CN105419816A

CN105419816A - 一种液晶介质以及包含该液晶介质的液晶显示器

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Publication number: CN105419816A
Application number: CN201510885925.3A
Authority: CN
Inventors: 高红茹; 温刚; 翟媛媛; 贾鹏忠; 王跃华; 梁瑞祥
Original assignee: Shijiazhuang Chengzhi Yonghua Display Material Co Ltd
Current assignee: Shijiazhuang Chengzhi Yonghua Display Material Co Ltd
Priority date: 2015-12-07
Filing date: 2015-12-07
Publication date: 2016-03-23

Abstract

本发明公开了一种液晶介质，液晶介质包含下列各组份的化合物，其中第一组份必须含有一种或多种通式Ⅰ1所示的化合物，第一组份还包含一种或包含多种或者不包含通式Ⅰ2～通式Ⅰ5所示的化合物，第二组份包含一种或多种通式Ⅱ所示的、介电各向异性为负的液晶化合物，第三组份包含一种或多种介电各向异性为负且绝对值大于3的液晶化合物；本发明所公开的液晶组合物具有负介电、低旋转粘度、响应时间快，尤其是具有良好的紫外稳定性的特点，适用于制造通过有源矩阵寻址的显示器，特别是基于VA或ECB效应的液晶显示器用负介电各向异性的液晶介质。

Description

一种液晶介质以及包含该液晶介质的液晶显示器

技术领域

本发明涉及用于液晶介质中的化合物和包含所述液晶介质的液晶显示器，特别是通过有源矩阵寻址的显示器，特别是基于VA或ECB效应的液晶显示器用负介电各向异性的液晶介质。

背景技术

目前TFT-LCD已经广泛地应用于工业领域和家庭消费领域，几乎完全替代了传统的CRT显示器市场。根据液晶显示方式的不同，液晶显示元件可以分为扭曲向列相(TN)模式、超扭曲向列相(STN)模式、共面(IPS)模式、垂直配向(VA)模式等多种模式。

当前的液晶显示元件多为扭曲向列相(TN)模式，但其存在对比度低、视野角窄的缺点，而垂直配向(VA)模式的显示以其宽视野角、高对比度和无须摩擦配向等优势，已经得到广泛应用，并成为大尺寸TV用TFT-LCD的常见显示模式，另外，VA模式显示的对比度对液晶的双折射率、液晶层的厚度和入射光的波长依赖度较小，因此，VA模式成为了现在极具前景的液晶显示技术。

对于基于VA效应的有源矩阵寻址显示器件所用的液晶材料，要求具有①低的驱动电压：液晶材料具有适当的负介电各向异性；②快速响应：液晶材料具有适当的光学各向异性；③高可靠性：高的电荷保持率，高的比电阻值，优良的耐高温稳定性及对UV光或常规的背光照明来照射的稳定性有严格要求等的特点。但是，当我们的液晶材料达到以上显示器所要求的基本特性(低驱动电压、快速响应)时，其可靠性的问题便会一一曝露出来，尤其是UV光照的稳定性变差。这主要是由于负介电各向异性的化合物分子结构中某些基团易与无机离子结合，使得离子含量变大；负介电各向异性的化合物在合成过程中往往需要大量的催化偶联反应，易有痕量的金属催化剂残留等的原因。于是，解决此类液晶介质的可靠性就成了棘手的问题，换言之，也就要求我们发明或提出一种或多种改善液晶介质稳定性的化合物，来解决液晶介质的可靠性问题。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种光学各向异性在0.080～0.150范围内、具有合适高的负介电各向异性、较快的响应时间的液晶介质，该液晶介质克服了现有液晶介质中存在的耐高温性能不稳定、抗UV光性能不稳定等缺陷。

为解决上述可靠性的技术问题，本发明所采取的技术方案是：

一种液晶介质，所述液晶介质包含下列各组份的化合物，其中第一组份必须含有一种或多种通式Ⅰ1所示的化合物，第一组份还包含一种或包含多种或者不包含通式Ⅰ2～通式Ⅰ5所示的化合物，第二组份包含一种或多种通式Ⅱ所示的、介电各向异性为负的液晶化合物，第三组份包含一种或多种介电各向异性为负且绝对值大于3的液晶化合物；

