CN105313231A - 单晶基板的分断方法及单晶基板 - Google Patents

Abstract

本申请发明涉及一种单晶基板的分断方法及单晶基板。本申请发明抑制切割粉尘的产生。在单晶基板(3)的第1主面(S1)上形成表面龟裂(FC)。在单晶基板(3)的第1主面(S1)上，设有覆盖表面龟裂(FC)的玻璃层(4)。形成在玻璃层(4)的表面(SF)上延伸的龟裂线(CL)。形成龟裂线(CL)的步骤包含：将刀尖压抵于玻璃层(4)的表面(SF)上的步骤；及在玻璃层(4)的表面(SF)上使压抵的刀尖移位的步骤。通过对设有玻璃层(4)的单晶基板(3)施加应力，而沿着龟裂线(CL)将单晶基板(3)分断。

Description

单晶基板的分断方法及单晶基板

技术领域

本发明涉及一种单晶基板的分断方法。

背景技术

在半导体装置的量产中，首先在晶片上形成分别成为半导体芯片的多个部分。然后，通过将这些部分分断成单晶基板而获得多个半导体芯片。例如，根据日本专利特开2013-4528号公报(专利文献1)，利用旋转的圆盘状切割刀片将硅晶片分断。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2013-4528号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

根据所述现有方法，在硅晶片(单晶基板)的分断时会产生大量的切割粉尘。切割粉尘可能会妨碍单晶基板的正常分断、或作为异物残留在分断后的单晶基板上。另外，有时为减少切割粉尘也会将利用金刚石刻刀那样的工具对硅晶片进行刻划及断开，但在此情况下也难以充分抑制切割粉尘的产生。另外，若将金刚石刻刀用于具有高硬度的硅晶片，会有金刚石刻刀因磨耗而寿命变短的问题。

本发明是为了解决如上所述的问题研究而成，其目的在于提供一种基本上不产生切割粉尘的单晶基板的分断方法。

[解决问题的技术手段]

单晶基板的分断方法具有以下步骤。准备单晶基板，具有第1主面、及与第1主面相反的第2主面。在单晶基板的第1主面上形成表面龟裂。在单晶基板的第1主面上设置覆盖表面龟裂的玻璃层。形成在玻璃层的表面上延伸的龟裂线。形成龟裂线的步骤包含：将刀尖压抵于玻璃层的表面上的步骤；及在玻璃层的表面上使压抵的刀尖移位的步骤。通过对设有玻璃层的单晶基板施加应力，而沿着龟裂线将单晶基板分断。

[发明的效果]

根据本发明，单晶基板是利用形成于主面的表面龟裂而被分断。表面龟裂中实际有助于分断的部分，是由形成于单晶基板上的玻璃层上的龟裂线规定。玻璃层上的龟裂线可以通过刀尖在玻璃层上的移位而基本上不产生切割粉尘地形成。由此，根据本发明，可基本上消除单晶基板分断时产生的切割粉尘。

