CN105336873B - 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 - Google Patents

一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105336873B
CN105336873B CN201510744763.1A CN201510744763A CN105336873B CN 105336873 B CN105336873 B CN 105336873B CN 201510744763 A CN201510744763 A CN 201510744763A CN 105336873 B CN105336873 B CN 105336873B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wire
nano
heterojunction
alloy
heterojunction nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201510744763.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105336873A (zh
Inventor
于军胜
陈珉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boao Zongheng Network Technology Co ltd
Guangzhou Jing Ze Microelectric Technique Co ltd
Original Assignee
Guangzhou Competing Microelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Competing Microelectronics Technology Co Ltd filed Critical Guangzhou Competing Microelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201510744763.1A priority Critical patent/CN105336873B/zh
Publication of CN105336873A publication Critical patent/CN105336873A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105336873B publication Critical patent/CN105336873B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种柔性光电子器件用基板及其制备方法，包括柔性衬底和导电层，其特征在于，所述柔性衬底为聚合物薄膜，所述聚合物薄膜中掺有芦荟胶和阳离子型紫外敏感胶，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：环氧树脂或改性环氧树脂、稀释剂和阳离子光引发剂。本发明不仅通过紫外敏感胶的交联作用，解决了聚合物衬底柔韧性不高的问题和衬底透过率低的问题，同时，适量的芦荟胶的加入，不仅可以增加衬底柔韧性，还能提高衬底对水氧的阻隔能力，该基板可广泛应用于绿色环保的柔性光电子器件制备。

