CN105262963B - 暗像素阵列、替换控制电路***及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种暗像素阵列、替换控制电路***及方法，当第一暗像素区存在坏行时，不需要将整颗芯片废弃，只需要根据测试结果把相关的行的信息写入寄存器，***自动用第二暗像素区中的好行来替换坏行；替换后的暗电流水平可以正常进行计算操作。这种方法可以大大提高芯片的良率；进一步的，当芯片工作正常而暗像素在实际应用过程中出现新的损坏时，如果第二暗像素区中还有可替换的好行，也可以用于芯片的修复；因此，本发明不仅确保了暗电流水平计算的正确性，并且操作方法简单易于实施，提高了工艺效率。
Description
技术领域
本发明涉及CMOS图像传感器领域，具体涉及一种用于计算暗像素电流水平的暗像素阵列、暗像素行读取替换操作的控制电路***及利用该控制电路***进行暗像素行替换方法。
背景技术
在通常的图像传感器设计中，为了检测图像传感器暗电流水平，并对暗电流水平进行较正，通常会在图像传感器的像素阵列中加上一些暗像素区域。这些暗像素区的像素跟正常的像素在电路上一样，只是在制造时会用金属层把光照全部屏蔽掉。然而，在制造暗像素的过程中金属层可能没有覆盖在某些暗像素上，造成这些暗像素工作不正常，成为暗像素坏点。若某一行暗像素的坏点数多于一定的标准，则该暗像素行成为坏暗像素行。
在进行暗电流水平计算时，通常会选取暗像素区中间的若干行来进行暗电流水平的计算。如果其中存在一行或多行坏像素行，则会影响计算出来的暗电流水平。针对这种情况，现有的处理方式为把具有坏暗像素的图像传感器芯片废弃掉。这将导致芯片良率的下降和制造成本提高。
因此，针对暗像素坏点的出现的问题，急需一种解决方案，以期提高芯片良率，降低制造成本。
发明内容
为了克服以上问题，本发明通过在暗像素区中增加备份像素区，当预期用于暗电流水平计算的暗像素行出现坏行时，用备份暗像素区中的好的暗像素行进行替换，以保证暗电流水平计算的正确性。
为了达到上述目的，本发明提供了用于暗像素电流水平计算的暗像素阵列，为M行×N列的暗像素阵列；其包括第一暗像素区和第二暗像素区；
所述第一暗像素区为L行×P列的暗像素阵列，在没有坏行的情况下，所述第一暗像素区中的所有像素都用于暗电流水平的计算；
所述第二暗像素区为K行×P列的暗像素阵列，作为所述第一暗像素区的备份像素区，当所述第一暗像素区出现坏行时，用所述第二暗像素区中相对应的好行替代；所述第二暗像素区与所述第一暗像素区相邻设置；其中，1≤K≤L＜M，P＜N。
优选地，所述暗像素阵列还包括***暗像素区，所述***暗像素区包围在所述第一暗像素区和所述第二暗像素区的外面；所述***暗像素区包括有J行和P列，其不用于暗电流水平的计算，而用于在制备所述第一暗像素区和所述第二暗像素区时的牺牲暗像素区，避免所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中漏光；其中，J＜L＜M，P＜N。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种采用上述的暗像素阵列进行暗像素行读取替换操作的控制电路***，其包括：存储器、暗像素行计数器，第一暗像素区行好坏标志寄存器，移位寄存器，第二暗像素区行好坏标志寄存器，暂存寄存器，行地址发生器，以及读操作控制器；其中
存储器，用于保存所述暗像素区阵列的所述第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据、以及所述暗像素区阵列区的所述第二暗像素的暗像素行的好坏标志数据；存储器在不通电时也能保存数据，在通电时，所述存储器上的好坏标志数据由***加载到对应的寄存器中；
暗像素行计数器；每一帧图像采集开始时，所述暗像素行计数器的值被复位为0；图像采集时，当读操作控制器完成每行的读操作后，所述暗像素行计数器的值加1，所述暗像素行计数器的最大值为所述第一暗像素区的所有暗像素行的行数值；当所述暗像素行计数器的值达到所述最大值时，所述暗像素行计数器向行地址发生器发送停止检测信号；
第一暗像素区行好坏标志寄存器，一共有L位值，从第0位值到第L-1位值分别表示对应的第一暗像素区中的暗像素行的好坏标志数据；***通电时，所述存储器中存储的所述第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据由***加载到所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中；
移位寄存器，在每一次暗电流水平计算开始时，将第一暗像素区行好坏标志寄存器中的各个位值由***加载到所述移位寄存器中；当所述暗像素行计数器每完成一行的计数时，所述移位寄存器定向移动一次；所述移位寄存器的第0位表征当前行的好坏；
