用的偏光片的厚度在100-150μm之间,而延迟膜的厚度为20-100μm,这样二者所构成的减反射结构的总厚度在120-250μm之间。显然,采用该结构会使得柔性显示器厚度变得很大,从而使得柔性显示器变得厚重,丧失了轻薄的特点,不适于柔性显示。
因此,迫切需要一种具有较薄厚度且能够实现轻薄柔性显示的减反射结构。
发明内容
本发明的至少一实施例提供一种减反射结构及其制造方法、显示器及其制造方法,该减反射结构具有较小的厚度,包含该减反射结构的显示器不仅能够实现轻薄柔性显示,进一步地,还能够保证较高的偏光度。
本发明至少一个实施例提供一种减反射结构,顺次包括:延迟膜;第一取向层,设置在所述延迟膜的出光侧;以及线偏振片,设置在所述第一取向层的出光侧;其中,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。
本发明的至少一个实施例还提供一种减反射结构,包括:延迟膜;线偏振片,设置在所述延迟膜的出光侧;第一取向层,设置在所述延迟膜的与所述线偏振片相反的一侧;以及第二取向层,设置在所述线偏振片的与所述延迟膜相反的一侧,其中,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。
本发明至少一个实施例还提供一种显示器,包括:显示面板以及如上所述的减反射结构。
本发明至少一个实施例还提供一种显示器的制造方法,包括:提供显示面板,所述显示面板包括彼此对盒的阵列基板以及对置基板,所述阵列基板包括:衬底基板;以及多个像素单元,形成在所述衬底基板上且所述多个像素单元的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管,其中所述对置基板设置在所述多个像素单元的出光侧;制造减反射结构,包括:在其上形成有所述有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或者所述对置基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片;其中所述第一取向层位于所述延迟膜与所述线偏振片之间。
本发明的至少一个实施例还提供一种减反射结构的制造方法,包括:准备基板;在所述基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片,其中所述第一取向层位于所述延迟膜与所述线偏振片之间,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例,而非对本发明的限制。
图1a和图1b分别为根据本发明实施例的减反射结构的两种示例性结构示意图;
图2为根据本发明实施例的包括减反射结构的显示器的结构示意图;
图3为根据本发明实施例的减反射结构设置在显示面板内的显示器的结构示意图;
图4a为根据本发明实施例的减反射结构设置在在衬底基板上的显示器的结构示意图;
图4b为根据本发明实施例的减反射结构设置在对置基板上的显示器的结构示意图;
图4c为根据本发明实施例的减反射结构设置在衬底基板上的显示器的另一结构示意图;
图4d为根据本发明实施例的减反射结构设置在对置基板上的显示器的另一结构示意图;
图4e为根据本发明实施例的减反射结构设置在衬底基板上的显示器的再一结构示意图;
图5为根据本发明实施例的显示器的截面结构图;
图6为减反射结构的偏光度与入射光波长的关系示意图;
图7为根据本发明实施例的光截止层的透过率的曲线图;
图8a到图8e为根据本发明实施例的制造方法中执行制造减反射结构的各步骤后所获得的结构截面图;
图9a到图9d为根据本发明实施例的制造方法中在对置基板上执行制造减反射结构的各步骤后所获得的结构截面图;
图10为根据本发明实施例的制造方法中在衬底基板上形成减反射结构的流程图;
图11为根据本发明实施例的制造方法中在对置基板上形成减反射结构的流程图,其中,减反结构设置在该对置基板的与阵列基板相反的一侧;以及
图12为根据本发明实施例的制造方法中在对置基板上形成减反射结构的流程图,其中,减反结构设置在该对置基板与阵列基板之间。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明的至少一个实施例提供了一种减反射结构及其制造方法、显示器以及制造该显示器的方法。该减反射结构顺次包括:延迟膜;第一取向层,设置在该延迟膜的出光侧;以及线偏振片,设置在该第一取向层的出光侧;其中,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。相对于现有的贴附在柔性显示面板外部的减反射结构,根据本发明实施例的减反射结构具有显著减小的厚度,从而采用该减反射结构的显示器能够实现超薄显示。进一步地,在本发明的实施例中,为了在减薄减反射结构的同时,获得较高的偏光度,根据本发明实施例的减反射结构还提供有光截止层,构造为截止不利于偏光度提高的光,从而在减小厚度的同时,获得较高的偏光度。
以下将结合附图对本发明实施例提供的减反射结构及其制造方法、显示器以及制造该显示器的方法进行详细说明,以使得本发明的技术方案更加清楚。
实施例一
本实施例提供一种减反射结构。如图1a所示,为减反射结构的结构示意图,该减反射结构101顺次包括:延迟膜102、第一取向层103和线偏振片104。第一取向层103设置在延迟膜102的出光侧;线偏振片104设置在第一取向层103的出光侧,其中,该延迟膜和该线偏振片包括液晶。
需要说明的是,在这里出光侧是相对于显示光而言的,出光侧指的是位于显示光的出光方向上的一侧,而相应的以下描述中的入光侧指的是位于显示光的来光方向上的一侧,如图1所示,L1标注了显示光的出光方向。
示例性地,该延迟膜和该线偏振片中包括的液晶可以为可聚合液晶,线偏振片104可以包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂,延迟膜102可以包括可聚合液晶和光引发剂。其中,二向色性染料可为X11(BASF)或S-428;可聚合液晶可为LC242(merck)等普通向列相液晶,光引发剂可为184。
示例性地,线偏振片104可以包括质量百分比为1%-20%的二向色性染料、质量百分比为75%-95%的可聚合液晶和质量百分比为0.1%-5%的光引发剂。备选地,二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的百分含量分别为10%、87.5%和2.5%。
示例性地,延迟膜102可以包括重量百分比为75%-99.5%的可聚合液晶和重量百分比为0.5%-25%的光引发剂。
