CN105336357B - 磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法 - Google Patents

磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105336357B
CN105336357B CN201410340473.6A CN201410340473A CN105336357B CN 105336357 B CN105336357 B CN 105336357B CN 201410340473 A CN201410340473 A CN 201410340473A CN 105336357 B CN105336357 B CN 105336357B
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetization
data
magnetic
magnetic domain
write device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410340473.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105336357A (zh
Inventor
杨凯
赵俊峰
王元钢
杨伟
林殷茵
傅雅蓉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fudan University
Huawei Technologies Co Ltd
Original Assignee
Fudan University
Huawei Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fudan University, Huawei Technologies Co Ltd filed Critical Fudan University
Priority to CN201410340473.6A priority Critical patent/CN105336357B/zh
Priority to EP15821453.6A priority patent/EP3163578B1/en
Priority to KR1020177003640A priority patent/KR101957867B1/ko
Priority to JP2017502607A priority patent/JP6335383B2/ja
Priority to PCT/CN2015/083881 priority patent/WO2016008397A1/zh
Publication of CN105336357A publication Critical patent/CN105336357A/zh
Priority to US15/406,209 priority patent/US9824739B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN105336357B publication Critical patent/CN105336357B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5607—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using magnetic storage elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G11C19/0841—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using electric current
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0866—Detecting magnetic domains

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

本发明提供一种磁性存储装置，用于存取数据，其包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置和驱动装置，所述第一写装置和所述第二写装置均位于所述磁性存储轨道的不同位置，所述第一写装置用于写入所述第一数据或所述第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示，所述第二写装置用于写入所述第三数据和所述第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向来表示，所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向互不相同。

Description

磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法
技术领域
本发明涉及信号处理，尤其涉及一种磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法。
背景技术
磁畴作为磁存储设备中基本记录数据的单元其原理为：单个磁畴在没有被磁化时，单个磁畴内为降低静磁能而产生分化的小型磁化区域，所述小型磁化区域内大量原子的磁矩沿一个方向整齐排列，但相邻小型磁化区域的磁矩方向互不相同，进而相互抵消，使得所述磁畴不显示磁性。但是在对所述单个磁畴施加外磁场进行磁化，当外磁场的磁场强度达到一定程度时，单个磁畴内的所有小型磁化区域的磁矩均与外磁场取相同方向排列，单个磁畴表现磁性，并具有与外磁场方向相同的磁化方向；并且撤销掉外磁场后单个磁畴内的磁性并不会消失，从而将数值以磁化方向的形式记录在磁畴中。
而目前公众所知的磁存储设备具体工作是当写入数据时，读写部件通入电信号产生垂直于磁畴壁方向的磁场，从而磁化读写部件所对应的磁畴；使得磁畴内磁化方向统一垂直于磁畴壁，并产生与磁化方向相同的剩磁磁场；即磁畴可记录两个方向相反的磁化方向；其中一个磁化方向记录数据“0”，则另一个磁化方向记录数据“1”。此种存储模式仅能在磁畴中记录垂直于磁畴壁方向的磁场，每一磁畴仅能够表征两个不同数值，无法实现多值存储，不能满足日益需求的多值数据应用。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，用于解决现有技术无法实现多值存储的问题。