第二暗像素区行好坏标志寄存器，一共有K位值，从第0位值到第K-1位值分别对应所述第二暗像素区中的各个暗像素行的好坏标志数据；***通电时，所述存储器中存储的所述第二暗像素区的暗像素行的好坏标志数据由***加载到所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中；
暂存寄存器，在每一次暗电流水平计算开始时，将所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的位值加载到所述暂存寄存器中；
行地址发生器，检测所述移位寄存器中的第0位值来判断所述第一暗像素区的当前行是好行还是坏行；当前行为好行时，所述行地址发生器将所述当前行的行地址发送到读操作控制器，读操作控制器对所述当前行的行地址进行读操作；当前行为坏行时，所述行地址发生器检测暂存寄存器中的位置，从第0位到第K-1位，当检测到第一个好行时，根据该好行所对应的位地址计算出该好行在所述第二暗像素区中的行地址，并且将该好行的行地址替换所述当前行为坏行的行地址，同时将该好行的行地址发送到读操作控制器对该好行进行读操作；替换完成后，所述行地址发生器将所述暂存寄存器中对应的用于替换的该好行的位值取反；当所述暗像素行计数器的值达到所述最大值时，所述行地址发生器接收到所述暗像素行计数器发送的所述停止检测信号后，停止检测；
读操作控制器，根据所述行地址发生器发送的行地址完成对应的行的读操作。
优选地，所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
优选地，所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
优选地，所述暗像素阵列还包括***暗像素区，所述***暗像素区包围在所述第一暗像素区和所述第二暗像素区的外面；所述***暗像素区包括有J行和P列，其不用于暗电流水平的计算，而用于在制备所述第一暗像素区和所述第二暗像素区时的牺牲暗像素区，避免所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中漏光；其中，J＜K≤L＜M，P＜N。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种暗像素行替换方法，其采用上述暗像素行读取替换操作的控制电路***和上述的暗像素阵列，该暗像素行替换方法包括以下步骤：
步骤01：检测所述暗像素区阵列的所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中的暗像素行，将每一行的好坏标志数据写到存储器中；
步骤02：***通电时，所述存储器中的好坏标志数据由***加载到对应的寄存器中；其中，将所述第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据加载到所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中、以及将所述第二暗像素的暗像素行的好坏标志数据加载到所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中；
步骤03：在每一次暗电流计算开始时，所述暗像素行计数器的值复位为0；然后，所述暗像素行计数器将所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中的各个位值由***加载到所述移位寄存器中，并且将所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的位值加载到所述暂存寄存器中；
步骤04：所述行地址发生器检测所述移位寄存器中的第0位值来判断所述第一暗像素区的当前行是好行还是坏行；
步骤05：当前行为好行时，所述行地址发生器将所述当前行的行地址发送到所述读操作控制器，所述读操作控制器对所述当前行的行地址进行读操作；
当前行为坏行时，所述行地址发生器检测暂存寄存器中的位置，从第0位到第K-1位，当检测到第一个好行时，根据该好行所对应的位地址计算出该好行在所述第二暗像素区中的行地址，并且将该好行的行地址替换所述当前行为坏行的行地址，同时将该好行的行地址发送到所述读操作控制器，所述读操作控制器对该好行进行读操作；替换完成后，所述行地址发生器将所述暂存寄存器中对应的用于替换的该好行的位值取反；
步骤06：开始进行下一行的操作，所述暗像素行计数器的值加1；
步骤07：重复所述步骤04-06，直至所述暗像素行计数器的值等于所述第一暗像素区中的所有暗像素行的行数值，所述暗像素行计数器向所述行地址发生器发送停止检测信号；
步骤08：所述行地址发生器接收到所述暗像素行计数器发送的所述停止检测信号后，停止检测。
