CN105336798B - 一种光敏电阻及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- -1 rare-earth chloride Chemical class 0.000 claims abstract description 53
- ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K neodymium(iii) chloride Chemical compound Cl[Nd](Cl)Cl ATINCSYRHURBSP-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 29
- BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K samarium(iii) chloride Chemical compound Cl[Sm](Cl)Cl BHXBZLPMVFUQBQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 29
- MEANOSLIBWSCIT-UHFFFAOYSA-K gadolinium trichloride Chemical compound Cl[Gd](Cl)Cl MEANOSLIBWSCIT-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 28
- PYOOBRULIYNHJR-UHFFFAOYSA-K trichloroholmium Chemical compound Cl[Ho](Cl)Cl PYOOBRULIYNHJR-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 63
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 58
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 29
- BOXVSFHSLKQLNZ-UHFFFAOYSA-K dysprosium(iii) chloride Chemical compound Cl[Dy](Cl)Cl BOXVSFHSLKQLNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 28
- 229910003317 GdCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 17
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 11
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 7
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- MAYVZUQEFSJDHA-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(methylsulfanyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(SC)=CC=CC2=C1SC MAYVZUQEFSJDHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/085—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors the device being sensitive to very short wavelength, e.g. X-ray, Gamma-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光敏电阻及其制作方法，采用稀土氯化物取代CuCl，通过在光敏层材料CdS、CdSe和CdCl2中添加重量百分比为0.1％的稀土氯化物，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种或两种以上的混合物，并调整CdS、CdSe和CdCl2三种材料的配比，稀土氯化物含量很小，不会影响光敏电阻的材料成本，且稀土氯化物和CdS、CdSe和CdCl2三种材料组合在一起可以增加光敏电阻的暗电阻，减小光敏电阻的亮电阻；优点是可以提高光敏电阻的灵敏度，并且稀土氯化物的稳定性较高，光敏电阻在老化工艺中不容易产生变化，不会导致光敏电阻其它性能参数的降低，光敏电阻老化工艺中稳定性较高，废品率大幅降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种光敏电阻，尤其是涉及一种光敏电阻及其制作方法。
背景技术
光敏电阻主要用于各种光电控制***，如光电自动开关门户、自动照明***、自动给水装置、机械上的自动保护装置、光电计数器和光电跟踪***等方面。
现有的光敏电阻通常包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，光敏层包覆在陶瓷基体表面，光敏层和陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在光敏电阻主体的两端。光敏电阻在室温条件下，全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。光敏电阻在100Lux光照10秒后测得的电阻值，称为光敏电阻在该光照下的亮电阻；光敏电阻的暗电阻与亮电阻之比为光敏电阻的灵敏度，比值越大，灵敏度越高。灵敏度是光敏电阻的一个重要性能参数。光敏电阻灵敏度的高低主要由其光敏层的性能来决定，而光敏层的材料直接决定了其性能。
光敏电阻的光敏层是将光敏溶液涂在陶瓷基体的表面后高温烧结而形成。传统的光敏电阻的光敏层主要包括CdS(硫化镉)、CdSe(硒化镉)和CdCl2(二氯化镉)三种材料，光敏溶液是由CdS、CdSe和CdCl2三种材料混合后溶解在离子水中得到。传统的光敏电阻的灵敏度已不能满足现代光电控制***的高精度要求。目前，人们通过在光敏层中添加CuCl2(二氯化铜)材料来提高光敏电阻的暗电阻并降低其亮电阻，从而提高光敏电阻的灵敏度。虽然添加CuCl2材料的方式可以提高光敏电阻的灵敏度，但是由于铜离子存在不稳定性，即一价铜离子和二价铜离子会互相变化，由此将导致光敏电阻在老化工艺后性能参数降低，稳定性较差，突出表现之一为废品率高，达到15％左右。
发明内容
本发明所要解决的技术问题之一是提供一种灵敏度较高，且在老化工艺后稳定性较高的光敏电阻。
本发明解决上述技术问题之一所采用的技术方案为：一种光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，所述的光敏层包覆在所述的陶瓷基体表面，所述的光敏层和所述的陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在所述的光敏电阻主体的两端，所述的光敏层由以下组分组成：
所述的稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物。
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
所述的光敏层的厚度为2-5微米。
所述的陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
与现有技术相比，本发明的光敏电阻的优点在于采用稀土氯化物取代CuCl2，通过在光敏层材料CdS、CdSe和CdCl2中添加重量百分比为0.1％的稀土氯化物，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物，并调整CdS、CdSe和CdCl2三种材料的配比，稀土氯化物含量很小，不会影响光敏电阻的材料成本，且稀土氯化物和CdS、CdSe和CdCl2三种材料组合在一起可以增加光敏电阻的暗电阻，减小光敏电阻的亮电阻，由此提高光敏电阻的灵敏度，并且稀土氯化物的稳定性比Cu离子高，在光敏电阻老化工艺中不容易产生变化，不但不会导致光敏电阻其它性能参数的降低，而且光敏电阻老化后稳定性较高，废品率大幅降低；
当稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，稀土氯化物由以下组分组成：重量百分比为40％-45％的氯化钬、重量百分比为20％-25％的氯化钕、重量百分比为10％-20％的氯化钆、重量百分比为10％-15％的氯化镝以及重量百分比为10％-15％的氯化钐时，光敏电阻的灵敏度可提高50％左右，废品率可控制在5％以内。
本发明所要解决的技术问题之二是提供一种光敏电阻的制作方法，该制作方法制作得到的光敏电阻灵敏度较高，且在老化工艺中稳定性较高。
本发明解决上述技术问题之二所采用的技术方案为：一种光敏电阻的制作方法，包括以下步骤：
①制备陶瓷基体；
②制备光敏溶液：
按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物：
所述的稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物；
将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏层混合物的重量百分比为30％，离子水的重量百分比为70％；
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成光敏层；
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后，再在380-1300℃高温下烧结15分钟，得到光敏电阻主体；
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端，得到光敏电阻。
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
所述的步骤④之后，所述的步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤，所述的涂隔离层的步骤为：在光敏层的表面喷涂隔离层，隔离层的材料为环氧树脂。
所述的步骤③中将光敏溶液多次喷涂在陶瓷基体的表面，喷涂次数为3-4次，所述的光敏层的厚度为2-5微米。
所述的陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
与现有技术相比，本发明的光敏电阻的制作方法的优点在于在备料过程中采用稀土氯化物取代CuCl2，在光敏层材料CdS、CdSe和CdCl2中添加重量百分比为0.1％的稀土氯化物，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物，并调整CdS、CdSe和CdCl2三种材料的配比，在配料完成后采用现有成熟的光敏电阻的制备方法即可制备得到光敏电阻，制作工艺简单，稀土氯化物含量很小，不会影响光敏电阻的材料成本，且稀土氯化物和CdS、CdSe和CdCl2三种材料组合在一起可以增加光敏电阻的暗电阻，减小光敏电阻的亮电阻，由此可以提高光敏电阻的灵敏度，并且稀土氯化物的稳定性比Cu离子高，光敏电阻在老化工艺中不容易产生变化，光敏电阻老化工艺中稳定性较高，废品率大幅降低；
当稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，稀土氯化物由以下组分组成：重量百分比为40％-45％的氯化钬、重量百分比为20％-25％的氯化钕、重量百分比为10％-20％的氯化钆、重量百分比为10％-15％的氯化镝以及重量百分比为10％-15％的氯化钐时，光敏电阻的灵敏度可提高50％左右，废品率可控制在5％以内；
当步骤④之后，步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤，涂隔离层的步骤为：在光敏层的表面喷涂隔离层，隔离层的材料为环氧树脂，通过隔离层一方面可以消除光敏电阻使用过程中可见光以外的其它光谱，进一步提高光敏电阻的灵敏度，另一方面可以进行防潮保护，提高光敏电阻的使用寿命。
具体实施方式
本发明公开了一种光敏电阻，以下结合实施例对本发明的光敏电阻作进一步详细描述。
实施例一：一种光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，光敏层包覆在陶瓷基体表面，光敏层和陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在光敏电阻主体的两端，光敏层由以下组分组成：
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物。
实施例二：一种光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，光敏层包覆在陶瓷基体表面，光敏层和陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在光敏电阻主体的两端，光敏层由以下组分组成：
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，光敏层的厚度为5微米。
本实施例中，陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
实施例三：一种光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，光敏层包覆在陶瓷基体表面，光敏层和陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在光敏电阻主体的两端，光敏层由以下组分组成：
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，光敏层的厚度为2微米。
本实施例中，陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
实施例四：一种光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，光敏层包覆在陶瓷基体表面，光敏层和陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在光敏电阻主体的两端，光敏层由以下组分组成：
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，光敏层的厚度为2微米。
本实施例中，陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
实施例五：一种光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，光敏层包覆在陶瓷基体表面，光敏层和陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在光敏电阻主体的两端，光敏层由以下组分组成：
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，光敏层的厚度为5微米。
本实施例中，陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
本发明还公开了一种上述光敏电阻的制作方法，以下结合实施例对本发明的光敏电阻的制作方法作进一步详细描述。
实施例一：一种光敏电阻的制作方法，包括以下步骤：
①制备陶瓷基体；
②制备光敏溶液：
按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物：
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物；
将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏层混合物的重量百分比为30％，离子水的重量百分比为70％；
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成光敏层；
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后，再在380-1300℃高温下烧结15分钟，得到光敏电阻主体；
