CN104737291B

CN104737291B - 用于制造光电子组件的方法和光电子组件

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Publication number: CN104737291B
Application number: CN201380050998.XA
Authority: CN
Inventors: 安德鲁·英格尔
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2012-09-28
Filing date: 2013-09-26
Publication date: 2017-05-10
Anticipated expiration: 2033-09-26
Also published as: KR20150060944A; KR101671304B1; US9553133B2; WO2014049054A1; DE102012109218B4; DE102012109218A1; US20150372062A1; CN104737291A

Abstract

在不同的实施例中提供一种用于制造光电子组件的方法。所述光电子组件具有第一光电子器件和至少第二光电子器件，所述第二光电子器件与所述第一光电子器件串联连接。在所述方法中提供衬底(10)。在衬底(10)上构成能导电的第一层(12)。在能导电的第一层(12)上构成能导电的第二层(14)。以结构化的方式将绝缘材料施加到能导电的第二层(14)和衬底(10)上，使得由绝缘材料形成：至少一个第一绝缘区域(28)，所述第一绝缘区域将用于设置第一光电子器件的第一器件区域(16)相对于用于设置第二光电子器件的第二器件区域(18)电绝缘；第二绝缘区域(30)，所述第二绝缘区域将第二器件区域(18)相对于第一接触区域(36)电绝缘；第三绝缘区域(32)，所述第三绝缘区域设置在第一器件区域(16)的背离第一绝缘区域(28)的一侧上；和第四绝缘区域(34)，所述第四绝缘区域设置在第一绝缘区域和第二绝缘区域(28，30)之间的第二器件区域(18)的背离第二绝缘区域(30)的一侧上，其中在第一绝缘区域(28)和第四绝缘区域(34)之间构成有第三接触区域(46)。在第一器件区域(16)中构成第一光学功能层(52)并且在第二器件区域(18)中构成第二光学功能层(54)。以结构化的方式将能导电的电极层施加到光学功能层(52，54)和第一接触区域和第三接触区域(36，46)上，使得第一光学功能层(52)与第三接触区域(46)电耦联并且第二光学功能层(54)与第一接触区域(36)电耦联。

Description

用于制造光电子组件的方法和光电子组件

技术领域

本发明涉及一种用于制造光电子组件的方法和一种光电子组件。

背景技术

在光电子器件、如有机发光二极管中，绝缘体还用于将两个电极区域彼此分开和/或相对于彼此电绝缘。

适当的绝缘体、例如光敏漆例如在光刻工艺中通常需非常贵地且耗费地施加。漆在没有结构的情况下通常面状地被施加到接着待蚀刻的金属层上并且借助于掩模曝光。根据所使用的漆，随后能够移除已曝光的或者未曝光的区域，由此将漆层结构化。在接着的蚀刻工艺中剩余的漆结构保护位于其下的一个或多个金属层。

发明内容

在不同的实施例中，提供一种用于制造光电子组件的方法，所述方法实现了以简单和/或成本适宜的方式和/或在不使用光刻工艺的条件下制造光电子组件，所述光电子组件具有发射第一电磁辐射的器件和至少一个发射第二电磁辐射的器件，所述发射第二电磁辐射的器件与发射第一电磁辐射的器件串联。

在不同的实施例中，提供一种光电子器件，所述光电子器件具有发射第一电磁辐射的器件和至少一个发射第二电磁辐射的器件，所述发射第二电磁辐射的器件与发射第一电磁辐射的器件串联，并且所述光电子器件可以简单和/或成本适宜的方式和/或在不使用光刻工艺的情况下制造。

在不同的实施例中，提供一种用于制造光电子组件的方法。光电子组件具有第一光电子器件和至少一个第二光电子器件。第一光电子器件与第二光电子器件串联。在所述方法中可选地首先提供衬底。在所述衬底上构成能导电的第一层。在能导电的第一层上构成能导电的第二层。绝缘材料以结构化的方式施加到能导电的第二层和衬底上，使得由绝缘材料形成：至少一个第一绝缘区域，所述第一绝缘区域将用于设置第一光电子器件的第一器件区域相对于用于设置第二光电气器件的第二器件区域电绝缘；第二绝缘区域，所述第二绝缘区域将第二器件区域相对于用于接触光电子组件的第一接触区域电绝缘；第三绝缘区域，所述第三绝缘区域设置在第一器件区域的背离第一绝缘区域的一侧上；和第四绝缘区域，所述第四绝缘区域设置在第一和第二绝缘区域之间的第二器件区域的背离第二绝缘区域的一侧上。在第一绝缘区域和第四绝缘区域之间构成有第三接触区域。第一光学功能层在第一器件区域中构成并且第二光学功能层在第二器件区域中构成。能导电的电极层以结构化的方式施加到光学功能层和第一以及第三接触区域上，使得第一光学功能层与第三接触区域电耦联并且第二光学功能层与第一接触区域电耦联。

在不同的实施方式中，绝缘材料和/或电极层和/或接着的其它层或者材料“以结构化的方式施加”表示：期望的结构已经在施加时构成。待覆层的面因此仅在与期望的结构相关的子区域中覆层。这与例如在光刻法这种情况中面状地施加相应的层以及接着对层结构化相反。以结构化的方式施加层实现：能够弃用首先面状地施加相应的层并且接着耗费地对层结构化，例如弃用了光刻法和/或用于光刻法的昂贵的光刻胶。这有助于简单地和/或成本适宜地制造具有串联的、发射电磁辐射的器件的光电子组件。

相应的材料或者层例如能够借助于压印、例如喷墨印刷(inkjet-printing)或者丝网印刷、借助于刮涂和/或通过在借助SAM(自组装单层，self assembling monolayer)沉积等以结构化的方式施加到衬底上。

光电子器件例如能够是吸收或者发射电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件例如能够是太阳能电池。发射电磁辐射的器件在不同的实施例中能够是发射电磁辐射的半导体器件和/或构成为发射电磁辐射的二极管、构成为发射电磁辐射的有机二极管、构成为发射辐射的晶体管或构成为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是在可见光范围中光、UV光和/或红外光。在本文中，发射电磁辐射的器件例如能够构成为发光二极管(lightemitting diode，LED)、构成为有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、构成为发光晶体管或者构成为有机发光晶体管。发光器件在不同的实施例中能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光器件，例如安置在一个共同的壳体中。

衬底例如能具有衬底层或者是衬底层。衬底例如能够是透明的或者不透明的衬底。衬底例如能够具有玻璃、石英、蓝宝石、一个或多个塑料薄膜、一个或多个覆层的塑料薄膜、金属、一个或多个金属薄膜、一个或多个用电绝缘层覆层的薄膜、硅晶圆或者另一种适合的衬底材料。例如能够将衬底理解为下述层，在制造光电子组件时接着将所有其它的层施加到所述层上。这些后续的层例如能够是需要用于发射辐射的层。

能导电的第一层具有能导电的第一材料并且能导电的第二层具有能导电的第二材料。能导电的第一材料和/或第二材料是具有能传导电流的材料或者物质。能导电的第一材料例如能够与能导电的第二材料不同。能导电的第一材料例如能够设置用于光电子器件的第一电极、例如用于阳极或者阴极。