一方面，提供了一种磁性存储装置，包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置以及驱动装置，其中：
所述磁性存储轨道，用于存储数据；
所述驱动装置，与所述磁性存储轨道连接，用于向所述磁性存储轨道发送驱动信号，驱动所述磁性存储轨道中的磁畴移动；
所述第一写装置与所述第二写装置分别位于所述磁性存储轨道的不同位置；
所述第一写装置用于向移动到所述第一写装置处的磁畴中写入第一数据或第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表示，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；
所述第二写装置用于向移动到所述第二写装置处的磁畴中写入第三数据或第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同。
在第一种可能的实现方式中，所述磁性存储装置还包括第一读取装置和第二读取装置，所述第一读取装置与所述第一写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第二读取装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，
所述第一读取装置，用于从移动到所述第一读取装置处的磁畴中读取所述第一数据或所述第二数据；
所述第二读取装置，用于从移动到所述第二读取装置处的磁畴中读取所述第三数据或所述第四数据。
结合上述任意一种实施方式，在第二种可能的实现方式中，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向以及所述第四磁化方向与磁畴壁所在平面平行。
结合上述任意一种实施方式，在第三种可能的实现方式中，所述第一写装置采用通电线圈产生相互反向的第一感应磁场和第二感应磁场，通过所述第一感应磁场或第二感应磁场对移动到所述第一写装置处的磁畴进行磁化，以产生所述第一磁化方向或第二磁化方向；
所述第二写装置采用通电线圈产生相互反向的第三感应磁场和第四感应磁场，通过所述第三感应磁场和第四感应磁场对移动到所述第二写装置处的磁畴进行磁化，以产生所述第三磁化方向和第四磁化方向。
结合第一种可能的实现方式，在第四种可能实现的方式中，所述第一读取装置采用磁阻磁头识别所述第一磁化方向和第二磁化方向，以读取所述第一数据和所述第二数据；
所述第二读取装置采用磁阻磁头识别所述第三磁化方向和第四磁化方向，以读取所述第三数据和第四数据。
结合第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述磁性存储装置还包括写驱动电路和模数转换电路，所述写驱动电路电连接所述第一写装置和第二写装置，用于给定所述第一写装置或第二写装置电信号，所述模数转换电路电连接所述第一读取装置和第二读取装置，用于接收所述第一读取装置或第二读取装置的电信号，以识别所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向。
另一方面，还提供一种信息存储方法，运用磁性存储装置，其中，所述磁性存储装置包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置以及驱动装置，所述第一写装置与所述第二写装置分别位于所述磁性存储轨道的不同位置，所述信息存储方法包括：
所述驱动装置输入驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述磁性存储装置中的磁畴移动；
当所述磁畴移动至所述第一写装置处时，所述第一写装置向所述磁畴中写入第一数据或第二数据，其中，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表示，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；
当所述磁畴移动至所述第二写装置处时，所述第二写装置向所述磁畴中写入第三数据或第四数据，其中，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同。
在第一种可能的实现方式中，所述信息存储方法还包括：
当所述磁畴移动至所述磁性存储装置中的第一读取装置处时，所述第一读取装置读取所述第一数据或所述第二数据；
当所述磁畴移动至所述磁性存储装置中的第二读取装置处时，所述第二读取装置读取所述第三数据或所述第四数据；
其中，所述第一读取装置与所述第一写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第二读取装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧。
结合上述任意一种实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述第一写装置向所述磁畴中写入第一数据或第二数据包括：
所述第一写装置产生第一感应磁场或第二感应磁场，所述第一感应磁场或所述第二感应磁场对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第一磁化方向或第二磁化方向，其中，所述第一磁化方向表示第一数据，所述第二磁化方向表示第二数据；
所述第二写装置向所述磁畴中写入第三数据或第四数据包括：
所述第二写装置产生第三感应磁场或第四感应磁场，所述第三感应磁场或所述第四感应磁场对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第三磁化方向或第四磁化方向，其中，所述第三磁化方向表示第三数据，所述第四磁化方向表示第四数据。
结合第二种可能的实现方式，在第三种可能实现的方式中，所述第一读取装置读取所述第一数据或所述第二数据包括：
所述第一读取装置识别所述第一磁化方向或第二磁化方向；
所述第二读取装置读取所述第三数据或所述第四数据包括：
所述第二读取装置识别所述第三磁化方向或第四磁化方向。