其中，

R₁、R₂、R₃选自碳原子数为1～20的直链烷基的其中一种；

R₁、R₂优选为碳原子数为1～10的直链烷基的其中一种；特别优选为碳原子数为2～7的直链烷基的其中一种；

R₄选自环丙基、环丁基、环戊基、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

R₅选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种；

L₁、L₂分别表示H、卤素、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种在苯环任意取代位置上；优选为H、卤素、碳原子数为1～7的直链烷基的其中一种在苯环任意取代位置上；特别优选为H、F、甲基的其中一种在苯环任意取代位置上；

a选自1～16的任意整数，优选为1～10的整数，特别优选为2、4、6、8、10；

b、c、e选自1～5的任意整数；

d、f选自0、1、2，优选为0或1；

选自的其中一种。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述第三组份至少包含两种通式Ⅲ所示的液晶化合物，还包含或不包含通式Ⅳ所示的液晶化合物，

其中，

R₇、R₉选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种；

R₆、R₈选自环丙基、环丁基、环戊基、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

Z₁、Z₂各自独立地选自单键、-O-、-CH₂CH₂-、-COO-或-CH₂O-的其中一种，优选自单键、-CH₂O-的其中一种；

X、Y选自-CH₂-、-O-的其中一种，且X与Y不为相同基团；

g表示1或2；

h表示0、1或2，优选为0或1，特别优选为0。

选自的其中一种，当g＝2时，可以相同或不同，当g＝1时，表示

选自的其中一种。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述通式Ⅰ1所示的化合物具体为式Ⅰ1-1至Ⅰ1-4所示化合物中的一种或几种，

所述通式Ⅰ2所示的化合物具体为通式Ⅰ2-1至Ⅰ2-9所示化合物中的一种或几种，

其中，

b＝1、c＝1时，F-和CH₃-各自独立地表示可以在苯环上任意一个位置上；当1＜b≤5、1＜c≤5时，F-和CH₃-各自独立地表示可以在苯环上任意多个位置上。

所述通式Ⅰ3所示的化合物具体为式Ⅰ3-1至Ⅰ3-11所示化合物中的一种或几种，

所述通式Ⅰ5所示的化合物具体为式Ⅰ5-1至Ⅰ5-5所示化合物中的一种或几种，

所述通式Ⅱ所示化合物具体为式Ⅱ-1至Ⅱ-8所示化合物中的一种或几种，

所述通式Ⅲ所示化合物具体为式Ⅲ1至Ⅲ7所示化合物中的一种或几种，

其中，

R₆选自环丙基、环丁基、环戊基、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

R₇选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种。

优选地，所述通式Ⅲ所示化合物具体为式Ⅲ1-1至Ⅲ7-10所示化合物中的一种或几种，

所述通式Ⅳ所示化合物具体为式Ⅳ-1至Ⅳ-18所示化合物中的一种或几种，

其中，

R₈选自环丙基、环丁基、环戊基、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

R₉选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述液晶介质中还包含至少两种通式Ⅴ和/或通式Ⅵ所示的介电中性化合物组成的第四组份，

其中，

R₁₀、R₁₂选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

R₁₁、R₁₃选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种；

r选自1～4的任意整数；

s选自0、1；

表示且当r≥2时，可以相同或不同。

所述通式Ⅴ所示化合物具体为式Ⅴ-1至Ⅴ-9所示化合物中的一种或几种，

所述通式Ⅵ所示化合物具体为式Ⅵ-1至Ⅵ-25所示化合物中的一种或几种，

本发明技术方案的进一步改进在于：所述液晶介质中还包含一种或多种通式Ⅶ所示的化合物组成的第五组份，

其中，

R₁₄选自环丙基、环丁基、环戊基、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

R₁₅选自碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为2～7的直链烯基的其中一种；

L₃、L₄分别选自H、卤素的其中一种。

所述通式Ⅶ所示化合物具体为式Ⅶ-1至Ⅶ-10所示化合物中的一种或几种，

本发明技术方案的进一步改进在于：所述液晶介质中第一组份的浓度为10～1000ppm。优选为10～600ppm，特别优选为10～400ppm。第一组份的组成优选：必须包含一种或多种通式Ⅰ1所示的化合物，还包含一种或多种通式Ⅰ2和/或通式Ⅰ3所示的化合物。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述液晶介质中第二组份的重量百分含量为1～30％，第三组份中通式Ⅲ所示的液晶化合物的重量百分含量为10～70％、通式Ⅳ所示的液晶化合物的重量百分含量0～20％，第四组份中通式Ⅴ所示的介电中性化合物的重量百分含量为12～50％、通式Ⅵ所示的介电中性化合物的重量百分含量2～50％，第五组份的重量百分含量为0～25％。

