CN105428380B - 一种传感器封装片的制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种传感器封装片的制作工艺,该制造工艺流程简单,自由度高,生产精度高,其技术方案要点是:a)选取上基板、下基板以及若干芯片并进行预加工;b)将上基板底面涂布第一胶材,对第一胶材依次进行曝光、PEB和显影;c)将的上基板底面与下基板顶面对位贴合;d)选取多个芯片,所述的下基板排布有若干放置孔,所述的芯片从下基板底面往顶面方向穿过放置孔与上基板底面对位贴合;e)将贴合后的上基板、下基板以及芯片进行全板压合得到半成品A;f)将半成品A顶面贴合若干滤光片并在底面加工加固层得到半成品B;g)在步骤e或f之后对第一胶材进行固化,整个制作工艺精度高,流程简单。
Description
技术领域
本发明涉及封装领域,更确切地说涉及一种传感器封装片的制作工艺。
背景技术
大部分的摄像头芯片的封装都是基于覆晶(flip-chip)技术,具有以下优点:该方法相对于传统基于COB封装,由于去掉了打线(Wire-bond)环节,在效率上大大提升;并采用连片方式进行封装,效率可以进一步提升,且基板与一般线路板的制作方式类似,可以有效降低设备成本与材料成本。但是目前感光片、芯片以及多个基板进行封装时需要进行多次贴合,且贴合后进行压合,生产工艺复杂。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,提供一种传感器封装片的制作工艺,该制造工艺流程简单,自由度高,生产精度高。
本发明的技术解决方案是,提供一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的制作工艺包括如下步骤:
a)选取上基板、下基板以及若干芯片并进行预加工;
b)将上基板底面涂布第一胶材,对第一胶材依次进行曝光、PEB和显影;
c)将的上基板底面与下基板顶面对位贴合;
d)选取多个芯片,所述的下基板排布有若干放置孔,所述的芯片从下基板底面往顶面方向穿过放置孔与上基板底面对位贴合;
e)将贴合后的上基板、下基板以及芯片进行全板压合得到半成品A;
f)将半成品A顶面贴合若干滤光片并在底面加工加固层得到半成品B;
g)在步骤e或f之后对第一胶材进行固化。
采用以上结构后,本发明的制作工艺,与现有技术相比,具有以下优点:通过将上基板底面涂布有第一胶材,对第一胶材进行曝光、PEB(post exposure baking)和显影以将上基板底面预加工生成的块或者孔显露出来,曝光后进行PEB(post exposure baking)即是曝光后进行烘烤使第一胶材性质发生一定变化,之后进行显影,最终使第一胶材形成的形状精密度高,能有效的避开导电凸块以及开孔之类,满足生产设计的需要,同时对必要的线路和导通孔进行绝缘覆盖起介电层的作用,且先进行涂布第一胶材使下基板和下基板贴合更加方便,且全板压合时能将上基板和下基板精密结合起来,提高封装片的可靠性。之后将上基板和下基板贴合,并在下基板设置放置孔,将芯片通过倒装的方式贴合到上基板底面,再进行全板压合,由于通过连片的方式,可以将多个产品一起进行对位贴合,使生产简便,并通过CCD放大对位辨识点实现精准对位,将上基板、下基板及芯片贴合之后进行加装滤光片或者加工加固层,两者加工顺序可以互换,贴合之后进行加装滤光片,使生产更加方便,减少安装滤光片的困难性,加工加固层,能有效加强芯片和下基板的结构,使封装片可靠性增加,且可以在步骤e或f之后的任意步骤对第一胶材进行固化,制造工艺的自由度更高,之后可以进行切割等步骤。
作为本发明的一种改进,所述的上基板底面预加工有第一导电凸块和第二导电凸块,第一胶材设有将第一导电凸块和第二导电凸块显露出来的孔,所述的下基板顶面设有与第一导电凸块相对的第三导电凸块,芯片顶部设有与第二导电凸块相对的第四导电凸块,通过设置导电凸块实现基本之间的连接,结构稳定,且生产方便。
作为本发明的一种改进,所述的半成品A顶面贴合若干滤光片是指:所述的上基板相对下基板放置孔的位置开设有透光孔,上基板的顶面且位于透光通孔四周的位置涂布第二胶材并将若干滤光片贴合在第二胶材上,之后将第二胶材固化,通过全板压合后通过第二胶材安装滤光片,结构稳定,生产方便。
作为本发明的另一种改进,所述的半成品A底面加工加固层是指:所述的下基板和芯片底部以及放置孔内壁与芯片外壁涂布第三胶材,之后将第三胶材固化,填补放置孔内壁与芯片外壁之间缝隙,能充分固定下基板和芯片,且保护下基板底面电路,并提升封装片的可靠性。