本发明实施方式提供的磁性存储装置通过所述第一写装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的不同磁性存储轨道位置，并利用所述第一写装置写入所述第一数据或所述第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示；利用所述第二写装置写入所述第三数据或所述第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数值由磁畴的第四磁化方向来表示，实现所述磁性存储轨道内可产生多个平行于磁畴壁的磁化方向，从而可记录多个数据，提高了存储容量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的磁性存储装置的示意图；
图2是图1的磁性存储装置的较佳实施例中四个磁畴的磁化的示意图；
图3是本发明提供的信息存储方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明实施例提供的磁性存储装置100。所述磁性存储装置100包括磁性存储轨道10、第一写装置21、第二写装置22以及驱动装置30，其中：
所述磁性存储轨道10，用于存储数据；
所述驱动装置30，与所述磁性存储轨道10连接，用于向所述磁性存储轨道10发送驱动信号，驱动所述磁性存储轨道10中的磁畴移动；
所述第一写装置21与所述第二写装置22分别位于所述磁性存储轨道10的不同位置；
所述第一写装置21用于向移动到所述第一写装置21处的磁畴中写入第一数据或第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表示，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；
所述第二写装置22用于向移动到所述第二写装置22处的磁畴中写入第三数据或第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同。
通过所述第一写装置写入所述第一数据或所述第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向来表示；利用所述第二写装置写入所述第三数据或所述第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数值由磁畴的第四磁化方向来表示，实现所述磁性存储轨道内可产生多个平行于磁畴壁的磁化方向，从而可记录多个数据，提高了存储容量。
具体的，所述磁性存储轨道10沿“U”形曲线延伸，所述磁性存储轨道10的两端电连接所述驱动装置30。磁性存储轨道10设有两个电路端口101，所述两个电路端口101位于所述磁性存储轨道10的两个顶端。所述两个电路端口101可以接入电流，使得所述两个电路端口101施加电压时，所述磁性存储轨道10内形成电流脉冲，进而所述多个磁畴在电流脉冲驱动下移动至所述第一装置21或者第二写装置22处。所述多个磁畴的移动方向与所述两个电路端口101所加电流方向相反，较之于传统硬盘中磁性存储轨道的机械方式移动，提高所述磁性存储轨道内磁畴移动速度。当然，在其他实施方式中，所述磁性存储轨道还可以是沿直线延伸，或者沿圆环形延伸。
本实施例中，所述驱动装置30为脉冲电流发生器，所述驱动装置30通过对所述多个磁畴发送电流脉冲，驱动所述多个磁畴移动，使得所述多个磁畴移动至第一写装置21或第二写装置22处，进而被写入数值，实现提高所述多个磁畴移动速度，增加写入数据的速度。具体的，所述驱动装置30的正负电极分别电性连接所述两个驱动端口101磁。当然，在其他实施方式中，所述驱动装置还可以是高频电流发生器。
本实施例中，所述多个磁畴12为矩形片状，所述多个磁畴12沿着所述磁性存储轨道10的延伸方向依次叠加设置，使得所述磁性存储轨道10呈“U”形弯曲的方柱体。其中，所述第一写装置21位于所述磁性存储轨道10的底端，与所述磁性存储轨道10的底端的磁畴底面相对设置；所述第二写装置22位于所述磁性存储轨道10的一侧，与所述磁性存储轨道10的底端的磁畴侧面相对设置。当然，在其他实施方式中，所述第一写装置和所述第二写装置还可以是与所述磁性存储轨道的顶端两个相邻侧面分别相对设置；所述磁性存储装置还可以包括第三写装置，所述第三写装置还可以是位于所述第一写装置和第二写装置之间。
请参阅图2，举例说明，针对所述多个磁畴其中四个磁畴12a，所述四个磁畴12a包括依次层叠的第一磁畴1、第二磁畴2、第三磁畴3和第四磁畴4。当所述驱动装置30驱动所述第一磁畴1移动至所述第一写装置21处时，所述第一写装置21写入所述第一数据，本实施方式中，所述第一数据是“0”，所述第一数据由所述第一磁畴1的第一磁化方向Aa表示。
当所述驱动装置30驱动所述第二磁畴2移动至所述第一写装置21处时，所述第一写装置21写入所述第二数据，本实施方式中，所述第二数据是“1”，所述第二数据由所述第二磁畴2的第二磁化方向Bb表示，所述第二磁化方向Bb与所述第一磁化方向Aa相反。
当所述驱动装置30驱动所述第三磁畴3移动至所述第二写装置22处时，所述第二写装置22写入所述第三数据，本实施方式中，所述第三数据是“2”，所述第三数据由所述第三磁畴3的第三磁化方向Cc表示，所述第三磁化方向Cc垂直所述第一磁化方向Aa。
当所述驱动装置30驱动所述第四磁畴4移动至所述第二写装置22处时，所述第二写装置22写入所述第四数据，本实施方式中，所述第四数据是“3”，所述第四数据由所述第四磁畴4的第四磁化方向Dd表示，所述第四磁化方向Dd与所述第三磁化方向Cc相反。当然，在其他实施方式中，所述第一磁畴1、第二磁畴2、第三磁畴3和第四磁畴4还可以是写入所述第一数据、第二数据、第三数据和第四数据的其他形式的组合，例如：所述第一磁畴1、第二磁畴2、第三磁畴3和第四磁畴4均被所述第一写装置21写入所述第一数据；或者，所述第一磁畴1、第二磁畴2、第三磁畴3和第四磁畴4依次被写入所述第四数据、第三数据、第二数据和第一数据。若所述磁性存储装置还包括第三写装置，当所述驱动装置驱动所述磁畴移动至所述第三写装置时，所述第三写装置写入第五数据或第六数据，所述第五数据由磁畴的第五磁化方向表示，所述第六数据由磁畴的第六磁化方向表示。
进一步地，所述磁性存储装置100还包括一个第一读取装置41和一个第二读取装置42。
所述第一读取装置41与所述第一写装置21位于所述磁性存储轨道10的同一侧，所述第二读取装置42与所述第二写装置22位于所述磁性存储轨道10的同一侧。
所述第一读取装置41用于从移动到所述第一读取装置41处的磁畴中读取所述第一数据或所述第二数据；
所述第二读取装置42用于从移动到所述第二读取装置42处的磁畴中读取所述第三数据或所述第四数据。
利用所述第一读取装置41读取所述第一数据或第二数据，所述第二读取装置42读取所述第三数据或第四数据，实现所述磁性存储装置100读取多值数据。