作为优选方案，所述液晶介质中第二组份的重量百分含量为5～25％，第三组份中通式Ⅲ所示的液晶化合物的重量百分含量为20～50％、通式Ⅳ所示的液晶化合物的重量百分含量0～15％，第四组份中通式Ⅴ所示的介电中性化合物的重量百分含量为15～40％、通式Ⅵ所示的介电中性化合物的重量百分含量5～40％，第五组份的重量百分含量为0～20％。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述的液晶介质的光学各向异性在0.080～0.150范围内。

本发明还公开了含有上述液晶介质的液晶显示器，所述液晶显示器包含上述的液晶介质。

本发明技术方案的进一步改进在于：所述显示器基于VA或ECB效应，包含有源矩阵寻址器件。

由于采用了上述技术方案，本发明所取得的技术进步在于：

本发明公开了一种负介电各向异性的液晶介质，该液晶介质具有光学各向异性在0.080～0.150范围内、具有适当高的负介电各向异性、较快的响应时间的液晶介质，良好的耐高温、抗UV光等可靠性性能，非常适用于基于VA或ECB效应的液晶显示元件，尤其适合于有源矩阵显示元件。

本发明在负介电各向异性的液晶介质中添加一种或多种通式Ⅰ1所示的化合物，还可搭配添加一种或多种通式Ⅰ2-Ⅰ5所示的化合物，使该液晶介质在耐高温性能、抗UV光性能等许多情况下表现的充分稳定。

本发明提供的通式Ⅰ1-Ⅰ5所示化合物，这些化合物通过优化组合搭配使用或单独使用，来改善液晶介质对UV光和热的稳定性问题。其中通式Ⅰ1所示的化合物，由于其特有的结构，在材料中的作用机理大致为：(1)四甲基哌啶的仲胺基被材料光、热氧老化产生的氢过氧化物等过氧化物所氧化，转变为氮氧自由基NO·；(2)氧化所产生的氮氧自由基NO·捕获高分子材料所产生的具有破坏性的活性基团，例如R·、RO·、ROO·等自由基；也使其转变为相对稳定的化合物(如R-R、R-O-R、R-O-O-R)；(3)在此过程中，氮氧自由基NO·得到再生，继续和材料中其他自由基反应。如此循环往复，大大延缓了材料的光、热氧老化速度。通式Ⅰ3和Ⅰ5所示的化合物，由于含有酚类基团，其主要作用是材料中因氧化产生的氧化自由基R·、ROO·反应，中断活性链的增长。

本发明提供的通式Ⅱ、通式Ⅲ及通式Ⅳ所示的介电各向异性为负且其绝对值大于3的化合物，其中通式Ⅱ、通式Ⅲ一般具有较大的负介电各向异性、较低的粘度和良好的互溶性，以改善液晶的应答速度；通式Ⅳ具有非常大的负介电各向异性，以满足器件对于低的驱动电压的需求，还具有适当大的光学各向异性和适当高的Tni的性能，以满足目前器件对于液晶材料大折射率和高清亮的需求。

本发明提供的通式Ⅴ、通式Ⅵ及通式Ⅶ所示的化合物，其中通式Ⅴ具有极小的粘度，以使液晶材料在应答速度上发生质的变化；通式Ⅵ的加入为了改善液晶体系性能参数的需求，并解决低温互溶性的问题；通式Ⅶ具有很大的光学各向异性，可以满足大于0.110折射率要求的液晶材料需求。

本发明通过对上述各化合物进行选择，并对其重量百分含量进行适当调整，再通过添加适当的通式Ⅰ1-Ⅰ5的化合物来改善液晶介质的可靠性问题，使得液晶介质可以获得稳定的不同介电各向异性、清亮点和双折射等的特性，便于在不同液晶盒厚和不同驱动电压下使用。

