CN105281692A - 一种射频功率放大控制***及移动终端 - Google Patents

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谢善谊
黄文韬
赵国涛
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Abstract

本发明涉及电子通信技术领域，具体涉及一种射频功率放大控制***。一种射频功率放大控制***，包括，射频芯片，用于将调制后信号转换为射频信号；功率放大器，与射频芯片连接，依照设定参数对射频信号放大后经由天线发射；基带芯片，与射频芯片连接，用于输出调制后信号；基带芯片还与功率放大器连接，用于产生一控制信号以调整设定参数；放大单元，连接于基带芯片与功率放大器之间，用于放大控制信号。本发明可以灵活调整功率放大器的控制信号，以满足功率放大器内部控制电路对电压幅度的需求。

Description

一种射频功率放大控制***及移动终端
技术领域
本发明涉及电子通信技术领域，具体涉及一种射频功率放大控制***。
背景技术
当前，移动通信终端的通信部分包含的核心部件有基带芯片、射频芯片、功率放大器等，需要发射信号时，调制好的IQ(In-phaseQuadrature，同相正交)模拟信号由基带芯片输出，在射频芯片中处理成射频信号，并最终由功率放大器放大至所需功率经由天线发射。对功率放大器进行正确的控制是至关重要的一个环节，需要控制功率放大器的增益、频段等，控制信号由基带芯片提供，需要具有一定的幅度，然而随着基带芯片工艺制程中线宽不断减小，更小线宽制程下的基带芯片很难输出满足控制功率放大器需要的控制信号。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种灵活调整功率放大器的***，解决以上技术问题。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
一种射频功率放大控制***，其中，包括，
射频芯片，用于将调制后信号转换为射频信号；
功率放大器，与所述射频芯片连接，依照设定参数对所述射频信号放大后经由天线发射；
基带芯片，与所述射频芯片连接，用于输出所述调制后信号；所述基带芯片还与所述功率放大器连接，用于产生一控制信号以调整所述设定参数；
放大单元，连接于所述基带芯片与所述功率放大器之间，用于放大所述控制信号。
优选地，所述放大单元采用可编程增益放大器，依据所述控制信号的幅度和/或所述功率放大器的需求对所述控制信号放大一设定倍数。
优选地，所述基带芯片包括一数模转换器，所述数模转换器用以向所述功率放大器输出所述控制信号。
优选地，所述设定参数包括增益和/或频段。
优选地，所述功率放大器包括一控制电路，所述控制电路于放大后的所述控制信号作用下调整所述设定参数。
优选地，所述基带芯片采用20nm尺寸以下线宽制程的基带芯片。
本发明还提供一种移动终端，包括上述的射频功率放大控制***。
有益效果：由于采用以上技术方案，本发明可以灵活调整的功率放大器的控制信号，以满足功率放大器内部控制电路的电压幅度的需求。
附图说明
图1为本发明的***架构示意图；
图2为本发明的基带芯片控制功率放大器的控制支路示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
现有技术的控制信号是基带芯片内部生成，并通过内部模数转换器转换为模拟信号后直接供给功率放大器的。当输出的模拟信号幅度不足时，便无法满足功率放大器内部的控制电路的电压幅度需求。而当前出于提高性能、降低功耗的考虑，基带芯片的工艺水平不断提高、工艺制程不断减小，目前已降低至40nm、28nm甚至20nm制程，这一发展趋势导致了基带芯片的工作电压不断降低，对外输出的控制信号幅度因而减小，例如20nm工艺下基带芯片输出的最大电压为1.8V。按照这一趋势，将来更小线宽制程下的基带芯片很难输出满足控制功率放大器需要的控制信号。为了解决小线宽制程的基带芯片输出模拟控制信号幅度过低无法驱动功率放大器内部控制电路的问题。
本发明提供一种射频功率放大控制***，参照图1，包括，
射频芯片2，用于将调制后信号转换为射频信号；
功率放大器3，与射频芯片2连接，依照设定参数对射频信号放大后经由天线5发射；
基带芯片1，与射频芯片2连接，用于输出调制后信号；基带芯片1还与功率放大器3连接，用于产生一控制信号以调整设定参数；
放大单元，连接于基带芯片1与功率放大器3之间，用于放大控制信号。
作为本发明的一种优选的实施例，放大单元采用可编程增益放大器(PGA，ProgrammableGainAmplifier)4，依据控制信号的幅度和功率放大器3对控制信号的电压幅度的要求对控制信号放大一设定倍数。如使得放大后的控制信号的幅度达到2.3V左右。
作为本发明的一种优选的实施例，设定参数包括增益和/或频段。
参照图2，作为本发明的一种优选的实施例，基带芯片1包括一数模转换器，数模转换器用以向功率放大器3输出控制信号。
参照图2，作为本发明的一种优选的实施例，功率放大器3包括一控制电路31，控制电路31于放大后的控制信号作用下调整设定参数。
作为本发明的一种优选的实施例，基带芯片1采用小尺寸线宽制程的基带芯片1。如20nm尺寸以下线宽制程的基带芯片1。
本发明还提供一种移动终端，包括上述的射频功率放大控制***。
本发明可以把基带芯片1输出的控制信号放大一定倍数，灵活调整功率放大器3的控制信号的电压幅值，以满足功率放大器3内部控制电路的需求。基带芯片1输出的模拟控制信号在输入功率放大器3前，先通过可编程增益放大器4进行放大，放大倍数可配置，由基带芯片1的输出幅度和功率放大器3的需求决定，例如放大倍数为2倍，模拟控制信号经由放大后，输入功率放大器3的控制电路，控制功率放大器3的增益、频段等配置。
本发明通过在基带芯片1的模数转换器(DAC，DigitaltoAnalogConverter)11外部添置可编程增益放大器4，灵活调整功率放大器3的控制信号的电压幅度，以满足功率放大器3内部控制电路电压幅度的需求。可以解决小线宽制程的基带芯片输出的控制信号幅度过低无法驱动功率放大器内部控制电路的问题。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (7)

1.一种射频功率放大控制***，其特征在于，包括，
射频芯片，用于将调制后信号转换为射频信号；
功率放大器，与所述射频芯片连接，依照设定参数对所述射频信号放大后经由天线发射；
基带芯片，与所述射频芯片连接，用于输出所述调制后信号；所述基带芯片还与所述功率放大器连接，用于产生一控制信号以调整所述设定参数；
放大单元，连接于所述基带芯片与所述功率放大器之间，用于放大所述控制信号。
2.根据权利要求1所述的一种射频功率放大控制***，其特征在于，所述放大单元采用可编程增益放大器，依据所述控制信号的幅度和所述功率放大器对控制信号的电压幅度要求对所述控制信号放大一设定倍数。
3.根据权利要求1所述的一种射频功率放大控制***，其特征在于，所述基带芯片包括一数模转换器，所述数模转换器用以向所述功率放大器输出所述控制信号。
4.根据权利要求1所述的一种射频功率放大控制***，其特征在于，所述设定参数包括增益和/或频段。
5.根据权利要求1所述的一种射频功率放大控制***，其特征在于，所述功率放大器包括一控制电路，所述控制电路于放大后的所述控制信号作用下调整所述设定参数。
6.根据权利要求1所述的一种射频功率放大控制***，其特征在于，所述基带芯片采用20nm尺寸以下线宽制程的基带芯片。
7.一种移动终端，其特征在于，包括权利要求1所述的射频功率放大控制***。
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