示例性地,为了使得包括液晶材料的线偏振片104能够使得一个方向的偏振光透过而使得与之垂直方向的偏振光被吸收,在形成过程中需要被取向,且包括液晶材料的延迟膜102在形成过程中也需要被取向。备选地,线偏振片104和延迟膜102可以共用位于二者之间的第一取向层103而配向;或者,线偏振片104和延迟膜102可以分别利用不同的取向层而配向。
示例性地,第一取向层103可以构造为对延迟膜102进行取向,此时减反射结构还可以包括第二取向层109,该第二取向层109设置在线偏振片104的出光侧,且该第二取向层109构造为对线偏振片104进行取向。备选地,第一取向层103也可构造为对线偏振片104进行取向,此时减反射结构101可以包括第三取向层130,第三取向层130设置在延迟膜102的入光侧且构造为对延迟膜102进行取向。
在本实施例中,减反射结构的线偏振片和延迟膜都采用液晶材料,例如采用涂敷方法而形成,这样与传统的用于显示器的减反射结构相比,根据本发明实施例的减反射结构的厚度可以被显著减小,例如,厚度可以减小到约10μm,甚至远小于10μm,例如,下面的示例中给出的5.27μm。然而,对于以上减反射结构,其偏光度可能较低,例如,为60%。
备选地,根据本发明实施例的减反射结构还可以包括光截止层,该光截止层设置在线偏振片的出光侧且构造为截止特定波长范围的光。备选地,光截止层108还可以设置在第二取向层109的出光侧。
示例性地,第一取向层103、第二取向层109、第三取向层130的厚度可分别在0.05μm~0.15μm的厚度范围内,例如,可以都为0.1μm。
示例性地,线偏振片104的厚度可为2.5μm~3.5μm,例如,为3μm。
示例性地,延迟膜102的厚度可为1.5μm~2.5μm,例如,为2μm。
示例性地,光截止层108的厚度可为0.06μm~0.08μm,例如,为0.07μm。
示例性地,对于根据本发明实施例的减反射结构的一个示例,例如,该减反射结构顺次包括延迟膜、第一取向层、线偏振片、第二取向层以及光截止层,当光截止层108的厚度例如为0.07μm,两个取向层的厚度例如都为0.1μm,线偏振片104的厚度例如为3μm,延迟膜103的厚度例如为2μm时,减反射结构的总厚度为5.27μm,小于10μm,而与厚度大约为120-250μm的现有减反射结构相比,厚度显著减小,而且具有该结构的减反射结构,其偏光度能够提升到99.7%,而利于实现超薄显示。
示例性地,光截止层108可构造为截止特定波长范围的光,例如,截止波长范围为650nm~780nm的光,优选地,截止波长范围为700nm~780nm的光,这样可以仅截止部分的红外光,而并非截止全部红外光,从而可以大大提高偏光度,又不会影响显示。
这样,通过提供光截止层108,其滤光作用使得偏光度得到很大的提升,从而可以在厚度减薄的同时,实现具有高偏光度的减反射结构,从而能很好的应用于显示器,实现超薄柔性显示。
示例性地,根据本发明实施例的光截止层108可以包括交替设置的多个高折射率层和多个低折射率层,该多个高折射率层的每层的厚度可以相等或不相等,该多个低折射率层的每层的厚度也可以相等或不相等,高折射率层的厚度也可以等于或不等于低折射率层的厚度,本发明的实施例并不对此进行限定。
例如,该高折射率层可以为氮化硅层,该低折射率层可以为氧化硅层,也就是,光截止层108可以包括交替设置的多层氮化硅层和多层氧化硅层。例如,可以采用等离子体气相沉积(PECVD)的方法交替沉积氮化硅层和氧化硅层,其中沉积氮化硅层的反应气体可为SiH4、NH3和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为16:4:1;沉积氧化硅层的反应气体可为SiH4、NO2和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为40:4:1。在实际中,可通过控制反应时间来控制膜层的厚度,通过反应气体气路的打开和关闭来实现多层膜交替沉积。
这里应该注意的是,根据本发明实施例的延迟膜可以为λ/4波片,λ可以取可见光波长的平均值,或者本领域的技术人员可以根据实际需要而设定,本发明的实施例对此不进行限定。
对于根据本发明实施例的减反射结构,线偏振片和延迟膜都采用液晶材料形成,例如可以采用涂敷方法而形成,这样与传统的用于显示器的减反射结构相比,减反射结构的厚度可以被显著减小,而且进一步包括截止波长范围为650nm~780nm的光的光截止层,使得对减反射结构的偏光度具有不利影响的光全部或者部分被截止,从而能够显著提升减反射结构的偏光度,例如,减反射结构的偏光度可以从60%提升到99.7%,由此实现厚度显著减薄而偏光度显著提升的减反射结构,适用于实现超薄柔性显示。
实施例二
本实施例提供另一种减反射结构。如图1b所示,为减反射结构的结构示意图,该减反射结构101顺次包括:第一取向层1031、延迟膜102、线偏振片104和第二取向层103。第一取向层1031设置在延迟膜102的入光侧;线偏振片104设置在延迟膜102的出光侧,其中,该延迟膜和该线偏振片包括液晶。
需要说明的是,在这里出光侧是相对于显示光而言的,出光侧指的是位于显示光的出光方向上的一侧,而相应的以下描述中的入光侧指的是位于显示光的来光方向上的一侧,如图1所示,L1标注了显示光的出光方向。
示例性地,该延迟膜和该线偏振片中包括的液晶可以为可聚合液晶,线偏振片104可以包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂,延迟膜102可以包括可聚合液晶和光引发剂。其中,二向色性染料可为X11(BASF)或S-428;可聚合液晶可为LC242(merck)等普通向列相液晶,光引发剂可为184。
示例性地,线偏振片104可以包括质量百分比为1%-20%的二向色性染料、质量百分比为75%-95%的可聚合液晶和质量百分比为0.1%-5%的光引发剂。备选地,二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的百分含量分别为10%、87.5%和2.5%。
示例性地,延迟膜102可以包括重量百分比为75%-99.5%的可聚合液晶和重量百分比为0.5%-25%的光引发剂。
备选地,根据本发明实施例的减反射结构还可以包括光截止层,该光截止层设置在线偏振片的出光侧且构造为截止特定波长范围的光。备选地,光截止层108还可以设置在第二取向层109的出光侧。
示例性地,第一取向层1031、第二取向层103的厚度可分别在0.05μm~0.15μm的厚度范围内,例如,可以都为0.1μm。
示例性地,线偏振片104的厚度可为2.5μm~3.5μm,例如,为3μm。
示例性地,延迟膜102的厚度可为1.5μm~2.5μm,例如,为2μm。
