CN105088142B - 一种蒸镀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种蒸镀方法,主要内容包括:通过对柔性基板进行拉伸以增大柔性基板的蒸镀尺寸,并为拉伸后的柔性基板匹配相同尺寸的掩膜板进行蒸镀,在柔性基板恢复原始尺寸后,得到较高分辨率的基板,且该柔性基板的分辨率高于该柔性基板的原始尺寸对应的掩膜板的最大掩膜精度得到的分辨率。由于匹配的掩膜板的面积尺寸变大,因此,对应的最大掩膜精度相应变大,蒸镀形成的像素单元的个数增多;同时,由于掩膜板的面积尺寸变大,掩膜缝隙会相应变大,从而,避免了粘条现象;而且,保证了蒸镀精度需求,避免蒸镀均一性较差而导致的混色现象。

Description

一种蒸镀方法
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域,尤其涉及一种蒸镀方法。
背景技术
蒸镀工艺是指:在真空环境中,将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华,并使之镀到基板上的过程,也称为真空蒸镀或真空镀膜。
一般情况下,在进行蒸镀有机材料的时候,需要在有机材料与基板之间使用高精度金属掩膜板进行阻隔,从而蒸镀形成图案化的膜层。以显示技术领域中蒸镀膜层为例,高精度金属掩膜板主要用于保证蒸镀位置的精确,确定蒸镀形成的图案的精细程度,以及确定蒸镀形成的像素个数。可见,蒸镀过程中使用的高精度金属掩膜板的具体参数决定了生产出来的产品的良率。
但是,为了得到高分辨率的基板,一味通过改变高精度金属掩膜板的掩膜精度的方式是不可取的。如图1所示,由于高精度金属掩膜板A的尺寸是固定的,其中的掩膜缝隙11的最小值也相对固定,这是因为蒸镀工艺过程中对蒸镀精度的要求很高,缝隙太小则无法实现正常的蒸镀工艺。而且,现在使用的高精度金属掩膜板A均是采用多个高精度金属掩膜条12组合而成,因而,在蒸镀过程中相邻两个高精度金属掩膜条12很容易被用于蒸镀的有机材料粘合在一起,形成粘条现象。若为了实现更高的分辨率而使用掩膜精度(掩膜板中对应像素单元的开口区域的横向、纵向个数)更高的金属掩膜板,则会造成蒸镀形成的阵列像素的均一性不好,甚至出现混色的现象。因此,现有的高精度金属掩膜板的最大掩膜精度是相对固定的,然而这种固定的掩膜精度又会导致在每个基板上所能蒸镀形成的像素个数受到限制,进而影响产品分辨率的提升。
发明内容
本发明实施例提供一种蒸镀方法,用以解决现有技术中存在的由于高精度金属掩膜板的掩膜精度的限制而无法通过蒸镀工艺有效形成高分辨率基板的问题。
本发明实施例采用以下技术方案:
一种蒸镀方法,所述方法包括:
提供一柔性基板;
对所述柔性基板进行拉伸,以使得拉伸后的蒸镀尺寸大于所述柔性基板的原始尺寸;
在所述拉伸后的柔性基板的蒸镀面设置一与蒸镀尺寸匹配的掩膜板,其中,所述掩膜板的掩膜精度不小于所述柔性基板在原始尺寸时对应的掩膜板的最大掩膜精度;
利用所述掩膜板,在所述拉伸后的柔性基板上蒸镀形成图案化的膜层。
优选地,对所述柔性基板进行拉伸,具体包括:
在所述柔性基板的边缘区域均匀设置多个夹具,控制每个夹具以相同的拉力拉伸所述柔性基板。
优选地,所述拉伸后的柔性基板的蒸镀尺寸为预设蒸镀尺寸,其中,所述预设蒸镀尺寸小于所述柔性基板的最大拉伸尺寸。
优选地,所述拉伸后的柔性基板的蒸镀尺寸为所述柔性基板的最大拉伸尺寸。
优选地,所述方法还包括:
在所述蒸镀有图案化的膜层的柔性基板恢复原始尺寸后,根据检测到的蒸镀形成的图案化的膜层的尺寸参数,对蒸镀源的蒸镀速率以及蒸镀次数进行调试。
优选地,所述掩膜板为金属掩膜板。
在本发明实施例中,通过对柔性基板进行拉伸以增大柔性基板的蒸镀尺寸,并为拉伸后的柔性基板匹配相同尺寸的掩膜板进行蒸镀,在柔性基板恢复原始尺寸后,得到较高分辨率的基板,且该柔性基板的分辨率高于该柔性基板的原始尺寸对应的掩膜板的最大掩膜精度得到的分辨率。由于匹配的掩膜板的面积尺寸变大,因此,对应的最大掩膜精度相应变大,蒸镀形成的像素单元的个数增多;同时,由于掩膜板的面积尺寸变大,掩膜缝隙会相应变大,从而,避免了粘条现象;而且,保证了蒸镀精度需求,避免蒸镀均一性较差而导致的混色现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有的高精度金属掩膜板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种蒸镀方法的流程示意图;
图3(a)-3(d)为本发明实施例提供的蒸镀方法的工艺流程原理图;
图4为尺寸为n1×m1的掩膜板B的简单示意图;
图5为设置有夹具的柔性基板的简单示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
