CN105321956A - 柔性显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种柔性显示装置。该柔性显示装置包括：基板，在该基板上布置有复数个信号线；设置在基板上的晶体管，该晶体管包括栅电极、源电极以及漏电极；以及第二电极，该第二电极设置为与连接至晶体管的源电极或漏电极的第一电极对应，其中所述复数个信号线、栅电极、源电极、漏电极以及第二电极中的至少之一由具有金属纳米线结构和聚合物物质的导体形成，金属纳米线结构设置在聚合物物质中。还讨论了制造该柔性显示装置的方法。

Description

柔性显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年8月5日提交的韩国专利申请第10-2014-0100372号的优先权和权益，其通过引用并入本文中用于所有目的就好像在本文中完全阐述一样。
技术领域
本发明的实施方案涉及柔性显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对于用于显示图像的显示装置的各种类型的需求日益增加，近来，各种显示装置例如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)以及有机发光二极管显示装置(OLED)正得到使用。
近来，缺少柔性的常规玻璃基板已被使用柔性材料(例如塑料)的柔性显示装置或可折叠显示装置快速替代，使得即使在被像纸一样弯曲时，它们也可以保持显示性能。
这样的柔性显示装置的问题在于：由于其被外力反复地弯曲和折叠，所以其金属图案(例如布线)的粘合性、导电性、表面均匀性、耐用性、可靠性等可劣化。
发明内容
本发明的实施方案的一个方面是提供一种提高其导体(例如布线)的粘合性、导电性、表面均匀性、耐用性以及可靠性并且降低制造成本的显示装置。
根据本发明实施方案的一个方面，提供一种柔性显示装置，包括：基板，在该基板上布置有复数个信号线；设置在基板上的晶体管，该晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；以及第二电极，该第二电极设置为与连接至晶体管的源电极或漏电极的第一电极对应。
在该柔性显示装置中，形成在基板上的所述复数个信号线、栅电极、源电极、漏电极以及第二电极中的至少之一可以实现为包括金属纳米线结构和聚合物物质的导体，该金属纳米线结构设置在该聚合物物质中。
根据本发明实施方案的另一方面，提供一种制造柔性显示装置的方法，该方法包括：在基板上或位于基板上的绝缘膜上设置具有粘合性的聚合物物质；将复数个金属纳米线设置到聚合物物质上；以及通过将复数个金属纳米线彼此交叉连接使得金属纳米线结构形成在聚合物物质中，来形成包括金属纳米线结构和聚合物物质的导体。
根据本发明的实施方案的另一方面，提供一种柔性显示装置，包括：基板；以及位于基板上的导体，该导体包括金属纳米线结构和聚合物物质，金属纳米线结构设置在聚合物物质中。
该导体可以是布置在基板上的晶体管的源电极、漏电极和栅电极、布置在基板上的信号线和公共电极中的至少之一。聚合物物质可以由与基板相同的物质制成。
本发明的实施方案的优点在于：其提高了导体(例如布线)的附接强度、导电性、表面均匀性、耐用性和可靠性，并且降低了制造成本。
附图说明
结合附图，通过下面的详细描述，本发明的以上和其他目的、特征和优点将变得明显，其中：
图1是示出形成在根据本发明实施方案的柔性显示装置上的导体的一部分的示意性透视图；
图2是根据本发明一个实施方案的柔性OLED的示意性顶视图；
图3是沿图2的根据本发明一个实施方案的柔性OLED的沿A-A′截取的截面图；
图4是沿图2的根据本发明一个实施方案的柔性OLED的沿B-B′截取的截面图；
图5A至图5E示意性示出一种制造形成在根据本发明另一实施方案的柔性显示装置上的导体的方法；
图6示出用于形成根据本发明另一实施方案的柔性显示装置的金属纳米线结构的过程的示意性顶视图；以及
图7A是示出根据本发明另一实施方案的柔性显示装置的电阻与弯曲循环之间的关系，图7B是与图7A的图对应的表。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方案。在下面的描述中，在整个附图中用相同的附图标记指代相同的元件，即使它们示出于不同的附图中也如此。此外，在本发明的实施方案的以下描述中，当认为对本文中引入的已知功能和结构的多余的详细描述使本发明的主体思想不明确时，将其省略。
此外，当描述本发明的元件时，在本文中可以使用表述例如第一、第二、A、B、(a)、(b)等。这些表述仅用于将一个结构元件与其他结构元件进行区分，而不限制对应结构元件的特性、序列或顺序等。应注意的是，如果在说明书中描述一个元件与另一元件“连接”、“耦接”或“接合”，则虽然第一元件可以与第二元件直接连接、耦接或接合，但可以在第一元件与第二元件之间“连接”、“耦接”或“接合”有第三元件。同样地，当描述某一元件形成在另一元件“上”或“下方”时，应该理解，该某一元件可以直接地或经由又一元件间接地形成在该另一元件上或下方。
图1是示出形成在根据本发明的实施方案的柔性显示装置上的导体的一部分的示意性截面图和顶视图。
图1示出导体180的一部分的x方向截面图和y方向顶视图，参照图1，导体180可以包括具有粘合性的聚合物物质182和***聚合物物质182中的金属纳米线结构184。金属纳米线结构184包括彼此交叉连接的复数个金属纳米线。金属纳米线结构184可以是银纳米线结构，但不限于此。