作为本发明的还有一种改进,所述的第三胶材通过膜状胶贴膜曝光显影的方式将胶填入放置孔内壁与芯片外壁内,生产精度高,能从分填补放置孔内壁与芯片外壁内之间缝隙,充分固定下基板和芯片,提升封装片的可靠性。
作为本发明的还有一种改进,所述的第三胶材通过点胶机将流动性填充胶以吸真空负压的方式填入放置孔内壁与芯片外壁内,能从分填补放置孔内壁与芯片外壁内之间缝隙且生产效率高,降低生产成本,充分固定下基板和芯片,提升封装片的可靠性。
作为本发明的还有一种改进,所述的上基板、下基板以及芯片进行全板压合时,同时进行加热,使得第一导电凸块与第三导电凸块、第四导电凸块与第二导电凸块熔合在一起,形成电性导通,通过导电凸块连接,封装工艺简单,制作成本低,生产效率高。
作为本发明的还有一种改进,所述的上基板和下基板顶面和底面均设有电路,且顶面和底面的电路通过金属导通孔连接,有效较小体积,降低生产成本。
作为本发明的还有一种改进,所述的芯片上第四导电凸块通过在芯片上设置焊盘接口并进行植球或者电镀的方式得到,制造方法简单可靠,可以有效降低设备成本与材料成本。
附图说明
图1是本发明的传感器封装片的结构示意图。
图2是本发明的传感器封装片的结构***图。
图中所示:1、上基板;11、第一导电凸块;12、第二导电凸块;13、透光孔;2、下基板;21、第三导电凸块;22、放置孔;3、芯片;31、第四导电凸块;4、滤光片;5、第一胶材;6、第二胶材;7、第三胶材。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
请参阅图1和图2所示,本发明的技术解决方案是,提供一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的制作工艺包括如下步骤:
a)选取上基板、下基板以及若干芯片并进行预加工;
b)将上基板底面涂布第一胶材,对第一胶材依次进行曝光、PEB和显影;
c)将的上基板底面与下基板顶面对位贴合;
d)选取多个芯片,所述的下基板排布有若干放置孔,所述的芯片从下基板底面往顶面方向穿过放置孔与上基板底面对位贴合;
e)将贴合后的上基板、下基板以及芯片进行全板压合得到半成品A;
f)将半成品A顶面贴合若干滤光片并在底面加工加固层得到半成品B;
g)在步骤b或c或d或e或f之后对第一胶材进行固化。
采用以上结构后,本发明的制作工艺,与现有技术相比,具有以下优点:通过将上基板底面涂布有第一胶材,对第一胶材进行曝光、PEB(post exposure baking)和显影以将上基板底面预加工生成的块或者孔显露出来,曝光后进行PEB(post exposure baking)即是曝光后进行烘烤使第一胶材性质发生一定变化,之后进行显影,最终使第一胶材形成的形状精密度高,能有效的避开导电凸块以及开孔之类,满足生产设计的需要,同时对必要的线路和导通孔进行绝缘覆盖起介电层的作用,且先进行涂布第一胶材使下基板和下基板贴合更加方便,且全板压合时能将上基板和下基板精密结合起来,提高封装片的可靠性。之后将上基板和下基板贴合,并在下基板设置放置孔,将芯片通过倒装的方式贴合到上基板底面,再进行全板压合,由于通过连片的方式,可以将多个产品一起进行对位贴合,使生产简便,并通过CCD放大对位辨识点实现精准对位,将上基板、下基板及芯片贴合之后进行加装滤光片或者加工加固层,两者加工顺序可以互换,贴合之后进行加装滤光片,使生产更加方便,减少安装滤光片的困难性,加工加固层,能有效加强芯片和下基板的结构,使封装片可靠性增加,且可以在步骤b或c或d或e或f之后的任意步骤对第一胶材进行固化,制造工艺的自由度更高,之后可以进行切割等步骤。
所述的上基板底面预加工有第一导电凸块和第二导电凸块,第一胶材设有将第一导电凸块和第二导电凸块显露出来的孔,所述的下基板顶面设有与第一导电凸块相对的第三导电凸块,芯片顶部设有与第二导电凸块相对的第四导电凸块,通过设置导电凸块实现基本之间的连接,结构稳定,且生产方便。
所述的半成品A顶面贴合若干滤光片是指:所述的上基板相对下基板放置孔的位置开设有透光孔,上基板的顶面且位于透光通孔四周的位置涂布第二胶材并将若干滤光片贴合在第二胶材上,之后将第二胶材固化,通过全板压合后通过第二胶材安装滤光片,结构稳定,生产方便。
所述的半成品A底面加工加固层是指:所述的下基板和芯片底部以及放置孔内壁与芯片外壁涂布第三胶材,之后将第三胶材固化,填补放置孔内壁与芯片外壁之间缝隙,能充分固定下基板和芯片,且保护下基板底面电路,并提升封装片的可靠性,所述的第三胶材通过膜状胶贴膜曝光显影的方式将胶填入放置孔内壁与芯片外壁内,生产精度高,能从分填补放置孔内壁与芯片外壁内之间缝隙,充分固定下基板和芯片,提升封装片的可靠性;或者所述的第三胶材通过点胶机将流动性填充胶以吸真空负压的方式填入放置孔内壁与芯片外壁内,能从分填补放置孔内壁与芯片外壁内之间缝隙且生产效率高,降低生产成本,充分固定下基板和芯片,提升封装片的可靠性。