本发明通过使用本发明中的一种或多种通式Ⅰ1-Ⅰ5的化合物和一种或多种介电各向异性为负且其绝对值大于3的化合物，通过优化组合和优化配比，并另外采用其它几种甚至十几种具有特点的液晶化合物混合从而达到显示器所要求的性能参数，具有适当大的负介电各向异性、较快的响应速度、较大的光学各向异性及优异的抗UV性能和耐高温性能等的特点，从而开发出新的性能优异的VA模式显示用液晶材料。

本发明还公开了以上液晶介质在有源矩阵显示元件，基于VA或ECB效应的有源矩阵显示器中的应用。

具体实施方式

本发明公开了一种液晶介质，所述液晶介质包含下列各组份的化合物，其中第一组份必须含有一种或多种通式Ⅰ1所示的化合物，第一组份还包含一种或包含多种或者不包含通式Ⅰ2～通式Ⅰ5所示的化合物，第二组份包含一种或多种通式Ⅱ所示的、介电各向异性为负的液晶化合物，第三组份包含一种或多种介电各向异性为负且绝对值大于3的液晶化合物；

其中，

R₁、R₂、R₃选自碳原子数为1～20的直链烷基的其中一种；

L₁、L₂分别表示H、卤素、碳原子数为1～7的直链烷基、碳原子数为1～7的直链烷氧基的其中一种在苯环任意取代位置上；

a选自1～16的任意整数；

b、c、e选自1～5的任意整数；

d、f选自0、1、2；

选自的其中一种。

本发明的第三组份至少包含两种通式Ⅲ所示的液晶化合物，还包含或不包含通式Ⅳ所示的液晶化合物，

其中，

Z₁、Z₂各自独立地选自单键、-O-、-CH₂CH₂-、-COO-或-CH₂O-的其中一种；

X、Y选自-CH₂-、-O-的其中一种，且X与Y不为相同基团；

g表示1或2；

h表示0、1或2。

选自的其中一种。

本发明的液晶介质中还包含至少两种通式Ⅴ和/或通式Ⅵ所示的介电中性化合物组成的第四组份，

其中，

r选自1～4的任意整数；

s选自0、1；

表示且当r≥2时，可以相同或不同。

本发明的液晶介质中还包含一种或多种通式Ⅶ所示的化合物组成的第五组份，

其中，

L₃、L₄分别选自H、卤素的其中一种。

对于本发明及在下述实施例中，混晶化合物的结构通过首字母缩略词来描述。在这些缩略词中，通过使用下表A至C如下缩写化学式。在表A中显示了化合物的核心结构的环要素所使用的编码，表B中显示了连接基团，表C给出了左侧或右侧端基的编码含义。在表D中列出了部分化合物的示例性结构及其各自的缩写。

表A：

表B：

E-CH₂CH₂-O-O-

ME：-CH₂O-Z-COO-

表C：

左侧端基右侧端基

其中n和m各自表示整数。

在下表中，给出示例性结构连同其各自的缩写。显示这些示例性结构用以证明缩写原则的含义，它们仅表示其中一些优选使用的化合物。(n、m和l各自独立地表示为1-7的整数)

下面结合实施例对本发明做进一步详细说明：

下述实施例中所涉及的份数均为重量百分含量，温度单位为℃，其他符号的具体意义及测试条件如下：

S-N表示液晶的晶态到向列相的熔点(℃)；

Cd表示液晶的清亮点(℃)，测试仪器：Mettler-Toledo-FPSystem显微热分析仪；

γ1为旋转粘度(mPa·s)，测试条件为：25℃、INSTEC:ALCT-IR1、18微米垂直盒；

K₁₁为扭曲弹性常数，K₃₃为展曲弹性常数，测试条件为：25℃、INSTEC:ALCT-IR1、18微米垂直盒；

△ε表示介电各向异性，△ε＝ε_∥-ε_⊥，其中，ε_∥为平行于分子轴的介电常数，ε_⊥为垂直于分子轴的介电常数，测试条件：25℃、INSTEC:ALCT-IR1、18微米垂直盒；

