CN105097843B - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008023 solidification Effects 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,该阵列基板包括显示区域以及设置在所述显示区域周边的封装区域,所述封装区域上设置有多条相互绝缘的信号线,所述多条相互绝缘的信号线被划分为多组,每一组信号线形成一层电路层,且所述多组信号线形成的多层电路层重叠设置。本发明通过将阵列基板封装区域上的信号线设置为多层结构,并使形成的多层电路层相互重叠,相比现有技术中一层电路层的结构,能够有效减少信号线在封装区域上的覆盖面积,进而在阵列基板一侧进行UV固化时,能够有效减小封装区域上的信号线对固化效果的影响。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
液晶显示面板(TFT-LCD)具有显示质量高、功耗低、无辐射等优点,近几年发展十分迅速,并在各个领域得到了广泛的应用。
现有的液晶显示面板主要包括阵列基板、彩膜基板和液晶层,在现有的液晶显示面板制作工艺中,阵列基板和彩膜基板通过对盒形成所需要的液晶显示面板,在对盒过程前,需要在两基板间进行封框胶涂覆,而后通过固化工艺将液晶层密封在两基板之间,现有的封框胶固化工艺主要包括UV固化和热固化,其中,UV固化对封框胶的固化较热固化的效果更加明显,随着目前产品向小型化和高分辨率方向的发展,在进行UV固化过程中,如果从彩膜基板侧进行UV照射,封框胶会被彩膜基板上的黑矩阵(BM,Black Matrix)所遮挡,容易造成固化不良,为解决此问题,目前通常从阵列基板侧进行UV照射,然而,由于阵列基板上用于形成封框胶的封装区域往往形成有不透明的信号线,而该不透明的信号线同样会或多或少的影响UV光的透过率,进而影响固化效果。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何减小阵列基板封装区域上的信号线对UV固化效果的影响。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明的技术方案提供了一种阵列基板,包括显示区域以及设置在所述显示区域周边的封装区域,所述封装区域上设置有多条相互绝缘的信号线,所述多条相互绝缘的信号线被划分为多组,每一组信号线形成一层电路层,且所述多组信号线形成的多层电路层重叠设置。
优选地,所述多条相互绝缘的信号线的延伸方向相同,且每层所述电路层包括多条等间距设置的信号线。
优选地,在所述多层电路层中,存在一层电路层,使其他电路层在所述阵列基板的投影完全位于该电路层在所述阵列基板的投影内。
优选地,所述多条相互绝缘的信号线的宽度相同,且不同电路层中的信号线的数量相同。
优选地,每条信号线还包括向所述阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部以及向所述显示区域方向延伸的第二延伸部,且所述多条相互绝缘的信号线的第一延伸部相互平行且同层设置,所述多条相互绝缘的信号线的第二延伸部相互平行且同层设置。
优选地,所述封装区域上设置有两层电路层,对于任意两个位于不同电路层且相互重叠的信号线,两者的第一延伸部呈相邻设置,两者的第二延伸部呈相邻设置。
优选地,相临两层电路层之间还形成有绝缘层。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种显示装置,包括上述的阵列基板。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括显示区域以及设置在所述显示区域周边的封装区域,所述封装区域上形成有多条相互绝缘的信号线,其中,在所述封装区域上形成所述多条相互绝缘的信号线包括:
将所述多条相互绝缘的信号线划分为多组,每一组信号线形成一层电路层,并使所述多组信号线形成的多层电路层重叠设置。
优选地,所述多条相互绝缘的信号线的延伸方向相同,且每层所述电路层包括多条等间距设置的信号线。
优选地,在所述多层电路层中,存在一层电路层,使其他电路层在所述阵列基板的投影完全位于该电路层在所述阵列基板的投影内。
优选地,所述多条相互绝缘的信号线的宽度相同,且不同电路层中的信号线的数量相同。
优选地,还包括形成每条信号线向所述阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部以及向所述显示区域方向延伸的第二延伸部,且所述多条相互绝缘的信号线的第一延伸部相互平行且同层设置,所述多条相互绝缘的信号线的第二延伸部相互平行且同层设置。
优选地,在所述封装区域上形成两层电路层,对于任意两个位于不同电路层且相互重叠的信号线,两者的第一延伸部呈相邻设置,两者的第二延伸部呈相邻设置。
优选地,还包括在相邻两层电路层之间形成绝缘层。
(三)有益效果
本发明通过将阵列基板封装区域上的信号线设置为多层结构,并使形成的多层电路层相互重叠,相比现有技术中一层电路层的结构,能够有效减少信号线在封装区域上的覆盖面积,进而在阵列基板一侧进行UV固化时,能够有效减小封装区域上的信号线对固化效果的影响。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种阵列基板的示意图;
图2是图1中AA’方向的截面示意图;