金属纳米线一般指导电的纳米尺寸结构，其至少之一可以具有小于500nm、例如小于100nm或50nm的尺寸(即宽度或直径)，但该尺寸不限于此。
纳米结构可以由任何导电材料制成。例如，金属纳米线可以由包括单质金属(例如过渡金属)或金属化合物(例如金属氧化物)的金属材料制成。金属材料可以是包括至少两种类型的金属或金属合金的双金属材料。适合的金属包括银、金、铜、镍、电镀银、铂和钯，但不限于此。应注意的是，虽然关于银纳米线进行了描述，但是可以使用任何物质。
如图1所示，金属纳米线结构184***聚合物物质182中。此外，金属纳米线结构184构造成使得复数个金属纳米线在至少一点处电连接至不同的金属纳米线。
这确保了疲劳断裂的可靠性，即当包括在柔性显示装置中时，导体180可以承受反复的弯曲或折叠。金属纳米线结构184的交叉连接结构使得在反复弯曲和折叠的情况下断裂的发生率减小，并且确保了极好的耐用性和可靠性。
此外，金属纳米线结构184与聚合物物质182之间的耦接结构或相互作用提高了金属纳米线结构184的表面均匀性，有利地使得无需堆叠平坦化层用于表面平坦化。因此，可以减小整体的显示装置200的面板的厚度。
当金属纳米线结构184为银纳米线结构时，银(Ag)的高导电性确保了高水平的导电特性。此外，多个银纳米线的接合可以使导电损耗最小化，即使当纳米线的任何部分在弯曲或折叠的过程中断裂时也是如此。
金属纳米线结构184可以是无规则的非线性类型。这是因为在接合纳米线的过程中在金属纳米线之间进行了不规则的耦接。稍后将对此进行更具体描述。
同时，聚合物物质182可以由具有粘合性的基于塑料的物质例如聚酰亚胺制成，并且可以是例如通过选自ODA(4，4′-氧联二苯胺)、BDSA(4，4′-二氨基联苯-2，2′-二磺酸)、HFBAPP(2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷)和AHHFP(2，2-双(3-氨基-4-羟苯基)六氟丙烷)中的至少一种化合物与选自BTDA(3-3′-4，4′-二苯甲酮四羧酸二酐)、TMA(偏苯三酸酐)和ODPA(4，4′-氧双邻苯二甲酸酐)中的至少一种化合物之间的反应形成的基于聚酰亚胺的化合物；并且聚合物物质182可以具有能够通过氢键来提高粘合性的亲水官能团，但不限于此。
基于聚酰亚胺的聚合物物质182的优点在于：其具有粘合性和足以防止在施加热的过程期间发生变形或变质的强的耐热性，并且提供了具有柔性的显示装置。
同时，聚合物物质182可以由与作为聚合物物质182的下层的基板或与绝缘膜相同的物质制成，从而提高相对于基板或绝缘膜的粘合性。这可以进一步提高柔性显示装置的耐用性和可靠性。
在导体180应用于柔性显示装置的情况下，聚合物物质182需要具有低水平的硬度，以应对弯曲或折叠。
现在将以上描述总结如下：为了提供具有柔性的柔性显示装置，通过将金属纳米线结构***具有粘合性的聚合物物质中来实现柔性显示装置内部的导体180。
形成在基板上的晶体管的源电极、漏电极和栅电极、形成在基板上的信号线、公共电极(例如LCD的公共电压电极、OLED的阴极电极)等中的一种可以形成为上述导体180。
此外，关于柔性显示装置，当以外挂式将触摸屏面板附接至显示面板时，或者当以外嵌(on-cell)型或内嵌(in-cell)型将触摸屏面板嵌入显示面板时，可以形成在触摸屏面板上的或者可以形成在结合触摸屏面板以沿横向或纵向伸长或者以成为大的块体的显示面板上的触摸电极可以形成为上述结构的导体180，以提供具有柔性的柔性显示装置。
除此之外，上述结构的导体180可以应用于柔性显示装置内部的任何导电图案，以增加柔性。
下文中，将描述包括参照图1描述的导体的柔性OLED。应注意的是，这样的假设仅为了描述的方便，并且本发明的实施方案不仅可以应用于OLED，而且可以应用于其他柔性显示装置例如柔性LCD。
图2是根据本发明的一个实施方案的柔性OLED的示意性顶视图。
参照图2，OLED200可包括：其上布置有复数个信号线210、212、214、216、218的基板；形成在基板上的晶体管T21、T22、T23，该晶体管包括栅电极214′、216、228、源电极210′、212′、226、以及漏电极222、225；以及第二电极，其形成为与连接至晶体管T21、T22、T23的源电极210′、212′、226或漏电极222、225的第一电极230对应。
柔性OLED200可以采用顶部发光方案或底部发光方案。
具体地，基板由多个像素区域PA构成，每个像素区域PA由发光区域EA和电路区域CA构成。
存在多个像素区域PA，并且每个电路区域CA包括三个晶体管T21、T22、T23、第一线至第五线210、212、214、216、218、存储电容器Cstg等。每个像素区域PA的发光区域EA可以包括第一线210、第二线212、像素电极230以及与发光区域EA的周边区域交叠的堤坝(bank)。
第一晶体管T21可以是开关晶体管，并且包括第一源电极210′、第一漏电极222、第一半导体层211以及第一栅极214′；第一晶体管T21的一端连接至存储电容器Cstg，其另一端连接至第一线210。
第二晶体管T22可以是驱动晶体管，并且包括第二源电极212′、第二漏电极225以及第二栅极228；第二晶体管T22的一端连接至第二线212，其另一端连接至第一晶体管T21。
第三晶体管T23可以是感测晶体管，并且包括第三源电极226、第三漏电极225以及第三栅极216；第三漏电极225连接至第二晶体管T22与像素电极230之间的节点；并且第三源电极226连接至第五线218。
第一线210可以是数据线，并且第二线212可以是用于提供高压功率的电压线(VDD线)。第三线214可以是第一扫描线，第四线216可以是第二扫描线，并且第五线218可以是参考电压线，但它们的构造不限于此。
OLED200包括在发光区域EA中的像素电极230、公共电极以及至少一个有机层，该发光区域EA通过第一线210与第三线220之间的交叉限定，并且响应于从形成在基板上的第一晶体管T21提供的电流而发光。
在这种情况下，复数个信号线210、212、214、216、218、栅电极214′、216、228、源电极210′、212′、226、漏电极222、225以及第二电极236中的至少之一可以是具有***具有粘合性的聚合物物质182中的金属纳米线结构184的导体180。另一方面，当柔性OLED200采用底部发光方案时，第二电极236可以由导体180制成。在底部发光方案的情况下，所发射的光被第二电极236反射，并且沿第一电极230的方向射出。
金属纳米线结构184可以包括彼此交叉连接的复数个金属纳米线。金属纳米线结构184可以是银纳米线结构，但不限于此。
关于柔性OLED200，金属纳米线结构184和聚合物物质182一体地构成导体180。聚合物物质182可以是基于具有强粘合性的塑料的物质例如聚酰亚胺。
这样的导体180的优点在于：其具有强粘合性并且其表面是均匀的，使得无需形成单独的平坦化层。
金属纳米线结构184中的至少一部分彼此交叉，并且在其之间进行电连接，并且金属纳米线结构184和聚合物物质182彼此紧固地耦接为整体单元。因此，当柔性显示装置200被反复折叠或弯曲时，导体180可以起到提高耐用性和可靠性的作用。稍后将对此进行更具体的描述。
同时，导体180可以包括光敏物质，其可以为例如基于光敏丙烯酸系的物质，但不限于此。这样的光敏物质的与工艺相关的优点在于：当对导体180进行平坦化时，工艺数量减少，从而降低制造成本。稍后将结合图5A至图5E对此进行描述。
图3是沿图2的柔性OLED200的A-A′截取的截面图。
参照图3，OLED200可以包括形成在基板202上的第一线210和第二线212；形成在第一线210和第二线212上的第一绝缘膜229；形成在第一绝缘膜229上的第一电极230；沿第一电极230的周边形成的堤坝232；形成在第一电极230的通过堤坝232露出的一部分上的有机层234；以及形成为覆盖有机层234和堤坝232的第二电极236。可以在第二电极236上形成保护层238以保护有机层234免受湿气和氧气。
在这种情况下，第一线210、第二线212以及第二电极236中的至少之一可以是上述包括金属纳米线结构184和聚合物物质182的导体180。每个金属纳米线结构184可以是银纳米线结构，但不限于此，并且每个金属纳米线结构184可以包括不同的金属。金属纳米线结构184***并且紧固地耦接到具有粘合性的聚合物物质182，并且还可以通过聚合物物质182紧固地耦接到作为下层的基板202、有机层234以及堤坝232。
在这种情况下，信号线210、212的聚合物物质182可以由与基板202相同的物质制成。换言之，第一线210和第二线212可以由与基板202相同的物质制成，从而提高粘合性。
具体地，OLED200的基板202可以由基于塑料的物质例如聚酰亚胺制成，并且可以是例如通过选自ODA(4，4′-氧联二苯胺)、BDSA(4，4′-二氨基联苯-2，2′-二磺酸)、HFBAPP(2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷)和AHHFP(2，2-双(3-氨基-4-羟苯基)六氟丙烷)中的至少一种化合物和选自BTDA(3-3′-4，4′-二苯甲酮四羧酸二酐)、TMA(偏苯三酸酐)和ODPA(4，4′-氧双邻苯二甲酸酐)中的至少一种化合物之间的反应形成的基于聚酰亚胺的化合物；并且基板202可以具有能够通过氢键来提高粘合性的亲水官能团。
在这种情况下，第一线210和第二线212也可以由与基板202相同的物质制成，从而提高相对于基板202的粘合性。这是因为，当由相同的聚合物物质制成时，官能团之间的附加的键合或氢键使得能够进行强接合。
除此之外，OLED200的基板202和聚合物物质182需要由具有低水平硬度的物质制成以应对折叠或弯曲。
同时，当OLED200采用底部发光方案时，第二电极236可由上述导体180制成。如本文中所使用的，底部发光方案指其中从有机层234发射的光被第二电极236反射并且沿第一电极230的方向向外射出的方案。
图4是沿图2的柔性OLED的B-B′截取的截面图。
参照图4，柔性OLED200可包括：形成在基板202上的第一晶体管T21、形成在第一晶体管T21上的第一绝缘膜229、以及依次形成在第一绝缘膜229上的第一电极230、堤坝232、第二电极236和保护层238。
第一晶体管T21可包括：第一半导体层211、栅极绝缘膜213、第一栅电极214′、第一源电极210′、第一漏电极222以及第二绝缘膜207。
在这点上，第一晶体管T21可以是具有由氧化物半导体例如IGZO(铟镓锌氧化物)制成的第一半导体层211的氧化物晶体管，但本发明的实施方案不限于此，第一晶体管T21可以是由LTPS(低温多晶硅)半导体制成的晶体管或由非晶硅半导体制成的晶体管。
此外，虽然第一晶体管T21已在顶部栅极方案中示出，即第一栅电极214′位于第一半导体层211上，但本发明的实施方案不限于此，而是也可以采用底部栅极方案。
同时，栅极绝缘膜213和第二绝缘膜207可以是有机膜或无机膜例如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)。
在这种情况下，形成在位于基板202上的绝缘膜213、207上的第一栅电极214′、第一源电极210′以及第一漏电极222中的至少之一可以由导体180制成；第一栅电极214′、第一源电极210′以及第一漏电极222中的聚合物物质182可以由与绝缘膜213、207相同的物质制成，并且例如可以由基于聚酰亚胺的物质制成。如上所述，这可以通过官能团之间的附加的键合或氢键来有利地提高粘合性。
这有利地增加了导体180与绝缘膜213、207之间的粘合性。此外，金属纳米线结构184***并且紧固地耦接至聚合物物质182的事实有利地提高了导电性、表面均匀性、关于由弯曲和折叠导致的疲劳断裂的可靠性、耐用性等。
已描述了导体180和应用导体180的显示装置200的结构，现在将描述制造包括导体180的柔性显示装置200的方法。
图5A至图5E示意性示出一种制造形成在根据本发明另一实施方案的柔性显示装置上的导体的方法。附图仅用于描述的方便而不限制本发明的实施方案，并且可以使用各种方法或工艺以制造该导体。
参照图5A至图5E，制造柔性显示装置200的方法可以包括以下操作：在基板上或在位于基板上的绝缘膜570上形成具有粘合性的聚合物物质582；将复数个金属纳米线583施加到聚合物物质582上；以及通过将复数个金属纳米线583交叉连接形成金属纳米线结构584并且将其***聚合物物质582中，来形成具有***聚合物物质582中的金属纳米线结构584的导体580。金属纳米线结构584可以是例如银纳米线结构。
如图5A所示，实施以下步骤：在基板或绝缘膜570(下文中称为基础层)上依次形成聚合物物质582和复数个金属纳米线583。
基础层570可以是柔性显示装置200的下基板，并且绝缘膜570可以是形成在基板上的绝缘膜或形成在晶体管的栅极上的栅极绝缘膜。
具有粘合性的聚合物物质582可以是能够提高相对于基础层570的粘合性或相对于金属纳米线结构584的粘合性的物质。例如，该物质可以包括基于聚酰亚胺的聚合物。此外，这样的基于聚酰亚胺的聚合物可以具有通过氢键来提高粘合性的亲水官能团。在这种情况下，聚合物物质582和基础层570可以由相同的物质制成。
同时，聚合物物质582可以包括光敏物质，其可以是例如基于光敏丙烯酸系的物质，但不限于此。稍后将对此进行更具体的描述。
金属纳米线583可以在向基础层570上涂覆或沉积之前/之后使用抗腐蚀剂来预处理。例如，金属纳米线583可以预涂有形成阻挡的抗腐蚀剂例如BTA(苯并三氮唑)和二硫代噻二唑。此外，金属纳米线583可以使用抗锈溶液来处理。
可以通过添加剂和粘合剂来调节金属纳米线583的粘性、腐蚀性、粘合性以及分散性。适合的添加剂和粘合剂可以包括例如羧甲基纤维素(CMC)、2-羟乙基纤维素(HEC)、羟基丙基甲基纤维素(HPMC)、甲基纤维素(MC)、聚乙烯醇(PVA)、三丙二醇(TPG)、黄原胶(XG)、乙氧基化物、烷氧基化物、环氧乙烷、环氧丙烷、及其共聚物。
施加金属纳米线583的方案可以包括旋涂、喷涂、狭缝式涂覆以及印刷，沉积方案可以包括化学气相沉积和物理气相沉积，但方案不限于此。
同时，在图5B和图5C中示出以下步骤：通过对金属纳米线583进行等离子体处理来形成具有***聚合物物质582中的金属纳米线结构584的导体580。
可以通过压制、等离子体处理、光烧结型焊接处理以及加热型焊接处理中的一种来进行形成导体580的步骤，但不限于此。
等离子体处理方案可以是热等离子体、作为在减压下的各种气体下发生的辉光放电的一种类型的冷等离子体以及混合等离子体中的一种，并且可以是例如在氧气条件下进行的冷等离子体处理。
光烧结方案可以在约1500℃下在非常短的20毫秒(ms)的时间段内立即提供高水平的光能。此外，使用可见光线的透明光根本不损坏透明基板，从而避免了对金属纳米线583的上层和下部基础层570的任何影响。
另一方面，依赖电的加热方案如下：当施加预定电压时，所得焦耳热产生焊接金属纳米线583的热；所产生的热的量与电流的平方成比例，并且与电阻的大小成比例。
显示装置例如柔性显示器或折叠显示器可以反复弯曲或折叠。因此，金属纳米线结构584可能断裂，但是可以通过使用电的加热方案来重新连接。换言之，加热型焊接的优点在于：金属纳米线结构584的断裂部分可以通过向显示装置电压施加电压并且电压驱动显示装置时所产生的热而被再次接合。
另一方面，可以通过例如上述等离子体处理或加热处理来焊接金属纳米线583，并同时将其***聚合物物质582中。换言之，金属纳米线结构584形成并同时***，从而形成导体580。
之后，在图5D和图5E中示出对形成的导体580进行图案化的步骤。
制造柔性显示装置200的方法还可以包括如下步骤：当在形成聚合物物质582的操作中聚合物物质582通过将光敏物质585与其混合而形成的情况下，在形成导体580的操作之后，通过使用掩模590进行曝光和显影处理来对导体580进行图案化。
具体地，可以将聚合物物质582与光敏物质585混合并且形成在基础层570上。如本文中所使用的，光敏物质585指这样的物质：当接收到特定波长的光时，其在显影液内的溶解度发生变化，使得曝光的部分或其他部分在后续显影过程中可以被选择性移除。例如，光敏物质可以是基于光敏丙烯酸系的物质，但不限于此。
虽然图5D中示出的曝光工艺采用其中通过显影液移除未曝光部分的负型，但本发明的实施方案不限于此，而是还可以采用其中曝光部分被移除的正型。
参照图5D，进行以下步骤：使用具有透射部590a和遮蔽部590b的曝光掩模590来照射光。虽然未示出，但是在曝光步骤之后可以进行PEB(曝光后烘烤)工艺。
之后，可以使用由水溶性碱溶液例如氢氧化钾(KOH)和TMAH(四甲基氢氧化铵)水溶液构成的显影液来进行显影工艺，以对图2所示的导体580例如第一线至第五线210、212、214、216、218、第一栅电极至第三栅电极214′、216、228、第一源电极至第三源电极210′、226、212′、以及第一漏电极至第三漏电极222、225进行图案化。
根据这样的图案化方案，光敏物质585与聚合物物质582混合并且施加在基础层570上，使得可以省略施加光致抗蚀剂层的操作和显影过程后剥离剩余的光致抗蚀剂层的工艺，从而使工艺更简化，提高了产率，并且降低了制造成本。
图6示出用于形成根据本发明另一实施方案的柔性显示装置的金属纳米线结构的过程的示意性顶视图。
可以通过将多个单独的金属纳米线583彼此焊接来形成金属纳米线结构584。在本发明的实施方案中，可以通过将多个单独的金属纳米线583彼此交叉连接或交叉联接来形成金属纳米线结构584。如上所述，可以采用压制、等离子体处理、光烧结型焊接处理以及加热型焊接处理中的一种以使得能够交叉连接或交叉联接。在本发明的实施方案中，向多个单独的金属纳米线583和/或聚合物物质582施加热。由此，金属纳米线结构584通过被包围而设置在聚合物物质582中。而且，此外，金属纳米线结构584可以是银纳米线结构或可以包括银，但不限于此。可以使用其他金属或材料用于纳米线结构。
此外，金属纳米线结构584具有随机耦接的复数个金属纳米线583。金属纳米线583可以在其至少一部分处连接至另一纳米线583；或者一个纳米线583可以连接至多个其他纳米线583。在本发明的实施方案中，金属纳米线583可以在形成为金属纳米线结构584之前形成为网格片或网格。如果金属纳米线583为网格，则可以使用一片或更多片网格。多股金属纳米线583可以交叉、可以平行或二者皆有。这样的交叉布置和/或平行布置可以是规则的或不规则的。此外，金属纳米线583当为网格或片的形式时可以形成为管状或其他几何形状。另外，金属纳米线583中的每股无需为具有圆形横截面的线的形式，而是可以具有其他形状，或者沿其长度可以具有不规则形状。
因此，关于柔性显示装置200，基于金属的导电性，金属纳米线结构584可以用作布线或电极。此外，随机耦接类型可以确保在反复弯曲或折叠的情况下的强耦接力。此外，即使当金属纳米线结构584的一部分断裂时也可以有利地保持导电性。
图7A是示出关于根据本发明另一实施方案的柔性显示装置的电阻与弯曲循环之间的关系的图，图7B是与图7A的图对应的表。
图7A和图7B示出当曲率半径(R)为4.5并且由外力即应力引起的变形率为1.5％时的弯曲测试的结果。在这点上，电阻指线电阻；初始电阻值为4.0Ω；50000次循环的弯曲之后的电阻值为4.1Ω；在100000次循环的情况下为4.1Ω；在200000次循环的情况下为4.2Ω。电阻值的增加率在超过200000次的弯曲后仅为5％。
上述应变ε(单位：％)由下式(1)定义。曲率半径(R)指弯曲期间的曲率半径，d1指柔性显示装置200的基板202的厚度，d2指形成在基板202上的导体180、580的厚度。
ϵ = ( d 1 + d 2 2 R ) × 100 - - - ( 1 )
从测试结果清楚地看出，根据本发明实施方案的柔性显示装置具有耐受反复弯曲和折叠的环境的可靠性。
换言之，由彼此交叉的复数个金属纳米线583形成的金属纳米线结构184、584具有多个随机的焊接点，使得金属纳米线结构184、584可以确保强耦接力和稳定性。
因此，即使当金属纳米线结构184、584的一部分断裂或具有缺陷时，多个连接仍然提高柔性显示装置200的可靠性。此外，当对柔性显示装置200施加电压时，金属纳米线结构184、584的断裂部分可以有利地通过焦耳热而被再次焊接。
此外，由于金属纳米线结构184、584***聚合物物质182、582中并从而形成导体180、580，所以金属纳米线结构184、584与聚合物物质182、582之间的强耦接可以得到保持。这提高了柔性显示装置200耐受疲劳断裂的可靠性。
归纳起来，金属纳米线结构184、584自身具有耐受疲劳断裂的可靠性或稳定性，并且导体180、580通过将金属纳米线结构184、584***聚合物物质182、582中一体形成，使得通过200000次的弯曲测试电阻的增加率仅为5％。
应用本发明上述实施方案的柔性显示装置200的有益效果如下：首先，金属纳米线结构184、584与聚合物物质182、582之间的粘合性得到提高，并且聚合物物质182、582与下层(即基板)或绝缘膜570之间的粘合性也可以得到提高。
此外，金属纳米线结构184、584***聚合物物质182、582中不仅赋予导体180、580强的耦接力，而且还减小了薄层电阻。换言之，使用银纳米线的信号线或电极通常具有高的薄层电阻的问题，但是根据本发明实施方案的导体180、580可以具有1Ω/□或更小例如0.4Ω/□至0.6Ω/□的低的薄层电阻值。