附图说明

图1是概略表示本发明的实施方式1的单晶基板的分断方法的剖面图(A)～(E)。

图2是将图1(D)的部分II放大表示的局部剖面图。

图3是概略表示本发明的实施方式1的单晶基板的分断方法的构成的流程图(A)、及概略表示形成部分龟裂线的步骤的构成的流程图(B)。

图4是概略表示本发明的实施方式2的单晶基板的分断方法的剖面图(A)～(D)。

图5是表示比较例的单晶基板的分断方法的剖面图。

图6是概略表示本发明的实施方式3的单晶基板的分断方法的剖面图(A)及(B)。

图7是概略表示本发明的实施方式4的单晶基板的分断方法中形成龟裂线的步骤的构成的流程图。

图8是概略表示无龟裂状态下的沟槽线的构成的剖面图。

图9是概略表示本发明的实施方式4的单晶基板的分断方法中使用的刀尖的构成的前视图(A)、及其视角IXB下的图(B)。

图10是概略表示本发明的实施方式4的单晶基板的分断方法的第1及第2步骤的各步骤的俯视图(A)及(B)。

图11是概略表示本发明的实施方式4的第1变化例的单晶基板的分断方法的第1及第2步骤的各步骤的俯视图(A)及(B)。

图12是概略表示本发明的实施方式4的第2变化例的单晶基板的分断方法的俯视图。

图13是概略表示本发明的实施方式4的第3变化例的单晶基板的分断方法的俯视图。

图14是概略表示本发明的实施方式5的单晶基板的分断方法的第1步骤的俯视图。

图15是概略表示本发明的实施方式5的单晶基板的分断方法的第2步骤的俯视图。

图16是概略表示本发明的实施方式5的单晶基板的分断方法的第3步骤的俯视图。

图17是概略表示本发明的实施方式5的第1变化例的单晶基板的分断方法的俯视图。

图18是概略表示本发明的实施方式5的第2变化例的单晶基板的分断方法的俯视图。

图19是概略表示本发明的实施方式6的单晶基板的分断方法的俯视图。

图20是概略表示本发明的实施方式7的单晶基板的分断方法的第1及第2步骤的各步骤的俯视图(A)及(B)。

图21是概略表示本发明的实施方式8的单晶基板的分断方法的第1及第2步骤的各步骤的俯视图(A)及(B)。

图22是概略表示本发明的实施方式8的变化例的单晶基板的分断方法的俯视图。

图23是概略表示本发明的实施方式9的单晶基板的分断方法中使用的刀尖的构成的前视图(A)、及其视角XXIIIB下的图(B)。

具体实施方式

下面，基于附图来说明本发明的实施方式。此外，在以下的附图中，对相同或相当的部分附加相同参照编号，且不重复其说明。

(实施方式1)

图1(A)～(E)概略表示本实施方式的硅晶片3(单晶基板)的分断方法的第1～第5步骤的各步骤。

参照图1(A)，准备具有主面S1(第1主面)及S2(与第1主面相反的第2主面)的硅晶片3(图3(A)：步骤S10)。接下来，在主面S1上形成表面龟裂FC(图3(A)：步骤S20)。表面龟裂FC是形成于主面S1上的多个细微且致密的龟裂。表面龟裂FC所含的各细微龟裂的方向也可以随机。表面龟裂FC可以利用喷射法形成，例如可以通过对主面S1进行喷砂BL而形成。

参照图1(B)，在硅晶片3的主面S1上设有覆盖表面龟裂FC的玻璃层4(图3(A)：步骤S30)。硅晶片3与玻璃层4至少在形成有沟槽线的区域内密接。玻璃层4例如可通过玻璃基板的接着、或玻璃材的涂布或蒸镀而设置。在通过玻璃基板的接着而设置玻璃层4的情况下，龟裂需要经由接着材而在硅晶片3上伸展，因此优选使用硬化后的硬度高的接着材。

参照图1(C)，将刀尖51压抵于玻璃层4的表面SF上(图3(B)：步骤S42a)。接下来，在玻璃层4的表面SF上使压抵的刀尖51移位(图3(B)：步骤S42b)。刀尖51的移位是在玻璃层4的表面SF上进行滑动或滚动。由此，在玻璃层4产生塑性变形，由此在玻璃层4的表面SF上形成具有槽形状的沟槽线TL(图2)。沟槽线TL是通过玻璃层4的塑性变形而产生的，所以此时基本上不会产生切割粉尘。

在本实施方式中，通过刀尖51的移位而形成所谓的划线SL。换句话说，在形成沟槽线TL的同时形成龟裂线CL(图3(A)及(B)：步骤S40)。即，在形成沟槽线TL的同时，龟裂线CL实质上大体同时地形成。龟裂线CL是从沟槽线TL的凹处沿着厚度方向DT伸展的龟裂，在表面SF上呈线状延伸。龟裂线CL在沟槽线TL的正下方(图2中上方)，在与沟槽线TL交叉的方向DC上使玻璃层4的连续相连部分断开。

接下来，作为所谓的断开步骤，对设有玻璃层4的硅晶片3施加应力。由此，龟裂线CL(图2)在玻璃层4中伸展，到达硅晶片3的主面S1。在主面S1上，如上所述对龟裂到达的位置施加较大应力。结果，表面龟裂FC中存在于所述位置的龟裂变成起点，而龟裂在硅晶片3中伸展。