具体的，所述第一读取装置41与所述第一写装置21在所述磁性存储轨道10的延伸方向上相并列。当所述第一磁畴1和第二磁畴2在所述驱动装置30的驱动下，依次移动至所述第一读取装置41处时，所述第一读取装置41依次识别所述第一磁畴1的第一磁化方向Aa和第二磁畴2的第二磁化方向Bb，从而依次从所述第一磁畴1读取所述第一数据，从所述第二磁畴2读取所述第二数据。
所述第二读取装置42与所述第二写入装置22在所述磁性存储轨道10的延伸方向上相并列。当所述第三磁畴3和第四磁畴4在所述驱动装置30的驱动下，依次移动至所述第二读取装置42处时，所述第二读取装置42依次识别所述第三磁畴3的第三磁化方向Cc和第四磁畴4的第四磁化方向Dd，从而依次从所述第三磁畴3读取所述第三数据，从所述第四磁畴4读取所述第四数据。
进一步地，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向以及所述第四磁化方向与磁畴壁所在平面平行。
具体的，所述第一写装置21位于所述四个磁畴12a的底面，所述第一磁化方向Aa和第二磁化方向Bb相反，且垂直于所述四个磁畴12a的底面；所述第二写装置22位于所述四个磁畴12a的侧面，所述第三磁化方向Cc和第四磁化方向Dd相反，且垂直于所述四个磁畴12a的侧面，即所述第一磁化方向Aa平行于所述第一磁畴1和第二磁畴2之间的磁畴壁所在平面，所述第二磁化方向Bb平行于所述第一磁畴1和第二磁畴2之间的磁畴壁所在平面，所述第三磁化方向Cc平行于所述第三磁畴3和所述第四磁畴4之间的磁畴壁所在平面，所述第四磁化方向Dd平行于所述第三磁畴3和所述第四磁畴4之间的磁畴壁所在平面。特别说明的是，所述四个磁畴12a的磁化方向均平行于所述磁畴壁，较之于现有技术，磁畴的磁化方向垂直磁畴壁，本实施例使得所述多个磁畴12横截面减小，从而占用所述磁性存储轨道10的空间更小，提高了多个磁畴的密度，增加了所述磁性存储装置100的存储容量。当然，在其他实施方式中，若所述磁性存储装置还包括第三写装置，则所述第五磁化方向和第六磁化方向也是平行于所述第五磁畴和第六磁畴之间的磁畴壁所在平面。从而实现所述多个磁畴内部分别形成多个平行于磁畴壁的磁化方向，实现多值记录。
进一步地，所述第一写入装置21采用通电线圈产生相互反向的所述第一感应磁场A和第二感应磁场B，通过所述第一感应磁场A或第二感应磁场B对移动到所述第一写装置处21的磁畴进行磁化，以产生所述第一磁化方向Aa或第二磁化方向Bb。
所述第二写入装置22采用通电线圈产生相互反向的第三感应磁场C和第四感应磁场D，通过所述第三感应磁场C和第四感应磁场D对移动到所述第二写装置处22的磁畴进行磁化，以产生所述第三磁化方向Cc和第四磁化方向Dd。
具体的，所述第一写装置21和第二写装置22均为写磁头，对所述第一写装置21和第二写装置22接入电信号，其中，所述电信号根据多值数据转换而来，通过所述电信号的波动对所述第一写装置21和第二写装置22的缠绕有通电线圈的铁芯产生交变的磁通，进而形成两个方向相反的感应磁场。当然，在其他实施方式中，所述第一写装置和所述第二写装置还可以是巨磁阻磁头。
所述第一写装置21的铁芯长度方向垂直所述磁性存储轨道10底端的磁畴底面，所述第一写装置21接入所述电信号，所述电信号为正弦电流。当所述电信号电流方向为正向时，所述第一写装置21产生所述第一感应磁场A；当所述电信号电流方向为负向时，所述第一写装置21产生所述第二感应磁场B。当然，在其他实施方式中，所述第一写装置还可以接入非正弦电流的电信号。
所述第二写入装置22的铁芯长度方向垂直所述磁性存储轨道10底端所覆盖的磁畴侧面。所述第二写装置22接入所述电信号，当所述电信号电流方向为正向时，所述第二写装置22产生所述第三感应磁场C；当所述电信号电流方向为负向时，所述第二写装置22产生所述第四感应磁场D。当然，在其他实施方式中，所述第二写装置还可以接入非正弦电流的电信号。
当所述磁性存储装置100存入多值数据时，所述第一写入装置21接入电信号后，可以发射所述第一感应磁场A或第二感应磁场B，所述第二写入装置22在接入电信号后，可以发射所述第三感应磁场C或第四感应磁场D。
当所述第一磁畴1在所述驱动装置30的驱动下移动至所述第一写装置21处时，所述第一写装置21发射所述第一感应磁场A，所述第一感应磁场A对所述第一磁畴1进行磁化，使得所述第一磁畴1内形成所述第一磁化方向Aa，从而实现在所述第一磁畴1中写入所述第一数据。
当所述第二磁畴2在所述驱动装置30的驱动下移动至所述第一写装置21处时，所述第一写装置21发射所述第二感应磁场B，所述第二感应磁场B对所述第二磁畴2进行磁化，使得所述第二磁畴2内形成所述第二磁化方向Bb，从而实现在所述第二磁畴2中写入所述第二数据。
当所述第三磁畴3在所述驱动装置30的驱动下移动至所述第二写装置22处时，所述第二写装置22发射所述第三感应磁场C，所述第三感应磁场C对所述第三磁畴3进行磁化，使得所述第三磁畴3内形成所述第三磁化方向Cc，从而实现在所述第三磁畴3中写入所述第三数据。
当所述第四磁畴4在所述驱动装置30的驱动下移动至所述第二写装置22处时，所述第二写装置22发射所述第四感应磁场D，所述第四感应磁场D对所述第四磁畴4进行磁化，使得所述第四磁畴4内形成所述第四磁化方向Dd，从而实现在所述第四磁畴4中写入所述第四数据。
当然，在其他实施方式中，若所述磁性存储装置还包括所述第三写装置时，所述第三写装置接入电信号时，可以发射第五感应磁场或第六感应磁场，所述第五感应磁场对移动至所述第三写装置的磁畴进行磁化，以产生所述第五磁化方向；所述第六感应磁场对移动至所述第三写装置的磁畴进行磁化，以产生所述第六磁化方向。所述磁性存储装置利用所述多个感应磁场依次对所述磁性存储轨道的磁畴进行磁化，使得所述多个磁畴分别产生不同方向的磁化方向，进而实现记录多值数据。
进一步地，所述第一读取装置41采用磁阻磁头识别所述第一磁化方向Aa和第二磁化方向Bb，以读取所述第一数据和所述第二数据。
所述第二读取装置42采用磁阻磁头识别所述第三磁化方向Cc和第四磁化方向Dd，以读取所述第三数据和第四数据。
具体的，所述第一读取装置41和所述第二读取装置42均包括固定磁畴和绝缘层，所述固定磁畴内产生剩磁磁场，所述第一读取装置41与移动至所述第一读取装置41的磁畴形成磁阻，所述第二读取装置42与移动至所述第二读取装置42的磁畴形成磁阻。当所述第一读取装置41和第二读取装置42的自身剩磁磁场与磁畴的磁化方向相同时，所述磁阻减小；当所述第一读取装置41和第二读取装置42的自身剩磁磁场与磁畴的磁化方向相反时，所述磁阻增大。