此外，导体180、580的结构还能够使厚度减小，从而减小柔性显示装置200的面板厚度。
另一方面，包括导体180、580的柔性显示装置200由于金属纳米线结构184、584例如银纳米线结构的高水平的导电性而可以确保高水平的导电性。
一般而言，在使用银纳米线的信号线或电极的情况下，不平坦的表面可产生问题。换言之，由于纳米线使得表面不平坦，所以柔性显示装置200的电特性随表面情况可变化，或者可产生缺陷。
然而，根据本发明实施方案的导体180、580具有***聚合物物质182、582中的作为导电材料的金属纳米线结构184、584，使得表面均匀性可以得到提高，从而使得无需形成单独的层用于对表面进行平坦化。
最后，导体180可以包括光敏材料585，使得导体180可以仅通过使用掩模的曝光工艺和使用显影液的显影工艺而被图案化。因此，可以省略施加光致抗蚀剂的过程、显影后的蚀刻过程以及剥离光致抗蚀剂的过程，从而有利地减少工艺数量，降低制造成本以及提高产率。
虽然目前为止已参照附图描述了本发明的多个实施方案，但本发明的实施方案不限于此。
此外，以上提到的表述“包括”、“构成”或“具有”，除非其没有相反含义，否则意味着包括对应的结构元件。因此，应理解，表述可不排除但还包括其他结构元件。所有的技术表述、科学表述等，除非进行相反的限定，否则与本领域技术人员所理解的含义一致。在字典中找到常见表述，除非本公开对其进行明确定义，否则应在相关技术文件背景下理解，不能太理想或不切实际。
尽管为了说明的目的，已经描述了本发明的实施方案，但本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以进行各种修改、添加和替换。因此，本发明中公开的实施方案仅描述而不限制本发明的实施方案的技术构思。此外，本发明的技术构思的范围受如下所述的本发明的实施方案的限制：本发明的实施方案的范围应基于所附权利要求以这样的方式来理解：包括在与权利要求等同的范围内的所有技术构思均属于本发明的实施方案。

Claims (15)

1.一种柔性显示装置，包括：
基板，在所述基板上布置有复数个信号线；
设置在所述基板上的晶体管，所述晶体管包括栅电极、源电极以及漏电极；以及
第二电极，所述第二电极设置为与连接至所述晶体管的所述源电极或所述漏电极的第一电极对应，
其中所述复数个信号线、所述栅电极、所述源电极、所述漏电极以及所述第二电极中的至少之一由导体形成，并且
其中所述导体包括金属纳米线结构和聚合物物质，所述金属纳米线结构设置在所述聚合物物质中。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中所述金属纳米线结构具有彼此交叉连接的复数个金属纳米线。
3.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中所述金属纳米线结构包括银。
4.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中所述复数个信号线设置在所述基板上，并且所述复数个信号线的所述聚合物物质由与所述基板相同的物质制成。
5.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中所述栅电极、所述源电极以及所述漏电极设置在位于所述基板上的绝缘膜上，并且所述栅电极、所述源电极以及所述漏电极的所述聚合物物质由与所述绝缘膜相同的物质制成。
6.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中所述聚合物物质是基于聚酰亚胺的物质。
7.根据权利要求1所述的柔性显示装置，其中所述导体还包括光敏物质，并且所述光敏物质是基于光敏丙烯酸系的物质。
8.一种制造柔性显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上或在位于所述基板上的绝缘膜上设置具有粘合性的聚合物物质；
将复数个金属纳米线设置到所述聚合物物质上；并且
通过将所述复数个金属纳米线彼此交叉连接使得将金属纳米线结构形成在所述聚合物物质中，来形成包括所述金属纳米线结构和所述聚合物物质的导体。
9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述导体基于压制、等离子体处理、光烧结型焊接处理以及加热型焊接处理中的一种。
10.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述导体基于对所述复数个金属纳米线和所述聚合物物质施加热。
11.根据权利要求8所述的方法，其中在所述聚合物物质的设置中，所述聚合物物质通过将光敏物质与所述聚合物物质混合来形成，并且
在形成所述导体之后，所述方法还包括通过使用掩模进行曝光处理和显影处理来对所述导体进行图案化。
12.根据权利要求8所述的方法，其中所述聚合物物质由与所述基板相同的物质制成。
13.一种柔性显示装置，包括：
基板；和
位于所述基板上的导体，所述导体包括金属纳米线结构和聚合物物质，所述金属纳米线结构设置在所述聚合物物质中。
14.根据权利要求13所述的柔性显示装置，其中所述导体为设置在所述基板上的晶体管的源电极、漏电极和栅电极、以及设置在所述基板上的信号线和公共电极中的至少之一。