优选地，所述暗像素阵列还包括***暗像素区，所述***暗像素区包围在所述第一暗像素区和所述第二暗像素区的外面；所述***暗像素区包括有J行和P列，其不用于暗电流水平的计算，而用于在制备所述第一暗像素区和所述第二暗像素区时的牺牲暗像素区，避免所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中漏光；其中，J＜K≤L＜M，P＜N。
优选地，所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
优选地，所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
本发明的暗像素阵列、替换控制电路***及方法，当第一暗像素区存在坏行时，不需要将整颗芯片废弃，只需要根据测试结果把相关的行的信息写入寄存器，***自动用第二暗像素区中的好行来替换坏行；替换后的暗电流水平可以正常进行计算操作。这种方法可以大大提高芯片的良率；进一步的，当芯片工作正常而暗像素在实际应用过程中出现新的损坏时，如果第二暗像素区中还有可替换的好行，也可以用于芯片的修复；因此，本发明不仅确保了暗电流水平计算的正确性，并且操作方法简单易于实施，提高了工艺效率。
附图说明
图1为本发明的一个较佳实施例的暗像素阵列的结构示意图
图2为本发明的一个较佳实施例的暗像素行读取替换操作的控制电路***的结构示意图
图3为本发明的一个较佳实施例的暗像素行替换方法的流程示意图
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
以下结合附图1-3和具体实施例对本发明的暗像素阵列、暗像素行读取替换操作的控制电路***、以及暗像素行替换方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
请参阅图1，本实施例的用于暗像素电流水平计算的暗像素阵列，为M行×N列的暗像素阵列；其包括：
第一暗像素区101，为L行×P列的暗像素阵列；在没有坏行的情况下，第一暗像素区101中的所有像素都用于暗电流水平的计算；
第二暗像素区102，为K行×P列的暗像素阵列，作为第一暗像素区101的备份像素区；当第一暗像素区101出现坏行时，用第二暗像素区102中相对应的好行替代；第二暗像素区102与第一暗像素区101相邻设置；其中，K≤L＜M，P＜N；第二暗像素区102的暗像素行数小于第一暗像素区101的暗像素行数时，要求第二暗像素区102的好行数大于或等于第一暗像素区101中的坏行数，因此，K要大于第一暗像素区101中可能出现的坏行数，如果定义第一暗像素区101中预计出现的坏行数为Q行，则要求K大于或等于Q，但是无论坏行数Q是否为0，K的值至少为1，从而当Q的值大于等于1时，此时有Q≤K≤L＜M；当Q值等于0时，则有1≤K≤L＜M。需要说明的是，通常，暗像素区可能出现的坏行数通常跟工艺相关，由制造工艺决定，是一个统计经验值。
本实施例中，暗像素阵列还可以包括***暗像素区103，***暗像素区103包围在第一暗像素区101和第二暗像素区102的外面；***暗像素区103包括有J行和P列，其不用于暗电流水平的计算，而用于在制备第一暗像素区101和第二暗像素区102时的牺牲暗像素区，避免第一暗像素区101和第二暗像素区102中漏光；其中，J＜L＜M，P＜N；这是因为，通常在制备暗像素阵列时，由于制造或漏光原因，会导致位于暗像素阵列边缘的区域的暗像素失效或变坏而不能用于计算暗电流水平，因此，为了避免第一暗像素区101和第二暗像素区102的边缘出现坏行以及尽可能提高第一暗像素区101和第二暗像素区102的好行比例，在第一暗像素区101和第二暗像素区102***设置有***暗像素区103，因而其可以成为“牺牲暗像素区”。
请参阅图2，本实施例中，采用上述的暗像素阵列进行暗像素行读取替换操作的控制电路***，由以下部分组成：
存储器201，用于保存暗像素区阵列的第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据、以及暗像素区阵列区的第二暗像素的暗像素行的好坏标志数据；存储器在不通电时也能保存数据，在通电时，存储器上的好坏标志数据由***加载到对应的寄存器中；
暗像素行计数器204；每一帧图像采集开始时，暗像素行计数器204的值被复位为0；图像采集时，当读操作控制器208完成每行的读操作后，暗像素行计数器204的值加1，暗像素行计数器204的最大值为第一暗像素区的所有暗像素行的行数值；当暗像素行计数器204的值达到最大值时，暗像素行计数器204向行地址发生器207发送停止检测信号；