Δn表示光学各向异性，△n＝n_o-n_e，其中，n_o为寻常光的折射率，n_e为非寻常光的折射率，测试条件：589nm、25±0.2℃；

VHR表示电压保持率，测试条件：20±0.2℃、60Hz；

UV光能量为8000mJ，测试条件：365nm，60mw/cm²进行照射；

Heat表示高温老化，测试条件：100℃，1小时。

下面的实施例1～4分别按比例称取液晶化合物，制备得液晶介质。为了充分验证各种添加剂的作用，我们将制备得不同几款液晶介质，进行了大量的从添加剂含量、添加剂种类、不同搭配组合等方面的可靠性实验，并提供了各种实验数据,当然一般都是添加剂的添加量添加越少对于品质改善越明显越好。所使用的各种液晶单体均可以通过公知的方法进行合成，或通过商业途径获得。

制备液晶介质所用的设备和仪器为：

(1)电子精密天平(精确度0.1mg)

(2)不锈钢烧杯：用于称量液晶

(3)勺子：用于加入单体

(4)磁力转子：用于搅拌

(5)控温电磁搅拌器

液晶介质的制备方法包括以下步骤：

(1)将所用单体按顺序摆放整齐；

(2)把不锈钢烧杯放置在天平上，用小勺将单体盛入不锈钢烧杯中；

(3)依次按所需重量添加单体液晶；

(4)把加好料的不锈钢烧杯放置在磁力搅拌仪器上加热融化；

(5)待不锈钢烧杯中混合物大部份融化后，往不锈钢烧杯中加入一颗磁力转子，将液晶混合物搅拌均匀，冷却到室温后即得液晶介质。

将所得的液晶介质填充于液晶显示器两基板间进行性能测试。具体化合物的单体结构、用量(重量百分含量)、所得的液晶介质的性能参数测试结果均列于表中。

实施例1

本实施例的液晶介质按照表1中液晶介质的组分配比进行配制。

表1实施例1的液晶介质的组分配比及其性能参数

表2实施例1添加不同量/不同种类的添加剂后信赖性数据

通过上表，可以得出在负性液晶材料中单独使用添加剂Ⅰ1-4和Ⅰ2-1对于改善液晶材料的抗UV性能是非常明显的，且添加剂Ⅰ1-4比Ⅰ2-1在抗UV性能上改善最突出，而当使用Ⅰ1-4+Ⅰ3-2的组合时，液晶材料的抗UV、抗高温性能则表现极佳。

实施例2

本实施例的液晶介质按照表3中液晶介质的组分配比进行配制。

表3实施例2的液晶组合物的组分配比及其性能参数

表4实施例2添加不同量/不同种类的添加剂后信赖性数据

通过上表，可以得出在负性液晶材料中单独使用添加剂Ⅰ1-4和Ⅰ2-1对于改善液晶材料的抗UV性能是非常明显的，且添加剂Ⅰ1-4比Ⅰ2-1在抗UV性能上改善最突出，而当使用Ⅰ1-4+Ⅰ3-2的组合时，液晶材料的抗UV、抗高温性能则表现极佳，且Ⅰ1-4添加量在30ppm，与Ⅰ3-2添加量在300ppm时对于改善信赖性性能达到极佳。

实施例3

本实施例的液晶介质按照表5中液晶介质的组分配比进行配制。

表5实施例3的液晶组合物的组分配比及其性能参数

表6实施例3添加不同量/不同种类的添加剂后信赖性数据

实施例4

本实施例的液晶介质按照表7中液晶介质的组分配比进行配制。

表7实施例4的液晶组合物的组分配比及其性能参数

表8实施例4添加不同量/不同种类的添加剂后信赖性数据

通过上表，可以得出在负性液晶介质中单独使用添加剂Ⅰ1-4和Ⅰ2-1对于改善液晶材料的抗UV性能是非常明显的，且添加剂Ⅰ1-4比Ⅰ2-1在抗UV性能上改善最突出，而当使用Ⅰ1-4+Ⅰ3-2的组合时，液晶材料的抗UV、抗高温性能则表现极佳，且Ⅰ1-4添加量在30ppm，与Ⅰ3-2添加量在300ppm时对于改善信赖性性能达到极佳。

