CN105047821A - 基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池及制备方法 - Google Patents

基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于聚合物太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池。本发明所述的器件结构是典型的反型结构。首先，对于二氧化钛电子传输层进行紫外处理和羟基化处理，然后进行聚乙烯亚胺修饰；其次，对于活性层进行无机量子点掺杂，来进一步调节给受体之间的能级，增强载流子的传输；最后，空穴传输层采用水溶性的三氧化钼，并且进行金纳米粒子的掺杂，水溶液旋涂相比于蒸镀法有利于节约能源，金纳米粒子的掺入所产生的表面等离激元共振效应能够将光反射回活性层从而被进一步利用，同时也将有助于电荷在传输层中的传输。三者的同时应用将使载流子的传输更加顺利，达到一个更加平衡的电子‐空穴的迁移速率。

Description

基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池及制备方法
技术领域
本发明属于聚合物太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池及制备方法。
背景技术
聚合物太阳能电池的研究能够极大的缓解能源危机和改善环境污染问题，已经受到越来越多的关注，成为近几年极具吸引力的研究课题。但是能量转换效率低仍然制约着聚合物太阳能电池的商业化应用。单节太阳能电池的效率达到了10.2％，制约其进一步提高的原因主要是不匹配的电子-空穴迁移、分离、传输和复合率，导致一个很低的光电流因此缓冲层修饰的方法被更多的应用，包括阴极缓冲层修饰和阳极缓冲层修饰；另一方面，目前太阳能电池的研究存在一个普遍的问题就是光谱利用率低；同时缓冲层多采用的蒸镀的方法，极大的消耗能源，并且蒸镀传输层时蒸镀腔体内不可避免还将残存传输层材料的小颗粒，这将对下一步电极的蒸镀造成一定的影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池及制备方法。
本发明所制备的聚合物太阳能电池，其特征在于：从下至上，依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、聚乙烯亚胺PEI修饰层，PCDTBT:PCBM活性层、MoO3空穴传输层、Ag阳极组成，即结构为ITO/TiO2/PEI/PCDTBT:PCBM/MoO3/Ag；在活性层中掺入与PCDTBT:PCBM质量比为0.0286％～0.114％的无机量子点(硒化镉、碲化镉、硫化镉等)；在MoO3空穴传输层中掺入与MoO3质量比为3.0％～5.0％的Au纳米粒子(NPs)；使用三种不同的方法修饰旋涂PEI层修饰二氧化钛电池传输层。
其中，TiO2电子传输层的厚度为20～40nm，PEI修饰层的厚度为4～10nm，掺无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层的厚度为80～150nm，掺Au纳米粒子(NPs)的MoO3空穴传输层的厚度为4～10nm，Ag阳极的厚度为80～120nm；
另外，对于TiO2电子传输层，我们还采用了三种方式进行预处理，然后再进行PEI表面修饰；对于活性层，我们将掺入无机量子点材料，来提高活性层给受体材料之间的能级匹配；对于空穴传输层，我们采用水热法制备了水溶性的三氧化钼，并且掺入一定质量的金纳米粒子，然后采用旋涂成膜的方式取代蒸镀的方式制备三氧化钼空穴传输层。上述所有改进方法都更有利于器件中的电荷传输。
本发明中掺金的空穴传输层旋涂到活性层上后进行退火处理，退火后形成良好的表面形态。金纳米粒子展现良好的表面等离激元共振效应，将光反射回活性层被再一次利用；同时，金纳米粒子的掺入有利于电荷的传输；本发明中用旋涂成膜的方法得到掺金的三氧化钼空穴传输层薄膜，与传统的真空热蒸镀法比较，操作更加简单方便，并且能够减少能源的消耗。
