CN105378911A - 光电子器件和用于其制造的方法 - Google Patents

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Abstract

在不同的实施例中，提供一种用于制造光电子器件(10)的方法。在此，在载体(12)上方构成具有第一附着层(30)的光电子层结构，所述第一附着层具有第一金属材料。提供具有第二附着层(34)的覆盖体(36)，所述第二附着层具有第二金属材料。将第一合金(32)施加到两个附着层(30，34)中的至少一个附着层上，所述第一合金的熔点低至，使得第一合金(32)是液态的。将覆盖体(36)与光电子层结构耦联，使得两个附着层(30，34)与液态的第一合金(32)直接实体接触。第一合金(32)的至少一部分与第一和第二附着层(34)的金属材料进行化学反应，由此形成至少一种第二合金(33)，所述第二合金的熔点比第一合金(32)的熔点更高，其中第二合金(32)的熔点高至，使得第二合金(33)凝固并且将覆盖体牢固地与光电子层结构连接。

Description

光电子器件和用于其制造的方法
技术领域
本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法和一种光电子器件。
背景技术
在传统的光电子器件中，为了连接和/或密封光电子器件的部件，使用附着剂、例如粘接剂、焊料、漆、封装层、例如薄膜覆层(TFE)或腔封装件、金属密封件和/或覆盖体、例如玻璃体。将这些辅助机构施加到光电子器件的要连接的或要密封的部件上通常能够是相对时间耗费的、成本密集的、密封不足的和/或不精确的。例如，在将环氧化物粘接剂用于固定覆盖体时，空气或湿气能够经由粘接剂扩散进入到器件中。大面积的粘接部能够具有高的颗粒敏感性。在借助于丝网印刷施加粘接剂时，精确度能够位于仅一毫米的数量级中。
发明内容
在不同的实施方式中，提供一种用于制造光电子器件的方法，所述方法能够实现简单地、适宜地和/或精确地制造光电子器件和/或将光电子器件的部件简单地、成本适宜地和/或精确地彼此连接和/或密封。
在不同的实施方式中，提供一种光电子器件，所述光电子器件能够简单地、适宜地和/或精确地制造，和/或其部件简单地、成本适宜地和/或精确地彼此连接和/或密封。
在不同的实施方式中，提供一种用于制造光电子器件的方法。在此，在载体上方构成具有第一附着层的光电子层结构，所述第一附着层具有第一金属材料。提供具有第二附着层的覆盖体，所述第二附着层具有第二金属。在两个附着层中的至少一个附着层上施加第一合金，所述第一合金的熔点低至，使得第一合金是液态的。将覆盖体与光电子层结构耦联，使得两个附着层与液态的第一合金直接实体接触。第一合金的至少一部分与第一和第二附着层的金属材料进行化学反应，由此形成至少一种第二合金，所述第二合金的熔点比第一合金的熔点更高，其中第二合金的熔点高至，使得第二合金凝固并且将覆盖体牢固地与光电子层结构连接。
覆盖体与光电子层结构借助于液态的第一合金的耦联能够实现，简单地、适宜地和/或精确地制造光电子器件，并且将光电子器件的部件、尤其覆盖体和光电子层结构简单地、成本适宜地和/或精确地彼此连接和/或密封。
覆盖体与光电子层结构借助于液态的第一合金的耦联在下述温度下进行，所述温度高于第一合金的熔点进而在所述温度下，第一合金处于液态的聚集态。同时，温度低于第二合金的熔点，所述第二合金因此在该温度下不是液态的并且在其形成时或在其形成之后不久凝固。此外，温度低于光电子器件的其他部件、尤其光电子层结构由于热效应受到损坏的温度。例如，第一合金的熔化温度能够是尽可能低的，使得用于加工第一合金的工艺温度也能够是尽可能低的，由此保护光电子层结构、例如光电子层结构的有机层。第二合金例如能够在所有存在的工艺温度下、例如在-40℃至100℃的范围中的温度下是紧密的且固态的。
在与附着层的金属材料接触时，以液态的聚集态存在的第一合金的金属与附着层的金属材料进行化学化合，并且由第一合金的金属和附着层的金属材料形成至少第二合金。所述第二合金由于当前主要的、低于其熔点的温度转变为其固态的聚集态并且凝固。在此，覆盖体和光电子层结构材料配合地彼此连接。如果所述过程完全围绕预设的区域进行，那么所述预设的区域变得相对于周围环境密封、例如液密和/或气密。当附着层由不被第一合金润湿的防附着层限界时，第一合金例如能够特别精确地施加到附着层上。防附着层也能够由光电子层结构或覆盖体的表面形成。换言之，覆盖体的或光电子层结构的表面能够在附着层之外用作为防附着层。
第一合金是液态的表示，第一合金以液态的聚集态存在。这与下述情况相反，其中合金颗粒尽管以固态的聚集态存在，却嵌入液态的或粘稠的载体材料，例如焊膏中的焊料小球。形成至少一种第二合金表示，液态的第一合金与第一和/或第二金属材料共同地形成第二合金，其中第一和第二金属材料能够是相同的或不同的。如果第一和第二金属材料是相同的，那么刚好形成第二合金。如果第一和第二金属材料是不同的，那么第一合金能够与第一金属材料形成第二合金并且与第二金属材料形成其他的合金，例如第三合金，其熔点与第二合金相应地高于加工温度。
提供覆盖体例如能够表示，将覆盖体作为完成的构成的体部设置或者构成覆盖体。覆盖体例如能够具有塑料、玻璃或金属和/或由其形成。
第一附着层能够是光电子层结构的部件的一部分，例如电极或电极层的表面，或者第一附着层能够施加到、例如沉积到光电子层结构的部件、例如封装层上。第二附着层能够与覆盖体一件式地构成。换言之，第二附着层能够由覆盖体的材料形成。例如，覆盖体能够具有含金属的玻璃，所述玻璃具有第二金属材料。对此替选地，第二附着层能够在覆盖体上构成。例如，覆盖体能够由第二附着层覆层。第一和/或第二金属材料和必要时其他的金属材料例如能够是金属或半金属。第一和/或第二附着层能够由合金、尤其附着合金形成。附着合金例如能够首先以液态的或粘稠的状态存在并且然后与第一合金反应成第二合金进而凝固。
光电子层结构例如能够具有功能层和/或封装层。功能层能够是电有源的、光学有源的和/或光学无源的层。在电有源层中，电流例如能够流动。电有源层例如能够具有阳极、阴极、空穴传输层、一个或多个注入层和/或电子传输层。在光学有源层中，例如能够通过电子和空穴的复合来形成光子并且产生电磁辐射。光学无源层例如能够用于影响、例如散射、折射或转换所产生的电磁辐射。
在不同的实施方式中，第一合金的熔点位于在-20℃和100℃之间、尤其在0℃和80℃之间或者在-20℃和0℃之间、尤其在20℃和30℃之间的范围中。这能够实现，在对于光电子器件的其他部件、在OLED中例如对于有机功能层结构无害的或至少基本上无害的温度下对第一合金以液态进行加工。
在不同的实施方式中，第一合金在室温下是液态的。这能够实现，特别适宜地且简单地制造光电子器件。尤其，在使用第一合金时，不需要对光电子器件的部件进行调温。
在不同的实施方式中，第一合金具有镓、铟、铜、钼、银、锡和/或铋。第一和/或第二金属材料例如能够具有铝、镍、锡、锌、铜、钼和/或铬。