图3是本发明实施方式提供的另一种阵列基板的示意图;
图4是本发明实施方式提供的又一种阵列基板的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本发明实施方式提供了一种阵列基板,该阵列基板包括显示区域以及设置在所述显示区域周边的封装区域,所述封装区域上设置有多条相互绝缘的信号线,所述多条相互绝缘的信号线被划分为多组,每一组信号线形成一层电路层,且所述多组信号线形成的多层电路层重叠设置。
本发明实施方式提供的阵列基板,通过将阵列基板封装区域上的信号线设置为多层结构,并使形成的多层电路层相互重叠,相比现有技术中一层电路层的结构,能够有效减少信号线在封装区域上的覆盖面积,进而在阵列基板一侧进行UV固化时,能够有效减小封装区域上的信号线对固化效果的影响。
例如,可以使上述阵列基板封装区域上的多条信号线的延伸方向相同,并使每层电路层包括多条等间距设置的信号线,通过将形成的多层电路层重叠设置,从而可以有效的提高封装区域上透光区域的面积。
另外,为使相邻两层电路层之间绝缘,可以在相邻两层电路层之间设置透明的绝缘层。
优选地,可以通过对信号线的宽度、每层电路层中信号线的数量及位置进行合理的设计,使得在上述形成的多层电路层中,存在一层电路层,使其他电路层在所述阵列基板的投影完全位于该电路层在所述阵列基板的投影内,进而可以在进行UV固化时,照射的UV光仅在该电路层所覆盖的区域被遮挡。
参见图1,图1是本发明实施方式提供的一种阵列基板的示意图,该阵列基板包括显示区域以及设置在显示区域周边的封装区域,该阵列基板的封装区域上设置有延伸方向相同的多条信号线,该多条线号线被划分为两组信号线,其中一组信号线包括多条等间距设置的信号线111,形成第一层电路层,另一组信号线包括多条等间距设置的信号线131,形成第二层电路层;
图2是图1中AA’方向的截面示意图,如图2所示,两层电路层中的信号线111和信号线131重叠设置,并且通过透明的绝缘层120相互分隔;
如图1所示,由于第一层电路层中的信号线111与第二层电路层中的信号线131正对设置,且信号线131的宽度小于信号线111的宽度,使得在封装区域中第二层电路层在阵列基板上投影完全位于第一层电路层在阵列基板的投影内,当进行UV光照射时,避免了第二层电路层对UV光的遮挡,相比现有技术仅有一层电路层的结构,能够大大提高UV光的透过率,进而提高固化效果。
此外,在上述的阵列基板中,每条信号线还包括向所述阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部以及向所述显示区域方向延伸的第二延伸部,通过信号线的第一延伸部使该线号线连接至阵列基板上的其他周边电路,如GOA单元、焊垫结构(Bonding Pad)等电路结构,通过第二延伸线使该信号线连接至阵列基板的显示区域内,如连接至栅线、数据线等;
如图1所示,对于第一层电路层中的信号线111,其包括向阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部112以及向显示区域方向延伸的第二延伸部113,对于第二层电路层中的信号线131,其包括向阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部132以及向显示区域方向延伸的第二延伸部133,具体地,对于上述的两层电路层结构,可以首先制作第一层电路层的多条信号线111及其延伸部(包括第一延伸部112和第二延伸部113),而后再形成绝缘层120,再制作第二层电路层的多条信号线131及其延伸部(包括第一延伸部132和第二延伸部133)。
优选地,为了进一步地提高封装区域中透光区域的面积,可以在不影响线号线信号传输性能的情况下尽量地减小线号线的宽度,并使封装区域上的每条线号线的宽度以及不同电路层中的信号线的数量均相同,例如,对于现有技术中的阵列基板,若其封装区域上透光区域的比例为α,信号线的覆盖率为1-α,通过上述方式能够有效将信号线稀疏化,例如,当将信号线设置为n层电路层时,其透光区域的比例可以增加至:α+(1-1/n)(1-α);
如图3所示,图3是本发明实施方式提供的另一种阵列基板的示意图,该阵列基板的封装区域上形成有两层电路层,第一层电路层包括多条延伸方向相同的线号线111,第二层电路层包括多条延伸方向相同的信号线131,在该两层电路层中,信号线的宽度、延伸方向、数量及设置位置均相同,从而可以进一步地增大封装区域的透光面积,在UV固化时提高UV光的透光率,提高固化效果;
此外,在本发明中,封装区域上所有信号线的延伸部可以通过一次构图工艺制作在同一层中,参见图4,图4是本发明实施方式提供的又一种阵列基板的示意图,该阵列基板的封装区域上形成有两层电路层,第一层电路层包括多条延伸方向相同的线号线111,第二层电路层包括多条延伸方向相同的信号线131,在该两层电路层中,信号线的宽度、延伸方向、数量及设置位置均相同;
此外,在上述两层电路层中,所有信号线的第一延伸部相互平行且同层设置,所有信号线的第二延伸部相互平行且同层设置,且对于任意两个位于不同电路层且相互重叠的信号线,两者的第一延伸部呈相邻设置,两者的第二延伸部呈相邻设置,即第一层电路层中的信号线111的第一延伸部112与第二层电路层中的信号线131的第一延伸部132交替设置,第一层电路层中的信号线111的第二延伸部113与第二层电路层中的信号线131的第二延伸部133交替设置,并且对于信号线131,其可以通过绝缘层120上的过孔121与其第一延伸部和第二延伸部相连,例如,对于上述的两层电路层结构,可以首先通过第一次构图工艺形成第一层电路层的信号线111及其延伸部(包括第一延伸部112和第二延伸部113)、第二电路层的信号线131的延伸部(包括第一延伸部132和第二延伸部133),而后再制作绝缘层120,再通过第二次构图工艺形成第二电路层的信号线131,并使制作的信号线131通过绝缘层120上的过孔121与其延伸部相连。