下面通过具体的实施例对本发明所涉及的技术方案进行详细描述,本发明包括但并不限于以下实施例。
如图2所示,为本发明实施例提供的一种蒸镀方法的流程示意图,该方法主要包括以下步骤:
步骤21:提供一柔性基板。
如图3(a)所示,提供一矩形柔性基板31,假设其尺寸大小为n1×m1。一般情况下,每个尺寸的基板都对应有相同尺寸的掩膜板,且掩膜板能够保证有效良率的最大掩膜精度也是一定的,其中,针对同一尺寸的掩膜板,掩膜图案越小,表明掩膜精度越高,掩膜图案越大,则掩膜精度越低。另外,在本发明实施例中,为了便于表述,针对不同尺寸的掩膜板,掩膜图案的个数(尤其指对应的像素单元的横、纵排布个数)越大,掩膜精度越高,反之,掩膜精度越低。
相应地,如图4所示的尺寸为n1×m1的掩膜板B,此时所示的是最大掩膜精度,例如图4中所示的4×4的像素单元,但是,本发明实施例中,若希望该尺寸n1×m1的柔性基板蒸镀形成大于4×4的像素单元阵列,该尺寸的掩膜板的最大掩膜精度就无法满足这一需求,而通过提高该掩膜板的掩膜精度的方式,虽然能够提高分辨率,但是无法保证蒸镀形成的像素单元在基板上的良率。
步骤22:对柔性基板进行拉伸,以使得拉伸后的蒸镀尺寸大于柔性基板的原始尺寸。
鉴于上述问题的存在,考虑到柔性基板具有可伸缩性,因此,可对柔性基板进行拉伸,实际中存在多种拉伸方法。在本发明实施例中,可在柔性基板的边缘区域均匀设置多个夹具(每个夹具所夹设的位置为基板设定的边框区域,夹具只能在该边框区域中移动,不能超过该边框区域,否则会对基板后续的蒸镀过程造成影响),控制每个夹具以相同的拉力拉伸柔性基板。具体地,针对矩形柔性基板,可通过图5所示的方式进行拉伸:在矩形柔性基板的四个侧边的中点位置,均设置一个用以固定柔性基板的夹具33,该夹具33的另一侧连接有控制拉伸装置(未示出),以在开启该控制拉伸装置时,利用夹具对该柔性基板的四个侧面进行均匀拉伸,以保证柔性基板在四个侧面方向上均匀拉伸以增大柔性基板的尺寸。其中,每个侧面安装的夹具数量可根据实际柔性基板的尺寸大小进行设置;例如,若侧边的尺寸较大,则可以设置的夹具个数相对多一些,若侧边的尺寸较小,可以设置相对数量较少的夹具)。而且,在拉伸的过程中,每个夹具所施展出的拉力的状态是一致的(可以通过控制拉伸装置中的拉力检测器对每个夹具进行控制),且需要以0牛顿力开始逐步增加,直至柔性基板的尺寸拉伸至所需的蒸镀尺寸为止。需要说明的是,经过拉伸后得到的蒸镀尺寸必大于柔性基板的原始尺寸,如图3(b)所示,该柔性基板31拉伸后的蒸镀尺寸为n2×m2,其中,n2>n1,m2>m1。
其实,在本发明实施例所涉及的蒸镀方案中,会根据实际的需求定义一预设蒸镀尺寸,拉伸后的柔性基板的蒸镀尺寸为预设蒸镀尺寸,其中,预设蒸镀尺寸小于柔性基板的最大拉伸尺寸。此外,一种较为特殊的情况,拉伸后的柔性基板的蒸镀尺寸为柔性基板的最大拉伸尺寸。
步骤23:在拉伸后的柔性基板的蒸镀面设置一与蒸镀尺寸匹配的掩膜板,其中,掩膜板的掩膜精度不小于柔性基板在原始尺寸时对应的掩膜板的最大掩膜精度。
具体地,如图3(c)所示,由于该柔性基板31在无拉伸的状态太很容易恢复到原始尺寸,因此,在蒸镀完成之前,都需要保持夹具的拉伸状态,持续为该柔性基板31提供拉伸力。无论拉伸后的柔性基板31的蒸镀尺寸是预设蒸镀尺寸还是该柔性基板31的最大拉伸尺寸,都需要为拉伸后的柔性基板31匹配与当前蒸镀尺寸相同的掩膜板32,该掩膜板32的尺寸大于该柔性基板31的原始尺寸对应的掩膜板B的尺寸,为了能够获取分辨率较高的柔性基板,该掩膜板32的掩膜精度不小于掩膜板B的最大掩膜精度,同时,掩膜板32的掩膜精度不大于自身尺寸对应的最大掩膜精度。仍以上述掩膜板B的最大掩膜精度4×4的像素单元为例,若希望获取5×5的像素单元阵列,则将掩膜板32的掩膜精度设置为5×5的像素单元阵列,然后设置在拉伸后的柔性基板31的蒸镀面即可。
步骤24:利用掩膜板在拉伸后的柔性基板上蒸镀形成图案化的膜层。
如图3(d)所示,左图为蒸镀形成有图案化的膜层的柔性基板示意图,由于该柔性基板的伸缩特性,在经过一段时间后,不用借助其他外力,即可使该柔性基板恢复到原原始尺寸,如右图所示为恢复原始尺寸后的蒸镀有图案化的膜层的柔性基板。
需要说明的是,蒸镀材料在柔性基板恢复原始尺寸时,虽然受到应力影响但是,由于现有的OLED技术中,每个像素单元都是微米级别,因此,不会造成蒸镀材料不的脱离或者破裂的现象。
利用上述的蒸镀方案,在不改变掩膜板的最大掩膜精度的情况下,仅依靠柔性基板的伸缩特性,即可实现提高基板分辨率的效果;同时保证蒸镀精度,解决混色的技术问题;还可以避免粘条的现象。