第一暗像素区行好坏标志寄存器202，一共有L位值，从第0位值到第L-1位值分别表示对应的第一暗像素区101中的各个暗像素行的好坏标志数据，例如，第一暗像素区行好坏标志寄存器中的位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行，等等；***通电时，存储器201中存储的第一暗像素区101的暗像素行的好坏标志数据由***加载到第一暗像素区行好坏标志寄存器202中；
移位寄存器205，在每一次暗电流水平计算开始时，将第一暗像素区行好坏标志寄存器202中的各个位值由***加载到移位寄存器205中；当暗像素行计数器204每完成一行的计数时，移位寄存器205定向移动一次；移位寄存器205的第0位表征当前行的好坏；
第二暗像素区行好坏标志寄存器203，一共有K位值，从第0位值到第K-1位值分别对应第二暗像素区102中的各个暗像素行的好坏标志数据，例如，第二暗像素区行好坏标志寄存器中的位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行，等等；***通电时，存储器201中存储的第二暗像素区的暗像素行的好坏标志数据由***加载到第二暗像素区行好坏标志寄存器203中；
暂存寄存器206，在每一次暗电流水平计算开始时，将第二暗像素区行好坏标志寄存器203中的位值加载到暂存寄存器206中；当替换完成后，暂存寄存器接206收来自行地址发生器207发送取反操作控制信号，暂存寄存器206将对应的用于替换的该好行的位值取反；
行地址发生器207，检测移位寄存器205中的第0位值来判断第一暗像素区的当前行是好行还是坏行；当前行为好行时，行地址发生器207将当前行的行地址发送到读操作控制器208，读操作控制器208对当前行的行地址进行读操作；当前行为坏行时，行地址发生器207检测暂存寄存器206中的位置，从第0位到第K-1位，当检测到第一个好行时，根据该好行所对应的位地址计算出该好行在第二暗像素区102中的行地址，并且将该好行的行地址替换当前行为坏行的行地址，同时将该好行的行地址发送到读操作控制器208对该好行进行读操作；替换完成后，行地址发生器207发送取反操作控制信号给暂存寄存器206，暂存寄存器206将对应的用于替换的该好行的位值取反；当暗像素行计数器204的值达到其所设定的最大值(第一暗像素区的所有暗像素行的行数值)时，行地址发生器207接收到暗像素行计数器204发送的停止检测信号后，停止检测；
读操作控制器208，根据行地址发生器207发送的行地址完成对应的行的读操作。本实施例中，读操作控制器208具有行地址译码器，能够将行地址发生器发送的行地址进行译码得到读操作控制器能够读取的格式。
请参阅图3，本实施例中，根据上述的暗像素行读取替换操作的控制电路***的所进行的暗像素行替换方法，其包括以下步骤：
步骤01：检测暗像素区阵列的第一暗像素区和第二暗像素区中的暗像素行，将每一行的好坏标志数据写到存储器中；
步骤02：***通电时，存储器中的好坏标志数据由***加载到对应的寄存器中；
具体的，本实施例中，将第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据加载到第一暗像素区行好坏标志寄存器中、以及将第二暗像素的暗像素行的好坏标志数据加载到第二暗像素区行好坏标志寄存器中；第一暗像素区行好坏标志寄存器一共有L位值，从第0位值到第L-1位值分别表示对应的第一暗像素区中的暗像素行的好坏标志数据，例如，第一暗像素区行好坏标志寄存器中的位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行，等等；第二暗像素区行好坏标志寄存器，一共有K位值，从第0位值到第K-1位值分别对应第二暗像素区中的各个暗像素行的好坏标志数据，例如，第二暗像素区行好坏标志寄存器中的位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行，等等；
步骤03：在每一次暗电流计算开始时，暗像素行计数器的值复位为0；将第一暗像素区行好坏标志寄存器中的各个位值由***加载到移位寄存器中，并且将第二暗像素区行好坏标志寄存器中的位值加载到暂存寄存器中；
步骤04：行地址发生器检测移位寄存器中的第0位值来判断第一暗像素区的当前行是好行还是坏行；
具体的，位移寄存器中的第0位值表示当前要读取的第一暗像素区中的暗像素行的好坏；
步骤05：当前行为好行时，行地址发生器将当前行的行地址发送到读操作控制器，读操作控制器对当前行的行地址进行读操作；
当前行为坏行时，行地址发生器检测暂存寄存器中的位置，从第0位到第K-1位，当检测到第一个好行时，根据该好行所对应的位地址计算出该好行在第二暗像素区中的行地址，并且将该好行的行地址替换当前行为坏行的行地址，同时将该好行的行地址发送到读操作控制器，读操作控制器对该好行进行读操作；替换完成后，行地址发生器将暂存寄存器中对应的用于替换的该好行的位值取反；
步骤06：开始进行下一行的操作，暗像素行计数器的值加1；