在不同的实施方式中，覆盖体由盖板和载体结构形成。载体结构具有第二附着层。覆盖体经由载体结构与光电子层结构耦联。换言之，在该实施方式中，覆盖件多件式地构成，其中载体结构是覆盖体的一部分并且与光电子层结构的耦联经由覆盖体的载体结构的第二附着层进行。第二附着层能够由载体结构、即例如由载体结构的表面形成，或者第二附着层能够在载体结构的表面上构成。载体结构例如能够有助于，预设在光电子层结构和盖板之间的间距。载体结构例如能够用于提供空腔，所述空腔由光电子层结构、盖板和载体结构限界。在空腔中例如能够设置有用于吸收湿气的吸气剂材料。载体结构例如能够用于，对光电子器件沿横向方向和/或侧向地限界。盖板例如能够具有玻璃、塑料、半金属和/或金属。载体结构例如能够具有金属或半金属。
在不同的实施方式中，盖板具有第三附着层，所述第三附着层具有第三金属材料。载体结构在载体结构的背离第二附着层的一侧上具有第四附着层，所述第四附着层具有第四金属材料。通过下述方式将盖板与载体结构耦联：将液态的合金、例如第一合金施加到第三和/或第四附着层上并且将载体结构设置在盖板上，使得第三和第四附着层与第一合金直接实体接触。第一合金的至少一部分与第三和第四附着层的金属材料进行化学反应，由此形成凝固进而将盖板牢固地与载体结构连接的第二合金或其他合金。这能够有助于，简单地、成本适宜地、精确地、液密地和/或气密地构成覆盖体。盖板能够在将载体结构与光电子层结构耦联之前或之后与载体结构耦联。第三和/或第四附着层能够具有与第一和/或第二附着层相同的金属材料或不同的金属材料。金属材料例如能够是金属或半金属。
在不同的实施方式中，光电子层结构具有封装层。第一附着层在封装层上构成。封装层有助于，将光电子器件的其他部件相对于湿气、颗粒和/或空气进行保护。所述其他部件例如在LED中能够是功能层和/或在OLED中能够是有机功能层。
在不同的实施方式中，光电子层结构具有载体结构，所述载体结构具有第一附着层。覆盖体经由载体结构与光电子层结构耦联。换言之，载体结构在该实施方式中形成光电子层结构的一部分并且光电子层结构与在此由盖板形成的覆盖体经由载体结构耦联。
在不同的实施方式中，光电子层结构具有第五附着层，所述第五附着层具有第五金属材料，并且载体结构在载体结构的背离第一附着层的一侧上具有第六附着层，所述第六附着层具有第六金属材料。通过下述方式将载体结构与光电子层结构耦联：将液态的合金、例如第一合金施加到第五和/或第六附着层上。载体结构设置在光电子层结构上，使得第五和第六附着层与第一合金直接实体接触。第一合金的至少一部分与第五和第六附着层的金属材料进行化学反应，由此形成凝固进而将光电子层结构牢固地与载体结构连接的第二合金。如果第三和/或第四金属具有与第一金属相同的金属，那么刚好形成第二金属。如果第三和/或第四金属与第一金属不同，那么能够形成其他合金，例如第三、第四或第五合金。附着层能够由相应的附着合金形成。
在不同的实施方式中，载体结构框架状地构成。将第一合金浇铸到框架状的载体结构中，使得载体结构对第一合金沿横向方向限界。因此，载体结构能够用作为用于液态的第一合金的限界部和/或造型件。
在不同的实施方式中，载体结构框架状地构成为，使得载体结构沿横向方向包围光电子层结构的至少一部分。
在不同的实施方式中，提供光电子器件、例如借助于在上文中所阐述的方法制造的光电子器件。光电子器件具有载体。在载体上方构成有具有第一附着层的光电子层结构，所述第一附着层具有第一金属材料。覆盖体具有第二附着层，所述第二附着层具有第二金属材料。在两个附着层之间设置有第二合金，所述第二合金与两个附着层直接实体接触。覆盖体经由两个附着层和第二合金与光电子层结构耦联。第二合金在液态的第一合金和第一和第二附着层的金属的化学反应中形成。其熔点高于第一合金的熔点的第二合金凝固进而将覆盖体牢固地与光电子层结构连接。除了第二合金以外，第一合金的一部分也还能够以液态存在。
在不同的实施方式中，在覆盖体和光电子层结构之间存在第一合金的处于液态的部分。
在不同的实施方式中，第一合金的熔点位于在-20℃和100℃之间、尤其在0℃和80℃之间或在-20℃和0℃之间、尤其在20℃和30℃之间的范围中。例如，第一合金在室温下是液态的。
在不同的实施方式中，第一合金具有镓、铟、锡和/或铋，和/或第一和/或第二金属材料具有铝、镍、锡、铬和/或其他金属。
在不同的实施方式中，覆盖体具有盖板和载体结构，所述载体结构具有第二附着层。覆盖体经由载体结构与光电子层结构耦联。第二附着层例如能够与载体结构一件式地构成。换言之，第二附着层能够由载体结构形成。例如，载体结构能够具有玻璃，所述玻璃具有第二金属材料。对此替选地，第二附着层能够在载体结构上构成。例如，载体结构能够由第二附着层覆层。
在不同的实施方式中，光电子层结构具有载体结构，所述载体结构具有第一附着层。覆盖体经由载体结构与光电子层结构耦联。第一附着层例如能够与载体结构一件式地构成。换言之，第一附着层能够由载体结构形成。例如，载体结构能够具有玻璃，所述玻璃具有第一金属材料。对此替选地，第一附着层能够在载体结构上构成。例如，载体结构能够由第一附着层覆层。
在不同的实施方式中，提出一种液态的第一合金用于制造光电子器件的应用，其中液态的第一合金用作为附着剂和/或用作为密封元件。液态的第一合金例如是在上文中所阐述的第一合金。光电子器件例如是在上文中所阐述的光电子器件。例如根据在上文中所阐述的方法，在制造光电子器件时能够使用第一合金。
附图说明
本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。
附图示出：
图1示出在用于制造光电子器件的方法期间的第一状态中的光电子器件的一个实施例的第一部件；
图2示出在用于制造光电子器件的方法期间的第二状态中的根据图1的光电子器件的第一部件；
图3示出在用于制造光电子器件的方法期间的第一状态中的光电子器件的第二部件；
图4示出在用于制造光电子器件的方法期间的第二状态中的根据图3的光电子器件的第二部件；
图5示出根据图1至4的光电子器件；
图6示出在用于制造光电子器件的方法期间的光电子器件的一个实施例的第一部件；
图7示出在用于制造根据图6的光电子器件的方法期间的光电子器件的第二部件；
图8示出根据图6和7的光电子器件；
图9示出光电子器件的一个实施例；
图10示出光电子器件的一个实施例；
图11示出光电子器件的一个实施例；
图12示出光电子器件的一个实施例；
图13示出附着层的一个实施例；
图14示出附着层的一个实施例。
具体实施方式