能导电的第一层例如能够直接沉积在衬底层上。能导电的第一层例如能够是透明的能传导的层。所述层能够由透明导电氧化物(TCO)、例如掺杂铟的氧化锡(ITO)或者ZnO、In/ZnO、SnZnO、Al-ZnO等形成，但是不局限于此。能导电的第一层例如能够借助于溅射、例如DC溅射、物理气相沉积(PVD)等施加到衬底层上。

能导电的第二层例如能够沉积在能导电的第一层上。能导电的第二层例如能够包括：一种或多种金属、例如铝、钡、铟、铜、银、金、镁、钙和锂等以及其混合物或者组合，例如以彼此间成合金的形式或者与其它金属成合金的形式的混合物或者组合，但是不局限于此。能导电的第二层例如能够借助于蒸镀、溅射、例如DC溅射、物理气相沉积(PVD)等施加到能导电的第一层上。

能导电的层例如也能够分别具有子层，所述子层替选于或者附加于所提到的金属例如也能够具有铬和钼。在具有一个或多个子层的能导电的层中可能的层序列的实例是Mo-Al-Mo、Cr-Al-Cr、Cr-Cu-Cr和Cr-Cu。

绝缘材料表示如下绝缘物质，所述绝缘物质这样地施加，使得其防止两个能导电的区域之间的电通流，例如防止在第一器件区域中的能导电的第一层或者能导电的第二层和在第二器件区域中的能导电的第一层或者能导电的第二层之间的电通流。绝缘材料能够是敷层或者覆层介质、例如聚合物和/或漆。漆例如能够具有能以液体形式或者以粉末状形式施加的覆层材料。

电极层例如能够具有下述或者由其形成：铝、钡、铟、银、金、镁、钙和/或锂以及它们的组合或者化合物、尤其是合金、和/或透明导电氧化物、例如金属氧化物、如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或者掺杂铟的氧化锡(ITO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、Zn₂SnO₄、CdSnO₃、Mgln₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或者In₄Sn₃O₁₂或者不同的透明导电氧化物的混合物。电极层例如能够形成光电子器件的阴极或者阳极。

光学功能层例如能够是发射辐射的层、如发荧光和/或发磷光的发射体层，例如发射电磁辐射的器件、例如LED或者OLED。

在不同的实施方式中，在以结构化的方式施加绝缘材料之前，在能导电的第一层和第二层中能够构成第一沟道和至少一个第二沟道，使得衬底在第一沟道和第二沟道中空出。在以结构化的方式施加绝缘材料时，第一沟道和第二沟道通过绝缘材料来填充，使得绝缘材料叠加第一沟道和第二沟道的边缘。第一沟道至少部分地对第一绝缘区域限界并且第二沟道至少部分地对第二绝缘区域限界。沟道例如能够借助于激光烧蚀构成。此外，沟道部分地或者完全地围绕第一器件区域或第二器件区域延伸。此外，还能够构成其它的沟道和/或沟道能够是二维地在一个平面中延伸的沟道结构的部分。

在不同的实施方式中，在施加光学功能层之前移除第一器件区域和第二器件区域中的能导电的第二层。在移除能导电的第二层之后在第一和第二器件区域中将光学功能层施加到第一层上。能导电的第二层例如能够用蚀刻法移除。对能导电的第二材料的蚀刻在此例如能够在刻蚀浴中进行。刻蚀例如能够具有：通过使用适当的蚀刻性的材料剥离能导电的第一层的表面上的能导电的第二材料。蚀刻性的材料例如能够是化学材料，所述化学材料能够以化学反应改变待移除的材料(通常是氧化)和/或能够置于溶液中。蚀刻剂例如是酸或者强氧化剂。值得一提的例如是：HNO₃、HCl、H₃PO₄、醋酸、H₂SO₄、硝酸铈铵(CAN)和H₂O₂。蚀刻浴例如能够选择为，使得能导电的第一层、例如ITO层不受到所使用的蚀刻剂的侵蚀或者损伤。

在不同的实施方式中，在以结构化的方式施加绝缘材料之后并且在移除第一和第二器件区域中的能导电的第二层之前，将保护层以结构化的方式施加到能导电的第二层上，使得接触区域通过保护层的材料覆盖。在移除能导电的第二层时，保护层遮盖接触区域，使得能导电的第二层保留在接触区域中。在移除能导电的第二层之后，在第一、第二和/或第三器件区域中移除保护层。保护层例如能够具有如下材料或者物质，所述材料或者物质用于：在制造光电子组件的其它方法进程中、例如在一个或多个其它的工艺步骤中保护子区域中的能导电的第二层的能导电的第二材料，在所述子区域上施加有能导电的第二层。保护层例如能够是敷层、漆等。保护层例如能够是刻蚀阻挡漆、例如是如在制造印刷电路板(PCB)时所使用的刻蚀阻挡漆。该刻蚀阻挡漆能够热学地或者借助于UV辐射交联或者硬化。保护层例如能够在如下溶剂中是可溶的，在所述溶剂中绝缘材料是不可溶的。保护层例如能够是碱性可溶的或者碱可溶的。保护层例如能够在碱性溶液中、例如在盐的弱碱性水溶液(例如NaOH、KOH、NH₄OH、或者季铵盐如N(CH₃)₄OH)中是可溶的。

以结构化的方式施加保护层不仅能够在将能导电的第二层施加在能导电的第一层上之后并且在以结构化的方式将绝缘材料施加在能导电的第二层上之前进行而且能够在以结构化的方式将绝缘材料施加在能导电的第二层上之后并且在将光学功能层施加在能导电的第二层上之前进行。以结构化的方式施加保护层在此能够进行，使得能导电的第二层在接触区域中通过保护层的材料来覆盖并且在器件区域中不通过保护层的材料覆盖。保护材料能够(至少分部段地)设置在绝缘材料上或上方。

绝缘材料和保护层相对于用于蚀刻能导电的第二材料的化学制品例如能够是有抗性的。在能导电的第二层的如下区域中，其中绝缘材料和保护层施加在所述区域上，所述绝缘材料和保护层能够在相应的区域中用作为用于能导电的第二层或者能导电的第二材料的蚀刻阻挡。通过对能导电的第二材料的蚀刻保留导电的第二层的位于绝缘层下方和/或位于保护层下方的结构并且保留能导电的第一层。用于移除器件区域中的电的第二层的蚀刻工艺例如能够是唯一的执行用于制造光电子组件的蚀刻工艺。

在不同的实施方式中，在施加光学功能层之前加热绝缘材料，使得所述绝缘材料变形并且封装能导电的第二层的棱边和/或侧面。在移除器件区域中的电的第二层之后，空出电的第二层的邻接器件区域的棱边和/或侧面。邻接器件区域并且在蚀刻方法期间用作为蚀刻阻挡的绝缘材料由于加热在能导电的第二层的空出的棱边和/或侧面上流动并且封装该棱边和/或侧面。在接着施加光学功能层时，该棱边和/或侧面沿着垂直于衬底表面的方向仅邻接也能够用作为阳极的能导电的第一层，并且沿着平行于衬底表面的方向邻接绝缘材料，所述绝缘材料封装能导电的第二层的相应的棱边或侧面。因此，热变形的绝缘材料能够防止光学功能层和能导电的第二层之间的直接物理接触。这能够有助于保护光学功能层免收磨损和/或侵蚀。此外，这能够有助于光电子组件的更好的光学分辨率。