参照图1(E)，通过所述硅晶片3中的龟裂的伸展，沿着玻璃层4的龟裂线CL而将硅晶片3分断(图3(A)：步骤S50)。即，硅晶片3被分断成作为其一部分的芯片3a及3b。在芯片3a及3b上分别残留着作为玻璃层4的一部分的4a及4b。

根据本实施方式，硅晶片3是利用形成于主面S1的表面龟裂FC而被分断。表面龟裂FC中实际有助于分断的部分，是由形成于硅晶片3上的玻璃层4上的龟裂线CL而规定。玻璃层4上的龟裂线CL可以通过刀尖51在玻璃层4上的移位，而基本上不产生切割粉尘地形成。由此，根据本实施方式，可基本上消除硅晶片3分断时产生的切割粉尘。

(实施方式2)

在本实施方式中，首先进行与图1(A)及(B)(实施方式1)相同的步骤。

参照图4(A)，接下来，在硅晶片3的主面S2上设置构件11。构件11包含相互隔开的区域11a及11b(第1及第2区域)。

参照图4(B)～(D)，进行与图1(C)～(E)大体相同的步骤。由此，硅晶片3被分断成设有区域11a的芯片3a、及设有区域11b的芯片3b。

参照图5，在比较例中，向构件11的区域11a及11b之间***高速旋转的切割刀片59，根据切割刀片59的厚度来除去硅晶片3，由此将硅晶片3分断。在此情况下，若区域11a及11b之间窄，便难以向区域11a及11b之间***切割刀片59。另外，为了抑制摩擦所致的热影响且为了排出切割粉尘，使用切割刀片59的切断通常是作为使用切削液的湿式步骤进行，所以有时会因水分对构件11或硅晶片3造成恶劣影响。

相对于此，根据本实施方式，无须向区域11a及11b之间***某种切割器具，且由于并不局部除去硅晶片，所以也不会产生切割粉尘。由此，即便区域11a及11b之间窄，也能在区域11a及11b之间进行硅晶片3的分断。另外，使用刀尖51在玻璃层4上形成龟裂线CL的步骤也可以作为干式步骤而进行。由此，可以避免水分对构件11或硅晶片3造成的恶劣影响。另外，在本实施方式中，可以通过塑性变形在非晶质的玻璃层形成划线SL，因此与直接刻划硅晶片3的情况相比，也能抑制切割粉尘的产生。

(实施方式3)

所述实施方式2的图4(D)表示大体沿着厚度方向将硅晶片3分断的情况。在此情况下，在玻璃层4的表面上形成龟裂线CL的位置与将硅晶片3的主面S2分断的位置在平面布局上大体一致。但，在作为单晶基板的硅晶片3中，与玻璃中不同地，龟裂的伸展可能有方位依存性。因此，在硅晶片3中，有龟裂向从厚度方向较大倾斜的方向伸展的情况。在此情况下，在玻璃层4的表面上形成龟裂线CL的位置与将硅晶片3的主面S2分断的位置在平面布局上差异变大。

参照图6(A)，在如上所述的情况下，考虑龟裂的伸展的方位依存性及硅晶片3的厚度，使玻璃层4的表面SF上形成龟裂线CL的场所移位便可。龟裂线CL的位置在平面布局上可设为离开区域11a及11b之间的区域W的位置。若进行断开步骤，龟裂在硅晶片3中相对于厚度方向倾斜地伸展，在主面S2上到达区域W。结果，如图6(B)所示，进行区域11a及11b之间的分断。

(实施方式4)

在所述实施方式1～3中，如步骤S40(图3(B))所示，说明的是刀尖51(图1(C))移位时形成龟裂线CL(图2)的情况。但，也可以通过刀尖51的移位形成缺少龟裂线CL的沟槽线TL(图2)之后，沿着沟槽线TL形成龟裂线CL。

参照图7，在本实施方式中，代替步骤S40(图4(A))，而进行步骤S40L。具体来说，在无龟裂状态下形成沟槽线TL(图8)(图7：步骤S47)，接下来，通过使龟裂伸展(图7：步骤S48)而形成龟裂线CL(图2)。

