CN105272199B - 一种新型负热膨胀陶瓷Zr2W2P2O15及其烧结合成方法 - Google Patents
一种新型负热膨胀陶瓷Zr2W2P2O15及其烧结合成方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于无机非金属材料领域，特别公开了一种新型负热膨胀陶瓷及其烧结合成方法。其分子式为：Zr2W2P2O15。以ZrO2、WO3和NH4H2PO4为原料，按目标产物Zr2W2P2O15中Zr:W:P的化学计量摩尔比称取原料，混合研磨均匀，直接或压片后首次烧结5‑30min，取出放入室温水中淬火，再研磨均匀，直接或压片后重新烧结2‑5 h即可得到目标产物；其中，首次烧结和重新烧结均在常压空气中于1350‑1450℃烧结。本发明的有益效果在于：1. 本发明新型负热膨胀陶瓷在宽温区具有负热膨胀性质，具有工程应用价值。2. 制备原料廉价，烧结过程简易；在常压空气中烧结1350‑1450℃，烧结时间为2‑5 h，适合批量生产。
Description
技术领域
本发明属于无机非金属材料领域，特别涉及了一种新型负热膨胀陶瓷Zr2W2P2O15及其烧结合成方法。
背景技术
绝大多数材料具有热胀冷缩性质，热胀冷缩和膨胀系数失配产生的热应力或热冲击常会导致材料或器件疲劳、性能下降、临时性或永久性失效、断裂和脱落，由此造成材料和器件的大量浪费甚至灾难性后果，如保证高功率激光稳定工作的冷却***、大型望远镜***补偿温度引起焦距变化的复杂结构设计、光通信***防止布拉格光纤光栅中心波长漂移的恒温***、航天器载仪器的恒温***、航天飞机返回大气层时剧烈热冲击使隔热瓦脱落引发的灾难等。由于热效应无时无处不在，是自然界中的一种普遍而棘手现象，对于精密器件和极端条件下的器件，通常必须采用外部恒定的温度控制或非常复杂的结构设计来进行补偿，不仅增加***的体积、重量和加工的复杂性，同时也使成本增加。随着空间技术、高功率高精密激光技术、固体氧化物燃料电池等高新技术的发展，对材料和器件在极端条件下的性能提出了新的挑战。高性能、宽温区具有零膨胀和可控膨胀特性的材料是设计和制造零膨胀和可控膨胀的功能-结构一体化器件、解决现代科学技术中许多难题的关键所在。而宽温区的性能优异的负热膨胀材料是设计和制备零膨胀和膨胀系数可控材料的关键，因此负热膨胀材料受到越来越多的关注。近十余年来发现的负热膨胀有ZrW2O8、ZrV2O7、A2M3O12(A=3价过渡金属或稀土；M=W或Mo)、ScF3、Zr2W P2O12、HfMgW3O12等。ZrW2O8在室温下为亚稳相材料，与其他材料复合时易发生分解；ZrV2O7在室温下为3×3×3的超晶胞结构，只有在102℃以上才转变为1×1×1的正常结构，表现出负热膨胀；A2M3O12系列材料只有正交相才具有负热膨胀性质。一般来说，当A3+离子半径较小（如A=Al, Fe, Cr, In）时，室温下结晶为单斜相，只有在高温下才转化为正交结构；当A3+离子半径较大（A=Lu, Yb, Y）时，室温下虽然是正交结构，但是具有较强的吸水性，只有随着温度升高完全失去结晶水后，才表现出负热膨胀特性。结晶水的吸附与释放同时引起材料的巨大收缩和膨胀，使其力学性能变差，制约其应用(E. J. Liang, Negative thermal expansion materials and theirapplications: a survey of recent patents, Rec. Pat. Mater. Sci. 3 (2010) 106-28)。Zr2WP2O12具有稳定的热稳定性，其负热膨胀系数从室温到1373 K都保持在-2.3×10-6K-1，适合制备稳定的可控膨胀系数复合材料。我们研究组报道了提高Zr2WP2O12致密度的制备方法（R. Shang, Q. L. Hu, X. S. Liu, E. J. Liang, B. Yuan, M. J. Chao,Effect of MgO and PVA on the Synthesis and Properties of Negative ThermalExpansion Ceramics of Zr2(WO4)(PO4)2, Int. J. Appl. Ceram. Technol. 10(5),849-856, 2013）。最近我们研究组报道了控制反应路径快速制备Zr2P2WO12 的方法（X. S.Liu, J. Q. wang, C. Z. Fan, R. Shang, F. C. Cheng, B. H. Yuan, W. B. Song, Y.G. Chen, E. J. Liang, M. J. Chao, Control of Reaction Pathways for RapidSynthesis of Negative Thermal Expansion Ceramic Zr2P2WO12 with UniformMicrostructure，Int. J. Appl. Ceram. Technol. DOI:10.1111/ijac.12201, 2013)。
可见，自然界中绝大多数材料具有热胀冷缩性质，而具有相反性质的材料，即负热膨胀材料还非常有限，具有工程应用价值的性能优异的负热膨胀材料则更少之又少。因此，研发一种低成本、适合规模化生产、性能优良的新型负膨胀材料及其制备方法具有重要意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型负热膨胀陶瓷及其烧结合成方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一种新型负热膨胀陶瓷，其分子式为：Zr2W2P2O15。
所述新型负热膨胀陶瓷的烧结合成方法：以ZrO2、WO3和NH4H2PO4为原料，按目标产物Zr2W2P2O15中Zr:W:P的化学计量摩尔比称取原料，混合研磨均匀，直接或压片后首次烧结5-30min，取出放入室温水中淬火，再研磨均匀，直接或压片后重新烧结2-5 h即可得到目标产物；其中，首次烧结和重新烧结均在常压空气中于1350-1450℃烧结。
本发明的有益效果在于：
1. 本发明提供一种新型负热膨胀陶瓷Zr2W2P2O15及其烧结合成方法，其在宽温区具有负热膨胀性质，具有工程应用价值。
2. 制备原料廉价，烧结过程简易；在常压空气中烧结1350-1450℃，烧结时间为2-5 h，适合批量生产。