在不同的实施方式中，电极层具有：第一电极部段，通过所述第一电极部段将第一光学功能层与第三接触区域电耦联；和第二电极部段，通过所述第二电极部段将第二光学功能层与第一接触区域电耦联。第一电极部段例如能够形成第一光电子器件的第二电极、例如阴极或者阳极，并且第二电极部段能够形成第二光电子器件的第二电极、例如阴极或者阳极。此外，能够借助于第一电极部段形成到第三接触区域的连接部。换句话说，第一电极区域能够超出第一器件区域，使得其与第三接触区域物理接触。此外，能够借助于第二电极部段形成第一光电子器件到第一接触区域的连接部。换句话说，第二电极区域能够超出第二器件区域，使得其与第一接触区域物理接触。

在不同的实施方式中，由第二接触区域中的能导电的第二层和第一器件区域中的与所述能导电的第二层物理接触的能导电的第一层形成第一光电子器件的第一电极，并且由第一电极部段形成第一光电子器件的第二电极。第一光电子器件具有在第一光电子器件的第一电极和第二电极之间的第一有机功能层。由第三接触区域中的能导电的第二层和在第二器件区域中的与所述能导电的第二层物理接触的能导电的第一层形成第二光电子器件的第一电极，并且由第二电极部段形成第二光电子器件的第二电极。第二光电子器件具有在第二光电子器件的第一电极和第二电极之间的第二有机功能层。第一光电子器件和第二光电子器件经由第一光电子器件的第二电极与第二光电子器件的第一电极的物理接触串联连接。

在不同的实施方式中，绝缘材料以结构化的方式施加到第二层和衬底上，使得通过绝缘材料至少形成：第五绝缘区域，所述第五绝缘区域将用于构成第三光电子区域的第三器件区域相对于第一接触区域电绝缘；和第六绝缘区域，所述第六绝缘区域设置在第三器件区域的背离第五绝缘区域的一侧上。在第六绝缘区域和第二绝缘区域之间构成有第四接触区域。第二绝缘区域将第二器件区域相对于第三器件区域电绝缘。第三光学功能层在第三器件区域中构成。电极层以结构化的方式施加到光学功能层和第四接触区域上，使得第三光学功能层与第一接触区域电耦联并且使得第二光学功能层与第四接触区域电耦联。

在不同的实施方式中，沟道中的至少一个借助于激光烧蚀形成。这能够有助于简单且成本适宜地制造光电子组件。例如能够弃用用于蚀刻沟道的蚀刻工艺。

在不同的实施方式中，绝缘材料借助于压印法施加。这能够简单地有助于：将绝缘材料以结构化的方式施加到能导电的第二层和衬底上。压印法例如能够是喷墨印刷(inkjet-Printing)或者丝网印刷和/或包括喷墨印刷或者丝网印刷。

在不同的实施方式中，保护层借助于压印法施加。这能够有助于：将保护层以结构化的方式施加到能导电的第二层和衬底上。压印法例如能够是喷墨印刷(inkjet-Printing)或者丝网印刷和/或包括喷墨印刷或者丝网印刷。

在不同的实施方式中，绝缘材料是酸溶性的或者碱溶性的。这能够有助于：通过酸或者碱简单地移除绝缘材料。

在不同的实施方式中，保护层的材料是碱溶性的并且绝缘材料是酸溶性的。替选于此，保护层的材料是酸溶性的并且绝缘材料是碱溶性的。这引起：在移除保护层时完好无损地保留绝缘材料。

在不同的实施方式中，光电子组件具有衬底、在衬底上的能导电的第一层和在能导电的第一层上的能导电的第二层。绝缘材料以结构化的方式施加在第二层和衬底上，使得由绝缘材料形成：至少一个第一绝缘区域，所述第一绝缘区域将第一器件区域相对于第二器件区域电绝缘，在所述第一器件区域中设置有第一光电子器件，在所述第二器件区域中设置有第二光电子器件；第二绝缘区域，所述第二绝缘区域将第二器件区域相对于第一接触区域电绝缘；第三绝缘区域，所述第三绝缘区域设置在第一器件区域的背离第一绝缘区域的一侧上；和第四绝缘区域，所述第四绝缘区域设置在第一和第二绝缘区域之间的第二器件区域的背离第二绝缘区域地一侧上。在第一绝缘区域和第四绝缘区域之间构成有第三接触区域。在第一器件区域中构成有第一光学功能层并且在第二器件区域中构成有第二光学功能层。能导电的电极层以结构化的方式施加在光学功能层和第三接触区域上，使得第一光学功能层经由电极层与第三接触区域电耦联并且使得第二光学功能层经由电极层与第一接触区域电耦联。

附图说明

本发明的实施例在附图中示出并且在下文中详细阐述。

附图示出：

图1示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第一状态；

图2示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第二状态；

图3示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第三状态；

图4示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第四状态；

图5示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第五状态；

图6示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第六状态；

图7示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第七状态；

图8示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第八状态；

图9示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第九状态；

图10示出光电子组件的一个实施例；

图11示出根据图10的光电子组件的俯视图；

图12示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件的一个实施例的第一状态；

图13示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的根据图12的光电子组件的第二状态；

图14示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的根据图13的光电子组件的第三状态；

图15示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的根据图14的光电子组件的第四状态；

图16示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的根据图15的光电子组件的第五状态；

图17示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的根据图16的光电子组件的第六状态；

图18示出根据图17的光电子组件的一个实施例；

图19示出根据图18的光电子组件的俯视图；

图20示出光电子器件的层结构的一个实施例；

具体实施方式

在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且其中示出能够实施本发明的具体的实施形式以用于说明。在此方面，相关于所描述的一个(多个)附图的定向而使用方向术语例如是“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施形式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施形式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。要理解的是，只要没有特殊地另外说明，就能够将在此描述的不同的实施形式的特征互相组合。因此，下面详细的描述不能够理解为受限制的意义，并且本发明的保护范围不通过附上的权利要求来限定。

在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦联”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦联。在附图中，只要是适当的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。

光电子组件例如能够具有两个、三个或者更多个光电子器件。光电子器件例如能够具有吸收电磁辐射的和/或发射电磁辐射的器件。吸收电磁辐射的器件，例如能够是太阳能电池。发射电磁辐射的器件在不同的实施例中能够是发射电磁辐射的半导体器件和/或构成为发射电磁辐射的二极管、构成为发射电磁辐射的有机二极管、构成为发射辐射的晶体管或构成为发射电磁辐射的有机晶体管。辐射例如能够是在可见光范围中光、UV光和/或红外光。在本文中，发射电磁辐射的器件例如能够构成为发光二极管(light emittingdiode，LED)、构成为有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、构成为发光晶体管或者构成为有机发光晶体管。发光器件在不同的实施例中能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光器件，例如安置在一个共同的壳体中。

根据图1至10阐述用于制造光电子组件的方法的一个实施例，所述光电子组件具有第一光电子器件和第二光电子器件，所述第二光电子器件与第一光电子器件串联连接。在此，在图1至10中示出在制造光电子组件的制造方法期间光电子组件的在光电子组件的不同状态中的部件的实施例。