具体的方法如下：室温下将一定质量的钼酸铵溶入水中，形成0.01～0.1mol/L的溶液，再将2mol/L的盐酸水溶液加入上述溶液中，直到混合溶液的pH值在1～1.5之间，所得即为水溶性三氧化钼溶液；取5～10mL的上述溶液，加入0.5～1.0mg的金纳米粒子，超声处理20～40min，即得到掺金的三氧化钼水溶液。
本发明所述基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池的制备方法，其步骤与条件如下：
1)将ITO导电玻璃放入烧杯中，分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10～20min，清洗后用氮气吹干；
2)室温条件下将10～20mL的钛酸四丁酯(北京益利化工厂)滴加到90～100mL的无水乙醇(北京化工厂)中，再滴加10～20mL的冰乙酸(北京化工厂)，磁力搅拌30～40min，得到均匀透明的淡黄色溶液；然后加入10～20mL的乙酰丙酮(天津化学试剂厂)，搅拌20～30min，再将10～20mL去离子水以2～4mL/min的速率缓慢滴加到上述溶液中，继续搅拌1～2h，得到均匀透明的淡黄色溶胶，放置陈化6～8h，制得的TiO2溶胶；将制得的TiO2溶胶旋涂在步骤1)得到的ITO导电玻璃表面，旋涂速度为3000～5000rpm；然后将带有TiO2溶胶的ITO导电玻璃在450～600℃条件下焙烧2～3h，自然降温10～12h，即可在ITO导电玻璃上制得TiO2电子传输层，电子传输层的厚度为20～40nm；
3)采用三种不同的方法对TiO2电子传输层进行表面处理，
方法一是TiO2电子传输层表面不经任何处理，直接以3000～4000rmp旋涂1～5mg/mL的PEI溶液，得到厚度为4～10nm的PEI修饰层；
方法二是将步骤2)中旋涂有TiO2电子传输层的ITO导电玻璃用波长为200～400nm的紫外光照射10～20min，再将1～5mg/mL的PEI溶液以3000～4000rmp的转数旋涂到紫外处理后的TiO2电子传输层上，得到厚度为4～10nm的PEI修饰层；
方法三是以TiO2电子传输层为基体材料，以非共轭电解质聚乙烯亚胺(PEI)作为界面修饰层。首先，将步骤2)得到的TiO2电子传输层浸泡在浓度为1～3mg/mL的KOH的乙二醇溶液中10～20h进行羟基化处理；然后，再将1～5mg/mL的PEI溶液以3000～4000rmp的转数旋涂在羟基化处理后的TiO2电子传输层上，由于PEI溶液中含有大量的质子化的胺基能与TiO2电子传输层表面的羟基发生静电自组装，从而形成一层薄薄的界面偶极子层，得到厚度为4～10nm的PEI修饰层；
4)室温条件下，将给体材料PCDTBT(Poly-[N-9”-hepta-decanyl-2,7-carbazolealt-5,5-(40,70-di-2-thienyl-20,10,30ben-zothia-diazole)]，共轭聚合物，sigma-ardrich)与受体材料PCBM([6,6]-phenyl–C61–butyricacidmethylester，富勒烯衍生物，Nichem精密科技有限公司)按照质量比1：4溶于有机溶剂二氯苯(北京百灵威公司)中，配置成5～10mg/mL的活性层溶液，在上述活性层溶液中加入10～40μL、1～5mg/mL的CdSe无机量子点溶液，然后在600～800rpm的速度下搅拌24～48h，即可配置成掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM的混合溶液；
5)在PEI修饰层上旋涂掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层溶液，转速为2000～3000rpm；然后，放入充满惰性气体的手套箱中，在热台上以50～100℃退火10～20min，从而在TiO2电子传输层上制得掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层，厚度为80～150nm；
6)在掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层上旋涂制得的掺金的三氧化钼水溶液，转速为3000～5000rpm；然后放入充满惰性气氛的手套箱中，在热台上以80～120℃退火10～20min，从而在活性层上制得三氧化钼空穴传输层，厚度为4～10nm；