当所述驱动装置30驱动所述第一磁畴1移动至所述第一读取装置41处时，所述第一读取装置41根据识别所述第一磁化方向Aa方向变化，进而产生自身磁阻变化，所述第一读取装置41根据磁阻变化形成电流变化，进而产生所述电信号，从而根据所述电信号获得所述第一数据。
当所述驱动装置30驱动所述第二磁畴2移动至所述第一读取装置41处时，所述第一读取装置41根据识别所述第二磁化方向Bb方向变化，进而产生自身磁阻变化，第二读取装置41根据磁阻变化形成电流变化，进而产生所述电信号，从而根据所述电信号获得所述第二数据。
当所述驱动装置30驱动所述第三磁畴3移动至所述第二读取装置42时，所述第二读取装置42根据识别所述第三磁化方向Cc的方向变化，进而产生自身磁阻变化，所述第二读取装置42根据磁阻变化形成电流变化，产生所述电信号，从而根据所述电信号获得所述第三数据。
当所述驱动装置30驱动所述第四磁畴4移动至所述第二读取装置42时，所述第二读取装置42根据识别所述第四磁化方向Dd的方向变化，进而产生自身磁阻变化，所述第二读取装置42根据磁阻变化形成电流变化，产生所述电信号，从而根据所述电信号获得所述第四数据。
当然，在其他实施方式中，若所述多个磁畴中存储有所述第五数据和第六数据，所述第五数据由磁畴的第五磁化方向表示，所述第六数据由磁畴的第六磁化方向表示，则还可以利用第三读取装置识别所述第五磁化方向和第六磁化方向，并产生电信号，进而根据所述电信号获得第五数据和第六数据。
进一步地，所述磁性存储装置100还包括写驱动电路31和模数转换电路32，所述写驱动电路31电连接所述第一写装置21和第二写装置22，用于给定所述第一写装置21或第二写装置22电信号。所述模数转换电路32电连接所述第一读取装置41和第二读取装置42，用于接收所述第一读取装置41或第二读取装置42的电信号，以识别所述第一磁化方向Aa、第二磁化方向Bb、第三磁化方向Cc和第四磁化方向Dd。通过所述写驱动电路31电连接所述第一写装置21和所述第二写装置22，可以实现将表示多值数据的数字信号翻译成方便传递的电信号，并利用所述第一写装置21和所述第二写装置22将所述电信号转化成方便存储的磁场信息；通过所述模数转换电路42电连接所述第一读取装置41和所述第二读取装置42，实现利用所述第一读取装置41和第二读取装置42读取的磁场信息转换成方便传递的电信号，并将所述电信号编写成可以表示多值数据的数字信号。
本实施例中，所述写驱动电路31将所述表示第一数据“0”、第二数据“1”、第三数据“2”和第四数据“3”的数字信号转换成存储电信号，当所述存储电信号接入所述第一写装置21时，所述第一写装置21发射所述第一感应磁场A和第二感应磁场B，当所述存储电信号接入所述第二写装置22时，所述第二写入装置22发射所述第三感应磁场C和第四感应磁场D。当所述四个磁畴12a被所述第一写装置21和所述第二写装置22磁化后，进而内部分别形成所述第一磁化方向Aa、第二磁化方向Bb、第三磁化方向Cc和第四磁化方向Dd，从而可以记录所述第一数据“0”、第二数据“1”、第三数据“2”和第四数据“3”。当然所述写驱动电路还可以将其他数据转换成存储电信号，并将所述存储电信号接入至所述第三写入部。
本实施例中，所述模数转换电路32将所述读取电信号转换成表示所述第一数据“0”、第二数据“1”、第三数据“2”和第四数据“3”的数字信号。具体的，当所述第一读取装置41根据识别所述第一磁化方向Aa和所述第二磁化方向Bb的方向变化，产生所述读取电信号，同时将所述读取电信号传递至所述模数转换电路42，所述模数转换电路42将所述读取电信号转换成所述第一数据“0”和第二数据“1”的数字信号；当所述第二读取装置42根据识别所述第三磁化方向Cc和所述第四磁化方向Dd的方向变化，产生所述读取电信号，同时将所述读取电信号传递至所述模数转换电路42，所述模数转换电路42将所述读取电信号转换成表示所述第三数据“2”和第四数据“3”的数字信号。当然，在其他实施方式中，若所述多个磁畴中还存在不同方向的第五磁化方向和第六磁化方向记录数据，则还可以利用第三读取装置识别所述第五磁化方向和第六磁化方向，并产生读取电信号，将所述读取电信号传递至所述模数转换电路，所述模数转换电路进而根据所述读取电信号转换成表示第五数值和第六数值的数字信号。
请参阅图3，本发明还提供一种信息存储方法。所述信息存储方法运用所述磁性存储装置100。所述信息存储方法包括步骤：
101：所述驱动装置30输入驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述磁性存储装置100中的磁畴移动。
本实施方式中，当所述磁性存储装置100需要写入数据时，对所述驱动装置30输入驱动信号，所述驱动装置30通过对所述磁性存储轨道10发送电流脉冲，从而驱动所述磁畴移动。
102：当所述磁畴移动至所述第一写装置21处时，所述第一写装置21向所述磁畴中写入第一数据或第二数据，其中，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表示，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反。
此步骤中，当磁畴移动至所述第一写装置21时，所述第一写入装置21发射所述第一感应磁场A或所述第二感应磁场B。所述第一感应磁场A或所述第二感应磁场B对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第一磁化方向Aa或第二磁化方向Bb，所第一磁化方向Aa表示所述第一数据，所述第二磁化方向Bb表示所述第二数据。本实施例中，当所述第一磁畴1移动至所述第一写装置21处时，所述第一磁畴1内产生所述第一磁化方向Aa，所述第一磁畴1记录所述第一数据。当所述第二磁畴2移动至所述第一写装置21处时，所述第二磁畴2内产生所述第二磁化方向Bb，所述第二磁畴2记录所述第二数据。
103：当所述磁畴移动至所述第二写装置22处时，所述第二写装置22向所述磁畴中写入第三数据或第四数据，其中，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同。
此步骤中，当磁畴移动至所述第二写装置22处时，所述第二写入装置22发射所述第三感应磁场C或所述第四感应磁场D。所述第三感应磁场C或所述第四感应磁场D对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第三磁化方向Cc或第四磁化方向Dd。所第三磁化方向Cc表示所述第三数据，所述第四磁化方向Dd表示所述第四数据。当所述第三磁畴3移动至所述第二写装置22处时，所述第三磁畴3内产生所述第三磁化方向Cc，所述第三磁畴3记录所述第三数据。当所述第四磁畴4移动至所述第二写装置22处时，所述第四磁畴4内产生所述第四磁化方向Dd，所述第四磁畴4记录所述第四数据。