所述的上基板、下基板以及芯片进行全板压合时,同时进行加热,使得第一导电凸块与第三导电凸块、第四导电凸块与第二导电凸块熔合在一起,形成电性导通,通过导电凸块连接,封装工艺简单,制作成本低,生产效率高,通过烘烤或者UV照射使的胶材固化,生产流程简单,固定效果好,所述的上基板和下基板顶面和底面均设有电路,且顶面和底面的电路通过金属导通孔连接,有效较小体积,降低生产成本,所述的芯片上第四导电凸块通过在芯片上设置焊盘接口并进行植球或者电镀的方式得到,制造方法简单可靠,可以有效降低设备成本与材料成本。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的制作工艺包括如下步骤:
a) 选取上基板(1)、下基板(2)以及若干芯片(3)并进行预加工;
b) 将上基板(1)底面涂布第一胶材(5),对第一胶材(5)依次进行曝光、PEB和显影;
c) 将上基板(1)底面与下基板(2)顶面对位贴合;
d) 所述的下基板(2)排布有若干放置孔(22),所述的芯片(3)从下基板(2)底面往顶面方向穿过放置孔(22)与上基板(1)底面对位贴合;
e) 将贴合后的上基板(1)、下基板(2)以及芯片(3)进行全板压合得到半成品A;
f) 将半成品A顶面贴合若干滤光片(4)并在底面加工加固层得到产品B;
g) 在步骤e或f之后对第一胶材(5)进行固化。
2.根据权利要求1所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的上基板(1)底面预加工有第一导电凸块(11)和第二导电凸块(12),第一胶材(5)设有将第一导电凸块(11)和第二导电凸块(12)显露出来的孔,所述的下基板(2)顶面设有与第一导电凸块(11)相对的第三导电凸块(21),芯片(3)顶部设有与第二导电凸块(12)相对的第四导电凸块(31)。
3.根据权利要求1所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的半成品A顶面贴合若干滤光片(4)是指:所述的上基板(1)相对下基板(2)放置孔(22)的位置开设有透光孔(13),上基板(1)的顶面且位于透光通孔四周的位置涂布第二胶材(6)并将若干滤光片(4)贴合在第二胶材(6)上,之后将第二胶材(6)固化。
4.根据权利要求1所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的半成品A底面加工加固层是指:所述的下基板(2)和芯片(3)底部以及放置孔(22)内壁与芯片(3)外壁涂布第三胶材(7),之后将第三胶材(7)固化。
5.根据权利要求4所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的第三胶材(7)通过膜状胶贴膜曝光显影的方式将胶填入放置孔(22)内壁与芯片(3)外壁内。
6.根据权利要求4所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的第三胶材(7)通过点胶机将流动性填充胶以吸真空负压的方式填入放置孔(22)内壁与芯片(3)外壁内。
7.根据权利要求2所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的上基板(1)、下基板(2)以及芯片(3)进行全板压合时,同时进行加热,使得第一导电凸块(11)与第三导电凸块(21)、第四导电凸块(31)与第二导电凸块(12)熔合在一起,形成电性导通。
8.根据权利要求1所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的上基板(1)和所述的下基板(2)均在顶面和底面设有电路,且顶面和底面的电路通过金属导通孔连接。
9.根据权利要求1所述的一种传感器封装片的制作工艺,其特征在于:所述的芯片(3)上第四导电凸块(31)通过在芯片(3)上设置焊盘接口并进行植球或者电镀的方式得到。
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---|---|---|---|---|
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