7)将器件取出，在压强1×10-4～5×10-4Pa条件下，在三氧化钼空穴传输层上蒸镀Ag(国药集团化学试剂有限公司)电极，厚度为80～120nm，生长速度为从而制备得到基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池。
我们所制作的基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池能够很好的解决背景技术中提及的问题：1)所采用的PEI修饰阴极缓冲层能够很好的提高电荷的传输平衡；2)；三氧化钼阳极缓冲层掺金以后能够提高光反射，增加光谱利用，并且采用溶液旋涂的办法，避免蒸镀方法带来的一系列问题；3)活性层掺入无机量子点，能够更好的调节给收体间的能级，有利于增强电荷传输，提高电子-空穴迁移率的匹配。
附图说明
图1：本发明所述聚合物太阳能电池的结构示意图；
图2：本发明实施例1制备的不同转数下三氧化钼掺金空穴传输层聚合物太阳能电池光电流曲线。
图3：本发明实施例2紫外处理后，制备的不同转数下PEI修饰的聚合物太阳能电池的光电流曲线；
图4：本发明实施例3羟基化处理后，制备的不同转数下PEI修饰的聚合物太阳能电池的光电流曲线；
图5：本发明实施例1、2、3中三种不同条件下PEI修饰的和没有修饰的聚合物太阳能电池光电流曲线。
如图1所示，1为ITO导电玻璃作为衬底和阴极，2为TiO2电子传输层、3为PEI修饰层、4为PCDTBT:PCBM：CdSe活性层、5为MoO3：Au空穴传输层、6为Ag电极。
如图2所示，在100mw/cm2的氙灯光照下测得了V-I特性曲线，我们使用的是Keithley，SMU2601数字源表。曲线一、二、三分别为没有进行PEI修饰的情况下，三氧化钼空穴传输层的转数为2000、3000和4000转下器件的光电流曲线，我们可以看见器件的效率呈现一个先升高后下降的趋势，在3000转下达到最佳。因此，在后续的实验过程中对于三氧化钼空穴传输层的转数统一选择为3000转。
如图3所示，曲线一为紫外处理后，转数为3000转下的PEI修饰的太阳能电池的光电流曲线；曲线二为紫外处理后，转数为4000转下的PEI修饰的太阳能电池的光电流曲线；曲线三为紫外处理后，转数为5000转下的PEI修饰的太阳能电池的光电流曲线。从图中我们可以清晰地比较出，本发明制备的太阳能电池，PEI转数为4000转时器件的效果最佳。
如图4所示曲线一为羟基化处理后，转数为3000转下的PEI修饰的太阳能电池的光电流曲线；曲线二为羟基化处理后，转数为4000转下的PEI修饰的太阳能电池的光电流曲线；曲线三为羟基化处理后，转数为5000转下的PEI修饰的太阳能电池的光电流曲线。从图中我们可以清晰地比较出，本发明制备的太阳能电池，PEI转数为4000转时器件的效果最佳。
如图5所示，曲线一、二、三分别代表TiO2电子传输层未处理下进行PEI修饰、TiO2电子传输层紫外处理下进行PEI修饰和TiO2电子传输层羟基化处理下进行PEI修饰的器件的光电流曲线。从图中我们可以看出，在TiO2电子传输层没有处理的情况下，PEI修饰能够产生很好的器件效果，经过紫外和羟基化处理后再进行PEI修饰能够使器件的能量转换效率进一步增加。
具体实施方式
实施例1：
(1)将15mm×20mm的ITO导电玻璃放入烧杯中，依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗15min，清洗后的基片用氮***吹干，放入培养皿中待用；
(2)室温25℃下将10mL的Ti(OC4H9)4滴加到90mL的无水乙醇中，再滴加10mL的冰乙酸，磁力搅拌40min，得到均匀透明的淡黄色溶液；然后加入10mL的乙酰丙酮，搅拌30min，再将10mL去离子水以3mL/min的速率缓慢滴加到上述溶液中，继续搅拌1h，得到均匀透明的淡黄色溶胶，静置陈化7h，制得的TiO2溶胶；
将TiO2溶胶旋涂在干净的ITO玻璃表面，旋涂速度为3000rpm；然后将带有TiO2溶胶的ITO导电玻璃放入马弗炉中，在450℃条件下焙烧2h，随后关闭电源让炉内自然降温12h，即可在ITO导电玻璃上制得TiO2电子传输层；
(3)在TiO2电子传输层上直接旋涂2mg/mL的PEI溶液，转数为4000rmp，得到PEI修饰层；