由实施例1～实施例4所示的液晶介质的性能参数可知，本发明的液晶化合物Ⅰ1-Ⅰ5添加至上述实施例中，虽然在耐紫外、高温上都有一些改善，但是当添加Ⅰ1-4改善耐紫外性能最为明显，并且添加后的液晶介质具有良好的化学、热稳定性，非常适用于有源矩阵显示元件，如ECB、FFS或IPS、MVA效应的有源矩阵显示器。

本发明虽然仅仅列举了上述4个实施例的具体化合物及其配比用量(重量百分含量)，并进行了性能测试，尤其加入添加剂后对于液晶介质进行了VHR数据的测试，利用本发明所涉及的通式Ⅰ1-Ⅰ5所代表的液晶化合物、以及通式Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ、Ⅶ的优选液晶化合物进行进一步拓展和修改，通过对其配比用量进行适当调整，均能达到本发明的目的。

Claims

1.一种液晶介质，其特征在于：所述液晶介质包含下列各组份的化合物，其中第一组份必须含有一种或多种通式Ⅰ1所示的化合物，第一组份还包含一种或包含多种或者不包含通式Ⅰ2～通式Ⅰ5所示的化合物，第二组份包含一种或多种通式Ⅱ所示的、介电各向异性为负的液晶化合物，第三组份包含一种或多种介电各向异性为负且绝对值大于3的液晶化合物；

其中，

R₁、R₂、R₃选自碳原子数为1～20的直链烷基的其中一种；

a选自1～16的任意整数；

b、c、e选自1～5的任意整数；

d、f选自0、1、2；

选自的其中一种。

2.根据权利要求1所述的液晶介质，其特征在于，所述第三组份至少包含两种通式Ⅲ所示的液晶化合物，还包含或不包含通式Ⅳ所示的液晶化合物，

其中，

X、Y选自-CH₂-、-O-的其中一种，且X与Y不为相同基团；

g表示1或2；

h表示0、1或2；

选自的其中一种，当g＝2时，可以相同或不同，当g＝1时，表示或

选自的其中一种。

3.根据权利要求1所述的液晶介质，其特征在于，所述通式Ⅰ1所示的化合物具体为式Ⅰ1-1至Ⅰ1-4所示化合物中的一种或几种，

其中，

b＝1、c＝1时，F-和CH₃-各自独立地表示可以在苯环上任意一个位置上；当1＜b≤5、1＜c≤5时，F-和CH₃-各自独立地表示可以在苯环上任意多个位置上；

所述通式Ⅰ5所示的化合物具体为式Ⅰ5-1-Ⅰ5-5所示化合物中的一种或几种，

4.根据权利要求1所述液晶介质，其特征在于，所述液晶介质中还包含至少两种通式Ⅴ和/或通式Ⅵ所示的介电中性化合物组成的第四组份，

其中，

r选自1～4的任意整数；

s选自0、1；

表示且当r≥2时，可以相同或不同。

5.根据权利要求4所述液晶介质，其特征在于，所述液晶介质中还包含一种或多种通式Ⅶ所示的化合物组成的第五组份，

其中，

L₃、L₄分别选自H、卤素的其中一种。

6.根据权利要求1所述液晶介质，其特征在于，所述液晶介质中第一组份的浓度为10～1000ppm。

7.根据权利要求5所述的液晶介质，其特征在于，所述液晶介质中第二组份的重量百分含量为1～30％，第三组份中通式Ⅲ所示的液晶化合物的重量百分含量为10～70％、通式Ⅳ所示的液晶化合物的重量百分含量0～20％，第四组份中通式Ⅴ所示的介电中性化合物的重量百分含量为12～50％、通式Ⅵ所示的介电中性化合物的重量百分含量2～50％，第五组份的重量百分含量为0～25％。

8.根据权利要求1至7中任一所述液晶介质，其特征在于：所述的液晶介质的光学各向异性在0.080～0.150范围内。

9.液晶显示器，其特征在于，所述液晶显示器包含根据权利要求1至7中任一所述的液晶介质。

10.根据权利要求9所述的显示器，其特征在于，所述显示器基于VA或ECB效应，包含有源矩阵寻址器件。