104：当所述磁畴移动至所述磁性存储装置100中的第一读取装置41处时，所述第一读取装置41读取所述第一数据或所述第二数据；
此步骤中，当磁畴移动至所述第一读取装置41处时，所述第一读取装置41识别所述第一磁化方向Aa或第二磁化方向Bb。本实施例中，当所述第一磁畴1移动至所述第一读取装置41处时，所述第一读取装置41根据识别所述第一磁化方向Aa方向变化，进而产生自身磁阻变化，从而读取所述第一数据。当所述第二磁畴2移动至所述第一读取装置41处时，所述第一读取装置41根据识别所述第二磁化方向Bb方向变化，进而产生自身磁阻变化，从而读取所述第二数据。
105：当所述磁畴移动至所述磁性存储装置中的第二读取装置处时，所述第二读取装置读取所述第三数据或所述第四数据；
其中，所述第一读取装置与所述第一写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第二读取装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧。
此步骤中，当磁畴移动至所述第二读取装置42处时，所述第二读取装置42识别所述第三磁化方向Cc或第四磁化方向Dd。本实施例中，当所述第三磁畴3移动至所述第二读取装置42时，所述第二读取装置42识别所述第三磁化方向Cc的方向变化，所述第二读取装置42的磁阻变化形成电流变化，从而读取所述第三数据。当所述第四磁畴4移动至所述第二读取装置42时，所述第二读取装置42识别所述第四磁化方向Dd的方向变化，所述第二读取装置42的磁阻变化形成电流变化，产生所述电信号，根据所述电信号获得所述第四数据。
本发明提供的所述磁性存储装置可以实现多值存储，提高了存储容量。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (8)

1.一种磁性存储装置，其特征在于，包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置以及驱动装置，其中：
所述磁性存储轨道，用于存储数据；
所述驱动装置，与所述磁性存储轨道连接，用于向所述磁性存储轨道发送驱动信号，驱动所述磁性存储轨道中的磁畴移动；
所述第一写装置与所述第二写装置分别位于所述磁性存储轨道的不同位置；
所述第一写装置用于向移动到所述第一写装置处的磁畴中写入第一数据或第二数据，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表示，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；
所述第二写装置用于向移动到所述第二写装置处的磁畴中写入第三数据或第四数据，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同；
其中，所述磁性存储装置还包括第一读取装置和第二读取装置，所述第一读取装置与所述第一写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第二读取装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，
所述第一读取装置，用于从移动到所述第一读取装置处的磁畴中读取所述第一数据或所述第二数据；
所述第二读取装置，用于从移动到所述第二读取装置处的磁畴中读取所述第三数据或所述第四数据。
2.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向以及所述第四磁化方向与磁畴壁所在平面平行。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的磁性存储装置，其特征在于：
所述第一写装置采用通电线圈产生相互反向的第一感应磁场和第二感应磁场，通过所述第一感应磁场或第二感应磁场对移动到所述第一写装置处的磁畴进行磁化，以产生所述第一磁化方向或第二磁化方向；
所述第二写装置采用通电线圈产生相互反向的第三感应磁场和第四感应磁场，通过所述第三感应磁场和第四感应磁场对移动到所述第二写装置处的磁畴进行磁化，以产生所述第三磁化方向和第四磁化方向。
4.根据权利要求1所述的磁性存储装置，其特征在于：
所述第一读取装置采用磁阻磁头识别所述第一磁化方向和第二磁化方向，以读取所述第一数据和所述第二数据；
所述第二读取装置采用磁阻磁头识别所述第三磁化方向和第四磁化方向，以读取所述第三数据和第四数据。
5.如权利要求4所述的磁性存储装置，其特征在于，所述磁性存储装置还包括写驱动电路和模数转换电路，所述写驱动电路电连接所述第一写装置和第二写装置，用于给定所述第一写装置或第二写装置电信号，所述模数转换电路电连接所述第一读取装置和第二读取装置，用于接收所述第一读取装置或第二读取装置的电信号，以识别所述第一磁化方向、第二磁化方向、第三磁化方向和第四磁化方向。
6.一种信息存储方法，其特征在于，运用磁性存储装置，其中，所述磁性存储装置包括磁性存储轨道、第一写装置、第二写装置以及驱动装置，所述第一写装置与所述第二写装置分别位于所述磁性存储轨道的不同位置，所述信息存储方法包括：
所述驱动装置输入驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述磁性存储装置中的磁畴移动；
当所述磁畴移动至所述第一写装置处时，所述第一写装置向所述磁畴中写入第一数据或第二数据，其中，所述第一数据由磁畴的第一磁化方向表示，所述第二数据由磁畴的第二磁化方向表示，所述第一磁化方向与所述第二磁化方向相反；
当所述磁畴移动至所述第二写装置处时，所述第二写装置向所述磁畴中写入第三数据或第四数据，其中，所述第三数据由磁畴的第三磁化方向表示，所述第四数据由磁畴的第四磁化方向表示，所述第三磁化方向与所述第四磁化方向相反，所述第一磁化方向、所述第二磁化方向、所述第三磁化方向和所述第四磁化方向互不相同；
其中，所述信息存储方法还包括：
当所述磁畴移动至所述磁性存储装置中的第一读取装置处时，所述第一读取装置读取所述第一数据或所述第二数据；
当所述磁畴移动至所述磁性存储装置中的第二读取装置处时，所述第二读取装置读取所述第三数据或所述第四数据；
其中，所述第一读取装置与所述第一写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧，所述第二读取装置与所述第二写装置位于所述磁性存储轨道的同一侧。