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端，得到光敏电阻。
实施例二：一种光敏电阻的制作方法，包括以下步骤：
①制备陶瓷基体；
②制备光敏溶液：
按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物：
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物；
将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏层混合物的重量百分比为30％，离子水的重量百分比为70％；
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成光敏层；
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后，再在380-1300℃高温下烧结15分钟，得到光敏电阻主体；
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端，得到光敏电阻。
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，步骤④之后，步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤，涂隔离层的步骤为：在光敏层的表面喷涂隔离层，隔离层的材料为环氧树脂。
本实施例中，步骤③中将光敏溶液多次喷涂在陶瓷基体的表面，喷涂次数为3-4次，光敏层的厚度为5微米。
本实施例中，陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
实施例三：一种光敏电阻的制作方法，包括以下步骤：
①制备陶瓷基体；
②制备光敏溶液：
按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物：
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物；
将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏层混合物的重量百分比为30％，离子水的重量百分比为70％；
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成光敏层；
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后，再在380-1300℃高温下烧结15分钟，得到光敏电阻主体；
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端，得到光敏电阻。
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，步骤④之后，步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤，涂隔离层的步骤为：在光敏层的表面喷涂隔离层，隔离层的材料为环氧树脂。
本实施例中，步骤③中将光敏溶液多次喷涂在陶瓷基体的表面，喷涂次数为3-4次，光敏层的厚度为2微米。
本实施例中，陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
实施例四：一种光敏电阻的制作方法，包括以下步骤：
①制备陶瓷基体；
②制备光敏溶液：
按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物：
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物；
将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏层混合物的重量百分比为30％，离子水的重量百分比为70％；
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成光敏层；
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后，再在380-1300℃高温下烧结15分钟，得到光敏电阻主体；
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端，得到光敏电阻。
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，步骤④之后，步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤，涂隔离层的步骤为：在光敏层的表面喷涂隔离层，隔离层的材料为环氧树脂。
本实施例中，步骤③中将光敏溶液多次喷涂在陶瓷基体的表面，喷涂次数为3-4次，光敏层的厚度为2微米。
本实施例中，陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
实施例五：一种光敏电阻的制作方法，包括以下步骤：
①制备陶瓷基体；
②制备光敏溶液：
按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物：
稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物；
将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏层混合物的重量百分比为30％，离子水的重量百分比为70％；
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成光敏层；
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后，再在380-1300℃高温下烧结15分钟，得到光敏电阻主体；
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端，得到光敏电阻。
本实施例中，稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
本实施例中，步骤④之后，步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤，涂隔离层的步骤为：在光敏层的表面喷涂隔离层，隔离层的材料为环氧树脂。
本实施例中，步骤③中将光敏溶液多次喷涂在陶瓷基体的表面，喷涂次数为3-4次，光敏层的厚度为5微米。本实施例中陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
将采用本发明的制作方法制作的光敏电阻与采用现有技术的方法制作的光敏电阻进行老化测试，在25℃常温下老化10天后，分别加100V、150V、200V电压，测量无光下的暗电阻和100Lux光照射10秒后的亮电阻，两者性能测试结果对照表如下表1所示：
表1
分析表1中的数据可知，由表中数据分析可知，本发明的制作方法制作的光敏电阻相对于现有技术的制作方法制作的光敏电阻，其灵敏度提高了50％，且老化后稳定性高，废品率由15％或者15％以上降到低于5％。除灵敏度、稳定性以外，光敏电阻的其它性能未受影响。
Claims (9)
1.一种光敏电阻，包括陶瓷基体、光敏层和两个电极，所述的光敏层包覆在所述的陶瓷基体表面，所述的光敏层和所述的陶瓷基体形成光敏电阻主体，两个电极分别安装在所述的光敏电阻主体的两端，其特征在于所述的光敏层由以下组分组成：
所述的稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物。
2.根据权利要求1所述的一种光敏电阻，其特征在于稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
3.根据权利要求1所述的一种光敏电阻，其特征在于所述的光敏层的厚度为2-5微米。
4.根据权利要求1所述的一种光敏电阻，其特征在于所述的陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
5.一种光敏电阻的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
①制备陶瓷基体；
②制备光敏溶液：
按照以下配比配置光敏层原料并将各原料混合均匀后得到光敏层混合物：
所述的稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐中的一种或者为两种以上的混合物；
将光敏层混合物溶解在离子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏层混合物的重量百分比为30％，离子水的重量百分比为70％；
③将光敏溶液喷涂在陶瓷基体的表面，形成光敏层；
④将喷涂后的陶瓷基体在常温常压下静置10-15分钟后，再在380-1300℃高温下烧结15分钟，得到光敏电阻主体；
⑤将两个电极安装在光敏电阻主体两端，得到光敏电阻。
6.根据权利要求5所述的一种光敏电阻的制作方法，其特征在于稀土氯化物为氯化钬、氯化钕、氯化钆、氯化镝和氯化钐的混合物，所述的稀土氯化物由以下组分组成：
7.根据权利要求5所述的一种光敏电阻的制作方法，其特征在于所述的步骤④之后，所述的步骤⑤之前还包括涂隔离层的步骤，所述的涂隔离层的步骤为：在光敏层的表面喷涂隔离层，隔离层的材料为环氧树脂。
8.根据权利要求5所述的一种光敏电阻的制作方法，其特征在于所述的步骤③中将光敏溶液多次喷涂在陶瓷基体的表面，喷涂次数为3-4次，所述的光敏层的厚度为2-5微米。
9.根据权利要求5所述的一种光敏电阻的制作方法，其特征在于所述的陶瓷基体由纯度为93％以上的三氧化二铝制备而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510647860.9A CN105336798B (zh) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 一种光敏电阻及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510647860.9A CN105336798B (zh) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 一种光敏电阻及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105336798A CN105336798A (zh) | 2016-02-17 |
| CN105336798B true CN105336798B (zh) | 2017-02-01 |
Family
ID=55287213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510647860.9A Expired - Fee Related CN105336798B (zh) | 2015-10-09 | 2015-10-09 | 一种光敏电阻及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105336798B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106847953A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-13 | 南阳师范学院 | 用于制备高灵敏度响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料 |
| CN106847995A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-13 | 南阳师范学院 | 用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料 |
| CN106847994A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-13 | 南阳师范学院 | 用于制备低成本响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料 |
| CN106784066A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-05-31 | 南阳师范学院 | 制备掺杂稀土宽谱带光敏电阻的光敏材料 |
| CN106876506A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-20 | 南阳师范学院 | 用于制备响应紫外可见光的光敏电阻的光敏材料 |
| CN106784160A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-05-31 | 南阳师范学院 | 制备宽谱带光敏电阻的光敏材料及该光敏电阻的制备方法 |
| CN106876505A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-06-20 | 南阳师范学院 | 用于制备高灵敏度宽谱带光敏电阻的光敏材料 |
| CN106784065A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-05-31 | 南阳师范学院 | 用于制备低成本宽谱带光敏电阻的光敏材料 |
| CN106816489A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-06-09 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 一种光敏电阻瓷及其制备方法 |
| CN106952984B (zh) * | 2017-03-22 | 2018-08-03 | 合肥仁德电子科技有限公司 | 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法 |
| CN108892484A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-27 | 合肥尚强电气科技有限公司 | 一种灵敏度提升的光敏电阻 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101927226A (zh) * | 2010-07-20 | 2010-12-29 | 河南省电力公司平顶山供电公司 | 电子元件基体上附着涂层的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5026918B1 (zh) * | 1967-06-06 | 1975-09-04 | ||
| DE1614351C2 (de) * | 1967-12-15 | 1971-09-02 | Philips Patentverwaltung GmbH 2000 Hamburg | Verfahren zum Herstellen von CdS Photowiderstanden |
| CN100372130C (zh) * | 2005-11-12 | 2008-02-27 | 南阳利达光电有限公司电子公司 | 光敏电阻及其制备方法 |
-
2015
- 2015-10-09 CN CN201510647860.9A patent/CN105336798B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101927226A (zh) * | 2010-07-20 | 2010-12-29 | 河南省电力公司平顶山供电公司 | 电子元件基体上附着涂层的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105336798A (zh) | 2016-02-17 |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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