CN105321937A - 超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶led元件 - Google Patents

超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶led元件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，包括基板和至少两个发光LED芯片，所述至少两个发光LED芯片固定在基板上，所述基板上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体，所述各发光LED芯片的正极分别通过正极导线与其中至少一个导通孔内的导电体电连接，各发光LED芯片的负极分别通过负极导线与剩余的导通孔内的导电体电连接。本发明提供一种厚度极薄、且散热效果好的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件。

Description

超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件
技术领域
本发明涉及一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，尤其涉及一种小型侧发光型多晶LED元件。
背景技术
目前现行市面上的小型侧发光型LED指示灯有两大类：
(1)支架类：主要以PPA树脂+铜支架为基板，主要尺寸有020(3.8*1.05*0.6mm)、010(3.8*1.0*0.4mm)、215(2.8*1.0*0.9mm)、335(3.8*0.6*1.2mm),其尺寸相对较大，而且支架类侧射型LED无法制作双晶/三晶机种，无法满足超薄超小型指示类双色/三色LED灯；
(2)PCB类：主要是以BT树脂为基板，主要尺寸有0603(1.6*1.1*0.6mm)、0805(2.0*1.1*0.6mm)、1204(3.0*1.5*1.0mm)，在双晶/三晶LED制作上一般尺寸也是选择0805/1204，无法小型化。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种厚度极薄、且散热效果好的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，包括基板和至少两个发光LED芯片，所述至少两个发光LED芯片固定在基板上，所述基板上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体，所述各发光LED芯片的正极分别通过正极导线与其中至少一个导通孔内的导电体电连接，各发光LED芯片的负极分别通过负极导线与剩余的导通孔内的导电体电连接。
所述导电体为铜柱或导电胶。
所述基板的下底面上覆盖有第一金属导电层，该金属导电层分为相互不连接的正极区域和负极区域，所述负极区域覆盖在与负极导线连接的导电体下方，并与该导电体接触，所述正极区域覆盖在与正极导线连接的导电体下方，并与该导电体接触。
所述基板的上底面上覆盖有第二金属导电层，该金属导电层分为相互不连接的正极区域和负极区域，所述负极区域连续覆盖在与负极导线连接的导电体上方，并与该导电体接触，所述正极区域连续覆盖在与正极导线连接的导电体上方，并与其他该导电体接触，所述至少两个发光LED芯片固连在第二金属导电层上，所述各正极导线与正极区域电连接，所述各负极导线与负极区域电连接。
所述第一和第二金属导电层是镀金层或镀银层或铜箔层。
所述基板为PCB基板。
所述发光LED芯片设置有两个或三个。
一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件的制备工艺，步骤如下：
a、准备原材料：在PCB基板上钻导通孔并采用塞铜工艺将PCB基板上下底面导通，形成塞孔铜柱；
b、固晶：将发光LED芯片通过固晶胶贴附在PCB基板上；
c、烘烤：通过烘烤将发光LED芯片固定在PCB基板上；
d、焊线：将发光LED芯片电极通过金线导通在PCB基板上；
e、压模：使用封装胶通过模具压模成型在PCB基板上；
f、烘烤：通过烘烤将封装胶固化；
g、切割：将产品切割成设计尺寸。
有益效果：
(一)使用PCB基板上加钻导通孔，再通过塞铜设计做为正负极引线,可达到节省空间,缩小产品尺寸的效果。
(二)本产品为铜柱导体设计,与市面上支架类侧射型LED(热组约为80～180°/W)和PCB类侧射型LED(热组约为200～500°/W)相比，本产品热组低于25°/W,达到极好的散热效果,同时在使用此产品时,也能适用于中高功率的操作(30mA～600mA)。
(三)产品极小化极薄化的设计,通过PCB线路设计将正负极分布在PCB基板的底部，避免了传统正负极导线使用导通孔在两端引出需要0.6mm的厚度限制，使双晶LED产品厚度控制在0.3mm±0.1mm，相比常规0805双晶缩小了80％；三晶LED产品厚度控制在0.4±0.1mm。
(四)本侧射型机种在客户端使用时，朝左或朝右发光时不需重新换机种，可以直接将产品在包装时换向，产品焊盘设计上能达到共用性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明的优选实施例一的主视结构示意图；
图2是本发明的优选实施例二的主视结构示意图(由于该视图上画了导线太混乱，故省略导线)；
图3是图2的俯视结构示意图(带导线)；
图4是本发明朝左发光时与散热基板的连接示意图；
图5是本发明朝右发光时与散热基板的连接示意图。
具体实施方式
如图1～5所示的一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，包括基板1和至少两个发光LED芯片2。所述至少两个发光LED芯片2固定在基板1上。所述基板1上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体3，优选实施方式：所述导电体3为铜柱或导电胶。所述各发光LED芯片2的正极分别通过正极导线4与其中一个导通孔内的导电体3电连接，各发光LED芯片2的负极分别通过负极导线5与剩余的导通孔内的导电体3电连接。