图1示出光电子组件的衬底10的一个实施例。衬底10例如能够具有玻璃、例如窗玻璃、石英、半导体材料和/或其他适当的材料、例如硼硅酸盐、铝硅酸盐和/或出自显示器产业中的标准材料或者由其形成。此外，衬底10能够具有塑料薄膜或具有一个或多个塑料薄膜的叠层或者由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)或由其形成。衬底10能够具有金属或者金属化合物或者由其形成，例如铜、银、金、铂等。金属或者金属化合物也能够构成为金属薄膜或者金属覆层的薄膜。衬底10能够具有上述材料中的一种或多种。

衬底10能够半透明地或者甚至透明地构成。

术语“半透明”或“半透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于电磁辐射是可穿透的，例如对于由发光器件所产生的例如一个或多个波长范围的电磁辐射是可穿透的，例如对于可见光的波长范围中的光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)。例如，术语“半透明层”在不同的实施例中理解为：全部的耦合输入到结构(例如层)中的辐射量基本上也从该结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分在此能够被散射。

术语“透明”或“透明层”在不同的实施例中能够理解为：层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm的波长范围的局部范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的电磁辐射基本上在没有散射或光转换的情况下也从该结构(例如层)中耦合输出。因此，“透明”在不同的实施例中能够视作为“半透明”的特殊情况。对于例如应当提供单色的或发射光谱受限的电子器件的情况而言能够足够的是：光学半透明的层结构至少在期望的单色电磁辐射的波长范围的局部范围中或者对于受限的发射光谱是半透明的。

图2示出根据图1的衬底10和能导电的第一层12的一个实施例，所述第一层在衬底10上构成。在衬底10和能导电的第一层12之间例如能够构成有在图2中未示出的并且在下文中参考图20来阐述的阻挡层。

能导电的第一层12能够由能导电的第一材料形成或者已由能导电的第一材料形成，例如由金属或者透明导电氧化物(transparent conductive oxide，TCO)或者相同金属或不同金属的多个层的层堆或者相同TCO或不同TCO的多个层的层堆形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)，例如ZnO、In/ZnO或者SnZnO或者Al-ZnO。除了二元的金属氧化物例如ZnO、SnO₂或In₂O₃以外，三元的金属氧化物例如AlZnO、Zn₂SnO₄、CdSnO₃、ZnSnO₃、Mgln₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或In₄Sn₃O₁₂或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族并且能够在不同的实施例中使用。此外，TCO不强制符合化学计量的组分并且还能够是p型掺杂的或n型掺杂的。在不同的实施例中，能导电的第一层12能够具有金属；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ag、Au、Mg、Ca、Sm或者Li以及这些材料的化合物、组合或者合金。在不同的实施例中，能导电的第一层能够由TCO层上的金属层组合的层堆形成，或者相反。一个实例是银层，所述银层施加在铟锡氧化物层(ITO)上(ITO上的Ag)或者是ITO-Ag-ITO复层。能导电的第一层12的能导电的第一材料例如能够选择为，使得所述第一材料能够在下面所阐述的用于移除在下面所阐述的能导电的第二材料中蚀刻工艺中能够是耐抗的。

在不同的实施例中，替选于或者附加于上述材料，能导电的第一层12还能够具有下述物质中的一种或多种：例如由Ag构成的金属的纳米线和纳米微粒构成的网络；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。此外，能导电的第一层能够具有能导电的聚合物或者过渡金属氧化物或者能导电的透明氧化物。

在不同的实施例中，能导电的第一层12和/或衬底10能够半透明地或者透明地构成。在能导电的第一层具有金属或者由其形成的情况中，能导电的第一层12例如能够具有小于或等于大致25nm的层厚度，例如小于或等于大致20nm的层厚度，例如小于或等于大致18nm的层厚度。此外，能导电的第一层12例如能够具有大于或等于大致10nm的层厚度，例如大于或等于大致15nm的层厚度。在不同的实施例中，能导电的第一层12能够具有在大致10nm直至25nm的范围中的层厚度，例如在大致10nm直至大致18nm的范围中的层厚度，例如在大致15nm直至大致18nm的范围中的层厚度。

此外，对于能导电的第一层12具有透明导电氧化物(TCO)或者由其形成这种情况，能导电的第一层12例如具有在大致50nm直至大致500nm的范围中的层厚度，例如在大致75nm直至大致250nm的范围中的层厚度，例如在大致100nm直至大致150nm的范围中的层厚度。

此外，对于能导电的第一层12例如由Ag构成的能够与导电聚合物组合的金属的纳米线构成的网络形成、由能够与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络形成或者由石墨层和复合材料形成的情况而言，能导电的第一层12例如能够具有在大约1nm至大约500nm范围内的层厚度、例如在大约10nm至大约400nm范围内的层厚度、例如在大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。

能导电的第一层12能够构成为阳极、即构成为注入空穴的电极或者构成为阴极、即构成为注入电子的电极。能导电的第一层12例如能够借助于溅射、例如DC溅射、物理气相沉积(PVD)等施加到衬底10上。能导电的第一层12例如能够面状地、即以不具有结构的方式施加到衬底10上。

图3示出衬底10、能导电的第一层12和能导电的第二层14的一个实施例，所述能导电的第二层14在能导电的第一层12上构成。能导电的第二层14例如能够具有铬、铝、钼、铜或者银。能导电的第二层14例如能够具有子层，所述子层交替地具有不同的金属。能导电的第二层12例如能够由Cr-Al-Cr、Mo-Al-Mo、Cr-Cu-Cr形成。能导电的第二层14例如能够具有在600nm和900nm之间的层厚度，例如在700nm和800nm之间。子层必要时例如能够具有在50nm和500nm之间的厚度，例如在100nm和400nm之间的厚度。能导电的第二层14例如能够借助于溅射、例如DC溅射、物理气相沉积(PVD)等施加到能导电的第一层12上。能导电的第二层14例如能够面状地、即以不具有结构的方式施加到能导电的第一层12上。

图4示出衬底10和能导电的第一和第二层12、14，其中在这两个能导电的层12、14中构成第一沟道24和第二沟道26的实施例。这两个沟道24、26例如能够借助于激光烧蚀构成。在沟道24、26中空出衬底10的材料。换句话说，沟道24、26的深度是这两个能导电的层12、14的共同的厚度。对于激光烧蚀而言，例如能够使用连续地或者脉冲式运行的激光器、例如费米激光器、纳米激光器或者皮米激光器。激光器例如能够发射在IR范围中的或者在UV范围中的、例如在200nm至300nm中的和/或具有0.5W至1W的功率的电磁辐射。

第一沟道24将第一器件区域16与第二器件区域18分开。第二沟道24将第二器件区域16与第一接触区域36分开。第一和/或第二沟道24、26能够是沟道结构的部分，所述部分例如部分地或者完全地对这两个能导电的层12、14的平面中的第一和/或第二器件区域16、18限界。在第一器件区域16中接着构成第一光电子器件并且在第二器件区域18中接着构成第二光电子器件。在本文中，能导电的第一层12在第一器件区域16中形成第一光电子器件的第一电极20并且在第二器件区域18中形成第二光电子器件18的第一电极22。第一接触区域36例如能够用于电接触光电子组件。