示例性地,光截止层108的厚度可为0.06μm~0.08μm,例如,为0.07μm。
示例性地,光截止层108可构造为截止特定波长范围的光,例如,截止波长范围为650nm~780nm的光,优选地,截止波长范围为700nm~780nm的光,这样可以仅截止部分的红外光,而并非截止全部红外光,从而可以大大提高偏光度,又不会影响显示。
这样,通过提供光截止层108,其滤光作用使得偏光度得到很大的提升,从而可以在厚度减薄的同时,实现具有高偏光度的减反射结构,从而能很好的应用于显示器,实现超薄柔性显示。
示例性地,根据本发明实施例的光截止层108可以包括交替设置的多个高折射率层和多个低折射率层,该多个高折射率层的每层的厚度可以相等或不相等,该多个低折射率层的每层的厚度也可以相等或不相等,高折射率层的厚度也可以等于或不等于低折射率层的厚度,本发明的实施例并不对此进行限定。
例如,该高折射率层可以为氮化硅层,该低折射率层可以为氧化硅层,也就是,光截止层108可以包括交替设置的多层氮化硅层和多层氧化硅层。例如,可以采用等离子体气相沉积(PECVD)的方法交替沉积氮化硅层和氧化硅层,其中沉积氮化硅层的反应气体可为SiH4、NH3和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为16:4:1;沉积氧化硅层的反应气体可为SiH4、NO2和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为40:4:1。在实际中,可通过控制反应时间来控制膜层的厚度,通过反应气体气路的打开和关闭来实现多层膜交替沉积。
这里应该注意的是,根据本发明实施例的延迟膜可以为λ/4波片,λ可以取可见光波长的平均值,或者本领域的技术人员可以根据实际需要而设定,本发明的实施例对此不进行限定。
对于根据本发明实施例的减反射结构,线偏振片和延迟膜都采用液晶材料形成,例如可以采用涂敷方法而形成,这样与传统的用于显示器的减反射结构相比,减反射结构的厚度可以被显著减小,而且进一步包括截止波长范围为650nm~780nm的光的光截止层,使得对减反射结构的偏光度具有不利影响的光全部或者部分被截止,从而能够显著提升减反射结构的偏光度,例如,减反射结构的偏光度可以从60%提升到99.7%,由此实现厚度显著减薄而偏光度显著提升的减反射结构,适用于实现超薄柔性显示。
实施例三
本实施例提供一种制造如实施例一和实施例二所述的减反射结构的制造方法,下面以制造实施例一的减反射结构为例对根据本发明实施例的减反射结构的制造方法进行描述。
示例性地,根据本实施例的减反射结构的制造方法,包括:
准备基板;
在基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片,
其中第一取向层位于延迟膜与线偏振片之间,延迟膜和线偏振片包括液晶。
备选地,在根据本实施例的减反射结构的制造方法中,在基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片可以包括:在基板上形成延迟膜;在延迟膜上形成第一取向层;以及在第一取向层上形成线偏振片。
备选地,在根据本实施例的减反射结构的制造方法中,在基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片包括:在基板上形成线偏振片;在线偏振片上形成第一取向层;以及在第一取向层上形成延迟膜。
进一步地,以上形成延迟膜、取向层、线偏振片的示例性步骤可以参考下面的实施例四中显示器的制造方法,这里将不进行赘述。
本领域的技术人员应该注意的是,这里描述的各个部件的制造方法也同样适应于实施例二所述的减反射结构的制造,只不过需要改变各个步骤的执行顺序,为了简便,这里将省略其具体描述。
实施例三
本实施例提供一种显示器。如图2所示,为具有减反射结构的显示器的结构示意图,该显示器包括:显示面板100和减反射结构101,其中该减反射结构101顺次包括:延迟膜102、第一取向层103和线偏振片104。第一取向层103设置在延迟膜102的出光侧;线偏振片104设置在第一取向层103的出光侧。图2中示出的示例中减反射结构101设置在该显示面板100的出光侧,但除图2示出的示例之外,该减反射结构101还可以设置在显示面板100的内部。
需要说明的是,在这里出光侧是相对于显示光而言的,出光侧指的是位于显示光的出光方向上的一侧,而相应的以下描述中的入光侧指的是位于显示光的来光方向上的一侧,如图2所示,L1标注了显示光的出光方向。
例如,如图3所示,示出了根据本发明实施例的减反射结构设置在显示面板内的显示器,该显示器中的显示面板100包括:阵列基板111和对置基板107,其中,阵列基板111包括:衬底基板105和多个像素单元106。多个像素单元106形成在该衬底基板105上且该多个像素单元106的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管;对置基板107,在该多个像素单元106的出光侧与阵列基板111对盒,其中该减反射结构101设置在该阵列基板111与该对置基板107之间。在图3中,该减反射结构101设置在对置基板107和阵列基板111之间;备选地,该减反射结构101还可以设置在对置基板的与阵列基板相反的一侧。
例如,如图4a所示,减反射结构101设置在对置基板107和阵列基板111之间,多个像素单元106形成在衬底基板105上,且多个像素单元106的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管,在形成有多个像素单元106的衬底基板上形成减反射结构101。备选地,在减反射结构101和形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板105之间还可以形成有平坦化层110,该平坦化层110可利用发明人已知的材料而采用反刻法、玻璃回流法、旋涂玻璃法、化学机械平坦化法等形成。
示例性地,如图4b所示,减反射结构101还可以设置在对置基板107与阵列基板111相反的一侧,其中多个像素单元106形成在衬底基板105上,且该多个像素单元106的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管,该减反射结构101还可以包括在线偏振片104的出光侧的保护层120,构造为保护减反射结构101,例如,保护层120可以由透光绝缘材料形成。
示例性地,线偏振片104可以包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂,延迟膜102可以包括可聚合液晶和光引发剂。其中,二向色性染料可为X11(BASF)或S-428;可聚合液晶可为LC242(merck)等普通向列相液晶,光引发剂可为184。