步骤07：重复步骤04-06，直至暗像素行计数器的值等于第一暗像素区中的所有暗像素行的行数值，暗像素行计数器向行地址发生器发送停止检测信号；
具体的，重复步骤04-06，直至暗像素行计数器的值等于L，第一暗像素区中的L个暗像素行都被全部执行完毕。
步骤08：行地址发生器接收到暗像素行计数器发送的停止检测信号后，停止检测。
综上所述，本发明的暗像素阵列、替换控制电路***及方法，当第一暗像素区存在坏行时，不需要将整颗芯片废弃，只需要根据测试结果把相关的行的信息写入寄存器，***自动用第二暗像素区中的好行来替换坏行；替换后的暗电流水平可以正常进行计算操作。这种方法可以大大提高芯片的良率；进一步的，当芯片工作正常而暗像素在实际应用过程中出现新的损坏时，如果第二暗像素区中还有可替换的好行，也可以用于芯片的修复；因此，本发明不仅确保了暗电流水平计算的正确性，并且操作方法简单易于实施，提高了工艺效率。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
Claims (10)
1.一种用于暗像素电流水平计算的暗像素阵列，为M行×N列的暗像素阵列；其特征在于，包括第一暗像素区和第二暗像素区；
所述第一暗像素区为L行×P列的暗像素阵列，在没有坏行的情况下，所述第一暗像素区中的所有像素都用于暗电流水平的计算；
所述第二暗像素区为K行×P列的暗像素阵列，作为所述第一暗像素区的备份像素区，当所述第一暗像素区出现坏行时，用所述第二暗像素区中相对应的好行替代；所述第二暗像素区与所述第一暗像素区相邻设置；其中，1≤K≤L＜M，P＜N。
2.根据权利要求1所述的用于暗像素电流水平计算的暗像素阵列，其特征在于，所述暗像素阵列还包括***暗像素区，所述***暗像素区包围在所述第一暗像素区和所述第二暗像素区的外面；所述***暗像素区包括有J行和P列，其不用于暗电流水平的计算，而用于在制备所述第一暗像素区和所述第二暗像素区时的牺牲暗像素区，避免所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中漏光；其中，J＜L＜M，P＜N。
3.一种采用权利要求1所述的暗像素阵列进行暗像素行读取替换操作的控制电路***，其包括：存储器、暗像素行计数器，第一暗像素区行好坏标志寄存器，移位寄存器，第二暗像素区行好坏标志寄存器，暂存寄存器，行地址发生器，以及读操作控制器；其中，
存储器，用于保存所述暗像素区阵列的所述第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据、以及所述暗像素区阵列区的所述第二暗像素的暗像素行的好坏标志数据；存储器在不通电时也能保存数据，在通电时，所述存储器上的好坏标志数据由***加载到对应的寄存器中；
暗像素行计数器，每一帧图像采集开始时，所述暗像素行计数器的值被复位为0；图像采集时，当读操作控制器完成每行的读操作后，所述暗像素行计数器的值加1，所述暗像素行计数器的最大值为所述第一暗像素区的所有暗像素行的行数值；当所述暗像素行计数器的值达到所述最大值时，所述暗像素行计数器向行地址发生器发送停止检测信号；
第一暗像素区行好坏标志寄存器，一共有L位值，从第0位值到第L-1位值分别表示对应的第一暗像素区中的暗像素行的好坏标志数据；***通电时，所述存储器中存储的所述第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据由***加载到所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中；
移位寄存器，在每一次暗电流水平计算开始时，将第一暗像素区行好坏标志寄存器中的各个位值由***加载到所述移位寄存器中；当所述暗像素行计数器每完成一行的计数时，所述移位寄存器定向移动一次；所述移位寄存器的第0位表征当前行的好坏；
第二暗像素区行好坏标志寄存器，一共有K位值，从第0位值到第K-1位值分别对应所述第二暗像素区中的各个暗像素行的好坏标志数据；***通电时，所述存储器中存储的所述第二暗像素区的暗像素行的好坏标志数据由***加载到所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中；
暂存寄存器，在每一次暗电流水平计算开始时，将所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的位值加载到所述暂存寄存器中；