在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且在所述附图中示出能够实施本发明的具体的实施方式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施例的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施例并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的实施例的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围通过附上的权利要求来限定。
在本说明书的范围中，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或相似的元件就设有相同的附图标记。
在不同的实施例中，光电子器件能够是发射电磁辐射的器件或吸收电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件例如能够是太阳能电池。发射电磁辐射的器件例如能够是发射电磁辐射的半导体器件和/或构成为发射电磁辐射的二极管，构成为发射电磁辐射的有机二极管，构成为发射电磁辐射的晶体管或构成为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是在可见范围中的光、UV光和/或红外光。在此，发射电磁辐射的器件例如能够构成为发光二极管(lightemittingdiode，LED)，构成为有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)，构成为发光晶体管或构成为有机发光晶体管。在不同的实施例中，发光器件能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光器件，例如安置在共同的壳体中。在不同的实施例中，光电子器件能够设置为顶部和/或底部发射器。顶部和/或底部发射器也能够称作为光学透明的器件，例如透明有机发光二极管。
在材料配合的连接中，第一体部能够借助于原子力和/或分子力与第二体部连接。材料配合的连接通常能够是不可分开的连接。
在不同的设计方案中，材料配合的连接例如能够作为粘接连接、焊料连接、例如玻璃焊料或者金属焊料的焊料连接或者作为熔焊连接来实现。
术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的，例如对于由发光器件所产生的例如一个或多个波长范围的光是可穿透的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)。例如，术语“半透明层”在不同的实施例中理解为：全部的耦合输入到结构(例如层)中的光量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分在此能够被散射。
术语“透明”或“透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从该结构(例如层)中耦合输出。
金属材料例如能够具有金属和/或半金属或者是金属和/或半金属。
图1示出用于制造光电子器件10的方法期间的第一状态中的光电子器件10的一个实施例的第一部件。光电子器件10具有载体12。载体12例如能够构成为保护层。载体12例如能够用作为用于电子元件或层、例如发光元件的载体元件。载体12例如能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或者由其形成。此外，载体12能够具有塑料薄膜或带有一个或多个塑料薄膜的叠层或者由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或者由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者由其形成。载体12能够具有上述材料中的一种或多种。载体12能够具有金属或金属化合物或者由其形成，例如铜、银、金、铂等。具有金属或金属化合物的载体12也能够构成为金属薄膜或金属覆层的薄膜。载体12能够半透明地或透明地构成。
在不同的实施例中，能够可选地在载体上或上方设置有阻挡层。阻挡层能够具有下述材料中的一种或多种材料或者由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。此外，在不同的实施例中，阻挡层能够具有在大约0.1nm(原子层)至大约5000nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约200nm的范围中的层厚度，例如为大约40nm的层厚度。
在载体12或阻挡层上或上方设置有光电子器件10的有源区域。有源区域能够理解为光电子器件10的下述区域，在所述区域中流动用于运行光电子器件10的电流并且产生或吸收电磁辐射。有源区域具有第一电极层14、第二电极层24并且在其之间具有功能层结构22。
只要不存在阻挡层，第一电极层14就构成在载体12上。第一电极层14能够由导电材料形成或者是导电材料，例如由金属或透明导电氧化物(transparentconductiveoxide，TCO)或相同的金属的或不同的金属的和/或相同的TCO的或不同的TCO的多个层的层堆形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了二元的金属氧化物、例如ZnO、SnO2或In2O3以外，三元的金属氧化物、例如AlZnO、Zn2SnO4、CdSnO3、ZnSnO3、MgIn2O4、GaInO3、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制性地对应于化学计量的组成并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。第一电极层14能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或Li以及这些材料的化合物、组合或合金。第一电极层14能够由在TCO层上的金属层的组合的层堆形成或反之。一个实例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(在ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO多层。
对于上述材料替选或附加地，第一电极层14能够具有一种或多种下述材料：由例如由Ag构成的金属纳米线和微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨烯微粒和层；由半导体纳米线构成的网络。此外，第一电极层14具有导电的聚合物或过渡金属氧化物或透明导电氧化物。
在不同的实施例中，第一电极层14和载体12能够半透明或透明地构成。第一电极层14例如能够具有在大约1nm至大约500nm的范围中的层厚度、例如在大约10nm至大约250nm的范围中的层厚度、例如在大约100nm至大约150nm的范围中的层厚度。