图5示出衬底10和能导电的第一层和第二层12、14，其中绝缘材料的一个实施例以结构化的方式施加到能导电的第二层14上并且在沟道24、26中以结构化的方式施加到衬底10上。绝缘材料例如能够以结构化的方式施加，使得由其形成第一绝缘区域28、第二绝缘区域30、第三绝缘区域32和第四绝缘区域34。

第一绝缘区域28将第一器件区域16相对于第二器件区域18电绝缘。第二绝缘区域30将第二器件区域18相对于第一接触区域36电绝缘。第三绝缘区域32设置在第一器件区域16的背离第一绝缘区域28的一侧上。第四绝缘区域34设置在第一和第二绝缘区域28、30之间的第二器件区域18的背离第二绝缘区域30的一侧上。在第一绝缘区域28和第四绝缘区域34之间构成有第三接触区域46。第二接触区域38能够用于电接触光电子组件。第三接触区域46能够用于序列地接触第一光电子器件与第二光电子器件。换句话说，第一光电子器件和第二光电子器件能够经由第三接触区域46串联连接。第三接触区域46例如直接与第二光电子器件的第一电极22物理耦联。

在以结构化的方式施加绝缘材料时，第一沟道24和第二沟道26通过绝缘材料来填充，使得绝缘材料叠加第一沟道24和第二沟道26的边缘并且安置在能导电的第二层14上。第一沟道24在此至少部分地对第一绝缘区域28限界并且第二沟道26至少部分地对第二绝缘区域30限界。

绝缘材料例如能够是电绝缘物质，所述电绝缘物质防止第一器件区域16中的能导电的第一或第二层12、14和第二器件区域18中的能导电的第一或第二层12、14之间的直接电通流。绝缘材料例如防止从第一光电子器件的第一电极20到第二光电子器件的第一电极22的直接电通流。

绝缘材料例如能够具有敷层或者覆层介质、例如聚合物和/或漆，或者由其形成。漆例如能够具有能以液体形式或者以粉末状的形式施加的覆层材料。绝缘材料以结构化的方式施加表示：期望的结构已经在施加绝缘材料时构成。待覆层的面因此仅在与期望的结构相关的子区域中被覆层。绝缘材料例如能够借助于压印法、例如借助于丝网印刷、喷墨印刷或者苯胺印刷、或者借助于刮涂以结构化的方式施加。

绝缘材料例如能够选择为，使得所述绝缘材料可通过后续的处理软化和/或能够置于能流动的状态。除了电绝缘，绝缘材料在下文中详细阐述的用于从器件区域16、18中移除能导电的第二层14的蚀刻工艺中还能够用作为蚀刻阻挡。绝缘材料例如能够是酸溶性或者非碱溶性的。绝缘材料例如能够在氯仿和/或有机的氯化合物或者汽油类的化合物中、例如在己炔或者庚烷中是可溶的。替选于此，绝缘材料能够是碱溶性的和非酸溶性的。

图6示出衬底10和具有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中保护层40的一个实施例以结构化的方式施加到第一、第二和第三接触区域36、38、46上。邻接于第一、第二和第三接触区域36、38、46，保护层40部分地叠加绝缘区域28、30、32、34。保护层40用作为在接着的用于移除器件区域16、18中的能导电的第二层14的蚀刻工艺中用于保护接触区域36、38、46中的能导电的第二层的蚀刻阻挡。

保护层40以结构化的方式施加表示：期望的结构已经在施加保护层时构成。待覆层的面因此仅在与所期望的结构相关的子区域中被覆层。保护层40例如能够借助于压印法、例如借助于丝网印刷、喷墨印刷或者苯胺印刷、或者借助于刮涂以结构化的方式施加。保护层40的材料例如能够是碱溶性的和非酸溶性的，例如当绝缘材料是酸溶性的时。保护层40的材料例如能够在氢氧化钠、氢氧化钾或者四甲基氢氧化铵中是可溶的。替选于此，保护层40的材料能够是酸溶性的和/或非碱溶性的，例如当绝缘材料是碱溶性的时。保护层40的材料例如能够具有漆或者由其形成。

图7示出衬底10和具有绝缘材料和保护层40的能导电的第一和第二层12、14，其中已移除器件区域16、18中的能导电的第二层14。能导电的第二层14例如能够借助于蚀刻工艺移除。对于蚀刻能导电的第二层14而言，例如能够使用蚀刻浴，例如水中3％的三氯乙酸。

邻接于第一和第二器件区域16、18，在第一和第二绝缘区域28、30的一部分的下方分别保留能导电的第二层14的至少一个接片。能导电的第二层14的该接片能够在光电子组件运行期间有助于光电子器件内部的良好的电流分布。

图8示出衬底10和具有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中保护层40已被移除。保护层40例如能够借助于适当的碱和/或碱性溶剂移除。通过移除保护层40空出接触区域36、38、46。

图9示出衬底10和具有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中绝缘材料的结构已修圆，使得绝缘材料覆盖能导电的第一和第二层12、14的空的侧面和/或棱边从而对其进行封装。通过绝缘材料被加热至其是液态的或者是至少部分地粘稠的并且在能导电的第一和第二层12、14的空出的侧面或者棱边上流动的方式，绝缘材料的结构例如能够修圆。通过例如在炉中、例如在回流炉中加热在能导电的层12、14和衬底10上的具有绝缘材料的整个布置的方式，例如能够加热绝缘材料。

图10示出光电子组件，所述光电子组件具有衬底10和带有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中在第一器件区域16中构成有第一有机功能层52并且在第二器件区域18中构成有第二有机功能层54。

有机功能层52、54例如能够是光电子器件、例如OLED的光学有源区域。有机功能层52、54例如能够在一个、两个或者更多个工艺步骤中构成。有机功能层52、54例如能够在真空中蒸镀。在OLED作为光电子器件的情况下，有机功能层52、54例如能够具有半传导的有机发光层。OLED的一个实施例和OLED的层结构的详细的设计方案在下文中参考图20来详细阐述。

在有机功能层52、54上以结构化的方式施加有电极层。电极层例如以结构化的方式来施加，使得第一电极部段48在第一有机功能层52、第一绝缘区域28和第三绝缘区域46上构成并且第二电极部段50在第二有机功能层54、第二绝缘区域30和第一接触区域36上构成。第一电极部段48电接触第一有机功能层52和第三接触区域46。第一电极部段48对于第一光电子器件而言用作为第二电极、例如用作为阴极。第二电极部段50电接触第二有机功能层54和第一接触区域36。第二电极部段50对于第二光电子器件而言用作为第二电极、例如用作为阴极。

第一光电子器件一方面能够经由第二接触区域38电接触并且另一方面能够经由第一电极部段48和第三接触区域46与第二光电子器件串联连接。第二光电子器件一方面能够经由第三接触区域46与第一光电子器件串联连接并且另一方面能够经由第二电极部段50和第一接触区域36电接触。

在图10中衬底10上的两个二极管符号表征这两个光电子器件的串联电路。

图11示出根据图10的光电子组件的俯视图。从图11中得出：有机功能层52、54、第一和第三接触区域36、46和/或电极部段48、50例如矩形地构成。替选于此，有机功能层52、54、第一和第三接触区域36、46和/或电极部段48、50例如能够方形地或者圆形地构成。在图11中未示出的也具有两个沟道24、26的沟道结构能够相应地构成。