优选地,在步骤24执行完,并在蒸镀有图案化的膜层的柔性基板恢复原始尺寸后,为了能够保证下一次蒸镀工艺的良率,可根据检测到的蒸镀形成的图案化的膜层的尺寸参数,对蒸镀源的蒸镀速率以及蒸镀次数进行调试。具体地,对恢复原始尺寸后的柔性基板上的蒸镀材料的宽度、厚度以及实际发光效率、寿命等参数进行检测,并反馈给蒸镀源,以确定蒸镀工艺参数,调节蒸镀工艺过程中蒸镀源的蒸镀速率以及蒸镀次数。
此外,在本发明实施例中,所涉及的掩膜板优选为金属掩膜板。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (5)

1.一种蒸镀方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一柔性基板;
在所述柔性基板的边缘区域均匀设置多个夹具,控制每个夹具以相同的拉力拉伸所述柔性基板,以使得拉伸后的蒸镀尺寸大于所述柔性基板的原始尺寸;
在所述拉伸后的柔性基板的蒸镀面设置一与蒸镀尺寸匹配的掩膜板,其中,所述掩膜板的掩膜精度不小于所述柔性基板在原始尺寸时对应的掩膜板的最大掩膜精度;
利用所述掩膜板,在所述拉伸后的柔性基板上蒸镀形成图案化的膜层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述拉伸后的柔性基板的蒸镀尺寸为预设蒸镀尺寸,其中,所述预设蒸镀尺寸小于所述柔性基板的最大拉伸尺寸。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述拉伸后的柔性基板的蒸镀尺寸为所述柔性基板的最大拉伸尺寸。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述蒸镀有图案化的膜层的柔性基板恢复原始尺寸后,根据检测到的蒸镀形成的图案化的膜层的尺寸参数,对蒸镀源的蒸镀速率以及蒸镀次数进行调试。
5.如权利要求1-4任一所述的方法,其特征在于,所述掩膜板为金属掩膜板。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017150017A (ja) * 2016-02-23 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクの製造方法及び有機elディスプレイの製造方法
CN106148892B (zh) * 2016-07-25 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种子掩膜版的张网方法及掩膜版、基板、显示装置
CN108898953B (zh) * 2018-07-04 2020-12-22 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板的制备方法、柔性显示面板和显示装置
CN109166983A (zh) * 2018-09-05 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 喷墨打印方法和显示基板的制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG149680A1 (en) * 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
US20050130422A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 3M Innovative Properties Company Method for patterning films
CN102169960B (zh) * 2011-03-16 2013-03-20 华中科技大学 一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法
CN103713436B (zh) * 2013-12-11 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板和显示装置
CN103839864A (zh) * 2014-02-24 2014-06-04 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种镀膜对位装置和镀膜***
CN104451538B (zh) * 2014-12-30 2017-06-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜板及其制作方法

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