第一电极层14能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
除了第一电极层14以外，在载体12上构成第一接触馈电部18，所述第一接触馈电部与第一电极层14电耦联。第一接触馈电部18能够与第一电势(由未示出的能量源、例如电流源或电压源提供)耦联。替选地，第一电势能够施加到载体12上并且然后经由其间接地施加到第一电极层14上。第一电势例如能够是接地电势或其他预设的参考电势。
在第一电极层14上方构成功能层结构22，例如有机功能层结构。功能层结构22能够具有例如带有发射荧光的和/或发射磷光的发射体的一个或多个发射体层，以及一个或多个空穴传导层(也称作为空穴传输层)。在不同的实施例中，替选地或附加地，能够设有一个或多个电子传导层(也称作为电子传输层)。
在根据不同的实施例的光电子器件10中能够用于发射体层的发射体材料的实例包含：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作为SpinCoating)来沉积。发射体材料能够以适合的方式嵌入基体材料。
(多个)发射体层的发射体材料例如能够选择成，使得光电子器件10发射白光。(多个)发射体层能够具有多个发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地，(多个)发射体层也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层或者发蓝色磷光的发射体层，发绿色磷光的发射体层和发红色磷光的发射体层。通过不同颜色的混合，能够实现具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射中通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
功能层结构22通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的非聚合物的小分子(“smallmolecules”)或这些材料的组合。例如，功能层结构22能够具有构成为空穴传输层的一个或多个电致发光层，使得例如在OLED的情况下能够实现有效地将空穴注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，功能层结构22能够具有构成为电子传输层的一个或多个功能层，使得例如在OLED中能够实现有效地将电子注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层的材料。在不同的实施例中，一个或多个电致发光层能够构成为进行电致发光的层。
在不同的实施例中，空穴传输层能够施加、例如沉积在第一电极层14上或上方，并且发射体层能够施加、例如沉积在空穴传输层上或上方。在不同的实施例中，电子传输层能够施加、例如沉积在发射体层上或上方。
在不同的实施例中，功能层结构22能够具有在大约10nm至大约3μm的范围中、例如在大约100nm至大约1μm的范围中、例如在大约300nm至大约800nm的范围中的层厚度。在不同的实施例中，功能层结构22例如能够具有相叠设置的提出的层的层堆。
光电子器件10可选地通常能够具有例如设置在一个或多个发射体层上或上方或者设置在一个或多个电子传输层上或上方的其他的功能层，所述其他的功能层用于进一步改进光电子器件10的功能进而效率。
在功能层结构22上方构成第二电极层24。在第一电极层14旁边，更确切地说在第一电极层14的背离第一接触馈电部18的一侧上，在载体12上方构成第二接触馈电部16。接触馈电部16与第二电极层24电耦联。第二接触馈电部16用于电接触第二电极层24。在第二接触馈电部16上能够施加有第二电势。第二电势例如能够具有如下值，即与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V的范围中的值、例如具有在大约2.5V至大约15V的范围中的值、例如具有在3V至大约12V的范围中的值。第二电极层24能够具有与第一电极层14相同的材料或者由其形成。第二电极层24例如能够具有在大约1nm至大约100nm的范围中、例如在大约10nm至大约50nm的范围中、例如在大约15nm至大约30nm的范围中的层厚度。第二电极层24通常能够与第一电极层14的设计方案类似地或与其不同地构成或者是这样构成的。第二电极层24能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极，或构成为阴极、即构成为注入电子的电极。
在不同的实施例中，第一电极层14和第二电极层24二者都半透明地或透明地构成。因此，光电子器件10能够构成为顶部和底部发射器和/或构成为透明的光电子器件10。
电接触馈电部18、16例如能够用作为阳极的或阴极的一部分。电接触馈电部18、16例如能够构成为是透明的或不透明的。电接触馈电部18、16例如能够具有子层，所述子层例如具有钼/铝、钼、铬/铝/铬、银/镁或仅具有铝。第二电极层24与第一接触馈电部18和第一电极层14通过第一绝缘体层20和第二绝缘体层26隔开。绝缘体层20、26例如具有聚酰亚胺并且可选地构成。
具有第一电极层14、接触馈电部16、18和绝缘体层20、26的载体12也能够称作为衬底。在衬底上构成功能层结构22。
在第二电极层24上方并且部分地在第一接触馈电部18、第二接触馈电部16和第二绝缘体层26上方构成封装层28。因此，封装层28覆盖第一接触馈电部18和第二接触馈电部16，并且为了接触馈电部18、16的电接触随后能够露出。封装层28例如能够以阻挡薄层或薄层封装件的形式构成。在本申请的范围中，例如能够将“阻挡薄层”或“薄层封装件”理解为适合于相对于化学污染或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气形成阻挡的层或层结构。换言之，封装层28构成为，使得所述封装层例如不会由损害OLED的物质、如水、氧气或溶剂穿透或最多以极其小的份额穿透。
根据一个设计方案，封装层28构成为单个层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，封装层28能够具有多个相叠构成的子层。换言之，根据一个设计方案，封装层28能够构成为层堆(堆叠)。封装层28或封装层28的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积法来形成，例如借助于原子层沉积方法(AtomicLayerDeposition(ALD))来形成，例如为等离子增强的原子层沉积方法(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-lessAtomicLayerDeposition(PLALD))，或者借助于化学气相沉积方法(ChemicalVaporDeposition(CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-lessChemicalVaporDeposition(PLCVD))。根据一个设计方案，在具有多个子层的封装层28中，所有子层借助于原子层沉积方法来形成。仅具有ALD层的层序列也能够称作为“纳米叠层”。通过使用原子层沉积方法(ALD)，能够沉积非常薄的层。尤其，能够沉积层厚度在原子层范围中的层。