7.如权利要求6所述的信息存储方法，其特征在于，所述第一写装置向所述磁畴中写入第一数据或第二数据包括：
所述第一写装置产生第一感应磁场或第二感应磁场，所述第一感应磁场或所述第二感应磁场对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第一磁化方向或第二磁化方向，其中，所述第一磁化方向表示第一数据，所述第二磁化方向表示第二数据；
所述第二写装置向所述磁畴中写入第三数据或第四数据包括：
所述第二写装置产生第三感应磁场或第四感应磁场，所述第三感应磁场或所述第四感应磁场对所述磁畴进行磁化，以使所述磁畴产生所述第三磁化方向或第四磁化方向，其中，所述第三磁化方向表示第三数据，所述第四磁化方向表示第四数据。
8.如权利要求7所述的信息存储方法，其特征在于，所述第一读取装置读取所述第一数据或所述第二数据包括：
所述第一读取装置识别所述第一磁化方向或第二磁化方向；
所述第二读取装置读取所述第三数据或所述第四数据包括：
所述第二读取装置识别所述第三磁化方向或第四磁化方向。
CN201410340473.6A 2014-07-17 2014-07-17 磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法 Active CN105336357B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410340473.6A CN105336357B (zh) 2014-07-17 2014-07-17 磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法
EP15821453.6A EP3163578B1 (en) 2014-07-17 2015-07-13 Magnetic storage device and information storage method using same
KR1020177003640A KR101957867B1 (ko) 2014-07-17 2015-07-13 자기 저장 장치 및 이를 이용한 정보 저장 방법
JP2017502607A JP6335383B2 (ja) 2014-07-17 2015-07-13 磁気記憶装置及びそれを用いた情報記憶方法
PCT/CN2015/083881 WO2016008397A1 (zh) 2014-07-17 2015-07-13 磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法
US15/406,209 US9824739B2 (en) 2014-07-17 2017-01-13 Magnetic storage apparatus and information storage method using same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410340473.6A CN105336357B (zh) 2014-07-17 2014-07-17 磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105336357A CN105336357A (zh) 2016-02-17
CN105336357B true CN105336357B (zh) 2018-05-11

Family

ID=55077911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410340473.6A Active CN105336357B (zh) 2014-07-17 2014-07-17 磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9824739B2 (zh)
EP (1) EP3163578B1 (zh)
JP (1) JP6335383B2 (zh)
KR (1) KR101957867B1 (zh)
CN (1) CN105336357B (zh)
WO (1) WO2016008397A1 (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200303545A (en) * 2002-02-20 2003-09-01 Hewlett Packard Co A shared global word line magnetic random access memory
CN102044255A (zh) * 2009-10-14 2011-05-04 三星电子株式会社 磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法
TW201123183A (en) * 2009-12-29 2011-07-01 Ind Tech Res Inst Magnetic shift register memory

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3866567B2 (ja) * 2001-12-13 2007-01-10 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
US6834005B1 (en) * 2003-06-10 2004-12-21 International Business Machines Corporation Shiftable magnetic shift register and method of using the same
US6898132B2 (en) * 2003-06-10 2005-05-24 International Business Machines Corporation System and method for writing to a magnetic shift register
JP4868431B2 (ja) * 2003-10-10 2012-02-01 Ｔｄｋ株式会社 磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイス
KR100754394B1 (ko) * 2006-01-26 2007-08-31 삼성전자주식회사 마그네틱 도메인 드래깅을 이용하는 자성소자 유닛 및 그작동 방법