此外,本发明实施方式还提供了一种显示装置,包括上述的阵列基板。其中,本发明实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施方式还提供了一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括显示区域以及设置在所述显示区域周边的封装区域,所述封装区域上形成有多条相互绝缘的信号线,其中,在所述封装区域上形成所述多条相互绝缘的信号线包括:
将所述多条相互绝缘的信号线划分为多组,每一组信号线形成一层电路层,并使所述多组信号线形成的多层电路层重叠设置。
例如,可以在阵列基板的封装区域上制作多条延伸方向相同的信号线,并将该多条信号线制作在不同的电路层中,每层电路层包括多条等间距设置的信号线,通过将形成的多层电路层重叠设置,从而可以有效的提高封装区域透光区域的面积。
优选地,可以通过对信号线的宽度、每层电路层中信号线的数量及位置进行合理的设计,使得在上述形成的多层电路层中,存在一层电路层,使其他电路层在所述阵列基板的投影完全位于该电路层在所述阵列基板的投影内,进而可以在进行UV固化时,照射的UV光仅在该电路层所覆盖的区域被遮挡。
优选地,为进一步增大封装区域上的透光区域,所述多条相互绝缘的信号线的宽度相同,且不同电路层中的信号线的数量相同。
此外,上述的制作方法还包括形成每条信号线向所述阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部以及向所述显示区域方向延伸的第二延伸部,且所述多条相互绝缘的信号线的第一延伸部相互平行且同层设置,所述多条相互绝缘的信号线的第二延伸部相互平行且同层设置。
例如,可以在上述阵列基板的封装区域上形成两层电路层,并且对于任意两个位于不同电路层且相互重叠的信号线,两者的第一延伸部呈相邻设置,两者的第二延伸部呈相邻设置。
另外,在上述的制作过程中,为使相邻两层电路层之间绝缘,可以在相邻两层电路层之间形成透明的绝缘层。
以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (11)
1.一种阵列基板,包括显示区域以及设置在所述显示区域周边的封装区域,所述封装区域上设置有多条相互绝缘的信号线,其特征在于,所述多条相互绝缘的信号线被划分为多组,每一组信号线形成一层电路层,且所述多组信号线形成的多层电路层重叠设置,
在所述多层电路层中,存在一层电路层,使其他电路层在所述阵列基板的投影完全位于该电路层在所述阵列基板的投影内,
每条所述信号线还包括向所述阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部以及向所述显示区域方向延伸的第二延伸部,且所述多条相互绝缘的信号线的第一延伸部相互平行且同层设置,所述多条相互绝缘的信号线的第二延伸部相互平行且同层设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每层所述电路层包括多条等间距设置的信号线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述多条相互绝缘的信号线的宽度相同,且不同电路层中的信号线的数量相同。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述封装区域上设置有两层电路层,对于任意两个位于不同电路层且相互重叠的信号线,两者的第一延伸部呈相邻设置,两者的第二延伸部呈相邻设置。
5.根据权利要求1-4任一所述的阵列基板,其特征在于,相临两层电路层之间还形成有绝缘层。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括显示区域以及设置在所述显示区域周边的封装区域,所述封装区域上形成有多条相互绝缘的信号线,其特征在于,在所述封装区域上形成所述多条相互绝缘的信号线包括:
将所述多条相互绝缘的信号线划分为多组,每一组信号线形成一层电路层,并使所述多组信号线形成的多层电路层重叠设置,
在所述多层电路层中,存在一层电路层,使其他电路层在所述阵列基板的投影完全位于该电路层在所述阵列基板的投影内,
还包括:形成每条信号线向所述阵列基板边缘方向延伸的第一延伸部以及向所述显示区域方向延伸的第二延伸部,且所述多条相互绝缘的信号线的第一延伸部相互平行且同层设置,所述多条相互绝缘的信号线的第二延伸部相互平行且同层设置。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述多条相互绝缘的信号线的延伸方向相同,且每层所述电路层包括多条等间距设置的信号线。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述多条相互绝缘的信号线的宽度相同,且不同电路层中的信号线的数量相同。