示例性地,线偏振片104可以包括质量百分比为1%-20%的二向色性染料、质量百分比为75%-95%的可聚合液晶和质量百分比为0.1%-5%的光引发剂。备选地,二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的百分含量分别为10%、87.5%和2.5%。
示例性地,延迟膜102可以包括重量百分比为75%-99.5%的可聚合液晶和重量百分比为0.5%-25%的光引发剂。
示例性地,为了使得包括液晶材料的线偏振片104能够使得一个方向的偏振光透过而使得与之垂直方向的偏振光被吸收,在形成过程中需要被取向,且包括液晶材料的延迟膜102在形成过程中也需要被取向。备选地,线偏振片104和延迟膜102可以共用位于二者之间的第一取向层103而配向;或者,线偏振片104和延迟膜102可以分别利用不同的取向层而配向。
示例性地,第一取向层103可以构造为对延迟膜102进行取向,此时减反射结构还可以包括第二取向层109,该第二取向层109设置在线偏振片104的出光侧,且该第二取向层109构造为对线偏振片104进行取向。如图4c所示,对应于图4a所示的显示器的结构,第二取向层109可以设置在对置基板107与线偏振片104之间;备选地,如图4d所示,与图4b所示的显示器相对应,第二取向层109可以设置在保护层120与线偏振片104之间。
备选地,第一取向层103也可构造为对线偏振片104进行取向,此时减反射结构101可以包括第三取向层130,第三取向层130设置在延迟膜102的入光侧且构造为对延迟膜102进行取向。例如,对应于减反射结构101形成在对置基板和阵列基板之间的实施方式,第三取向层130设置在形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上的平坦层110与延迟膜102之间,如图4e所示。备选地,对应于减反射结构101设置在对置基板与阵列基板相反的一侧的实施方式,第三取向层形成在对置基板与延迟膜102之间。
在本实施例中,减反射结构的线偏振片和延迟膜都采用液晶材料,例如采用涂敷方法而形成,这样与传统的用于显示器的减反射结构相比,根据本发明实施例的减反射结构的厚度可以被显著减小,例如,厚度可以减小到约10μm,甚至远小于10μm,例如,下面的示例中给出的5.27μm。然而,对于以上减反射结构,其偏光度可能较低,例如,为60%。
备选地,为了提高以上显示器的偏光度,根据本发明实施例的减反射结构还可以包括光截止层,该光截止层设置在线偏振片的出光侧且构造为截止特定波长范围的光。例如,如图5所示,对应于图4a所示的显示器,在平坦化层110上顺次设置延迟膜102、第一取向层103和线偏振片104,在线偏振片104的出光侧形成光截止层108。备选地,对应于图4c和图4d所示的显示器结构,光截止层108可以设置在第二取向层109的出光侧。
示例性地,第一取向层103、第二取向层109、第三取向层130的厚度可分别在0.05μm~0.15μm的厚度范围内,例如,可以都为0.1μm。
示例性地,线偏振片104的厚度可为2.5μm~3.5μm,例如,为3μm。
示例性地,延迟膜102的厚度可为1.5μm~2.5μm,例如,为2μm。
示例性地,光截止层108的厚度可为0.06μm~0.08μm,例如,为0.07μm。
示例性地,对于根据本发明实施例的减反射结构的一个示例,例如,该减反射结构顺次包括延迟膜、第一取向层、线偏振片、第二取向层以及光截止层,当光截止层108的厚度例如为0.07μm,两个取向层的厚度例如都为0.1μm,线偏振片104的厚度例如为3μm,延迟膜103的厚度例如为2μm时,减反射结构的总厚度为5.27μm,小于10μm,而与厚度大约为120-250μm的现有减反射结构相比,厚度显著减小,而且具有该结构的减反射结构,其偏光度能够提升到99.7%,而利于实现超薄显示。
下面结合图6对光截止层108的光截止特性进行示例性描述。
图6所示,示出了减反射结构的偏光度与入射光波长之间的关系,其中横坐标表示入射光波长,纵坐标表示偏光度(DOP),线Line1示出了通过测试得到的现有的贴附到显示面板外部的量产减反射结构的偏光度与入射光波长之间的关系,而线Line2示出了通过测试得到的根据本发明实施例的未包括光截止层的减反射结构的偏光度与入射光波长之间的关系。从图6可以看出,对于根据本发明实施例的未包括光截止层的减反射结构,当入射光的波长范围为380nm~780nm时,平均偏光度仅为60%,其中在380nm~650nm时,平均偏光度接近1,大约为99.75%,而入射光的波长大于650nm时,偏光度急剧下降,由此可知,波长为650nm~780nm的光严重地影响了减反射结构的偏光度,因此,根据本发明实施例的光截止层108可以构造为截止650nm~780nm范围内的光,从而提高偏光度。
示例性地,光截止层108可构造为截止特定波长范围的光,例如,截止波长范围为650nm~780nm的光,优选地,截止波长范围为700nm~780nm的光,这样可以仅截止部分的红外光,而并非截止全部红外光,从而可以大大提高偏光度,又不会影响显示。
这样,通过提供光截止层108,其滤光作用使得偏光度得到很大的提升,从而可以在厚度减薄的同时,实现具有高偏光度的减反射结构,从而能很好的应用于显示器,实现超薄柔性显示。
示例性地,根据本发明实施例的光截止层108可以包括交替设置的多个高折射率层和多个低折射率层,该多个高折射率层的每层的厚度可以相等或不相等,该多个低折射率层的每层的厚度也可以相等或不相等,高折射率层的厚度也可以等于或不等于低折射率层的厚度,本发明的实施例并不对此进行限定。
例如,该高折射率层可以为氮化硅层,该低折射率层可以为氧化硅层,也就是,光截止层108可以包括交替设置的多层氮化硅层和多层氧化硅层。例如,可以采用等离子体气相沉积(PECVD)的方法交替沉积氮化硅层和氧化硅层,其中沉积氮化硅层的反应气体可为SiH4、NH3和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为16:4:1;沉积氧化硅层的反应气体可为SiH4、NO2和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为40:4:1。在实际中,可通过控制反应时间来控制膜层的厚度,通过反应气体气路的打开和关闭来实现多层膜交替沉积。