根据一个设计方案，封装层28能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度，例如大约10nm至大约100nm、例如大约40nm的层厚度。
根据其中封装层28具有多个子层的设计方案，所有子层能够具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，封装层28的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，子层中的至少一个子层能够具有与子层中的一个或多个其他子层不同的层厚度。封装层28或封装层28的各个子层能够构成为半透明的或透明的层。
根据一个设计方案，封装层28或封装层28的一个或多个子层能够具有下述材料中的一种材料或者由其形成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺杂铝的氧化锌及其混合物和合金和/或任意层结构。在不同的实施例中，封装层28或封装层28的一个或多个子层能够具有一种或多种高折射率的材料，换言之带有高折射率、例如带有至少为2的折射率的一种或多种材料。
封装层28能够例如面状地在没有横向的结构化的情况下覆盖位于其下的层。在本申请中，横向方向表示平行于通过载体12的表面形成的平面的方向，在所述表面上构成有第一电极层14。
在不同的实施例中，能够在第二电极层24上方施加电绝缘层(未示出)，例如SiN、SiOx、SiNOx或ATO，例如AlTiOx，例如具有在大约300nm至大约1.5μm的范围中的层厚度，例如具有在大约500nm至大约1μm的范围中的层厚度，以便保护电学不稳定的材料。此外，在不同的实施例中，附加地设有一个或多个抗反射层。
图2示出在用于制造光电子器件10的方法期间的第二状态中的根据图1的光电子器件10。在该状态中，第一附着层30在封装层28上构成。第一附着层30例如能够面状闭合地或横向结构化地在封装层28上构成或施加到所述封装层上。第一附着层30具有第一金属材料。第一金属材料例如能够具有铝、锌、铬、锡、铜、钼、金和/或镍。第一附着层例如能够具有在10nm至100μm、例如15nm至50μm、例如20nm至25μm的范围中的厚度。第一附着层30例如能够具有多个子层，所述子层相叠地构成。如果第一附着层30沿横向方向结构化地构成，那么第一附着层30例如能够首先面状闭合地施加到封装层28上并且随后例如借助于掩模和剥离工艺结构化，或者第一附着层30能够直接结构化地施加，例如借助于印刷法。附着层30和必要时其他的附着层例如能够由合金、例如附着合金形成，所述合金例如首先能够以液态的或粘稠的状态存在。
图3示出在用于制造光电子器件10的方法期间的第一状态中的光电子器件10的其他部件。尤其，图3示出覆盖体36，在所述覆盖体上构成第二附着层34。覆盖体36例如能够具有玻璃和/或由层压玻璃形成。第二附着层34具有第二金属材料。第二金属材料能够是与第一金属材料相同的金属材料。然而，对此替选地，第二金属材料也能够是不同的金属材料。对此替选地，覆盖体36也能够构成为保护层或薄膜。第二附着层34能够面状闭合地在覆盖体36上构成或沿横向方向结构化地在覆盖体36上构成。如果第二附着层34结构化地构成，那么所述第二附着层例如能够首先面状闭合地施加到覆盖体36上并且随后例如借助于掩模和/或剥离工艺结构化，或者第二附着层34能够例如借助于印刷法直接结构化地施加。
图4示出在用于制造光电子器件10的方法期间的第二状态中的图3中的光电子器件10的其他部件。尤其，图4示出具有第二附着层34的覆盖体36。在第二附着层34上施加液态的、即处于液态的聚集态的第一合金32。第一合金32例如能够借助于印刷、分配和/或作为溶液施加。
第一合金32具有低的熔点。例如，第一合金32在-20℃和100℃之间、例如在0℃和80℃之间、例如在20℃和30℃之间的范围中的温度下处于其液态聚集态。例如，第一合金32在室温下是液态的。换言之，第一合金32在室温下能够以液态施加到第二附着层34上。在此，例如能够防止液态的第一合金32的表面效应、尤其表面应力，使得所述第一合金侧向地从第二附着层34滴落。替选地或附加地，第二附着层34能够沿横向方向由未示出的防附着层限界，所述防附着层不由第一合金32润湿，并且所述防附着层将第一合金32在第二附着层34上保持在为其设置的区域中。这种防附着层例如能够具有氧化钛、氧化镓、氧化钨、氧化锆和/或氧化铝。
第一合金32的分子在其与第二附着层34的分子和/或原子接触的位置处与相应的原子或分子形成化学的化合物。由此形成第二合金33，其熔点明显高于第一合金23的熔点。尤其，第一合金32的和第二附着层34的材料和工艺参数、例如加工温度和在加工时的空气压力选择为，使得第一合金32的熔点低于工艺温度并且第二合金33的熔点高于工艺温度。这引起，第二合金33在其形成时或在其形成之后不久凝固并且牢固地与第二附着层34连接。第二合金32厚地施加到第二附着层34上，使得第一合金32的仅一部分与第二附着层34的材料进行反应并且第一合金的另一部分至少首先保持为液态。可选地，再处理是可能的，例如退火或等离子工艺，其中能够影响合金和/或附着层和/或参加的表面的特性，例如能够硬化。
第一合金32例如能够具有镓、铟、锡、铜、钼、银和/或铋。第一合金32例如能够具有GaInSn，例如具有在60％和70％之间的镓、在20％和30％之间的铟和在10％和20％之间的锡。第一合金32例如能够具有68％的镓、22％的铟和10％的锡，其中第一合金32于是具有其在大约-19.5℃的熔点并且其中第一合金于是润湿玻璃、例如盖板。对此替选地，第一合金32例如能够具有62％的镓、22％的铟和16％的锡，其中第一合金32于是具有其在大约10.7℃的熔点并且其中第一合金32于是能够称作为菲尔德金属。准确的熔点能够根据第一合金中的锡份额来设定。对此替选地，第一合金32能够具有InBiSn，例如51％的铟、33％的铋和16％的锡，其中第一合金于是具有其在大约62℃的熔点并且其中第一合金润湿玻璃、例如盖板，并且其中第一合金32于是能够在热板(hotplate)上加工。与此相应地，第二合金33例如能够具有带有明显更高的锡浓度的GaInSn或GaInSnAl。第一合金32能够以例如10nm至50μm、例如20nm至25μm的厚度构成。