KR100718153B1 (ko) * 2006-02-17 2007-05-14 삼성전자주식회사 마그네틱 도메인 이동을 이용한 자기메모리
KR100754397B1 (ko) * 2006-02-22 2007-08-31 삼성전자주식회사 마그네틱 도메인 이동을 이용한 자기메모리
US7492622B2 (en) * 2007-01-12 2009-02-17 International Business Machines Corporation Sequence of current pulses for depinning magnetic domain walls
KR101288477B1 (ko) * 2007-08-10 2013-07-26 삼성전자주식회사 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치
KR100907471B1 (ko) * 2007-12-06 2009-07-13 고려대학교 산학협력단 나노선 및 이를 이용한 전류 인가 자벽 이동을 이용한메모리 소자
KR20090127705A (ko) * 2008-06-09 2009-12-14 삼성전자주식회사 라이트 백 루프를 구비하는 마그네틱 레이스트랙메모리장치
KR101431761B1 (ko) * 2008-06-24 2014-08-21 삼성전자주식회사 정보저장장치 및 그의 동작방법
KR101488832B1 (ko) * 2008-12-01 2015-02-06 삼성전자주식회사 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치 및 그의 동작방법
CN101763861B (zh) * 2009-12-11 2011-08-24 沈阳理工大学 单磁道每位四数码磁信息处理方法
JP5947657B2 (ja) * 2012-08-06 2016-07-06 日本放送協会 磁気記録媒体
CN104464758B (zh) * 2013-09-24 2017-10-27 华为技术有限公司 一种信息存储装置及方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200303545A (en) * 2002-02-20 2003-09-01 Hewlett Packard Co A shared global word line magnetic random access memory
CN102044255A (zh) * 2009-10-14 2011-05-04 三星电子株式会社 磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法
TW201123183A (en) * 2009-12-29 2011-07-01 Ind Tech Res Inst Magnetic shift register memory

Also Published As

Publication number Publication date
JP6335383B2 (ja) 2018-05-30
KR20170030597A (ko) 2017-03-17
JP2017529643A (ja) 2017-10-05
KR101957867B1 (ko) 2019-03-13
US20170133074A1 (en) 2017-05-11
CN105336357A (zh) 2016-02-17
US9824739B2 (en) 2017-11-21
EP3163578A1 (en) 2017-05-03
EP3163578A4 (en) 2017-07-26
EP3163578B1 (en) 2018-09-12
WO2016008397A1 (zh) 2016-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105074681B (zh) 用于存储器接口偏移信令的方法和装置
CN101859572B (zh) 垂直磁记录写***
KR970009765B1 (ko) 자성박막 메모리 및 그 기록 · 재생 방법
CN101299347B (zh) 利用磁畴壁移动的信息存储装置及其制造和操作方法
CN108492845B (zh) 一种基于磁性斯格明子的赛道存储器
CN101615423A (zh) 信息存储装置以及操作该装置的方法
CN109256160A (zh) 一种自旋轨道矩磁存储器读取方法
CN105336357B (zh) 磁性存储装置及运用该装置的信息存储方法
CN103959377B (zh) 电场写入型磁记录装置
CN101118751A (zh) 具有分路结构的垂直磁写头
CN104464758B (zh) 一种信息存储装置及方法
CN104851973A (zh) 一种利用电场写入数据的四态磁存储单元
EP1610387A4 (en) MEMORY CELL, MEMORY CELL MEMORY, MEMORY CELL MANUFACTURING METHOD AND MEMORY RECORDING / READING PROCEDURE
TW200522071A (en) Magnetic random access memory with high selectivity and low power and production method thereof
JPS6013115Y2 (ja) 磁気バブルを使用したカセツト型記憶装置
JPH0973773A (ja) 情報記録媒体とその記録方法
CN205238914U (zh) 一种用于法律书籍的多功能书签
CN103488963A (zh) 一种解析磁卡信号的方法和装置
KR100846504B1 (ko) 자구벽 이동을 이용한 정보 저장 장치
CN105097007B (zh) 磁性存储装置及方法
JPH08287199A (ja) 雑音低減非接触並列データ転送装置およびその方法
CN201993921U (zh) 即输即入式电子板书录入装置
GB1077653A (en) Magnetic information storage element
CN203311439U (zh) 三合一m1门票卡读写器
CN105469820A (zh) 一种磁性存储装置、磁性存储阵列结构及其驱动方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant