CN105335032B - 一种内嵌式自电容触控基板、面板及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了内嵌式自电容触控基板，利用自电容复用的原理复用公共电极作为自电容电极，将第三导电层设置于垂直于玻璃基板所在平面的方向上的公共电极层、所述像素电极层两层结构之外，且在垂直于玻璃基板所在平面的方向上的第二导电层、第三导电层之间增加一ITO层。本发明还公开了一种内嵌式自电容触控面板、一种内嵌式自电容触控基板的制作方法。通过上述方式，本发明可以实现降低显示单元驱动电压，并减少功耗。

Description

一种内嵌式自电容触控基板、面板及制作方法

技术领域

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种内嵌式自电容触控基板、面板及制作方法。

背景技术

在液晶显示技术领域，内嵌式(In-cell)触控屏因在显示屏内部与ITO一体形成，在减少显示屏的厚度及提高穿透率方面拥有显著的优势。能够实现更薄的机身和较佳的用户体验，适用领域广泛，用户群不断增多。

内嵌式触控屏主要分为自电容和互电容两种方式。自电容是指在玻璃表面用ITO制作成横向与纵向电极阵列，这些横向和纵向的电极分别与地构成的电容，也就是电极对地的电容。当手指触摸到电容屏时，手指的电容将会叠加到触控屏的屏体电容上，使屏体电容量增加。通过检测到的电压的变化，检测触控点的具***置。

现有技术中，内嵌式自电容触控面板中公共电极层与像素电极层之间厚度较大，电容容量随之变大，同样电场情况下需要的显示单元驱动电压增大，功耗增加。

发明内容

本发明解决的技术问题是针对现有技术中存在的显示单元驱动电压较大的问题，提供一种内嵌式自电容触控基板、面板及制作方法，用于解决现有技术中显示单元驱动电压较大，功耗增加的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供的一个技术方案是：提供一种内嵌式自电容触控基板，包括：玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层；公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层设置于玻璃基板上，且均不同层设置；第一导电层、第二导电层其中之一连接像素电极层，并且第一导电层、第二导电层是驱动像素电极层的开关元件的构成部分；公共电极层与像素电极层沿玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，第三导电层在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于公共电极层、像素电极层两层结构之外，并连接公共电极以作为自电容触控的信号线。

其中，第三导电层位于公共电极层、像素电极层两层结构与玻璃基板之间。

其中，第一导电层、第二导电层以及第三导电层均为金属导电层，且在玻璃基板上沿垂直于玻璃基板所在平面的方向上依序间隔设置。

其中，内嵌式自电容触控基板进一步包括在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于第二导电层、第三导电层之间的ITO层，ITO层与第三导电层接触。

其中，第二导电层包括分别作为开关元件输入端、开关元件输出端的第一电极部分、第二电极部分，第二电极部分与公共电极层、第三导电层均沿玻璃基板所在平面的方向错开，并且连接像素电极。

为了解决上述技术问题，本发明提供的另一个技术方案是：提供一种内嵌式自电容触控面板，包括：间隔设置的第一基板和第二基板，第一基板位于用户触控操作一侧；第二基板包括玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层；公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层设置于玻璃基板的朝向第一基板一侧，且均不同层设置；第一导电层、第二导电层其中之一连接像素电极层，并且第一导电层、第二导电层是驱动像素电极层的开关元件的构成部分；公共电极层与像素电极层沿玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，第三导电层在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于公共电极层、像素电极层两层结构之外，并连接公共电极以作为自电容触控的信号线。

其中，第一导电层、第二导电层以及第三导电层均为金属导电层，且在玻璃基板上沿垂直于玻璃基板所在平面的方向上依序间隔设置；内嵌式自电容触控基板进一步包括在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于第二导电层、第三导电层之间的ITO层，ITO层与第三导电层接触。

其中，第二导电层包括分别作为开关元件输入端、开关元件输出端的第一电极部分、第二电极部分，第二电极部分与公共电极层、第三导电层均沿玻璃基板所在平面的方向错开，并且连接像素电极。

为了解决上述技术问题，本发明提供的另一个技术方案是：提供一种内嵌式自电容触控基板的制作方法，包括：准备玻璃基板；在玻璃基板上分别形成不同层设置的公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层，并且使得第一导电层、第二导电层其中之一连接像素电极层，第一导电层、第二导电层是驱动像素电极层的开关元件的构成部分；公共电极层与像素电极层沿玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，第三导电层在垂直于玻璃基板所在平面的方向上位于公共电极层、像素电极层两层结构之外，并连接公共电极以作为自电容触控的信号线。

其中，第一导电层、第二导电层、第三导电层的形成方法包括：在玻璃基板上依序形成第一导电层、第二导电层；在第二导电层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第三导电层，第三导电层与第二导电层沿玻璃基板所在平面的方向至少部分错开；在第二导电层与第三导电层错开区域对应的第一绝缘层上开设贯穿孔，使第二导电层至少部分暴露，贯穿孔用作第二导电层连接像素电极层的通道。

以上可知，第三导电层并不位于垂直于玻璃基板所在平面的方向上的公共电极层和像素电极层之间，而位于公共电极层、像素电极层两层结构之外，使得公共电极层和像素电极层之间在垂直于玻璃基板所在平面的方向上的距离变小，使得公共电极层与像素电极层之间的电容值降低，在相同电场下驱动公共电极与像素电极的电压降低。由此，实现显示单元驱动电压和功耗的降低。

附图说明

图1是本发明内嵌式自电容触控基板第一实施例的部分截面示意图；

图2是本发明内嵌式自电容触控基板第二实施例的部分截面示意图；

图3是本发明内嵌式自电容触控面板第一实施例的部分截面示意图；

图4是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第一实施例的流程图；

图5是按照图4所示方法制作的内嵌式自电容触控基板的部分截面示意图；

图6是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的遮挡层形成示意图；

图7是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的半导体层层形成示意图；

图8是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的半导体层掺杂示意图；

图9是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第二绝缘层、第一导电层的形成示意图；

图10是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的抗压复合层形成示意图；

图11是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第二导电层形成示意图；

图12是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第三导电层和ITO层成膜示意图；

图13是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第三导电层和ITO层图形化示意图；

图14是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的第一绝缘层图形化示意图；

图15是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的ITP层形成示意图；

图16是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的公共电极层形成示意图；

图17本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的自电容示意图；

图18是本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例的PV层和公共电极层形成示意图。

具体实施方式

参阅图1，本发明内嵌式自电容触控基板的第一实施例包括：玻璃基板110、公共电极层160、像素电极层150、第一导电层120、第二导电层130以及第三导电层140；公共电极层160、像素电极层150、第一导电层120、第二导电层130以及第三导电层140设置于玻璃基板110上，且均不同层设置；第一导电层120、第二导电层130其中之一连接像素电极层150，并且第一导电层120、第二导电层130是驱动像素电极层150的开关元件的构成部分；公共电极层160与像素电极层150沿玻璃基板110所在平面的方向至少部分错开，第三导电层140在垂直于玻璃基板110所在平面的方向上位于公共电极层160、像素电极层两层150结构之外，并连接公共电极160以作为自电容触控的信号线。

进一步，第一导电层120、第二导电层130及第三导电层140在玻璃基板110上沿垂直于玻璃基板110所在平面的方向上依序间隔设置，且第一导电层120、第二导电层130及第三导电层140均为金属导电层。第一导电层120或第二导电层130与像素电极层150相连，第一导电层120、第二导电层130是驱动像素电极层150的开关元件的构成部分，即分别构成源极或漏极；公共电极层160与像素电极层150沿玻璃基板所在平面的方向部分错开，以便于第二导电层130通过贯穿孔133与像素电极层150相连接。

第三导电层140在垂直于玻璃基板110所在平面的方向上位于公共电极层160、像素电极层150两层结构之外，第三导电层140并不位于垂直于玻璃基板110所在平面的方向上的公共电极层06和像素电极层150之间，优选地第三导电层140位于公共电极层160、像素电极层150两层结构与玻璃基板110之间。

公共电极层160一方面与像素电极层150一起用于引起液晶分子扭曲向列的电场效应，以控制光源的透射或遮蔽，用于发光；另一方面，公共电极层160还作为自电容触控使用。

由以上实施例可知，第三导电层140并不位于垂直于玻璃基板110所在平面的方向上的公共电极层160和像素电极层150之间，而位于公共电极层160、像素电极层150两层结构之外，使得公共电极层160和像素电极层150之间在垂直于玻璃基板110所在平面的方向上的距离变小，公共电极层160与像素电极层150之间的电容值降低，在相同电场下驱动公共电极层160与像素电极层150的电压降低。由此，实现显示单元驱动电压和功耗的降低。

参阅图2，本发明内嵌式自电容触控基板的第二实施例是在第一实施例的基础上的改进，内嵌式自电容触控基板进一步包括在垂直于所述玻璃基板310所在平面的方向上位于所述第二导电层330、第三导电层340之间的ITO层370，ITO层370与所述第三导电层340接触。在第二导电层330上形成第一绝缘层380，由于第三导电层340与第一绝缘层380的接触质量较差，ITO层370作为缓冲层以提高第三导电层340与第一绝缘层380的接触质量。

进一步，第二导电层330包括作为开关元件输入端的第一电极331和作为开关元件输出端的第二电极332，第二电极部分332与公共电极层360、第三导电层340均沿玻璃基板310所在平面的方向错开，以便于第二电极332通过贯穿孔333与像素电极层350相连接，保证像素电极350能够与电源导通。

参阅图3本发明内嵌式自电容触控面板的第一实施例中，包括：间隔设置的第一基板41和第二基板42，第一基板41位于用户触控操作一侧；第二基板42包括玻璃基板410、公共电极层460、像素电极层450、第一导电层420、第二导电层430以及第三导电层440；公共电极层460、像素电极层450、第一导电层420、第二导电层430以及第三导电层440设置于玻璃基板410的朝向第一基板41一侧，且均不同层设置；第一导电层0420、第二导电层430其中之一连接像素电极层450，并且第一导电层420、第二导电层430是驱动像素电极层450的开关元件的构成部分；公共电极层460与像素电极层450沿玻璃基板410所在平面的方向至少部分错开，第三导电层440在垂直于玻璃基板410所在平面的方向上位于公共电极层460、像素电极层两层450结构之外，并连接公共电极460以作为自电容触控的信号线。

第一导电层420或第二导电层430与像素电极层450相连，第一导电层420、第二导电层430是驱动像素电极层450的开关元件的构成部分，即分别构成源极或漏极；公共电极层460与像素电极层450沿玻璃基板410所在平面的方向部分错开，以便于第二导电层430通过贯穿孔433与像素电极层450相连接。

第三导电层440在垂直于玻璃基板410所在平面的方向上位于公共电极层460、像素电极层450两层结构之外，第三导电层440并不位于垂直于玻璃基板410所在平面的方向上的公共电极层460和像素电极层450之间，优选地第三导电层440位于公共电极层460、像素电极层450两层结构与玻璃基板410之间。

公共电极层460一方面与像素电极层450一起用于引起液晶分子扭曲向列的电场效应，以控制光源的透射或遮蔽，用于发光；另一方面，公共电极层460还作为自电容触控使用。

第一导电层420、第二导电层430以及第三导电层440均为金属导电层，且在玻璃基板410上沿垂直于玻璃基板410所在平面的方向上依序间隔设置；且内嵌式自电容触控面板还进一步包括在垂直于所述玻璃基板410所在平面的方向上位于所述第二导电层430、第三导电层440之间的ITO层470，ITO层470与所述第三导电层440接触。在第二导电层430上形成第一绝缘层480，由于第三导电层440与第一绝缘层480的接触质量较差，ITO层470作为缓冲层以提高第三导电层440与第一绝缘层480的接触质量。

第二导电层430包括作为开关元件输入端的第一电极431和作为开关元件输出端的第二电极432，第二电极432部分与公共电极层460、第三导电层440均沿玻璃基板410所在平面的方向错开，以便于第二电极432通过贯穿孔433与像素电极层450相连接，保证像素电极450能够与电源导通。

由以上实施例可知，第三导电层440并不位于垂直于玻璃基板410所在平面的方向上的公共电极层460和像素电极层450之间，而位于公共电极层460、像素电极层450两层结构之外，使得公共电极层460和像素电极层450之间在垂直于玻璃基板410所在平面的方向上的距离变小，公共电极层460与像素电极层450之间的电容值降低，在相同电场下驱动公共电极层460与像素电极层450的电压降低。由此，实现显示单元驱动电压和功耗的降低。

参阅图4和图5，本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第一实施例包括：

步骤S10：准备玻璃基板510；

步骤S20：在玻璃基板510上分别形成不同层设置的公共电极层630、像素电极层650、第一导电层550、第二导电层570以及第三导电层610，并且使得第一导电层550、第二导电层570其中之一连接像素电极层650，第一导电层550、第二导电层570是驱动像素电极层650的开关元件的构成部分；公共电极层630与像素电极层650沿玻璃基板510所在平面的方向至少部分错开，第三导电层610在垂直于玻璃基板510所在平面的方向上位于公共电极层630、像素电极层650两层结构之外，并连接公共电极630以作为自电容触控的信号线。

第一导电层550或第二导电层570与像素电极层650相连，第一导电层550、第二导电层570是驱动像素电极层650的开关元件的构成部分，即分别构成源极或漏极；公共电极层630与像素电极层650沿玻璃基板510所在平面的方向部分错开，以便于第二导电层570通过贯穿孔581与像素电极层650相连接。

第三导电层610在垂直于玻璃基板510所在平面的方向上位于公共电极层630、像素电极层650两层结构之外，第三导电层610并不位于垂直于玻璃基板510所在平面的方向上的公共电极层630和像素电极层650之间，优选地第三导电层610位于公共电极层630、像素电极层650两层结构与玻璃基板510之间。

公共电极层630一方面与像素电极层650一起用于引起液晶分子扭曲向列的电场效应，以控制光源的透射或遮蔽，用于发光；另一方面，公共电极层630还作为自电容触控使用。

第一导电层550、第二导电层570、第三导电层610的形成方法包括：在玻璃基板510上依序形成第一导电层550、第二导电层570；在第二导电层570上形成第一绝缘层580；在第一绝缘层580上形成第三导电层610，第三导电层610与第二导电层570沿玻璃基板510所在平面的方向至少部分错开；在第二导电层570与第三导电层610错开区域对应的第一绝缘层580上开设贯穿孔581，使第二导电层570至少部分暴露，贯穿孔581用作第二导电层570连接像素电极层650的通道。

第三导电层610与第二导电层570沿玻璃基板510所在平面的方向至少部分错开以便于在第二导电层570与第三导电层610错开区域对应的第一绝缘层580上开设贯穿孔581，部分暴露第二导电层570，从而第二导电层570通过贯穿孔与像素电极层650相连接。

由以上实施例可知，第三导电层610并不位于垂直于玻璃基板510所在平面的方向上的公共电极层630和像素电极层650之间，而位于公共电极层630、像素电极层650两层结构之外，使得公共电极层630和像素电极层650之间在垂直于玻璃基板510所在平面的方向上的距离变小，公共电极层630与像素电极层650之间的电容值降低，在相同电场下驱动公共电极层630与像素电极层650的电压降低。由此，实现显示单元驱动电压和功耗的降低。

本发明内嵌式自电容触控基板的制作方法第二实施例包括：

S211：参阅图6，准备玻璃基板510，并在玻璃基板510上形成遮挡层520，以防止光电流，降低漏电；

S212：参阅图7和图8，在遮挡层520上形成半导体层530’，半导体层530’在图形化和掺杂后形成半导体层530；

S213：参阅图9，在半导体层530上形成第二绝缘层540，再进行第二绝缘层540的成膜，在第二绝缘层540上设置第一导电层550；

S214：参阅图10，在第一导电层550上形成抗压复合层560，并对抗压复合层560成膜和图形化；

S215：参阅图11，第二导电层570形成于抗压复合层560上，且通过抗压复合层560和第二绝缘层540上形成的凹槽与半导体层530连接，以形成驱动像素电极的开关元件TFT；

S216：参阅图12，在第二导电层570上依次设置第一绝缘层580、ITO层590和第三导电层610；

在第二导电层570、第三导电层610之间垂直于所述玻璃基板510所在平面的方向上设置ITO层590，ITO层590与第三导电层610接触。由于第三导电层610与第一绝缘层580的接触质量较差，ITO层590作为缓冲层以提高第三导电层610与第一绝缘层580的接触质量；

S217：参阅图13和图14，先进行第三导电层610和ITO层590的图形化，再进行第一绝缘层580图形化，在第一绝缘层580上形成贯穿孔581；

若第一绝缘层580、ITO层590和第三导电层610依次图形化，第三导电层610的蚀刻会损坏贯穿孔处暴露的第二导电层570，且贯穿孔581处暴露的第二导电层570的损坏会影响像素电极650和第二导电层570的接触。

S218：参阅图15，在第三导电层610上形成ITP层620；

S219：参阅图16和图17，在ITP层620上形成公共电极层630，并进行成膜和图形化；

如图18所示公共电极层630通过第三电极层610上的导通孔611与第三电极610相连接，从而形成本发明中的自电容；

S220：参阅图18，在公共电极层630上形成PV层640，并在PV层640上形成像素电极层650，像素电极650通过贯穿孔581与第二导电层相连接。

在制作过程中，先蚀刻第三导电层610和ITO层590，然后在第一绝缘层580上开设贯穿孔581，由此在蚀刻第三导电层610时贯穿孔581未形成，蚀刻第三导电层610的溶液不会对第二导电层570造成影响，从而防止对第二导电层570的过蚀刻。

从以上实施例可知，第三导电层610并不位于垂直于玻璃基板510所在平面的方向上的公共电极层630和像素电极层650之间，而位于公共电极层630、像素电极层650两层结构之外，使得公共电极层630和像素电极层650之间在垂直于玻璃基板510所在平面的方向上的距离变小，公共电极层630与像素电极层650之间的电容值降低，在相同电场下驱动公共电极层630与像素电极层650的电压降低。由此，实现显示单元驱动电压和功耗的降低。此外，在第二导电层570、第三导电层610之间垂直于所述玻璃基板510所在平面的方向上设置ITO层590，ITO层590与第三导电层610接触。由于第三导电层610与第一绝缘层580的接触质量较差，ITO层590作为缓冲层以提高第三导电层610与第一绝缘层580的接触质量。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种内嵌式自电容触控基板，其特征在于，

包括：玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、绝缘层以及ITO层；

所述公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层设置于所述玻璃基板上，且均不同层设置；

所述第二导电层包括第一电极部分和第二电极部分，所述第二电极部分连接所述像素电极层，并且所述第一导电层、第二导电层是驱动所述像素电极层的开关元件的构成部分；

所述公共电极层与所述像素电极层沿所述玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，所述第三导电层设置于所述绝缘层上，所述第三导电层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上位于所述公共电极层、所述像素电极层两层结构之外，并连接所述公共电极以作为所述自电容触控的信号线；所述ITO层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上位于所述第二导电层和所述第三导电层之间，所述ITO层与所述第三导电层接触；