图5示出根据图1至4的光电子器件的部件，其中具有第二附着层34和第一合金32和第二合金33的覆盖体36施加到第一附着层30上。对于将第一合金32施加到第二附着层34上替选地或附加地，第一合金也能够施加到第一附着层30上。在此，可选地能够将防附着层在第一附着层30旁边构成，例如为了精确地预设，应在何处设置第一合金32和不应在何处设置第一合金32。
第一合金32与第一附着层30、类似于与第二附着层34那样进行反应。尤其，在第一附着层30上也形成第二合金33，所述第二合金凝固进而将覆盖体36牢固地与封装层28耦联。因此，第一或第二合金32、33用作为用于将覆盖体36固定在封装层28上的附着机构。如果第一或第二合金32、33面状闭合地设置在两个附着层30、34之间，那么第一或第二合金32、33也能够用作为用于将光电子器件10相对于空气中的湿气、颗粒和/或气体密封的密封机构。
第二合金32能够厚地引入到两个附着层30、34之间，使得第一合金32完全地反应成第二合金33，或者第一合金32的仅一部分与第二附着层34的材料反应并且第一合金的另一部分至少首先保持为液态的。
图6示出在用于制造光电子器件10的方法期间的第二状态中的光电子器件10的部件，所述光电子器件例如尽可能对应于在图2中示出的光电子器件10。第一附着层30横向结构化地在封装层28上构成，其中在图6中仅示出第一附着层30的两个侧向元件。然而，在俯视图中，第一附着层30能够框架状地构成，其中所述第一附着层在俯视图中能够形成围绕功能层结构22的框架。换言之，能够由第一附着层30形成框架结构。
图7示出在光电子器件10的制造方法期间的第二状态中的光电子器件10的其他部件，其中其他部件例如能够尽可能对应于在图4中示出的部件。第一合金32仅在子区域中施加到第二附着层34上。子区域例如能够与由在图6中示出的第一附着层30形成的框架或者与由框架包围的区域一致。仅在子区域中施加液态的第一合金32例如能够经由第一合金32的量来控制和/或借助于未示出的防附着层来控制，所述防附着层例如对第一附着层34与第一附着层30一致地框架状地限界。第一合金32例如能够借助于印刷、分配和/或作为溶液施加。
图8示出在用于制造光电子器件10的方法期间的另一步骤，其中根据图7的具有第一附着层34和第一合金32的覆盖体36设置在根据图6的第一附着层30和封装层上。对于将第一合金32施加到第二附着层34上替选或附加地，也能够将第一合金32施加到第一附着层30上。第一合金32在与第一和第二附着层30、34的金属材料的化学反应中形成第二合金33，所述第二合金凝固进而将覆盖体36牢固地与封装层28耦联。此外，第二合金33将在功能层结构22上方的区域沿横向方向密封。
第一合金32和附着层30、34能够构成为，使得第一合金32完全反应成第二合金33。然而，第一合金32或附着层30、34也能够替选地构成为，使得第一合金32仅部分地反应成第二合金33，并且在一个或多个子区域中也在制成光电子器件10之后，第一合金32以液态存在。例如，在制成的光电子器件10中，第一合金32在功能层结构22之上能够以液态存在。这能够有助于，减小例如由于热负荷和/或机械负荷引起的内部应力，并且防止光电子器件10的损坏。此外，这能够有助于，当在方法中颗粒进入到层构造中时，减少或防止光电子器件10的损坏。因此，液态的第一合金32例如能够用作为缓冲剂。此外，液态的第一合金32在封装层28中存在裂纹和/或孔的情况下进入到相应的裂缝或孔中并且将其封闭。
图9示出光电子器件10，所述光电子器件例如能够尽可能对应于在图8中示出的光电子器件10。光电子器件10邻接于第一附着层30至少部段地具有非反应性的材料40。非反应性的材料40尤其不与第一合金32进行化学反应。换言之，在第一合金32碰触非反应性的材料40的接触区域中，不形成第二合金33。非反应性的材料40例如能够设置在第一附着层30旁边，使得在非反应性的材料40的部段之间，第一合金32与第一附着层30的金属材料始终能够进行反应，然而总反应是受限的，由此能够防止，全部第一合金32反应成第二合金33。由此，能够有针对性地实现下述区域，在所述区域中，在制成光电子器件10之后，第一合金32也以液态存在。非反应性的材料例如能够具有镍、氧化铝、氧化钛、氧化锆和/或氧化锌。非反应性的材料例如能够借助于分配、印刷从乳化液和/或溶液中和/或借助于溅镀和/或借助于蒸镀在使用一个或多个掩模的情况下施加。非反应性的材料40能够选择成，使得所述材料仅不与第一合金32进行反应，或者第一合金32根本不润湿非反应性的材料40。对于非反应性的材料40替选地或附加地，能够设有不具有任何材料并且仅具有空气或真空的区域。这种区域例如能够借助于不能由第一合金32润湿的防附着层实现。借助于所述自由的区域，能够限制和/或防止第一合金32的不期望的继续反应。
图10示出光电子器件10的一个实施例，所述光电子器件例如能够尽可能对应于在上文所阐述的光电子器件10中的一个光电子器件。光电子器件10具有支撑结构38，所述支撑结构框架状地在构成有功能层结构22的区域上伸展。第一和第二附着层30、34分别面状地构成。支撑结构38能够具有与第一合金32进行反应以形成第二合金33的材料。然而，支撑结构38也能够具有非反应性的材料。非反应性的材料例如能够对应于根据图9的非反应性的材料40。
第一合金32、支撑结构38和附着层30、34能够构成为，使得第一合金32完全地反应成第二合金33。然而，第一合金32或附着层30、34替选地也能够构成为，使得第一合金32仅部分地反应成第二合金33，并且在一个或多个子区域中在制成光电子器件10之后，第一合金32也以液态存在。例如，在制成的光电子器件10中，第一合金32在功能层结构22之上能够以液态存在。
图11示出光电子器件10的一个实施例，所述光电子器件例如能够尽可能对应于在上文中所阐述的光电子器件10中的一个光电子器件。在第一电极层14上并且由功能层结构22包围地，构成有电流分配元件42并且借助于绝缘材料44与功能层结构分开。电流分配元件42例如能够称作为“汇流排(Busbar)”并且用于将电流沿横向方向分配到功能层结构22上。
光电子器件10具有支撑结构38，其中支撑结构38不仅框架状地围绕在功能层结构22之上的区域构成，而是也直接在功能层结构22上方构成。因此，支撑结构38构成为，使得支撑结构38的至少一部件在分配元件42上构成。支撑结构38的所述设置是特别有利的，因为光电子器件10在分配元件42的区域中特别鲁棒地构成。
图12示出光电子器件10的一个实施例，所述光电子器件例如能够尽可能对应于在上文中所阐述的光电子器件10中的一个光电子器件。光电子器件10不具有封装层28。功能层结构22相对于周围环境借助于覆盖体36分开，所述覆盖体在该实施例中具有载体结构44和盖板45。载体结构44形成围绕功能层结构22和第二电极层24的框架并且将功能层结构22沿横向方向与周围环境分开。换言之，载体结构44形成光电子器件10的横向的边缘。