15.根据权利要求13所述的柔性显示装置，其中所述聚合物物质由与所述基板相同的物质制成。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106496557A (zh) * 2016-11-02 2017-03-15 沈阳化工大学 一种高透明耐高温含氟聚酰亚胺树脂的制备方法
CN106543438A (zh) * 2016-11-07 2017-03-29 沈阳化工大学 一种含氯含氟聚酰胺酰亚胺树脂的制备方法
CN108899280A (zh) * 2018-06-30 2018-11-27 云谷（固安）科技有限公司 显示屏及其制造方法
CN109032438A (zh) * 2018-06-30 2018-12-18 昆山国显光电有限公司 触控面板及其制造方法
CN109727704A (zh) * 2019-02-21 2019-05-07 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种银纳米线薄膜及其焊接方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9468989B2 (en) * 2015-02-26 2016-10-18 Northrop Grumman Systems Corporation High-conductivity bonding of metal nanowire arrays
US10332446B2 (en) * 2015-12-03 2019-06-25 Innolux Corporation Driving circuit of active-matrix organic light-emitting diode with hybrid transistors
CN105742369A (zh) * 2016-03-25 2016-07-06 电子科技大学 一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管及其制备方法
US10825839B2 (en) * 2016-12-02 2020-11-03 Innolux Corporation Touch display device
CN108899328A (zh) * 2018-06-30 2018-11-27 昆山国显光电有限公司 互连线结构、显示基板及其制作方法、显示装置
WO2020179033A1 (ja) * 2019-03-06 2020-09-10 シャープ株式会社 表示装置、表示装置の製造方法
CN113544873A (zh) * 2019-03-06 2021-10-22 夏普株式会社 显示装置及显示装置的制造方法
KR102415935B1 (ko) * 2020-02-27 2022-06-30 아주대학교산학협력단 폴더블 전극 구조체 및 이를 포함하는 폴더블 전자소자
US20220388382A1 (en) * 2021-06-08 2022-12-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Peel resistant vehicle window weather strip

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1745301A (zh) * 2003-01-30 2006-03-08 艾考斯公司 具有凸出导电涂层的制品
US20090052029A1 (en) * 2006-10-12 2009-02-26 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
US20090056854A1 (en) * 2006-04-04 2009-03-05 Top-Nanosis, Inc. Method for manufacturing conductive composite material
CN101589473A (zh) * 2006-10-12 2009-11-25 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5089027B2 (ja) * 2004-05-28 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8018568B2 (en) * 2006-10-12 2011-09-13 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
JP2009251274A (ja) 2008-04-07 2009-10-29 Kuraray Co Ltd 液晶セルおよび液晶ディスプレイ装置
US9334406B2 (en) * 2009-02-25 2016-05-10 Lg Chem, Ltd. Composition for primer coating, optical film comprising the same, and polarizing plate comprising the same
KR101368495B1 (ko) * 2009-03-31 2014-02-27 코오롱인더스트리 주식회사 투명전극 및 전도성 적층체