其中，所述公共电极层、所述第三导电层、所述ITO层以及所述第一电极部分在所述玻璃基板所在平面的方向上的投影重合。

2.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控基板，其特征在于，

所述第三导电层位于所述公共电极层、所述像素电极层两层结构与所述玻璃基板之间。

3.根据权利要求1所述的内嵌式自电容触控基板，其特征在于，

所述第一导电层、第二导电层以及第三导电层均为金属导电层，且在所述玻璃基板上沿垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上依序间隔设置。

4.根据权利要求3所述的内嵌式自电容触控基板，其特征在于，

所述第一电极部分和所述第二电极部分分别作为所述开关元件的输入端和输出端，所述第二电极部分与所述公共电极层、所述第三导电层均沿所述玻璃基板所在平面的方向错开。

5.一种内嵌式自电容触控面板，其特征在于，

包括间隔设置的第一基板和第二基板，所述第一基板位于用户触控操作一侧；

所述第二基板包括玻璃基板、公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、绝缘层以及ITO层；

所述公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层以及第三导电层设置于所述玻璃基板的朝向所述第一基板一侧，且均不同层设置；

所述第二导电层包括第一电极部分和第二电极部分，所述第二电极部分连接所述像素电极层，并且所述第一导电层、第二导电层是驱动所述像素电极层的开关元件的构成部分；

所述公共电极层与所述像素电极层沿所述玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，所述第三导电层设置于所述绝缘层上，所述第三导电层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上位于所述公共电极层、所述像素电极层两层结构之外，并连接所述公共电极以作为所述自电容触控的信号线；所述ITO层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上位于所述第二导电层、第三导电层之间，所述ITO层与所述第三导电层接触；

其中，所述公共电极层、第三导电层、所述ITO层以及所述第一电极部分在所述玻璃基板所在平面的方向上的投影重合。

6.根据权利要求5所述的内嵌式自电容触控面板，其特征在于，

所述第一导电层、第二导电层以及第三导电层均为金属导电层，且在所述玻璃基板上沿垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上依序间隔设置。

7.根据权利要求5所述的内嵌式自电容触控面板，其特征在于，

所述第一电极部分和所述第二电极部分分别作为所述开关元件输入端和输出端，所述第二电极部分与所述公共电极层、所述第三导电层均沿所述玻璃基板所在平面的方向错开。

8.一种内嵌式自电容触控基板的制作方法，其特征在于，包括：

准备玻璃基板；

在所述玻璃基板上分别形成不同层设置的公共电极层、像素电极层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及ITO层，其中，所述第二导电层被刻蚀成第一电极部分和第二电极部分，所述第二电极部分连接所述像素电极层，所述第一导电层、第二导电层是驱动所述像素电极层的开关元件的构成部分；

所述公共电极层与所述像素电极层沿所述玻璃基板所在平面的方向至少部分错开，所述第三导电层设置于所述第一绝缘层上，所述第三导电层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上位于所述公共电极层、所述像素电极层两层结构之外，并连接所述公共电极以作为所述自电容触控的信号线；所述ITO层在垂直于所述玻璃基板所在平面的方向上位于所述第二导电层和所述第三导电层之间，所述ITO层与所述第三导电层接触；

其中，所述公共电极层、所述第三导电层、所述ITO层以及所述第一电极部分在所述玻璃基板所在平面的方向上的投影重合。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层、第三导电层的形成方法包括：

在所述玻璃基板上依序形成所述第一导电层、第二导电层；

在所述第二导电层上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第三导电层，所述第三导电层与所述第二导电层沿所述玻璃基板所在平面的方向至少部分错开；

在所述第二电极部分与所述第三导电层错开区域对应的所述第一绝缘层上开设贯穿孔，使所述第二电极部分至少部分暴露，所述贯穿孔用作所述第二电极部分连接所述像素电极层的通道。