根据图12至19，阐述用于制造光电子组件的方法的一个实施例，所述光电子组件附加地具有第三光电子器件，所述第三光电子器件与第一和第二光电子器件串联连接。在此在图12至19中示出在用于制造光电子组件的制造方法期间的光电子组件在光电子组件的不同状态中的部件的实施例。方法步骤例如基本上能够是与在上文中所阐述的方法中相同的方法步骤，其中与其不同的是构成有三个串联连接的光电子器件。因此在下文中仅探讨光电子组件的相对于在上文中所阐述的方法新的部件的构成。

图12示出衬底10与两个能导电的层12、14和两个沟道24、26，例如参考图4详细阐述的那样，其中在能导电的层12、14中例如附加地构成有第三沟道64。在第三沟道64中空出衬底10。换句话说，第三沟道64的深度对应于这两个能导电的层12、14的共同的厚度。第二和第三沟道26、64对第三器件区域56限界。第三沟道64将第三器件区域56与第一接触区域36分开。第三沟道64例如能够相应于第一和/或第二沟道24、26构成。第三沟道64例如能够借助于激光烧蚀构成。第三沟道64能够是沟道结构的部分，所述部分例如部分地或者完全地对能这两个导电的层12、14的平面中的第一、第二和/或第三器件区域16、18、56限界。在第三器件区域56中接着构成第三光电子器件。在本文中，第三器件区域56中的能导电的第一层12形成光电子器件的第一电极60、例如阳极。

图13示出衬底10与两个能导电的层12、14，例如参考图5详细阐述的那样，其中与其不同的是，绝缘材料例如以结构化的方式施加到能导电的第二层14上并且在第三沟道64中施加到衬底10上，使得由其形成第五绝缘区域66和第六绝缘区域68。

第五绝缘区域66将第三器件区域56相对于第一接触区域36电绝缘。第六绝缘区域68设置在第二和第五绝缘区域30、66之间的第三器件区域56的背离第五绝缘区域66的一侧上。在第二绝缘区域30和第六绝缘区域68之间构成第四接触区域70。第四接触区域70能够用于顺序地接触第二光电子器件与第三光电子器件。换句话说，第二光电子器件和第三光电子器件能够经由第四接触区域70串联连接。第四接触区域70例如直接与第三光电子器件的第一电极60物理耦联。

在以结构化的方式施加绝缘材料时，第三沟道64通过绝缘材料来填充，使得绝缘材料叠加第三沟道64的边缘并且安置在能导电的第二层14上。第三沟道64在此至少部分地对第五绝缘区域66限界。

绝缘材料例如能够防止第二器件区域18中的能导电的第一或第二层12、14和第三器件区域56中的能导电的第一和第二层12、14之间的直接电通流。绝缘材料例如防止从第二光电子器件的第一电极22到第三光电子器件的第一电极60的直接电通流。

图14示出衬底10和具有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中一个实施的保护层40例以结构化的方式施加在第四接触区域70上，例如参考图6所详细阐述的。邻接于第四接触区域70，保护层40叠加第二和第六绝缘区域30、68。

图15示出衬底10和具有绝缘材料和保护层40的能导电的第一和第二层12、14，其中已经移除器件区域16、18、56中的能导电的第二层14，例如参考图7所详细阐述的那样。能导电的第二层14例如能够借助于蚀刻工艺移除。

图16示出衬底10和具有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中移除保护层40，例如参考图8所详细阐述的那样。保护层40例如能够借助于适当的碱和/或碱性溶剂移除。通过移除保护层40空出接触区域36、38、46、70。

图17示出衬底10和具有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中绝缘材料的结构修圆，使得绝缘材料覆盖能导电的第一和第二层12、14的空的侧面和/或棱边并且对其进行封装，例如参考图9所详细阐述的那样。

图18示出光电子组件，所述光电子组件具有衬底10和带有绝缘材料的能导电的第一和第二层12、14，其中在第三器件区域56中构成有第三有机功能层76。电极层以结构化的方式施加在有机功能层52、54、76上。电极层例如以结构化的方式来施加，使得第三电极部段74在第三有机功能层76、第五绝缘区域66和第一接触区域36上构成。第三电极部段74电接触第三有机功能层76和第一接触区域36。第三电极部段74对于第三光电子器件而言用作为第二电极、例如用作为阴极。第三光电子器件一方面能够经由第四接触区域70与第二光电子器件串联连接并且另一方面经由第三电极部段74和第一接触区域36被电接触。因此，第一、第二和第三光电子器件串联连接。

在图18中，衬底10上的三个二极管符号表征光电子器件的串联电路。

图19示出根据图18的光电子组件的俯视图。从图19中得出：第三有机功能层76、第四接触区域70和/或第三电极部段74例如矩形地构成。在图18中未示出的也具有第三沟道64的沟道结构能够相应地构成。

图20示出根据不同的实施例的光电子器件的一个实施例的层结构的示意性的横截面视图。光电子组件的在上文中所阐述的光电子器件例如能够根据在下文中所阐述的层结构构成。

光电子器件例如能够是发射辐射的器件、例如发光器件100、例如呈有机发光二极管形式的器件。光电子器件能够具有载体102。载体102例如能够表示衬底10的子部段并且能够用作为用于电子元件或者层的、例如用于发光元件的载体元件。

在不同的实施例中，有机发光二极管(或者根据在上文中或者在下文中所描述的实施例的发射电磁辐射的器件100)能够设立作为所谓的顶发射器和底发射器。顶和/或底发射器也能够称为光学透明器件、例如透明的有机发光二极管。

在不同的实施例中，能够可选地在载体102上或上方设置有阻挡层104。阻挡层104例如也能够视作为载体102的子层。阻挡层104能够具有下述材料中的一种或多种或者由其构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。此外，阻挡层104在不同的实施例中能够具有在大约0.1nm(原子层)至大约5000nm的范围中的层厚度，例如在大约10nm至大约200nm的范围中的层厚度，例如为大约40nm的层厚度。

在阻挡层104上或上方能够设置有发光器件100的电有源区域106。电有源区域106能够理解为发光器件100的其中有用于运行发光器件100的电流流动的区域。在不同的实施例中，电有源区域106能够具有第一电极110、第二电极114和有机功能层***112，如其在下面更详细阐明。第一电极110例如能够表示第一电极20、22、60中的一个和/或第二电极114例如能够表示电极部段48、50、74中的一个。

因此在不同的实施例中能够在阻挡层104上或上方(或者当阻挡层104不存在时，在载体102上或上方)施加第一电极110(例如作为能导电的第一层12的部分)。

此外，发光器件100的电有源区域106能够具有有机功能层结构112，所述有机功能层结构施加或构成在第一电极110上或上方。有机功能层结构112例如能够表示有机功能层52、54、76中的一个、两个或多个。

有机功能层结构112能够具有一个或多个发射体层118，例如具有发荧光和/或发磷光的发射器，以及一个或多个空穴传导层116(也称为空穴传输层120)。在不同的实施例中，替选地或者附加地设有一个或多个电子传导层116(也称为电子传输层116)。

能够在根据不同实施例的发光器件100中用于发射体层118的发射体材料的实例包括：有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2,5-取代的聚-对-亚苯基乙烯撑)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)₃(三(2-苯基吡啶)铱III)、发红色磷光的Ru(dtb-bpy)₃*2(PF₆))(三[4,4’-二-叔-丁基-(2,2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光的DPAVBi(4,4-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA(9,10-双[N,N-二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2(4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这种非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀来沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂法(也称作Spin Coating)来沉积。

发射体材料能够以适合的方式嵌在基体材料中。

需要指出的是，在其他的实施例中同样设有其他适合的发射体材料。

发光器件100的一个或多个发射体层118的发射体材料例如能够选择为，使得发光器件100发射白光。一个或多个发射体层118能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或者蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地，一个或多个发射体层118也能够由多个子层构成，如发蓝色荧光的发射体层118或发蓝色磷光的发射体层118、发绿色磷光的发射体层118和发红色磷光的发射体层118。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色的色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过这些层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。

有机功能层结构112通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的、非聚合物的小的分子(“小分子(small molecules)”)或这些材料的组合。例如，有机电致发光层结构112能够具有构成为空穴传输层120的一个或多个电致发光层，使得例如在OLED的情况下能够实现将空穴有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。替选地，在不同的实施例中，有机功能层结构112能够具有构成为电子传输层116的一个或多个功能层，使得例如在OLED中能够实现将电子有效地注入到进行电致发光的层或进行电致发光的区域中。例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层120的材料。在不同的实施例中，一个或多个电致发光层能够构成为进行电致发光的层。

在不同的实施例中，空穴运输层120能够施加、例如沉积在第一电极110上或上方，并且发射体层118能够施加、例如沉积在空穴运输层120上或上方。在不同的实施例中，电子运输层116能够施加、例如沉积在发射体层118上或上方。

在不同的实施例中，有机功能层结构112(即例如空穴运输层120和发射体层118和电子运输层116的厚度的总和)具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。

在不同的实施例中，有机功能层结构112例如能够具有由多个直接彼此重叠设置的有机发光二极管(OLED)的堆叠，其中每个OLED例如能够具有最大大约1.5μm的层厚度、例如最大大约1.2μm的层厚度、例如最大大约1μm的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机功能层结构112例如能够具有两个、三个或四个直接彼此重叠设置的OLED的堆叠，在此情况下，有机功能层结构112例如能够具有最大大约3μm的层厚度。

发光器件100可选地通常能够具有另外的有机功能层，其例如设置在一个或多个发射体层118上或上方或者电子运输层116上或上方，所述有机功能层用于进一步改进发光器件100的功能性进而改进其效率。

在有机功能层结构112上或上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层上或上方能够施加有第二电极114(例如作为第二电极层的一部分，例如例如作为电极部段48、50、74中的一个)。在不同的实施例中，第二电极114能够具有与第一电极110相同的材料或者由其形成，其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。在不同的实施例中，第一电极110和第二电极114均半透明地或者透明地构成。由此在图1中示出的发光器件100能够构成为顶和底发射器(换句话说构成为透明的发光器件100)。第二电极114能够构成为阳极、即注入空穴的电极或者构成为阴极、即注入电子的电极。

在第二电极114上或上方、例如在电极部段48、50、74上从而在电有源区域106上或上方还能够可选地形成或者已形成封装部108、例如呈阻挡薄层/薄层封装108形式的封装部。在本申请的范围中例如能够将“阻挡薄层”108或者“绝缘区域薄膜”108理解为层或者层结构，所述层或者层结构适合于相对于化学污染物或者大气物质、尤其是相对于水(湿气)和氧形成绝缘区域。换句话说，阻挡薄层108能够构成为，使得其不能够让损伤OLED的物质如水、氧或者溶剂穿过或者至多以极其小的份额穿过。

根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层108能够具有多个彼此相叠构成的子层。换言之，根据一个设计方案，阻挡薄层108能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层108或阻挡薄层108的一个或多个子层例如能够借助于适合的沉积方法来形成，例如根据一个设计方案借助于原子层沉积方法(Atomic Layer Deposition(ALD))来形成，例如为等离子增强的原子层沉积方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-less Atomic Layer Deposition(PLALD))，或根据另一个设计方案借助于化学气相沉积方法(Chemical Vapor Deposition(CVD))来形成，例如为等离子增强的气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD))或无等离子的气相沉积方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposition(PLCVD))，或者替选地借助于另外适合的沉积方法来形成。

通过应用原子层沉积方法(ALD)能够沉积极其薄的层。特别地，能够沉积层厚度位于原子层范围内的层。根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也能够称作为“纳米叠层(Nanolaminat)”。根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层108中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡薄层108的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。阻挡薄层108根据一个设计方案能够具有大约0.1nm(一个原子层)至大约1000nm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约10nm至大约100nm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。

根据阻挡薄层108具有多个子层的设计方案，全部子层能够具有相同的层厚度。根据另一个设计方案，阻挡薄层108的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，至少一个子层能够具有不同于一个或多个其他子层的层厚度。根据一个设计方案，阻挡薄层108或阻挡薄层108的各个子层能够构成为半透明的或透明的层。换言之，阻挡薄层108(或阻挡薄层108的各个子层)能够由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料组合物)构成。

根据一个设计方案，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有下述材料中的一种或由下述材料中的一种构成：氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。在不同的实施例中，阻挡薄层108或(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层108的一个或多个子层具有一种或多种高折射率的材料，换言之具有一种或多种具有高折射率的材料，例如具有至少为2的折射率的材料。

在一个设计方案中，覆盖部126、例如由玻璃构成的覆盖部，例如借助于熔块连接(英语是glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding)通过传统的玻璃焊料在有机的光电子器件100的具有阻挡薄层108的几何边缘区域中施加。覆盖部126例如能够在光电子组件的所有的光电子器件上延伸。

在不同的实施例中，在阻挡薄层108上或上方能够设有粘结剂和/或保护漆124，覆盖部126(例如玻璃覆盖部126)例如借助于所述粘结剂和/或保护漆固定在、例如粘接在阻挡薄层108上。在不同的实施例中，由粘结剂和/或保护漆124构成的光学上半透明的层能够具有大于1μm的层厚度，例如几μm的层厚度。在不同的实施例中，粘结剂能够具有层压粘结剂或者是这种层压粘结剂。

在不同的实施例中，还能够将散射光的颗粒嵌入到粘结剂的层中(也称为粘结层)，所述颗粒会引起色角扭曲和耦合输出效率的进一步改进。在不同的实施例中，介电的散射颗粒例如能够设作为散射光的颗粒，例如金属氧化物、例如氧化硅(SiO₂)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO₂)、铟锡氧化物(ITO)或者铟锌氧化物(IZO)、氧化镓(Ga₂O_a)、氧化铝或者氧化钛。其它的颗粒也能够是适合的，只要它们具有如下折射率，所述折射率与半透明的层结构的基体、例如气泡、丙烯酸或者空心玻璃球的有效折射率不同。此外金属纳米颗粒、如金、银的金属、铁纳米颗粒等能够设作为散射光的颗粒。

在不同的实施例中，还能够在第二电极114和由粘结剂和/或保护漆124构成的层之间施加电绝缘层(未示出)或者已施加所述电绝缘层，例如SiN、例如具有在大致300nm直至大约1.5μm的范围中的层厚度，例如具有在大致500nm直至大约1μm的范围中的层厚度，以便在湿化学工艺期间保护电学不稳定的材料。

在不同的实施例中，粘结剂能够构件为，使得所述粘结剂本身具有如下折射率，所述折射率与覆盖部126的折射率相比更小。这样的粘结剂例如能够是低折射的具有大致1.3的折射率的粘结剂、例如丙烯酸。此外能够提出多种不同的粘胶，所述粘胶形成粘结层序列。此外应指出：在不同的实施例中，也能够完全弃用粘结剂124，例如在如下设计方案中，其中覆盖部126、例如由玻璃构成的覆盖部借助于例如等离子喷涂施加到阻挡薄层108上。在不同的实施例中，覆盖部126和/或粘结剂124能够具有1.55的折射率(例如在633nm的波长中)。

此外，在不同的实施例中，在发光器件100中能够附加地设有一个或多个去镜面层(例如与封装层108、例如阻挡薄层108组合)。

本发明不受限于所给出的实施例。例如能够建立多于三个的、例如四个或者五个或者更多个串联连接的光电子器件，尤其是不需要执行光刻工艺和/或具有仅一个蚀刻工艺。

Claims

1.一种用于制造光电子组件的方法，所述光电子组件具有第一光电子器件和至少第二光电子器件，所述第二光电子器件与所述第一光电子器件串联连接，所述方法包括：

-在衬底(10)上构成能导电的第一层(12)，

-在能导电的所述第一层(12)上构成能导电的第二层(14)，

-以结构化的方式将绝缘材料施加到能导电的所述第二层(14)和所述衬底(10)上，使得由所述绝缘材料形成：至少一个第一绝缘区域(28)，所述第一绝缘区域将用于设置所述第一光电子器件的第一器件区域(16)相对于用于设置所述第二光电子器件的第二器件区域(18)电绝缘；第二绝缘区域(30)，所述第二绝缘区域将所述第二器件区域(18)相对于第一接触区域(36)电绝缘；第三绝缘区域(32)，所述第三绝缘区域设置在所述第一器件区域(16)的背离所述第一绝缘区域(28)的一侧上；和第四绝缘区域(34)，所述第四绝缘区域设置在所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域(28，30)之间的所述第二器件区域(18)的背离所述第二绝缘区域(30)的一侧上，其中在所述第一绝缘区域(28)和所述第四绝缘区域(34)之间构成有第三接触区域(46)，

-在所述第一器件区域(16)中构成第一光学功能层(52)并且在所述第二器件区域(18)中构成第二光学功能层(54)，和

-以结构化的方式将能导电的电极层施加到所述光学功能层

(52，54)和所述第一接触区域和所述第三接触区域(36，46)上，使得所述第一光学功能层(52)与所述第三接触区域(46)电耦联并且所述第二光学功能层(54)与所述第一接触区域(36)电耦联，

其中在施加所述光学功能层(52，54)之前移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16，18)中的能导电的所述第二层(14)，并且在移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16，18)中的能导电的所述第二层(14)之后将所述光学功能层(52，54)施加到能导电的所述第一层(12)上，并且其中

在以结构化的方式施加所述绝缘材料之后并且在移除所述第一器件区域和所述第二器件区域(16，18)中的能导电的所述第二层(14)之前将保护层(40)以结构化的方式施加到能导电的所述第二层(14)上，使得所述接触区域借助所述保护层(40)的材料覆盖，

在移除能导电的所述第二层(14)时所述保护层(40)保护所述接触区域，使得能导电的所述第二层(14)保留在所述接触区域中，以及

在所述第一器件区域和/或第二器件区域(16，18)中移除能导电的所述第二层(14)之后移除所述保护层(40)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在以结构化的方式施加所述绝缘材料之前在能导电的所述第一层和能导电的所述第二层(12，14)中构成第一沟道(24)和至少一个第二沟道(26)，使得所述衬底(10)在所述第一沟道和所述第二沟道(24)中空出，并且其中在以结构化的方式施加所述绝缘材料时，所述第一沟道和所述第二沟道(24，26)用所述绝缘材料来填充，使得所述绝缘材料叠加所述第一沟道和所述第二沟道(24，26)的边缘，其中所述第一沟道(24)至少部分地对所述第一绝缘区域(28)限界，并且所述第二沟道(26)至少部分地对所述第二绝缘区域(30)限界。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在施加所述光学功能层(52，54)之前加热所述绝缘材料，使得所述绝缘材料变形并且封装能导电的所述第二层(14)的棱边和/或侧面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述电极层具有：第一电极部段(48)，通过所述第一电极部段将所述第一光学功能层(52)与所述第三接触区域(46)电耦联；和第二电极部段(50)，通过所述第二电极部段将所述第二光学功能层(54)与所述第一接触区域(36)电耦联。

5.根据权利要求4所述的方法，其中

-由第二接触区域(38)中的能导电的所述第二层(14)和所述第一器件区域(16)中的与所述第二层物理耦联的能导电的所述第一层(12)形成所述第一光电子器件的第一电极，并且由所述第一电极部段(48)形成所述第一光电子器件的第二电极，其中所述第一光电子器件具有在所述第一光电子器件的所述第一电极和所述第二电极之间的第一有机功能层(52)，

-由所述第三接触区域(46)中的能导电的所述第二层(14)和所述第二器件区域(18)中的与所述第二层物理耦联的能导电的所述第一层(12)形成所述第二光电子器件的第一电极，并且由所述第二电极部段(50)形成所述第二光电子器件的第二电极，其中所述第二光电子器件具有在所述第二光电子器件的所述第一电极和所述第二电极之间的第二光学功能层(54)，以及

-所述第一光电子器件和所述第二光电子器件经由所述第一光电子器件的所述第二电极与所述第二光电子器件的所述第一电极的物理接触串联连接。

6.根据权利要求1所述的方法，其中

-以结构化的方式将所述绝缘材料施加到所述第二层(14)和所述衬底(10)上，使得通过所述绝缘材料至少形成：第五绝缘区域(66)，所述第五绝缘区域将用于构成第三光电子器件的第三器件区域(56)相对于所述第一接触区域(36)电绝缘；和第六绝缘区域(68)，所述第六绝缘区域设置在所述第三器件区域(56)的背离所述第五绝缘区域(28)的一侧上，其中在所述第六绝缘区域(68)和所述第二绝缘区域(30)之间构成有第四接触区域(70)，并且其中所述第二绝缘区域(30)将所述第二器件区域(18)相对于所述第三器件区域(56)电绝缘，

-在所述第三器件区域(56)中构成第三光学功能层(76)，

-以结构化的方式将所述电极层施加到所述光学功能层和所述第四接触区域(70)上，使得所述第三光学功能层(76)与所述第一接触区域(36)电耦联，并且使得所述第二光学功能层(54)与所述第四接触区域(70)电耦联。

7.根据权利要求2所述的方法，其中借助于激光烧蚀构成所述沟道中的至少一个。

8.根据权利要求1所述的方法，其中借助于压印法施加所述绝缘材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中借助于压印法施加所述保护层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘材料是酸溶性的或者是碱溶性的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述保护层的材料是碱溶性的并且所述绝缘材料是酸溶性的，或者其中所述保护层的材料是酸溶性的并且所述绝缘材料是碱溶性的。