JP5584991B2 (ja) * 2009-04-02 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 透明電極、透明電極の製造方法、および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010250109A (ja) * 2009-04-16 2010-11-04 Fujifilm Corp ポジ型感光性組成物、並びに透明導電膜、表示素子及び集積型太陽電池
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
WO2012016146A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Conductive films
JP2012209232A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Fujifilm Corp 導電性パターニング材料及びタッチパネル
JP5782920B2 (ja) 2011-08-26 2015-09-24 日本電気株式会社 表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP2013073828A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Fujifilm Corp 導電性組成物、その製造方法、導電性部材、並びに、タッチパネル及び太陽電池
US9373515B2 (en) * 2012-03-01 2016-06-21 Ramot At Tel-Aviv University Ltd Conductive nanowire films
JP2013195969A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Fujitsu Ltd 表示素子
JP5865851B2 (ja) * 2012-03-23 2016-02-17 富士フイルム株式会社 導電性部材の製造方法、導電性部材、それを用いたタッチパネル
JP2014013820A (ja) 2012-07-04 2014-01-23 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電パターン形成基板
JP5987668B2 (ja) 2012-12-06 2016-09-07 日立化成株式会社 表示装置およびその製造方法
US9318230B2 (en) * 2013-05-31 2016-04-19 Basf Corporation Nanostructure dispersions and transparent conductors
KR102175285B1 (ko) * 2013-08-14 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법
KR101577900B1 (ko) * 2014-06-24 2015-12-29 동국대학교 산학협력단 국부적 에칭공정을 이용한 유기박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1745301A (zh) * 2003-01-30 2006-03-08 艾考斯公司 具有凸出导电涂层的制品
US20090056854A1 (en) * 2006-04-04 2009-03-05 Top-Nanosis, Inc. Method for manufacturing conductive composite material
US20090052029A1 (en) * 2006-10-12 2009-02-26 Cambrios Technologies Corporation Functional films formed by highly oriented deposition of nanowires
CN101589473A (zh) * 2006-10-12 2009-11-25 凯博瑞奥斯技术公司 基于纳米线的透明导体及其应用

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106496557A (zh) * 2016-11-02 2017-03-15 沈阳化工大学 一种高透明耐高温含氟聚酰亚胺树脂的制备方法
CN106543438A (zh) * 2016-11-07 2017-03-29 沈阳化工大学 一种含氯含氟聚酰胺酰亚胺树脂的制备方法
CN108899280A (zh) * 2018-06-30 2018-11-27 云谷（固安）科技有限公司 显示屏及其制造方法
CN109032438A (zh) * 2018-06-30 2018-12-18 昆山国显光电有限公司 触控面板及其制造方法
CN109032438B (zh) * 2018-06-30 2022-12-02 广州国显科技有限公司 触控面板及其制造方法
CN109727704A (zh) * 2019-02-21 2019-05-07 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 一种银纳米线薄膜及其焊接方法

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