此外，本实施方式的龟裂线CL的形成步骤与所谓的断开步骤本质上不同。断开步骤是通过使业已形成的龟裂在厚度方向进一步伸展，而将基板完全分离。另一方面，龟裂线CL的形成步骤会引起从通过沟槽线TL的形成获得的无龟裂状态，向有龟裂的状态变化。本发明者认为所述变化是通过无龟裂状态所具有的内部应力被释放而产生。形成沟槽线TL时的塑性变形、及通过形成沟槽线TL而产生的内部应力的大小、方向性等状态，在使用旋转刀进行滚动的情况、和像本实施方式那样使用刀尖进行滑动的情况下是不同的，使用刀尖进行滑动的情况下，在更广的刻划条件下容易产生龟裂。根据本发明者的研讨，通过将刀尖及其使用方法设为最佳，可以沿着沟槽线TL容易地形成龟裂线CL。

下面先详细说明适于本实施方式的刀尖51。

参照图9(A)及(B)，切割器具50具有刀尖51及柄52。刀尖51并非旋转刀，而是固定于柄52的固定刀。

在刀尖51设有顶面SD1(第1面)、及包围顶面SD1的多个面。所述多个面包含侧面SD2(第2面)及侧面SD3(第3面)。顶面SD1、侧面SD2及SD3(第1～第3面)面朝彼此不同的方向，且相互邻接。刀尖51具有由顶面SD1、侧面SD2及SD3合流的顶点，由此顶点构成刀尖51的突起部PP。由此，顶面SD1与突起部PP相连。另外，侧面SD2及SD3形成构成刀尖51的侧部PS的脊线。侧部PS与突起部PP相连，从突起部PP呈线状延伸。另外，如上所述，侧部PS是脊线，因此具有呈线状延伸的凸形状。

刀尖51优选为金刚石刻刀。即，就可减小硬度及表面粗糙度方面来说，刀尖51优选利用金刚石制作。更优选为，刀尖51利用单晶金刚石制作。而且，优选为，从结晶学来说顶面SD1为{001}面，侧面SD2及SD3分别为{111}面。在此情况下，侧面SD2及SD3虽然具有不同朝向，但从结晶学上来说是相互等价的结晶面。

此外，也可以使用并非单晶的金刚石，例如可以使用通过CVD(ChemicalVaporDeposition)法合成的多晶体金刚石。或者，也可以使用，将微粒石墨或非石墨状碳不含铁族元素等结合材料地烧结所得的多晶体金刚石粒子，利用铁族元素等结合材料结合而成的烧结金刚石。

柄52沿着轴方向AX延伸。优选为刀尖51以顶面SD1的法线方向大体沿着轴方向AX的方式安装于柄52。

接下来，下面详细说明本实施方式的硅晶片3的分断方法。

首先，与实施方式1～3同样地，在设有表面龟裂FC的硅晶片3上设置玻璃层4(参照图1(B))。参照图10(A)，包围玻璃层4的表面SF的缘包含相互对向的边ED1及边ED2。在图10(A)所示的例子中，缘为长方形状。由此，边ED1及ED2为相互平行的边。另外，在图10(A)所示的例子中，边ED1及ED2为长方形的短边。

接下来，在玻璃层4的表面SF将刀尖51(图9(A))压抵于位置N1(图7：步骤S47a)。关于位置N1在下文详细叙述。刀尖51的压抵是以如下方式进行，即，在玻璃层4的表面SF上将刀尖51的突起部PP配置于边ED1及侧部PS之间，且将刀尖51的侧部PS配置于突起部PP与边ED2之间。

接下来，在玻璃层4的表面SF上形成沟槽线TL。沟槽线TL的形成是在位置N1(第1位置)及位置N3之间进行。位置N2(第2位置)位于位置N1及N3之间。由此，沟槽线TL形成于位置N1及N2之间、位置N2及N3之间。位置N1及N3也可以远离玻璃层4的表面SF的缘，或者也可以一方或两方位于上表面SF1的缘。形成的沟槽线TL在前者情况下远离玻璃层4的缘，在后者情况下与玻璃层4的缘相接。

位置N1及N2中，位置N1更靠近边ED1，且位置N1及N2中，位置N2更靠近边ED2。此外，在图10(A)所示的例子中，位置N1靠近边ED1及ED2中的边ED1，位置N2靠近边ED1及ED2中的边ED2，但也可以使位置N1及N2的两方靠近边ED1或ED2的任一方。