Description

一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机光电子领域，具体涉及一种柔性光电子器件用基板及其制备方法。
背景技术
柔性电子与柔性光电子技术是近10年来电子信息领域最为活跃的研究方向，同时也是电子信息产业发展的重要方向。具有超轻、可弯曲、可卷曲甚至可折叠特性的柔性电子产品，包括柔性液晶显示器、柔性有机电致发光显示器、柔性有机太阳能电池等已经逐渐发展为最具前景的高科技产业。然而，此领域仍然存在一些亟待解决的问题：1、柔性电子与柔性光电子设备所用的基板需满足人们对便携性，轻便性的要求；2、柔性电子与柔性光电子设备所用基板需满足器件工作的要求，例如柔韧性、水氧阻隔特性、环境稳定性等。因此，如何选择一种适用的柔性基板对柔性光电子/电子技术的广泛应用具有重要的意义。
另一方面，基板是柔性电子与柔性光电子器件的支撑部位，其物理、化学特性在很大程度上决定了器件的适用范围。日常应用中常用的基板材质包括玻璃、石英、硅和塑料。其中，玻璃基板、石英基板和硅基板具有质地硬、重量大、携带不方便、不可降解等缺点，并且易碎，不具备柔性；而塑料基板虽然具有质地轻、柔性等特点，但大多数塑料的水氧阻隔特性一般，对有机光电子器件的工作寿命造成不良影响。目前，有关柔性光电子器件用基板的研究，仍存在一些难题：1、聚合物衬底的柔韧性一般，很难直接应用于柔性光电子器件中；2、聚合物衬底的水氧阻隔能力仍不够好，在器件运行过程当种水氧侵蚀会大大降低器件寿命；3、聚合物衬底的表面平整度不够好，并且与导电层结合力差，导电层易剥离。
申请号为201510194301.7，名称为：一种生物可降解的柔性光电子器 件用基板及其制备方法公开了采用虫胶作为柔性衬底，但是虫胶本身的透光率低，一般只有50-70%，这一问题可能不利于光电子器件的效率提升。
综上所述，这些问题的存在，极大程度上制约了柔性光电子器件领域的发展。
发明内容
本发明针对上述不足之处提供了一种柔性光电子器件用基板及其制备方法，解决现有的柔性基板柔韧性不足，水氧阻隔能力不好，柔性衬底与导电层的结合力差和透光率低的问题。
本发明的技术方案为：一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底和导电层，所述柔性衬底为聚合物薄膜，所述聚合物薄膜中掺有芦荟胶和阳离子型紫外敏感胶，该阳离子型紫外敏感胶的重量百分比组成为：
环氧树脂或改性环氧树脂 85-95 %
稀释剂 3-10 %
阳离子光引发剂 2-5 %
所述阳离子型紫外敏感胶在聚合物薄膜中所占的质量比为0.2-7 %，所述芦荟胶在聚合物薄膜中所占的质量比为10-35 %；所述阳离子光引发剂为二芳基碘鎓盐或三芳基碘鎓盐中的一种或两种的混合。
进一步地，所述稀释剂为活性环氧树脂稀释剂、环醚、环内酯或乙烯基醚单体中的一种或几种的混合。
进一步地，所述聚合物薄膜的厚度为5-1000 μm。
进一步地，所述导电层材料为石墨烯、碳纳米管、金属单质纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线、氧化锌、氧化钛、氧化铟锡或聚合物电极材料中的一种或多种。
进一步地，所述金属单质纳米线为：铁纳米线、铜纳米线、银纳米线、金纳米线、铝纳米线、镍纳米线、钴纳米线、锰纳米线、镉纳米线、铟纳米线、锡纳米线、钨纳米线或铂纳米线。
进一步地，所述金属合金纳米线为：铜铁合金纳米线、银铁合金纳米线、金铁合金纳米线、铝铁合金纳米线、镍铁合金纳米线、钴铁合金纳米线、锰铁合金纳米线、镉铁合金纳米线、铟铁合金纳米线、锡铁合金纳米线、钨铁合金纳米线、铂铁合金纳米线、银铜合金纳米线、金铜合金纳米线、铝铜合金纳米线、镍铜合金纳米线、钴铜合金纳米线、锰铜合金纳米线、镉铜合金纳米线、锡铜合金纳米线、钨铜合金纳米线、铂铜合金纳米线、金银合金纳米线、铝银合金纳米线、镍银合金纳米线、钴银合金纳米线、锰银合金纳米线、镉银合金纳米线、铟银合金纳米线、锡银合金纳米线、钨银合金纳米线、铂银合金纳米线、铝金合金纳米线、镍金合金纳米线、钴金合金纳米线、锰金合金纳米线、镉金合金纳米线、铟金合金纳米线、锡金合金纳米线、钨金合金纳米线、钴镍合金纳米线、锰镍合金纳米线、镉镍合金纳米线、铟镍合金纳米线、锡镍合金纳米线、钨镍合金纳米线、铂镍合金纳米线、镉锰合金纳米线、铟锰合金纳米线、锡锰合金纳米线、钨锰合金纳米线、铂锰合金纳米线、铟镉合金纳米线、锡镉合金纳米线、钨镉合金纳米线、铂镉合金纳米线、锡铟合金纳米线、钨铟合金纳米线、铂铟合金纳米线、钨锡合金纳米线、铂锡合金纳米线或铂钨合金纳米线。
进一步地，所述金属异质结纳米线为铜铁异质结纳米线、银铁异质结纳米线、金铁异质结纳米线、铝铁异质结纳米线、镍铁异质结纳米线、钴铁异质结纳米线、锰铁异质结纳米线、镉铁异质结纳米线、铟铁异质结纳米线、锡铁异质结纳米线、钨铁异质结纳米线、铂铁异质结纳米线、银铜异质结纳米线、金铜异质结纳米线、铝铜异质结纳米线、镍铜异质结纳米线、钴铜异质结纳米线、锰铜异质结纳米线、镉铜异质结纳米线、锡铜异质结纳米线、钨铜异质结纳米线、铂铜异质结纳米线、金银异质结纳米线、铝银异质结纳米线、镍银异质结纳米线、钴银异质结纳米线、锰银异质结纳米线、镉银异质结纳米线、铟银异质结纳米线、锡银异质结纳米线、钨银异质结纳米线、铂银异质结纳米线、铝金异质结纳米线、镍金异质结纳米线、钴金异质结纳米线、锰金异质结纳米线、镉金异质结纳米线、铟金异质结纳米线、锡金异质结纳米线、钨金异质结纳米线、钴镍异质结纳米线、锰镍异质结纳米线、镉镍异质结纳米线、铟镍异质结纳米线、锡镍异质结纳米线、钨镍异质结纳米线、铂镍异质结纳米线、镉锰异质结纳米线、铟锰异质结纳米线、锡锰异质结纳米线、钨锰异质结纳米线、铂锰异质结纳米线、铟镉异质结纳米线、锡镉异质结纳米线、钨镉异质结纳米线、铂镉异质结纳米线、锡铟异质结纳米线、钨铟异质结纳米线、铂铟异质结纳米线、钨锡异质结纳米线、铂锡异质结纳米线或铂钨异质结纳米线。
进一步地，所述聚合物电极材料为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。
一种柔性光电子器件用基板的制备方法，包括以下步骤：
①对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷制备柔性衬底，
③在柔性衬底表面采用辊涂、LB膜法、滴涂、喷涂、提拉法、喷墨打印或丝网印刷法制备导电层；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
本发明与现有技术相比具有如下优点：
（1）在聚合物薄膜掺入适量的阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶，通过紫外光处理后分子之间相互交联，防止芦荟胶中树脂分子结晶，从而使光散射降低，同时芦荟胶本身透明，提高了柔性衬底的透光率，从而对柔性光电子器件性能有很大的提升。
（2）在聚合物薄膜中掺入适量的阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶，通过紫外光处理后分子之间相互交联，从而增加了柔性衬底的柔韧性。
（3）芦荟胶本身具有很好的隔水隔氧特性，此外，经紫外光处理后的掺有适量阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的聚合物薄膜，分子排列更加紧密，进一步提高了水氧阻隔能力。
（4）有效地增加了导电层在柔性衬底上的结合力。
附图说明
图1是本发明所提供的柔性光电子器件用基板结构示意图，
附图标记为：导电层-1，柔性衬底-2。
具体实施方式
本发明的技术方案是如何提供一种柔性光电子器件用基板，如图1所示，基板结构从下到上依次为：柔性衬底2，导电层1，其中导电层1位于柔性衬底2的表面。
本发明中的柔性衬底2为导电层的依托，它有一定的弯折性能，有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有良好的平整性，有良好的透光性。
本发明中导电层1要求具有良好的成膜性能，良好的导电性，通常采用石墨烯、碳纳米管、金属单质纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线、氧化锌、氧化钛、氧化铟锡或聚合物电极材料中的一种或多种。
本发明中各成份说明如下：
阳离子型光固化体系主要利用芳香族重氮盐、芳香族碘鎓盐、芳香族锍盐在紫外线照射下光解产生质子酸，质子酸再引发单体进行阳离子聚合。与自由基固化体系相比，它具有固化收缩率小、不受各种氧的阻聚作用以及若没有亲核杂质存在，一旦引发，聚合就会长期继续下去等优点。但是，光引发剂在光照射时释放出的质子酸，对胶结基体会产生腐蚀作用。理论上，凡能进行阳离子聚合的单体都可以用于阳离子固化，但是，目前最常用的是各种环氧树脂或改性环氧树脂。各种活性环氧树脂稀释剂以及各种环醚、乙烯基醚单体等都可以作为光固化树脂的稀释剂，阳离子光引发剂有二芳基碘鎓盐、三芳基碘鎓盐、三芳基硫鎓盐、三芳基硒鎓盐等。目前，围绕着这一体系的研究越来越多，例如有报导利用含氟以及不含氟的混合树脂在上述阳离子引发剂引发，制得了低收缩率且折射率可调的精密胶粘剂；在光盘制作中，利用阳离子引发的环氧树脂制得的胶粘剂在85℃、相对湿度为95 %的实验条件下，96 h无侵蚀现象发生；在中空装置的组装时，利用锍盐引发的脂肪族和双酚D-型混合环氧树脂，可以制得低线膨胀系数且具有良好防潮性的胶粘剂。
1、2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦（TPO）
2、芳茂铁盐、有机铝络合物/硅烷体系、二烷基苯酸甲基硫鎓盐
3、三芳基硫鎓六氟磷酸盐阳离子光引发剂-桐油改性酚醛环氧树脂（TMPE）和E-44环氧树脂复配体系的阳离子光固化反应。通过凝胶率的测定研究了各种条件对光固化速度的影响，并利用红外光谱分析了该反应体系光固化反应前后涂膜结构。结构表明，光引发剂的种类和浓度可以有效地改变光固化速度，10-（4-联苯基）-2-异丙基-9-硫杂蒽酮六氟磷酸盐（Omnicat 550）和13，6-乙氧化双季戊四醇与10-（2-羧甲氧基-4联苯基）-2-异丙基-9-硫杂蒽酮六氟磷酸盐（Omnicat 650）的引发活性优于4，4-二甲基-二苯基碘鎓六氟磷酸盐（Omnicat 440），且与其浓度成比例；蒽、过氧化苯甲酰（BPO）等光敏化剂对体系有一定的增感作用，而吩噻嗪作用不明显；不同种类的环氧及乙烯基醚类活性稀释剂对光固化速度有较大影响；随着树脂配比中环氧基团浓度的增加光固化速度增大；该体系表现出“后固化”现象。
以下是本发明的具体实施例：
实施例1
如图1所示的基板结构，柔性衬底2为掺有质量比为0.2 %的阳离子型紫外敏感胶和10 %的芦荟胶的聚酰亚胺薄膜，导电层1为石墨烯。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚酰亚胺、阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的混合薄膜，膜厚为5 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 85 %
稀释剂 10 %
阳离子光引发剂 5 %；
③在②表面喷涂法将石墨烯水分散液制备导电层，高度20 cm，喷涂气压0.3 MPa，喷涂速率0.3 mL/min，导电层厚度为80 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为96 Ω/□。
实施例2
如图1所示的基板结构，柔性衬底2为掺有质量比为0.5 %的阳离子型紫外敏感胶和15 %的芦荟胶的聚酰亚胺薄膜，导电层1为碳纳米管。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚酰亚胺、阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的混合薄膜，膜厚为20 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 87 %
稀释剂 9 %
阳离子光引发剂 4 %；
③在②表面喷涂法将碳纳米管水分散液制备导电层，高度20 cm，喷涂气压0.3MPa，喷涂速率0.3 mL/min，导电层厚度为77 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为86 Ω/□。
实施例3
如图1所示的基板结构，柔性衬底2为掺有质量比为2 %的阳离子型紫外敏感胶和23 %的芦荟胶的聚苯乙烯薄膜，导电层1为银纳米线。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚苯乙烯、阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的混合薄膜，膜厚为60 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 89 %
稀释剂 8 %
阳离子光引发剂 3 %；
③在②表面喷涂法将银纳米线异丙醇分散液制备导电层，高度20 cm，喷涂气压0.3 MPa，喷涂速率0.3 mL/min，导电层厚度为60 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为49 Ω/□。
实施例4
如图1所示的基板结构，柔性衬底2为掺有质量比为1 %的阳离子型紫外敏感胶和25 %的芦荟胶的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜，导电层1为金铜合金纳米线。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚对苯二甲酸乙二酯、阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的混合薄膜，膜厚为100 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 91 %
稀释剂 7 %
阳离子光引发剂 2 %；
③在②表面喷涂法将金铜合金纳米线水分散液制备导电层，高度20 cm，喷涂气压0.3 MPa，喷涂速率0.3 mL/min，导电层厚度为50 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为63 Ω/□。
实施例5
如图1所示的基板结构，柔性衬底2为掺有质量比为3 %的阳离子型紫外敏感胶和25 %的芦荟胶的聚乙烯醇薄膜，导电层1为氧化铟锡。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚乙烯醇、阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的混合薄膜，膜厚为300 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 93 %
稀释剂 5 %
阳离子光引发剂 2 %；
③在②表面丝网印刷法制备氧化铟锡导电层，导电层厚度为80 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为38 Ω/□。
实施例6
如图1所示的基板结构，柔性衬底2为掺有质量比为5 %的阳离子型紫外敏感胶和30 %的芦荟胶的聚酰亚胺薄膜，导电层1为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)（PEDOT:PSS）。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚酰亚胺、阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的混合薄膜，膜厚为500 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 90 %
稀释剂 5 %
阳离子光引发剂 5 %；
③在②表面喷墨打印法制备PEDOT:PSS导电层，导电层厚度为40 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为198 Ω/□。
实施例7
如图1所示的基板结构，柔性衬底2为掺有质量比为7 %的阳离子型紫外敏感胶和35 %的芦荟胶的聚酰亚胺薄膜，导电层1为镍铁异质结纳米线。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚酰亚胺、阳离子型紫外敏感胶和芦荟胶的混合薄膜，膜厚为1000 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 95 %
稀释剂 3 %
阳离子光引发剂 2 %；
③在②表面喷墨打印法制备镍铁异质结纳米线导电层，导电层厚度为70 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为107 Ω/□。
对比例：
柔性衬底为掺有质量比为0.5 %的阳离子型紫外敏感胶的聚酰亚胺薄膜，导电层为碳纳米管。
制备方法如下：
①先对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用旋涂制备聚酰亚胺和阳离子型紫外敏感胶的混合薄膜，膜厚为20 μm，所述阳离子型紫外敏感胶原料包括以下成份：
环氧树脂或改性环氧树脂 87 %
稀释剂 9 %
阳离子光引发剂 4 %；
③在②表面喷涂法将碳纳米管水分散液制备导电层，高度20 cm，喷涂气压0.3MPa，喷涂速率0.3 mL/min，导电层厚度为77 nm；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理，处理时间30 s；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
测试所得，所制备的柔性光电子器件用基板方块电阻为101 Ω/□。
表1：实施例2和对比例的柔性衬底的各项性能结果
从表1可以看出，掺入芦荟胶后水汽透过率明显降低，提高了水氧阻隔能力；透光率提高，从而对柔性光电子器件性能有很大的提升；弯曲实验结果表面，掺入芦荟胶能明显增加导电层与柔性衬底的结合力。