下面给出光截止层的具体示例。这里,交替沉积氮化硅层和氧化硅层而形成光截止层,例如,所形成的光截止层形成为具有0.66H|(1L1H)4|1L的结构,其中,H表示氮化硅层,L表示氧化硅层,而系数0.66和1表示每层的厚度,这里对于氮化硅层,系数1代表36nm,则0.66H表示厚度为36×0.66nm=23.76nm的氮化硅层,而对于氧化硅层,系数1代表52nm,则1L表示厚度为52nm的氧化硅层。例如,(1L1H)4表示氧化硅以52nm的厚度和氮化硅以36nm的厚度依次交替沉积4次,例如,交替层级的次数还可为8次、16次、32次等。
图7给出了通过模拟得到的示例性光截止层的透过率曲线图,如图7所示,该光截止层具有16层膜层,氮化硅层和氧化硅层交替层叠8次,具体结构为:1.15H,1.07L,1.10H,1.14L,0.99H,1.09L,1.11H,1.11L,1.17H,0.58L,1.26H,1.15L,0.99H,1.14L,0.98H,0.46L,构成总厚度为717nm的光截止层,由图可见,对于波长为380nm~700nm,例如,380nm~650nm的光,具有这种结构的光截止层的透过率大于95%。
这里应该注意的是,根据本发明实施例的延迟膜可以为λ/4波片,λ可以取可见光波长的平均值,或者本领域的技术人员可以根据实际需要而设定,本发明的实施例对此不进行限定。
对于根据本发明实施例的减反射结构,线偏振片和延迟膜都采用液晶材料形成,例如可以采用涂敷方法而形成,这样与传统的用于显示器的减反射结构相比,减反射结构的厚度可以被显著减小,而且进一步包括截止波长范围为650nm~780nm的光的光截止层,使得对减反射结构的偏光度具有不利影响的光全部或者部分被截止,从而能够显著提升减反射结构的偏光度,例如,减反射结构的偏光度可以从60%提升到99.7%,由此实现厚度显著减薄而偏光度显著提升的减反射结构,适用于实现超薄柔性显示。
实施例四
本实施例提供一种显示器的制造方法。该制造方法包括:提供显示面板以及制造减反射结构,其中该显示面板包括彼此对盒的阵列基板以及对置基板,该阵列基板包括:衬底基板以及多个像素单元,形成在该衬底基板上且多个像素单元的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管,该对置基板设置在该多个像素单元的出光侧;其中制造减反射结构包括:在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或者对置基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片,第一取向层位于延迟膜与线偏振片之间。
示例性地,制造减反射结构可以包括:
在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或对置基板上形成延迟膜;
在延迟膜上形成第一取向层;以及
在第一取向层上形成线偏振片。
进一步地,制造减反射结构还可以包括:在线偏振片上形成光截止层。
示例性地,在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或对置基板上形成延迟膜之前,根据本发明实施例的显示器的制造方法中,制造减反射结构还可以包括:
在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或对置基板上形成第二取向层;以及
对第二取向层进行摩擦取向。
可选地,在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上或对置基板上形成延迟膜包括:
在第二取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第二材料层;
对第二材料层进行取向固化。
可选地,在制造减反射结构的过程中,在延迟膜上形成第一取向层之后,还可以包括:对第一取向层进行摩擦取向。
根据本发明实施例,在制造减反射结构时,在第一取向层上形成线偏振片可以包括:在第一取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第一材料层;对第一材料层进行取向固化。
进一步地,当减反射结构形成在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板时,在制造减反射结构之前,根据本发明实施例的显示器的制造方法还可以包括:在其上形成有所述有机发光二极管和所述薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦化层,而后续形成的减反射结构形成在平坦化层上。
在本实施例中,减反射结构形成在对置基板指的是减反射结构形成在对置基板的与所述阵列基板相反的一侧。进一步地,由于这样形成的减反射结构位于显示面板外部,为了对其进行保护,在减反射结构形成在对置基板的与所述阵列基板相反的一侧之后,该显示器的制造方法还包括:在线偏振片上形成保护层。备选地,还可以在光截止层上形成保护层。
示例性地,该保护层可以由透明绝缘材料形成,例如,由透明树脂材料形成。
以下参照图8a~8e对根据本实施例的显示器的制造方法给出了示例性描述,这里,以减反射结构形成在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上作为示例,图8a~8e示出了在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上执行制造减反射结构的各步骤后所获得的截面图。
如图8a所示,减反射结构即将形成在其上的衬底基板105上形成有包括有机发光二极管和薄膜晶体管的多个像素单元106。
接下来,根据本发明实施例的显示器的制造方法可以包括:
在其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板105上形成平坦化层110,如图8b所示;
接着,在平坦化层110上,例如,采用聚酰亚胺材料,形成第二取向层109,对该第二取向层109进行摩擦取向,如图8c所示;
接着,在第二取向层109上形成延迟膜102;
示例性地,形成延迟膜102可以包括:在第二取向层109上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第二材料层,对该第二材料层进行取向固化,例如,采用紫外光(UV光)对所述第二材料层进行取向固化。
接着,在延迟膜102上,例如,采用聚酰亚胺材料,形成第一取向层103,对第一取向层103进行摩擦取向;
然后,在第一取向层103上形成线偏振片104,如图8d所示;
示例性地,形成线偏振片104可以包括:在第一取向层103上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第一材料层,对该第二材料层进行取向固化,例如,采用紫外光(UV光)对所述第二材料层进行取向固化。