在形成沟槽线TL时，使刀尖51滑动(图7：步骤S47b)。在本实施方式中，刀尖51从位置N1向位置N2移位，进一步从位置N2向位置N3移位。即，参照图2(A)，刀尖51朝边ED1向边ED2的方向即朝方向DA移位。方向DA对应于从刀尖51延伸的轴方向AX在表面SF上投影的方向。在此情况下，利用柄52在表面SF上拖动刀尖51。

如上所述，通过使刀尖51滑动而使玻璃层4产生塑性变形，由此在玻璃层4的表面SF上形成具有槽形状的沟槽线TL。刀尖51的滑动是以如下方式进行，即，在沟槽线TL的正下方，玻璃层4获得在与沟槽线TL交叉的方向DC上连续相连的状态即无龟裂状态(参照图8)。为获得无龟裂状态，所述刀尖51的滑动不用过大的负荷进行便可。

参照图10(B)，在形成沟槽线TL后，厚度方向DT(图8)的玻璃层4的龟裂沿着沟槽线TL，从位置N2向位置N1(图中参照虚线箭头)伸展(图7：步骤S48)。由此，形成龟裂线CL(图2)。龟裂线CL的形成是通过辅助线AL及沟槽线TL在位置N2相互交叉而开始。目的是在形成沟槽线TL之后形成辅助线AL。辅助线AL是伴随厚度方向DT的龟裂的普通划线，用来释放沟槽线TL附近的内部应力的应变。辅助线AL的形成方法并无特别限定，如图10(B)所示，也可以将表面SF的缘作为基点而形成。

在形成龟裂线CL(图2)时，以在沟槽线TL的正下方与沟槽线TL交叉的方向DC上，玻璃层4的连续相连部分断开的方式，使厚度方向DT的玻璃层4的龟裂沿着沟槽线TL伸展。

此外，在图10(B)中，与位置N2向位置N1的方向相比，位置N2向位置N3的方向上难以形成龟裂线CL。即，龟裂线CL的伸展难易性存在方向依存性。由此，可能产生龟裂线CL形成于位置N1及N2之间但未形成于位置N2及N3之间的现象。本实施方式以沿着位置N1及N2之间进行分断为目的，因此，必须在位置N1及N2间形成龟裂线CL，但另一方面位置N2及N3间的龟裂线CL的形成难度不会成问题。

接下来，通过进行所谓的断开步骤，与实施方式1～3同样地，沿着龟裂线CL将设有玻璃层4的硅晶片3(图9(A))分断。

接下来，下面说明所述分断方法的第1～第3变化例。

参照图11(A)，第1变化例是关于辅助线AL与沟槽线TL的交叉不足以作为龟裂线CL(图10(B))的形成开始的契机的情况。参照图11(B)，通过对玻璃层4施加产生弯曲力矩等的外力，厚度方向DT的龟裂沿着辅助线AL伸展，结果将玻璃层4分断。由此，开始龟裂线CL的形成。此外，在所述第1变化例中，通过玻璃层4的分离而释放沟槽线TL附近的内部应力的应变，由此开始龟裂线CL的形成。因此，辅助线AL自身也可以是通过对沟槽线TL施加应力而形成的龟裂线CL。

参照图12，在第2变化例中，在玻璃层4的表面SF将刀尖51压抵于位置N3。在形成沟槽线TL时，本变化例中，刀尖51从位置N3向位置N2移位，进一步从位置N2向位置N1移位。即，参照图9(A)，刀尖51朝边ED2向边ED1的方向即朝方向DB移位。方向DB对应于从刀尖51延伸的轴方向AX在表面SF上投影的方向的相反方向。在此情况下，利用柄52使刀尖51在表面SF上推进。

参照图13，在第3变化例中，在形成各沟槽线TL时，刀尖51在位置N2以比位置N1大的负荷，压抵于玻璃层4的表面SF。具体来说，将位置N4作为位置N1及N2之间的位置，在沟槽线TL的形成到达位置N4的时间点，提高刀尖51的负荷。换句话说，刀尖51的负荷为与位置N1相比，在沟槽线TL的终端部即位置N4及N3之间提高。由此，可减轻终端部以外的负荷，且可容易引发位置N2的龟裂线CL的形成。