Claims (6)

1.一种柔性光电子器件用基板，包括柔性衬底和导电层，其特征在于，所述柔性衬底为聚合物薄膜，所述聚合物薄膜中掺有芦荟胶和阳离子型紫外敏感胶，该阳离子型紫外敏感胶的重量百分比组成为：
环氧树脂或改性环氧树脂 85-95 %
稀释剂 3-10 %
阳离子光引发剂 2-5 %
所述阳离子型紫外敏感胶在聚合物薄膜中所占的质量比为0.2-7 %，所述芦荟胶在聚合物薄膜中所占的质量比为10-35 %；所述阳离子光引发剂为二芳基碘鎓盐或三芳基碘鎓盐中的一种或两种的混合；所述稀释剂为活性环氧树脂稀释剂、环醚、环内酯或乙烯基醚单体中的一种或几种的混合；所述聚合物薄膜的厚度为5-1000 μm；所述导电层材料为石墨烯、碳纳米管、金属单质纳米线、金属合金纳米线、金属异质结纳米线、氧化锌、氧化钛、氧化铟锡或聚合物电极材料中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的一种柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述金属单质纳米线为：铁纳米线、铜纳米线、银纳米线、金纳米线、铝纳米线、镍纳米线、钴纳米线、锰纳米线、镉纳米线、铟纳米线、锡纳米线、钨纳米线或铂纳米线。
3.根据权利要求1所述的一种柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述金属合金纳米线为：铜铁合金纳米线、银铁合金纳米线、金铁合金纳米线、铝铁合金纳米线、镍铁合金纳米线、钴铁合金纳米线、锰铁合金纳米线、镉铁合金纳米线、铟铁合金纳米线、锡铁合金纳米线、钨铁合金纳米线、铂铁合金纳米线、银铜合金纳米线、金铜合金纳米线、铝铜合金纳米线、镍铜合金纳米线、钴铜合金纳米线、锰铜合金纳米线、镉铜合金纳米线、锡铜合金纳米线、钨铜合金纳米线、铂铜合金纳米线、金银合金纳米线、铝银合金纳米线、镍银合金纳米线、钴银合金纳米线、锰银合金纳米线、镉银合金纳米线、铟银合金纳米线、锡银合金纳米线、钨银合金纳米线、铂银合金纳米线、铝金合金纳米线、镍金合金纳米线、钴金合金纳米线、锰金合金纳米线、镉金合金纳米线、铟金合金纳米线、锡金合金纳米线、钨金合金纳米线、钴镍合金纳米线、锰镍合金纳米线、镉镍合金纳米线、铟镍合金纳米线、锡镍合金纳米线、钨镍合金纳米线、铂镍合金纳米线、镉锰合金纳米线、铟锰合金纳米线、锡锰合金纳米线、钨锰合金纳米线、铂锰合金纳米线、铟镉合金纳米线、锡镉合金纳米线、钨镉合金纳米线、铂镉合金纳米线、锡铟合金纳米线、钨铟合金纳米线、铂铟合金纳米线、钨锡合金纳米线、铂锡合金纳米线或铂钨合金纳米线。
4.据权利要求1所述的一种柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述金属异质结纳米线为铜铁异质结纳米线、银铁异质结纳米线、金铁异质结纳米线、铝铁异质结纳米线、镍铁异质结纳米线、钴铁异质结纳米线、锰铁异质结纳米线、镉铁异质结纳米线、铟铁异质结纳米线、锡铁异质结纳米线、钨铁异质结纳米线、铂铁异质结纳米线、银铜异质结纳米线、金铜异质结纳米线、铝铜异质结纳米线、镍铜异质结纳米线、钴铜异质结纳米线、锰铜异质结纳米线、镉铜异质结纳米线、锡铜异质结纳米线、钨铜异质结纳米线、铂铜异质结纳米线、金银异质结纳米线、铝银异质结纳米线、镍银异质结纳米线、钴银异质结纳米线、锰银异质结纳米线、镉银异质结纳米线、铟银异质结纳米线、锡银异质结纳米线、钨银异质结纳米线、铂银异质结纳米线、铝金异质结纳米线、镍金异质结纳米线、钴金异质结纳米线、锰金异质结纳米线、镉金异质结纳米线、铟金异质结纳米线、锡金异质结纳米线、钨金异质结纳米线、钴镍异质结纳米线、锰镍异质结纳米线、镉镍异质结纳米线、铟镍异质结纳米线、锡镍异质结纳米线、钨镍异质结纳米线、铂镍异质结纳米线、镉锰异质结纳米线、铟锰异质结纳米线、锡锰异质结纳米线、钨锰异质结纳米线、铂锰异质结纳米线、铟镉异质结纳米线、锡镉异质结纳米线、钨镉异质结纳米线、铂镉异质结纳米线、锡铟异质结纳米线、钨铟异质结纳米线、铂铟异质结纳米线、钨锡异质结纳米线、铂锡异质结纳米线或铂钨异质结纳米线。
5.根据权利要求1所述的一种柔性光电子器件用基板，其特征在于，所述聚合物电极材料为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种柔性光电子器件用基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
①对表面粗糙度小于1 nm的刚性基板进行清洗，清洗后用干燥氮气吹干；
②在刚性基板上采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷制备柔性衬底；
③在柔性衬底表面采用辊涂、LB膜法、滴涂、喷涂、提拉法、喷墨打印或丝网印刷法制备导电层；
④对步骤③得到的柔性衬底进行紫外光处理；
⑤将步骤④中紫外光处理后的柔性衬底从刚性基板上剥离，形成柔性光电子器件用基板；
⑥测试柔性光电子器件用基板的方阻、表面形貌、水氧透过率和光透过率。
CN201510744763.1A 2015-11-05 2015-11-05 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法 Expired - Fee Related CN105336873B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510744763.1A CN105336873B (zh) 2015-11-05 2015-11-05 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510744763.1A CN105336873B (zh) 2015-11-05 2015-11-05 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105336873A CN105336873A (zh) 2016-02-17
CN105336873B true CN105336873B (zh) 2018-12-07