例如,第一材料层可以包括质量百分比为1%-20%的二向色性染料、质量百分比为75%-95%的可聚合液晶和质量百分比为0.1%-5%的光引发剂。备选地,二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的百分含量分别为10%,87.5%,2.5%。
然后,在线偏振片104上形成光截止层108,如图8e所示;
示例性地,在线偏振片104上形成光截止层108,可以包括采用等离子体气相沉积法(PECVD)交替沉积多个高折射率层和多个低折射率层,例如,该高折射率层为氮化硅层,沉积氮化硅层的反应气体为SiH4、NH3和N2的混合气体;该低折射率层为氧化硅层,沉积氧化硅层的反应气体为SiH4、NO2和N2的混合气体。
对应于图8a~8e示出的具体示例,图10示出了在衬底基板上形成减反射结构的流程图。例如,在衬底基板上形成减反射结构时,可以包括如下步骤:
步骤S71:在形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦化层。
步骤S72:在形成有平坦化层的衬底基板上形成第二取向层,并对第二取向层进行摩擦取向。
步骤S73:在第二取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第二材料层,对第二材料层进行取向固化,得到延迟膜。
步骤S74:在延迟膜上形成第一取向层,对第一取向层进行摩擦取向。
步骤S75:在第一取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第一材料层,对第一材料层进行取向固化形成线偏振片。
步骤S76:在线偏振片上形成光截止层。
需要说明的是,对于以上示例,减反射结构形成在所述衬底基板上之后,将其上形成有有机发光二极管、薄膜晶体管和减反射结构的衬底基板与其上形成有其他所需部件的对置基板对盒,从而获得减反射结构位于阵列基板与对置基板之间的显示面板。
示例性地,该减反射结构形成在对置基板上,也就是,形成在对置基板的与阵列基板相反的一侧,下面给出了具体示例。
如图11所示,是在对置基板的与阵列基板相反的一侧形成减反射结构的流程图,可以包括如下步骤:
步骤S81:在对置基板上形成第二取向层,并对第二取向层进行摩擦取向。
步骤S82:在第二取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第二材料层,对第二材料层进行取向固化,得到延迟膜。
步骤S83:在延迟膜上形成第一取向层,对第一取向层进行摩擦取向。
步骤S84:在第一取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第一材料层,对第一材料层进行取向固化形成线偏振片。
步骤S85:在线偏振片上形成光截止层,该光截止层的形成过程可以参见以上示例,在此不再赘述。
步骤S86:在光截止层上形成保护层。
示例性地,第一取向层103、延迟膜102、第二取向层109、光截止层108、线偏光片104的厚度范围,光截止层108的具体形成方法参见实施例二,在此不再赘述。
实施例五
本实施例也提供一种显示器的制造方法,与实施例三的制造方法的区别在于:减反射结构在对置基板的与阵列基板相对的一侧上形成,这样,在制作完成减反射结构后,对置基板需要翻转而与其上形成有有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板对盒而得到显示器,其中该减反结构位于阵列基板与对置基板之间,不需要额外的保护层来保护减反射结构,且与减反射结构直接形成在衬底基板上相比,也不需要形成平坦层,除了上述区别之外,如果没有特别说明,本实施例的制造方法中的步骤可以参照实施例三中的描述,为了简洁,这里将不再赘述。
示例性地,在本实施例中,制造减反射结构可以包括:
在对置基板上形成线偏振片;
在线偏振片上形成第一取向层;以及
在第一取向层上形成延迟膜。
示例性地,在对置基板上形成线偏振片之前,根据本实施例的显示器的制造方法还可以包括:在对置基板上形成第二取向层;对第二取向层进行摩擦取向。
相应地,在对置基板上形成线偏振片可以包括:在第二取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第二材料层;对第二材料层进行取向固化。
相应地,在线偏振片上形成第一取向层之后,根据本实施例的显示器的制造方法还可以包括:对第一取向层进行摩擦取向。
相应地,在第一取向层上形成延迟膜,可以包括:在第一取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第一材料层;对第一材料层进行取向固化。
进一步地,在对置基板上形成线偏振片之前,制造减反射结构的步骤还可以包括:在对置基板上形成光截止层。
示例性地,该光截止层位于第二取向层与对置基板之间或者位于线偏振片与对置基板之间。
以下参照图9a~9d对根据本实施例的显示器的制造方法给出了示例性描述,这里,以减反射结构形成对置基板上作为示例,图9a~9d示出了在对置基板上执行制造减反射结构的各步骤后所获得的截面图,其中该减反结构设置在该对置基板与阵列基板之间。
提供对置基板107,如图9a所示,;
在对置基板107上形成光截止层108,如图9b所示。
示例性地,该光截止层108通过采用等离子体气相沉积法交替沉积多个高折射率层和多个低折射率层而形成。例如,该高折射率层为氮化硅层,沉积该氮化硅层的反应气体为SiH4、NH3和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为16:4:1;该低折射率层为氧化硅层,沉积该氧化硅层的反应气体为SiH4、NO2和N2的混合气体,例如,该混合气体中,SiH4、NH3和N2的流量比可为40:4:1。
在光截止层108上形成第二取向层109,对该第二取向层109进行摩擦取向,如图9c所示;
在形成有光截止层108和第二取向层109的对置基板107上顺次形成线偏振片104、第一取向层103和延迟膜102,如图9d所示。
需要说明的是,形成线偏振片104的示例步骤,形成第一取向层103的示例步骤,形成延迟膜102的示例步骤可以参考实施例二的相应描述,为了简洁,这里不再赘述。
与图9a~9d相对应,图12给出了在对置基板上形成减反射结构的流程图。如图12所示,制造减反射结构可以包括如下步骤:
步骤S91:在对置基板上形成光截止层。
步骤S92:在形成有光截止层的对置基板上形成第二取向层,并对第二取向层进行摩擦取向。