根据本实施方式，可更确切地利用沟槽线TL形成龟裂线CL。推理理由是，刀尖51的构成(图9(A)及(B))及其使用方法，最适于对玻璃层4赋予容易引发龟裂线CL的内部应力。另外，与实施方式1～3同样地，可以抑制分断时的切割粉尘的产生。

此外，本实施方式所参照的图中，玻璃层4的缘的边ED1及ED2(第1及第2边)为长方形的短边，但它们也可以为长方形的长边。另外，缘的形状并不限定于长方形，例如也可以为正方形。另外，第1及第2边并不限定于直线状，也可以是曲线状。另外，在图中硅晶片3的主面S1是平坦的，但也可以弯曲。对应于此，玻璃层4的表面SF可以平坦也可以弯曲。

(实施方式5)

下面，使用图14～图16来说明本实施方式的单晶基板的分断方法。

参照图14，在本实施方式中，是在形成沟槽线TL之前形成辅助线AL。辅助线AL的形成方法自身与图10(B)(实施方式4)相同。

参照图15，接下来，将刀尖51压抵于表面SF，然后形成沟槽线TL。沟槽线TL的形成方法自身与图10(A)(实施方式4)相同。辅助线AL及沟槽线TL在位置N2相互交叉。

参照图16，接下来，通过对玻璃层4施加产生弯曲力矩等的外力的普通断开步骤，沿着辅助线AL将玻璃层4分断。由此，开始与实施方式4相同的龟裂线CL的形成(图中参照虚线箭头)。

此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。

参照图17，在第1变化例中，通过辅助线AL及划线SL在位置N2相互交叉而开始龟裂线CL的形成。

参照图18，在第2变化例中，形成各沟槽线TL时，刀尖51在位置N2以比位置N1大的力，压抵于玻璃层4的表面SF。具体来说，将位置N4作为位置N1及N2之间的位置，在沟槽线TL的形成到达位置N4的时间点，提高刀尖51的负荷。换句话说，刀尖51的负荷为与位置N1相比，在沟槽线TL的终端部即位置N4及N3之间提高。由此，可减轻终端部以外的负荷，且可容易引发位置N2的龟裂线CL的形成。

(实施方式6)

参照图19，在本实施方式的各沟槽线TL的形成中，使刀尖51从位置N1越过边ED2而滑动。当刀尖51通过边ED2时，沟槽线TL正下方的基板内部产生的应力的应变被释放，龟裂线从位于边ED2上的沟槽线TL的端向位置N1伸展。

形成沟槽线TL时对刀尖51施加的负荷可固定，刀尖51从位置N1向位置N2移位时，也可以增大在位置N2对刀尖51施加的负荷。例如，将负荷增大50％左右。施加了增大后的负荷的刀尖51越过边ED2而滑动。换句话说，在沟槽线TL的终端部增大刀尖51的负荷。若刀尖51到达边ED2，则龟裂线从位于边ED2上的沟槽线TL的端经过位置N2而向位置N1伸展。这样，在增大负荷的情况下，应力的应变也增大，当刀尖51通过边ED2时此应力的应变容易释放，因此，可更确切地形成龟裂线。

此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。

(实施方式7)

参照图20(A)，在本实施方式的单晶基板的分断方法中，形成从位置N1经过位置N2后到达边ED2的沟槽线TL。

参照图20(B)，接下来对位置N2与边ED2之间，施加使沟槽线TL附近的内部应力的应变释放的应力。由此，引发沿着沟槽线TL的龟裂线的形成。作为应力的施加，具体来说，在表面SF上在位置N2与边ED2之间(图中虚线及边ED2之间的区域)使压抵的刀尖51滑动。该滑动进行至到达边ED2为止。刀尖51优选以与最初形成的沟槽线TL的轨道交叉的方式滑动，更优选以与最初形成的沟槽线TL的轨道重叠的方式滑动。该再次滑动的长度为例如0.5mm左右。另外，该再次滑动可以在形成多个沟槽线TL(图20(A))后对多个沟槽线TL分别进行，或者也可以对每一沟槽线TL依次进行一个沟槽线TL的形成及再次滑动。

作为变化例，为了对位置N2与边ED2之间施加应力，也可以代替所述刀尖51的再次滑动，而对表面SF上的位置N2与边ED2之间照射激光束。由此，利用产生的热应力，也能释放沟槽线TL附近的内部应力的应变，由此可引发龟裂线的形成开始。