第一附着层30能够由接触馈电部18、16的材料形成。对此替选地，第一附着层30例如能够在接触馈电部18、16的下述区域中构成，在所述区域中，载体结构44邻接于相应的接触馈电部18、16。与此相应地，第二附着层34能够由载体结构44的材料形成。对此替选地，第二附着层34能够在载体结构44的背离盖板45的一侧上在载体结构44上构成。
在用于制造光电子器件10的方法期间，将第一合金32施加到第一附着层30和/或第二附着层34上，所述第一合金然后反应成第二合金33，由此将覆盖体36和尤其载体结构44与光电子层结构和尤其接触馈电部18、16牢固地连接。此外，第二合金33将光电子器件10相对于周围环境密封。
盖板45能够与载体结构44借助于第一合金32耦联。为此，盖板45例如能够形成第三附着层或具有未示出的第三附着层，其中第三附着层具有第三金属材料。第三金属材料例如能够对应于第一或第二金属材料或者与其不同。与此相应地，载体结构44能够具有第四附着层或形成第四附着层，更确切地说在载体结构44的朝向盖板45的一侧上。盖板45能够在载体结构44邻接于盖板45的区域中具有第三附着层。
在用于制造光电子器件10的方法中，将液态的合金、例如第一合金32施加到第三和/或第四附着层上。对此替选地，能够施加其他的液态的合金，所述其他的液态的合金随后与金属材料进行反应并且凝固。在与第三或第四附着层接触时，如果第三或第四金属材料对应于第一或第二金属材料，那么形成第二合金33。否则能够形成其他合金，例如第四或第五合金，其熔点同样高于加工温度进而所述第四或第五合金与第二合金33一致地凝固。在合金凝固之后，进一步加工凝固的合金是可能的，例如退火，以便例如硬化合金。
在用于制造光电子器件的方法期间，首先将载体结构44和盖板45彼此耦联并且随后与光电子层结构耦联，或者能够首先将载体结构44与光电子层结构耦联并且随后能够设置盖板45。
对此替选地，覆盖体36能够仅由盖板45形成并且载体结构44能够是光电子层结构的一部分。在此，第一附着层30由载体结构44形成或者在载体结构44的朝向盖板45的一侧上构成，并且第二附着层34至少在盖板45的子区域中构成，所述子区域邻接于载体结构44。在用于制造光电子器件10的方法中，能够将合金、例如第一合金32施加到第一和/或第二附着层30、34上。对此替选地，能够施加其他的液态的合金，所述其他的液态的合金随后与金属材料进行反应并且凝固。
可选地，载体结构44同样能够借助于液态的合金、例如第一合金32与光电子层结构耦联。对此替选地，能够施加其他的液态的合金，所述其他的液态的合金随后与金属材料进行反应并且凝固。在此，载体结构44形成第五附着层，所述第五附着层例如具有第五金属材料，所述第五金属材料例如能够对应于在上文中所阐述的金属材料中的一种金属材料或者与其不同。与此相应地，由接触馈电部18、16形成第六附着层，所述第六附着层例如具有第六金属材料。对此替选地，第六附着层至少在邻接于载体结构44的子区域中涂覆到接触馈电部18、16上。因此，在用于制造光电子器件的方法中，第一合金32例如能够施加到第五或第六附着层上。在此，能够形成第二合金或其他的合金、例如第六或第七合金，其熔点同样高于加工温度进而其与第二合金33相应地凝固。
在封装层24和盖板45之间能够设置有吸气剂层46。吸气剂层46能够具有吸气剂、例如固态的或能分散的吸气剂或者由其形成。吸气剂层46能够具有例如以颗粒的形式的吸气剂，所述颗粒在基体中分布。吸气剂能够具有吸收有害物质和/或有害物质混合物、例如氧气或湿气的材料。吸气剂能够在基体中分布，例如以颗粒的形式或以溶解的方式，并且借助于吸收有害物质或有害物质混合物引起，基体的物质或物质混合物附加地具有排斥氧气和/或排斥湿气的特性。在不同的设计方案中，吸气剂例如能够具有能氧化的材料或者由其形成。能氧化的材料能够与氧气和/或水进行反应进而接合所述物质。因此，吸气剂例如能够具有出自碱金属和/或碱土金属的化学族中的轻微进行氧化的物质或者由其构成，例如镁、钙、钡、铯、钴、钇、镧和/或其他稀土金属。此外，其他金属也能够是适合的，例如铝、锆、钽、铜、银和/或钛或能氧化的非金属物质。此外，吸气剂也能够具有CaO、BaO和MgO或者由其形成。然而，吸气剂也能够具有干燥剂或者由其形成。干燥剂例如能够不可逆地吸收水，而不改变体积，或者将水借助于物理吸附接合，而在此不明显改变其体积。
借助于输送热量，例如借助于提高温度，能够再次移除所吸附的水分子。在不同的设计方案中，吸气剂例如能够具有干燥的硅胶或沸石或者由其形成。具有沸石或由沸石形成的吸气剂能够在沸石的孔和通道中吸附氧气和/或水。在借助于干燥的硅胶和/或沸石吸附水和/或氧气时，对于位于其下的层，不会形成有害的物质或物质混合物。此外，由干燥的硅胶和/或沸石形成的吸气剂不会具有借助于与水和/或氧气的反应引起的体积变化。
在不同的设计方案中，吸气剂颗粒能够具有小于大约50μm、例如小于大约1μm的平均直径。在不同的设计方案中，吸气剂颗粒例如能够具有对应于吸气剂层46的厚度的大约20％的平均直径。具有小于大约1μm、例如在大约50nm至大约500nm的范围中的平均直径的吸气剂颗粒能够具有下述优点，即使在吸气剂颗粒紧密排列的情况下，减小例如作用到功能层结构22上的逐点的力。
可选地，在根据图12的光电子器件10中，能够设置有电流分配元件42和位于其上的支撑结构38。
图13示出封装层28以及在其上的第一附着层30的部段的细节图。第一附着层30例如能够以多个小的小球的方式施加到封装层28上。与面状地施加第一附着层30相比，小的小球具有明显增大的表面。第一合金32能够在第一附着层30的每个表面元件中与第一金属材料进行反应。因此，能够提高第一合金32与附着层30、34的金属材料的反应速度。这例如能够用于提高加工速度。
图14示出封装层28和第一附着层30的细节图，其中第一附着层30以多个彼此平行的条带的形式施加到封装层28上。多个彼此平行的条带与相应面状地施加的第一附着层30相比具有明显更大的表面。增大的表面在用于制造光电子器件10的方法中能够有助于加速的反应进而有助于加速的加工速度。
本发明不受给出的实施例限制。例如，光电子器件10能够具有更少的或更多的层。例如，光电子器件10能够具有镜层、防反射层和/或耦合输出层。此外，能够将实施例彼此组合。例如，能够借助于参照图1至8示出的方法来制造在图9、10和11中示出的光电子器件10。此外，在唯一的光电子器件10之内，能够始终使用相同的合金和金属材料。对此替选地，能够在一个光电子器件10之内的不同部位处相应地使用不同的合金和/或不同的金属材料，其中在此必要时能够有利地利用合金的不同的熔点。

Claims (18)

1.一种用于制造光电子器件(10)的方法，其中
-在载体(12)上方构成具有第一附着层(30)的光电子层结构，所述第一附着层具有第一金属材料；
-提供具有第二附着层(34)的覆盖体(36)，所述第二附着层具有第二金属材料；