所述基板1的下底面上覆盖有第一金属导电层6，该金属导电层6分为相互不连接的正极区域61和负极区域62，所述负极区域62覆盖在与负极导线5连接的导电体3下方，并与该导电体3接触，所述正极区域61覆盖在与正极导线4连接的导电体3下方，并与该导电体3接触。
为了降低焊接难度，同时固定导电体3，所述基板1的上底面上覆盖有第二金属导电层7，该金属导电层7分为相互不连接的正极区域71和负极区域72，所述负极区域72覆盖在与负极导线5连接的导电体3上方，并与该导电体3接触，所述正极区域71覆盖在与正极导线4连接的导电体3上方，并与该导电体3接触，所述至少两个发光LED芯片2固连在第二金属导电层7上，所述各正极导线4与正极区域71电连接，所述各负极导线5与负极区域72电连接。
所述第一和第二金属导电层6、7是镀金层或镀银层或铜箔层，优选铜箔层。所述基板1为PCB基板。
优选实施例一：如图1所示发光LED芯片2设置有两个，该两发光LED芯片2的正极导线4均与处于中间位置的正极区域71焊接，两根负极导线5分别与两侧的两个相互独立的负极区域72焊接。超小超薄高光效侧射型高亮白光双晶LED元件呈矩形：其长为1.6±0.2mm，宽为0.6±0.2mm，厚度d为0.3±0.1mm。优选：长1.6mm，宽0.6mm，厚0.3mm。
优选实施例二：如图2、3所示发光LED芯片2设置有三个，该三个发光LED芯片2的正极导线4均与处于中间位置的正极区域71焊接，三根负极导线5分别与两侧的三个相互独立的负极区域72焊接。超小超薄高光效侧射型高亮白光三晶LED元件呈矩形：其长为1.6±0.2mm，宽为0.6±0.2mm，厚度d为0.4±0.1mm。优选：长1.6mm，宽0.6mm，厚0.4mm。
一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件的制备工艺，步骤如下：
a、准备原材料：在PCB基板1上钻导通孔并采用塞铜工艺将PCB基板1上下底面导通，形成塞孔铜柱3；
b、固晶：将发光LED芯片2通过固晶胶贴附在PCB基板1上；
c、烘烤：通过烘烤将发光LED芯片2固定在PCB基板1上；
d、焊线：将发光LED芯片2电极通过金线导通在PCB基板1上；
e、压模：使用封装胶通过模具压模成型在PCB基板1上；
f、烘烤：通过烘烤将封装胶固化；
g、切割：将产品切割成设计尺寸。
步骤e中的封装胶可以采用Epoxy或Silicone。
应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。由本发明的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，包括基板(1)和至少两个发光LED芯片(2)，所述至少两个发光LED芯片(2)固定在基板(1)上，其特征在于：所述基板(1)上设置有若干穿透其上下底面的导通孔，在该导通孔内填充有导电体(3)，所述各发光LED芯片(2)的正极分别通过正极导线(4)与其中至少一个导通孔内的导电体(3)电连接，各发光LED芯片(2)的负极分别通过负极导线(5)与剩余的导通孔内的导电体(3)电连接。
2.根据权利要求1所述的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，其特征在于：所述导电体(3)为铜柱或导电胶。
3.根据权利要求1所述的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，其特征在于：所述基板(1)的下底面上覆盖有第一金属导电层(6)，该金属导电层(6)分为相互不连接的正极区域(61)和负极区域(62)，所述负极区域(62)覆盖在与负极导线(5)连接的导电体(3)下方，并与该导电体(3)接触，所述正极区域(61)覆盖在与正极导线(4)连接的导电体(3)下方，并与该导电体(3)接触。
4.根据权利要求1所述的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，其特征在于：所述基板(1)的上底面上覆盖有第二金属导电层(7)，该金属导电层(7)分为相互不连接的正极区域(71)和负极区域(72)，所述负极区域(72)覆盖在与负极导线(5)连接的导电体(3)上方，并与该导电体(3)接触，所述正极区域(71)覆盖在与正极导线(4)连接的导电体(3)上方，并与该导电体(3)接触，所述至少两个发光LED芯片(2)固连在第二金属导电层(7)上，所述各正极导线(4)与正极区域(71)电连接，所述各负极导线(5)与负极区域(72)电连接。
5.根据权利要求3或4所述的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，其特征在于：所述第一和第二金属导电层(6、7)是镀金层或镀银层或铜箔层。
6.根据权利要求1所述的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，其特征在于：所述基板(1)为PCB基板。
7.根据权利要求1所述的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件，其特征在于：所述发光LED芯片(2)设置有两个或三个。
8.一种如权利要求1～7所述的超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶LED元件的制备工艺，其特征在于步骤如下：
a、准备原材料：在PCB基板(1)上钻导通孔并采用塞铜工艺将PCB基板(1)上下底面导通，形成塞孔铜柱(3)；
b、固晶：将发光LED芯片(2)通过固晶胶贴附在PCB基板(1)上；
c、烘烤：通过烘烤将发光LED芯片(2)固定在PCB基板(1)上；
d、焊线：将发光LED芯片(2)电极通过金线导通在PCB基板(1)上；
e、压模：使用封装胶通过模具压模成型在PCB基板(1)上；
f、烘烤：通过烘烤将封装胶固化；
g、切割：将产品切割成设计尺寸。
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