10.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述封装区域上形成两层电路层,对于任意两个位于不同电路层且相互重叠的信号线,两者的第一延伸部呈相邻设置,两者的第二延伸部呈相邻设置。
11.根据权利要求7-10任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,还包括在相邻两层电路层之间形成绝缘层。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510509180.0A CN105097843B (zh) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US15/519,959 US20170329190A1 (en) | 2015-08-18 | 2016-01-13 | Array substrate and manufacturing method for the same, and display device |
PCT/CN2016/070767 WO2017028485A1 (zh) | 2015-08-18 | 2016-01-13 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510509180.0A CN105097843B (zh) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105097843A CN105097843A (zh) | 2015-11-25 |
CN105097843B true CN105097843B (zh) | 2018-10-19 |
Family
ID=54577908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510509180.0A Active CN105097843B (zh) | 2015-08-18 | 2015-08-18 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170329190A1 (zh) |
CN (1) | CN105097843B (zh) |
WO (1) | WO2017028485A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105097843B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN108364962B (zh) * | 2018-03-07 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及其封装方法 |
US11727859B2 (en) | 2018-10-25 | 2023-08-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN109461405B (zh) * | 2018-11-13 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和光场显示装置 |
US11804514B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-10-31 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and light field display device with overlapping signal lines |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TWI525378B (zh) * | 2013-12-06 | 2016-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件陣列基板和顯示面板 |
CN104699349B (zh) * | 2015-04-01 | 2017-12-05 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
CN105097843B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
-
2015
- 2015-08-18 CN CN201510509180.0A patent/CN105097843B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-13 US US15/519,959 patent/US20170329190A1/en not_active Abandoned
- 2016-01-13 WO PCT/CN2016/070767 patent/WO2017028485A1/zh active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017028485A1 (zh) | 2017-02-23 |
CN105097843A (zh) | 2015-11-25 |
US20170329190A1 (en) | 2017-11-16 |
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