步骤S93:在第二取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第二材料层,并对第二材料层进行取向固化形成线偏振片。
步骤S94:在线偏振片上形成第一取向层,对第一取向层进行摩擦取向。
步骤S95:在第一取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第一材料层,对第一材料层进行取向固化,得到延迟膜。
需要注意的是,在形成减反射结构之前,对置基板上可以形成有OELD显示面板的一些构件,例如,如果OLED显示面板为WOLED-COA(白色OLED及彩色滤波阵列)方式,则可以在对置基板上形成有红绿蓝三种颜色的滤色器,备选地,可以先形成滤色器,然后形成减反射结构,或者可以先形成减反射结构,然后形成滤色器等,本发明的实施例并不对此进行限定。
这里应该注意的是,以上的描述中以显示面板为有机电致发光面板为例进行了说明,但是根据本发明实施例的显示面板还可以为包括背光源的液晶显示面板,本发明的实施例并不对此进行限定。
对于根据本发明实施例的减反射结构、显示器及其制造方法,在根据本发明实施例的用于减轻外部光的反射的减反射结构中,该减反射结构包括由液晶材料制成的延迟膜和线偏振片,这样可以利用涂敷等方法形成延迟膜、线偏振片以及取向层,因此,与现有的例如利用贴附而设置在显示面板外部的减反射结构相比,根据本发明实施例的减反射结构具有显著减小的厚度,从而采用该减反射结构的显示器能够实现超薄显示。进一步地,在本发明的实施例中,为了在减薄减反射结构的同时,获得较高的偏光度,光截止层还进一步被提供,该光截止层构造为截止不利于偏光度提高的光,从而在减小厚度的同时,获得较高的偏光度。这样采用该减反射结构的显示器,由于有效地减少了内部构件对外部光的反射,从而显著提高了图像显示的对比度,而且在厚度显著减薄的同时,提高了偏光度。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明实施例的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明实施例揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明实施例的保护范围之内。
Claims (37)
1.一种减反射结构,包括:
延迟膜;
第一取向层,设置在所述延迟膜的出光侧;以及
线偏振片,设置在所述第一取向层的出光侧,
其中,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。
2.根据权利要求1所述的减反射结构,其中所述线偏振片包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂,所述延迟膜包括可聚合液晶和光引发剂。
3.根据权利要求2所述的减反射结构,其中所述线偏振片包括质量百分比为1%-20%的二向色性染料、质量百分比为75%-95%的可聚合液晶和质量百分比为0.1%-5%的光引发剂。
4.根据权利要求1中所述的减反射结构,还包括:
光截止层,设置在所述线偏振片的出光侧且构造为截止特定波长范围的光。
5.根据权利要求4所述的减反射结构,其中所述光截止层构造为截止波长范围为650nm到780nm的光。
6.根据权利要求5所述的减反射结构,其中所述光截止层构造为截止波长范围为700nm到780nm的光。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的减反射结构,其中所述第一取向层构造为对所述线偏振片进行取向,
所述减反射结构还包括第二取向层,所述第二取向层设置在所述延迟膜的入光侧且构造为对所述延迟膜进行取向。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的减反射结构,其中所述第一取向层构造为对所述延迟膜进行取向,
所述减反射结构还包括第二取向层,所述第二取向层设置在所述线偏振片的出光侧且构造为对所述线偏振片进行取向。
9.根据权利要求4所述的减反射结构,其中所述第一取向层构造为对所述延迟膜进行取向,
所述减反射结构还包括第二取向层,所述第二取向层设置在所述线偏振片与所述截止层之间且构造为对所述线偏振片进行取向。
10.根据权利要求4所述的减反射结构,其中所述光截止层包括交替设置的多个高折射率层和多个低折射率层。
11.根据权利要求10所述的减反射结构,其中所述多个高折射率层的每个为氮化硅层,所述多个低折射率层的每个为氧化硅层。
12.根据权利要求11所述的减反射结构,其中所述多个高折射率层的每层的厚度相等或不相等,所述多个低折射率层的每层的厚度相等或不相等。
13.一种减反射结构,包括:
延迟膜;
线偏振片,设置在所述延迟膜的出光侧;
第一取向层,设置在所述延迟膜的与所述线偏振片相反的一侧;以及
第二取向层,设置在所述线偏振片的与所述延迟膜相反的一侧,
其中,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。
14.根据权利要求13所述的减反射结构,其中所述线偏振片包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂,所述延迟膜包括可聚合液晶和光引发剂。
15.根据权利要求14所述的减反射结构,其中所述线偏振片包括质量百分比为1%-20%的二向色性染料、质量百分比为75%-95%的可聚合液晶和质量百分比为0.1%-5%的光引发剂。
16.根据权利要求13-15中任一项所述的减反射结构,还包括:
光截止层,设置在所述第二取向层的与所述线偏振片相反的一侧且构造为截止特定波长范围的光。
17.根据权利要求16所述的减反射结构,其中所述光截止层构造为截止波长范围为650nm到780nm的光。
18.一种显示器,包括:
显示面板;
减反射结构,如权利要求1-17中任一项所述,
其中,所述减反射结构设置在所述显示面板内或设置在所述显示面板的出光侧。
19.根据权利要求18所述的显示器,其中,所述显示面板包括:
阵列基板,包括:
衬底基板;
多个像素单元,形成在所述衬底基板上且所述多个像素单元的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管;
对置基板,在所述多个像素单元的出光侧与所述阵列基板对盒,
其中所述减反射结构设置在所述阵列基板与所述对置基板之间。
20.根据权利要求18所述的显示器,其中,所述显示面板包括:
阵列基板,包括:
衬底基板;
多个像素单元,形成在所述衬底基板上且所述多个像素单元的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管;