附图说明
图1为实施例1制备的陶瓷Zr2W2P2O15的XRD图谱 (1400℃烧结3 h)。
图2为实施例1（1400℃）和实施例2（1420℃）制备的陶瓷Zr2W2P2O15在30-600℃温区内的相对长度随温度的变化曲线。
图3为实施例1（1400℃）和实施例2（1420℃）制备的陶瓷Zr2W2P2O15在-135-400℃温区内的相对长度随温度的变化曲线。
具体实施方式
实施例1
将分析纯原料ZrO2、WO3和NH4H2PO4按摩尔比Zr:W:P=1:1:1称取，放到研钵内研磨2h左右。将粉末用单轴方向压片机在300 MPa的压强下压制成直径10 mm、高10 mm的圆柱体样品。设置高温管式炉使其升温至烧结温度1400℃，将装有样品的刚玉坩埚在烧结温度下放入管式炉，常压空气中首次烧结10 min，取出放入室温水中淬火、研磨，再次在300 MPa的压强下压制成直径10 mm、高10 mm的圆柱体，再次装入刚玉坩埚之后放入管式炉，常压空气中1400℃重新烧结3 h即可得到目标产物。产品对应的XRD图谱物相分析见图1，与XRD图谱库对比，XRD图谱中没有出现原料的峰和杂质峰，表明制备的产品是纯相的Zr2W2P2O15。
实施例2
实施例2与实施例1的实施过程基本相同，其不同之处在于首次烧结和重新烧结温度均调整为1420℃。产品对应的XRD图谱物相分析与图1相同，表明制备的产品是纯相的Zr2W2P2O15。
线性热膨胀测试实验（用热膨胀仪测算）
实施例1（1400℃）和实施例2（1420℃）制备的陶瓷Zr2W2P2O15在30-600℃温区内的相对长度随温度的变化曲线见图2，在-135-400℃温区内的相对长度随温度的变化曲线见图3。
从图2和图3可以计算出：实施例1制备的陶瓷Zr2W2P2O15从-120℃到400℃的线膨胀系数为-3.25×10-6℃-1，30℃到600℃的线膨胀系数为-2.36×10-6℃-1；实施例2制备的陶瓷Zr2W2P2O15从-120℃到400℃的线膨胀系数为-4.09×10-6℃-1，30℃到600℃的线膨胀系数为-3.17×10-6℃-1。
Claims (2)
1.一种新型负热膨胀陶瓷，其特征在于其分子式为：Zr2W2P2O15。
2.如权利要求1所述新型负热膨胀陶瓷的烧结合成方法，其特征在于：以ZrO2、WO3和NH4H2PO4为原料，按目标产物Zr2W2P2O15中Zr:W:P的化学计量摩尔比称取原料，混合研磨均匀，直接或压片后首次烧结5-30min，取出放入室温水中淬火，再研磨均匀，直接或压片后重新烧结2-5 h即可得到目标产物；其中，首次烧结和重新烧结均在常压空气中于1350-1450℃烧结。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510216407.2A CN105272199B (zh) | 2015-04-30 | 2015-04-30 | 一种新型负热膨胀陶瓷Zr2W2P2O15及其烧结合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510216407.2A CN105272199B (zh) | 2015-04-30 | 2015-04-30 | 一种新型负热膨胀陶瓷Zr2W2P2O15及其烧结合成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105272199A CN105272199A (zh) | 2016-01-27 |
| CN105272199B true CN105272199B (zh) | 2017-09-01 |
Family
ID=55142122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510216407.2A Expired - Fee Related CN105272199B (zh) | 2015-04-30 | 2015-04-30 | 一种新型负热膨胀陶瓷Zr2W2P2O15及其烧结合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105272199B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105645372A (zh) * | 2016-04-01 | 2016-06-08 | 云南铁坦新材料科技股份有限公司 | 一种负热膨胀材料磷钨酸锆的制备方法 |
| CN106220159A (zh) * | 2016-08-05 | 2016-12-14 | 东华大学 | 一种负热膨胀材料及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102853B2 (en) * | 2002-10-21 | 2006-09-05 | Seagate Technology Llc | Negative thermal expansion dielectrics for thermal pole tip protrusion compensation |
| CN101891470B (zh) * | 2010-06-21 | 2012-07-11 | 郑州大学 | 一种负热膨胀材料Zr2P2MO12的烧结合成方法 |
| KR20140137175A (ko) * | 2013-05-22 | 2014-12-02 | 목포대학교산학협력단 | Zr2WP2O12 세라믹스의 제조방법 |
| CN104119076B (zh) * | 2014-07-11 | 2016-06-08 | 郑州大学 | 一种负膨胀材料及其固相烧结合成方法 |
-
2015
- 2015-04-30 CN CN201510216407.2A patent/CN105272199B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105272199A (zh) | 2016-01-27 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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