此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。

(实施方式8)

参照图21(A)，在本实施方式的单晶基板的分断方法中，使刀尖51从位置N1向位置N2移位，进一步向位置N3移位，由此形成远离表面SF的缘的沟槽线TL。沟槽线TL的形成方法自身与图10(A)(实施方式4)大体相同。

参照图21(B)，进行与图20(B)(实施方式7或其变化例)相同的应力施加。由此，引发沿着沟槽线TL的龟裂线的形成。

此外，关于所述以外的构成，与所述实施方式4的构成大体相同。

参照图22，作为图21(A)的步骤的变化例，在形成沟槽线TL时，也可以使刀尖51从位置N3向位置N2移位，然后从位置N2向位置N1移位。

(实施方式9)

参照图23(A)及(B)，在所述各实施方式中，也可以代替刀尖51(图9(A)及(B))，而使用刀尖51v。刀尖51v具有含顶点及圆锥面SC的圆锥形状。刀尖51v的突起部PPv是由顶点构成。刀尖的侧部PSv是从顶点沿着在圆锥面SC上延伸的假想线(图23(B)的虚线)而构成。由此，侧部PSv具有呈线状延伸的凸形状。

[符号的说明]

3硅晶片(单晶基板)

4玻璃层

11构件

51、51v刀尖

AL辅助线

CL龟裂线

FC表面龟裂

S1主面(第1主面)

S2主面(第2主面)

SF表面

SL划线

TL沟槽线

Claims (8)

1.一种单晶基板的分断方法，具备以下步骤：准备单晶基板，具有第1主面及与所述第1主面相反的第2主面；

在所述单晶基板的所述第1主面上形成表面龟裂；

在所述单晶基板的所述第1主面上，设置覆盖所述表面龟裂的玻璃层；及

形成在所述玻璃层的表面上延伸的龟裂线；且形成所述龟裂线的步骤包含：

将刀尖压抵于所述玻璃层的表面上的步骤；及

在所述玻璃层的表面上使压抵的所述刀尖移位的步骤；且所述单晶基板的分断方法还具备如下步骤：

通过对设有所述玻璃层的所述单晶基板施加应力，沿着所述龟裂线将所述单晶基板分断。

2.根据权利要求1所述的单晶基板的分断方法，其中形成所述表面龟裂的步骤是使用喷射法进行。

3.根据权利要求1所述的单晶基板的分断方法，其中所述单晶基板包含硅基板。

4.根据权利要求1所述的单晶基板的分断方法，在分断所述单晶基板的步骤之前，还具备在所述单晶基板的所述第2主面上设置构件的步骤，所述构件包含相互隔开的第1区域及第2区域，通过分断所述单晶基板的步骤，而将所述单晶基板分断成设有所述第1区域的部分及设有所述第2区域的部分。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶基板的分断方法，通过使所述刀尖移位的步骤，在所述玻璃层产生塑性变形，由此在所述玻璃层的所述表面上形成具有槽形状的沟槽线(TL)，且

所述龟裂线是在形成所述沟槽线的同时形成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶基板的分断方法，其中使所述刀尖移位的步骤包含在所述玻璃层的所述表面上使所述刀尖滑动的步骤，通过使所述刀尖滑动的步骤，在所述玻璃层产生塑性变形，由此在所述玻璃层的所述表面上，形成具有槽形状的沟槽线，且使所述刀尖滑动的步骤是以如下方式进行，即，在所述沟槽线的正下方，所述玻璃层获得在与所述沟槽线交叉的方向上连续相连的状态即无龟裂状态，

形成所述龟裂线的步骤包含如下步骤，即，以在所述沟槽线的正下方，在与所述沟槽线交叉的方向上所述玻璃层的连续相连部分断开的方式，使所述玻璃层的龟裂沿着所述沟槽线伸展。

7.一种单晶基板，具有第1主面及与所述第1主面相反的第2主面，

在所述单晶基板的所述第1主面上形成表面龟裂，

在所述单晶基板的所述第1主面上具有覆盖所述表面龟裂的玻璃层。

8.根据权利要求7所述的单晶基板，其中所述单晶基板包含硅基板。