行地址发生器，检测所述移位寄存器中的第0位值来判断所述第一暗像素区的当前行是好行还是坏行；当前行为好行时，所述行地址发生器将所述当前行的行地址发送到读操作控制器，读操作控制器对所述当前行的行地址进行读操作；当前行为坏行时，所述行地址发生器检测暂存寄存器中的位置，从第0位到第K-1位，当检测到第一个好行时，根据该好行所对应的位地址计算出该好行在所述第二暗像素区中的行地址，并且将该好行的行地址替换所述当前行为坏行的行地址，同时将该好行的行地址发送到读操作控制器对该好行进行读操作；替换完成后，所述行地址发生器将所述暂存寄存器中对应的用于替换的该好行的位值取反；当所述暗像素行计数器的值达到所述最大值时，所述行地址发生器接收到所述暗像素行计数器发送的所述停止检测信号后，停止检测；
读操作控制器，根据所述行地址发生器发送的行地址完成对应的行的读操作。
4.根据权利要求3所述的暗像素行读取替换操作的控制电路***，其特征在于，所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
5.根据权利要求3所述的暗像素行读取替换操作的控制电路***，其特征在于，所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
6.根据权利要求3所述的暗像素行读取替换操作的控制电路***，其特征在于，所述暗像素阵列还包括***暗像素区，所述***暗像素区包围在所述第一暗像素区和所述第二暗像素区的外面；所述***暗像素区包括有J行和P列，其不用于暗电流水平的计算，而用于在制备所述第一暗像素区和所述第二暗像素区时的牺牲暗像素区，避免所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中漏光；其中，J＜L＜M，P＜N。
7.一种暗像素行替换方法，其特征在于，采用权利要求3所述的暗像素行读取替换操作的控制电路***和权利要求1所述的暗像素阵列，所述暗像素行替换方法包括以下步骤：
步骤01：检测所述暗像素区阵列的所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中的暗像素行，将每一行的好坏标志数据写到存储器中；
步骤02：***通电时，所述存储器中的好坏标志数据由***加载到对应的寄存器中；其中，将所述第一暗像素区的暗像素行的好坏标志数据加载到所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中、以及将所述第二暗像素的暗像素行的好坏标志数据加载到所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中；
步骤03：在每一次暗电流计算开始时，所述暗像素行计数器的值复位为0；然后，所述暗像素行计数器将所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中的各个位值由***加载到所述移位寄存器中，并且将所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的位值加载到所述暂存寄存器中；
步骤04：所述行地址发生器检测所述移位寄存器中的第0位值来判断所述第一暗像素区的当前行是好行还是坏行；
步骤05：当前行为好行时，所述行地址发生器将所述当前行的行地址发送到所述读操作控制器，所述读操作控制器对所述当前行的行地址进行读操作；
当前行为坏行时，所述行地址发生器检测暂存寄存器中的位置，从第0位到第K-1位，当检测到第一个好行时，根据该好行所对应的位地址计算出该好行在所述第二暗像素区中的行地址，并且将该好行的行地址替换所述当前行为坏行的行地址，同时将该好行的行地址发送到所述读操作控制器，所述读操作控制器对该好行进行读操作；替换完成后，所述行地址发生器将所述暂存寄存器中对应的用于替换的该好行的位值取反；
步骤06：开始进行下一行的操作，所述暗像素行计数器的值加1；
步骤07：重复所述步骤04-06，直至所述暗像素行计数器的值等于所述第一暗像素区中的所有暗像素行的行数值，所述暗像素行计数器向所述行地址发生器发送停止检测信号；
步骤08：所述行地址发生器接收到所述暗像素行计数器发送的所述停止检测信号后，停止检测。
8.根据权利要求7所述的暗像素行替换方法，其特征在于，所述暗像素阵列还包括***暗像素区，所述***暗像素区包围在所述第一暗像素区和所述第二暗像素区的外面；所述***暗像素区包括有J行和P列，其不用于暗电流水平的计算，而用于在制备所述第一暗像素区和所述第二暗像素区时的牺牲暗像素区，避免所述第一暗像素区和所述第二暗像素区中漏光；其中，J＜L＜M，P＜N。
9.根据权利要求7所述的暗像素行替换方法，其特征在于，所述第一暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
10.根据权利要求7所述的暗像素行替换方法，其特征在于，所述第二暗像素区行好坏标志寄存器中的所述位值中，用0表示好行，用1表示坏行；或者用1表示好行，用0表示坏行。
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