-将第一合金(32)施加到这两个附着层(30，34)中的至少一个附着层上，所述第一合金的熔点低至，使得所述第一合金(32)是液态的；
-将所述覆盖体(36)与所述光电子层结构耦联，使得两个附着层(30，34)与液态的所述第一合金(32)直接实体接触，并且
-液态的所述第一合金(32)的至少一部分与所述附着层(30，34)的金属材料进行化学反应，由此形成至少一种第二合金(33)，所述第二合金与所述第一合金相比具有更高的熔点，其中所述第二合金的熔点高至，使得所述第二合金(33)凝固并且将所述覆盖体牢固地与所述光电子层结构连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一合金(32)的熔点位于在-20℃和100℃之间、尤其在0℃和80℃之间、尤其在20℃和30℃之间的范围中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一合金(32)在室温下是液态的。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子器件，其中所述第一合金(32)具有镓、铟、锡、铜、钼、银和/或铋，并且/或者其中所述附着层(30，34)中的至少一个附着层的金属材料具有铝、锌、铬、铜、钼、银、金、镍、镓、铟和/或锡。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述覆盖体(36)由盖板(45)和载体结构(44)形成，所述载体结构具有所述第二附着层(34)，并且其中所述覆盖体(36)经由所述载体结构(44)与所述光电子层结构耦联。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述盖板(45)具有第三附着层，所述第三附着层具有第三金属材料，并且其中所述载体结构(44)在所述载体结构(44)的背离所述第二附着层(34)的一侧上具有第四附着层，所述第四附着层具有第四金属材料，并且其中通过下述方式将所述盖板(45)与所述载体结构(44)耦联：将液态的所述第一合金(32)施加到所述第三附着层和/或所述第四附着层上并且将所述载体结构(44)与所述盖板(45)耦联成，使得所述第三附着层和所述第四附着层与所述第一合金(32)直接实体接触，其中所述第一合金(32)的至少一部分与所述第三附着层的和所述第四附着层的金属材料进行化学反应，由此形成所述第二合金或至少一种其他合金(33)，所述第二合金或至少一种其他合金凝固进而将所述盖板(45)牢固地与所述载体结构(44)连接。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述光电子层结构具有封装层(28)，并且其中将所述第一附着层(30)在所述封装层(28)上构成。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述光电子层结构具有载体结构(44)，所述载体结构具有所述第一附着层(30)，并且其中将所述覆盖体(36)经由所述载体结构(44)与所述光电子层结构耦联。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述光电子层结构具有第五附着层，所述第五附着层具有第五金属材料，并且其中所述载体结构(44)在所述载体结构(44)的背离所述第一附着层(30)的一侧上具有第六附着层，所述第六附着层具有第六金属材料，并且其中通过下述方式将所述载体结构(44)与所述光电子层结构耦联：将液态的所述第一合金(32)施加到所述第五附着层和/或所述第六附着层上并且将所述载体结构(44)与所述光电子层结构耦联成，使得所述第五附着层和所述第六附着层与所述第一合金(32)直接实体接触，其中所述第一合金(32)的至少一部分与所述第五附着层的和所述第六附着层的金属材料进行化学反应，由此形成所述第二合金或至少一种其他合金(33)，所述第二合金或至少一种其他合金凝固进而将所述光电子层结构牢固地与所述载体结构(44)连接。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中将所述载体结构(44)框架状地构成，并且其中将所述第一合金(32)浇铸到框架状的所述载体结构(44)中，使得所述载体结构(44)沿横向方向对所述第一合金(32)限界。
11.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中将所述载体结构(44)框架状地构成为，使得所述载体结构(44)沿横向方向包围所述光电子层结构的至少一部分。
12.一种光电子器件(10)，具有：
-载体(12)；
-在所述载体(12)上方的具有第一附着层(30)的光电子层结构，所述第一附着层具有第一金属材料；
-具有第二附着层(34)的覆盖体(36)，所述第二附着层具有第二金属材料；
-在这两个附着层(30，34)之间并且与这两个附着层(30，34)直接实体接触的至少一种第二合金(33)，其中所述覆盖体(36)经由这两个附着层(30，34)和所述第二合金(33)与所述光电子层结构耦联，
-其中所述第二合金(33)在液态的第一合金(32)和所述第一附着层的和所述第二附着层(34)的金属材料的化学反应中形成并且凝固进而将所述覆盖体(36)牢固地与所述光电子层结构连接，所述第一合金的熔点比所述第二合金的熔点更低。
13.根据权利要求12所述的光电子器件(10)，其中在所述覆盖体(36)和所述光电子层结构之间存在处于液态的所述第一合金(32)的一部分。
14.根据权利要求12或13所述的光电子器件(10)，其中所述第一合金(32)的熔点位于在-20℃和100℃之间、尤其在0℃和80℃之间、尤其在20℃和30℃之间的范围中。
15.根据权利要求14所述的光电子器件(10)，其中所述第一合金(32)在室温下是液态的。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的光电子器件(10)，其中所述第一合金(32)具有镓、铟、锡和/或铋，并且/或者其中所述附着层(30，34)中的至少一个附着层的金属材料具有铝、镍、锡和/或铬。
17.根据权利要求12至16中任一项所述的光电子器件(10)，其中所述覆盖体(36)具有盖板(45)和载体结构(44)，所述载体结构具有所述第二附着层(34)，并且其中所述覆盖体(36)经由所述载体结构(44)与所述光电子层结构耦联。
18.根据权利要求12至16中任一项所述的光电子器件(10)，其中所述光电子层结构具有载体结构(44)，所述载体结构具有所述第一附着层(30)，并且其中所述覆盖体(36)具有盖板(45)，所述盖板经由所述载体结构(44)与所述光电子层结构耦联。
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