对置基板,在所述多个像素单元的出光侧与所述阵列基板对盒,
其中所述减反射结构设置在所述对置基板与所述阵列基板相反的一侧。
21.根据权利要求19所述的显示器,其中所述减反射结构与其上形成有所述有机发光二极管和所述薄膜晶体管的所述衬底基板之间还形成有平坦化层。
22.一种显示器的制造方法,包括:
提供显示面板,所述显示面板包括彼此对盒的阵列基板以及对置基板,所述阵列基板包括:衬底基板;以及多个像素单元,形成在所述衬底基板上且所述多个像素单元的每个中形成有有机发光二极管和薄膜晶体管,其中所述对置基板设置在所述多个像素单元的出光侧;
制造减反射结构,包括:
在其上形成有所述有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或者所述对置基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片;
其中所述第一取向层位于所述延迟膜与所述线偏振片之间,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。
23.如权利要求22所述的显示器的制造方法,其中形成延迟膜、第一取向层和线偏振片包括:
在其上形成有所述有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或所述对置基板上形成所述延迟膜;
在所述延迟膜上形成所述第一取向层;以及
在所述第一取向层上形成所述线偏振片。
24.如权利要求23所述的显示器的制造方法,其中所述制造减反射结构还包括:在所述线偏振片上形成光截止层。
25.如权利要求23或24所述的显示器的制造方法,其中在其上形成有所述有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或所述对置基板上形成延迟膜之前,所述制造方法还包括:
在其上形成有所述有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板或所述对置基板上形成第二取向层;
对所述第二取向层进行摩擦取向;
其中所述在其上形成有所述有机发光二极管和薄膜晶体管的衬底基板上或所述对置基板上形成延迟膜包括:
在所述第二取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第二材料层;
对所述第二材料层进行取向固化;
其中在所述延迟膜上形成第一取向层之后,还包括:
对所述第一取向层进行摩擦取向;
其中在所述第一取向层上形成线偏振片,包括:
在所述第一取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第一材料层;
对所述第一材料层进行取向固化。
26.如权利要求25所述的显示器的制造方法,还包括:
在其上形成有所述有机发光二极管和所述薄膜晶体管的衬底基板上形成平坦化层,
其中所述减反射结构形成在所述平坦化层上。
27.如权利要求25所述的显示器的制造方法,还包括:在所述线偏振片上形成保护层,其中所述减反射结构位于所述对置基板的与所述阵列基板相反的一侧。
28.如权利要求22所述的显示器的制造方法,其中形成延迟膜、第一取向层和线偏振片包括:
在所述对置基板上形成所述线偏振片;
在所述线偏振片上形成所述第一取向层;以及
在所述第一取向层上形成所述延迟膜。
29.如权利要求28所述的显示器的制造方法,其中在所述对置基板上形成所述线偏振片之前,还包括:
在所述对置基板上形成第二取向层;
对所述第二取向层进行摩擦取向;
其中所述在所述对置基板上形成线偏振片包括:
在所述第二取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第二材料层;
对所述第二材料层进行取向固化;
其中在所述线偏振片上形成第一取向层之后,还包括:
对所述第一取向层进行摩擦取向;
其中在所述第一取向层上形成延迟膜,包括:
在所述第一取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第一材料层;
对所述第一材料层进行取向固化;
其中所述减反射结构位于所述阵列基板与所述对置基板之间。
30.如权利要求28所述的显示器的制造方法,其中在所述对置基板上形成所述线偏振片之前,所述制造减反射结构还包括:在所述对置基板上形成光截止层。
31.如权利要求30所述的显示器的制造方法,其中在所述对置基板上形成光截止层之后且在所述对置基板上形成所述线偏振片之前,还包括:
在所述对置基板上形成第二取向层;
对所述第二取向层进行摩擦取向;
其中所述在所述对置基板上形成线偏振片包括:
在所述第二取向层上涂敷包括二向色性染料、可聚合液晶和光引发剂的第二材料层;
对所述第二材料层进行取向固化;
其中在所述线偏振片上形成第一取向层之后,还包括:
对所述第一取向层进行摩擦取向;
其中在所述第一取向层上形成延迟膜,包括:
在所述第一取向层上涂敷包括可聚合液晶和光引发剂的第一材料层;
对所述第一材料层进行取向固化;
其中所述减反射结构位于所述阵列基板与所述对置基板之间。
32.根据权利要求30或24所述的显示器的制造方法,其中所述光截止层通过采用等离子体气相沉积法交替沉积多个高折射率层和多个低折射率层而形成。
33.根据权利要求32所述的显示器的制造方法,其中所述高折射率层为氮化硅层,沉积所述氮化硅层的反应气体为SiH4、NH3和N2的混合气体。
34.根据权利要求32所述的显示器的制造方法,其中所述低折射率层为氧化硅层,沉积所述氧化硅层的反应气体为SiH4、NO2和N2的混合气体。
35.一种减反射结构的制造方法,包括:
准备基板;
在所述基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片,
其中所述第一取向层位于所述延迟膜与所述线偏振片之间,所述延迟膜和所述线偏振片包括液晶。
36.如权利要求35所述的减反射结构的制造方法,其中在所述基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片包括:
在所述基板上形成所述延迟膜;
在所述延迟膜上形成所述第一取向层;以及
在所述第一取向层上形成所述线偏振片。
37.如权利要求35所述的减反射结构的制造方法,其中在所述基板上形成延迟膜、第一取向层和线偏振片包括:
在所述基板上形成所述线偏振片;
在所述线偏振片上形成所述第一取向层;以及
在所述第一取向层上形成所述延迟膜。
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