Family

ID=55287278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510744763.1A Expired - Fee Related CN105336873B (zh) 2015-11-05 2015-11-05 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105336873B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106206982B (zh) * 2016-08-11 2018-07-13 上海大学 一种提高柔性基底水氧阻隔性能的结构及其制备方法
CN109841707B (zh) * 2017-11-27 2020-11-03 晶呈科技股份有限公司 垂直型发光二极管晶粒的结构及其制造方法
CN114762024A (zh) * 2019-12-26 2022-07-15 Ａｇｃ株式会社 柔性透明电子器件的制造方法以及物品
CN111490017A (zh) * 2020-04-16 2020-08-04 电子科技大学 一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法
CN111574885B (zh) * 2020-05-19 2023-07-14 成都怀慈福佑电子科技有限公司 一种面向印刷电子技术的生物可降解电子材料
CN111488065A (zh) * 2020-05-26 2020-08-04 深圳市宝立创科技有限公司 一种胆甾相液晶手写板及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU774383B2 (en) * 1999-07-12 2004-06-24 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Use of mixtures of micropigments for preventing tanning and for lightening skin and hair
US6830746B2 (en) * 2001-09-21 2004-12-14 Playtex Products, Inc. Sunscreen compositions
BR112012006635B8 (pt) * 2008-09-23 2021-05-25 Laboratory Skin Care Inc composição que compreende partículas de tamanho micro de fosfato de cálcio uniformes, rígidas, esféricas, nanoporosas e método para combinar e separar o solvente não aquoso das referidas partículas
CN103131332A (zh) * 2011-11-25 2013-06-05 张艳杰 环保无味鞋油
CN103572645A (zh) * 2013-09-23 2014-02-12 刘和超 一种高韧性纸材料
CN203851863U (zh) * 2014-03-17 2014-10-01 盐城雪尔纺织有限公司 一种具有保健功能的面料
CN204364236U (zh) * 2014-11-02 2015-06-03 盐城工业职业技术学院 隔尿垫
CN104953041A (zh) * 2015-04-22 2015-09-30 电子科技大学 一种生物可降解的柔性光电子器件用基板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105336873A (zh) 2016-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105336873B (zh) 一种柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN101284928B (zh) 导电uv-固化墨
CN102597044B (zh) 热聚合系引发剂体系和粘接剂组合物
CN105579499A (zh) 树脂组合物及使用该树脂组合物的薄膜
CN102459406B (zh) 阳离子聚合性树脂组合物及其固化物
TW200844162A (en) Composite composition comprising carbon nanotubes and transparent conductive film formed using the composite composition
CN105038412A (zh) 光敏石墨烯的制备方法及紫外光固化导电油墨
CN106504829A (zh) 一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法
WO2015056609A1 (ja) 透明導電膜形成用組成物、透明導電体及び透明導電体の製造方法
JP2020019953A (ja) ディスプレイ用粘着シートおよびこれを含むディスプレイ
CN102459478B (zh) 可喷墨的银/氯化银组合物
CN103755901A (zh) 一种八巯基聚倍半硅氧烷改性的弹性体材料的制备方法
JP4457266B2 (ja) 硬化性組成物およびそれを用いた封止剤
JP2017132919A (ja) 異方導電性接着剤組成物、フィルム状接着剤、接続構造体及び半導体装置
CN106700961A (zh) 一种电磁波屏蔽膜及基于其的高度透明强电磁波屏蔽胶带
CN102929101A (zh) 一种导电光刻胶及使用该导电光刻胶的oled电极及制造方法
JP6880130B2 (ja) ディスプレイ用粘着シートおよびこれを含むディスプレイ
CN103773265B (zh) 各向异性导电性粘接剂组合物
JP6880129B2 (ja) ディスプレイ用粘着シートおよびこれを含むディスプレイ
US20180366637A1 (en) Corrosion resistant magnetoresistive sensor
CN105086631A (zh) 光敏碳纳米管的制备方法及紫外光固化导电油墨
CN102863913B (zh) 一种新型透明导电胶膜及其制备方法
EP2660927A1 (en) Sealant composition for photoelectric conversion element
CN104953041A (zh) 一种生物可降解的柔性光电子器件用基板及其制备方法
CN102925066B (zh) 一种环氧树脂粘结膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20181019

Address after: 610000, 10 floor, 13 building, 599 space city, Yizhou Avenue, Chengdu, Sichuan.

Applicant after: Sichuan Hongyi intellectual property operations limited wisdom

Address before: 211800 Jiangsu Nanjing Nanjing Zijin (Pukou) science and Technology Pioneer Park special community 99-257 Middle Road

Applicant before: NANJING JIMIN INFORMATION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20181030

Address after: 510000 Guangdong science and Technology Industrial Development Zone, Guangzhou, 231 and 233 podium B1B2 Building 1, two, three, four

Applicant after: BOAO ZONGHENG NETWORK TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 610000, 10 floor, 13 building, 599 space city, Yizhou Avenue, Chengdu, Sichuan.

Applicant before: Sichuan Hongyi intellectual property operations limited wisdom

Effective date of registration: 20181030

Address after: 510530 510, room 510, No. 19, Yun Pu three road, Whampoa District, Guangzhou, Guangdong.

Applicant after: Guangzhou Jing Ze microelectric technique Co.,Ltd.

Address before: 510000 Guangdong science and Technology Industrial Development Zone, Guangzhou, 231 and 233 podium B1B2 Building 1, two, three, four

Applicant before: BOAO ZONGHENG NETWORK TECHNOLOGY Co.,Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20181207

Termination date: 20211105