(4)室温条件下，将PCDTBT和PCBM按照质量比1：4溶于1mL二氯苯有机溶剂中，配置成7mg/mL的溶液，再加入20μL、1mg/mL的油溶性的CdSe无机量子点溶液，然后搅拌48h后得到PCDTBT:PCBM：CdSe活性层溶液；
(5)在PEI修饰层上旋涂PCDTBT:PCBM：CdSe活性层溶液，转速为2000rpm；然后，将旋涂好的样品放入充满氩气环境的手套箱中，在热台上70℃退火20min，即可在PEI修饰层上制得PCDTBT:PCBM：CdSe活性层，厚度约为100nm；
(6)在室温25℃下，将39.2mg的钼酸铵溶入20mL的去离子水中，形成0.01mol/L的溶液，再将2mol/L的盐酸水溶液逐滴加入上述溶液中，直到混合溶液的pH值为1.5，最后搅拌2小时得到三氧化钼水溶液。在配好的三氧化钼水溶液取出10mL加入0.58mg的金纳米粒子后超声处理30min。
在PCDTBT:PCBM：CdSe活性层上旋涂制得的水溶性三氧化钼掺金溶液，转速为3000rpm；然后将样品放入充满氩气的手套箱中，在热台上以160℃退火10min，从而在PCDTBT:PCBM：CdSe活性层上制得掺金的三氧化钼薄膜厚度为6nm；
(7)将样品取出，放入SD400B型多源控温有机气相分子沉积***中，在压强为5×10-4Pa下，在掺金的三氧化钼薄膜上蒸镀Ag电极，厚度为100nm，生长速度为
实施例2：
(1)将15mm×20mm的ITO导电玻璃放入烧杯中，依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗15min，清洗后的基片用氮***吹干，放入培养皿中待用；
(2)室温25℃下将10mL的Ti(OC4H9)4滴加到90mL的无水乙醇中，再滴加10mL的冰乙酸，磁力搅拌40min，得到均匀透明的淡黄色溶液；然后加入10mL的乙酰丙酮，搅拌30min，再将10mL去离子水以3mL/min的速率缓慢滴加到上述溶液中，继续搅拌1h，得到均匀透明的淡黄色溶胶，静置陈化7h，制得的TiO2溶胶；
将TiO2溶胶旋涂在干净的ITO玻璃表面，旋涂速度为3000rpm；然后将带有TiO2溶胶的ITO导电玻璃放入马弗炉中，在450℃条件下焙烧2h，随后关闭电源让炉内自然降温12h，即可在ITO导电玻璃上制得TiO2电子传输层；
(3)将TiO2电子传输层用250nm紫外光照射10min。再将2mg/mL的PEI溶液以4000rmp旋涂到紫外处理后的TiO2电子传输层上，得到PEI修饰层；
(4)室温条件下，将PCDTBT和PCBM按照质量比1:4溶于有机溶剂1mL的二氯苯中，配置成7mg/mL的溶液，再加入20μL的1mg/mL的CdSe无机量子点溶液，然后搅拌48h后得到PCDTBT:PCBM：CdSe活性层溶液；
(5)在PEI修饰层上旋涂PCDTBT:PCBM：CdSe活性层溶液，转速为2000rpm；然后，将旋涂好的样品放入充满氩气环境的手套箱中，在热台上70℃退火20min，即可在PEI修饰层上制得PCDTBT:PCBM：CdSe活性层，厚度约为100nm；
(6)在室温25℃下，将39.2mg的钼酸铵溶入20mL的去离子水中，形成0.01mol/L的溶液，再将2mol/L的盐酸水溶液逐滴加入上述溶液中，直到混合溶液的pH值为1.5。最后搅拌2小时得到三氧化钼水溶液备用。在配好的三氧化钼溶液取出10mL加入0.58mg的金纳米粒子后超声处理30min。
在PCDTBT:PCBM：CdSe活性层上旋涂制得的水溶性三氧化钼掺金溶液，转速为3000rpm；然后将样品放入充满氩气的手套箱中，在热台上以160℃退火10min，从而在PCDTBT:PCBM：CdSe活性层上制得掺金的三氧化钼薄膜，厚度为6nm；
(7)将样品取出，放入SD400B型多源控温有机气相分子沉积***中，在压强为5×10-4Pa下，在掺金的三氧化钼薄膜上蒸镀Ag电极，厚度为100nm，生长速度为
实施例3：
(1)将15mm×20mm的ITO导电玻璃放入烧杯中，依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗15min，清洗后的基片用氮***吹干，放入培养皿中待用；
(2)室温25℃下将10mL的Ti(OC4H9)4滴加到90mL的无水乙醇中，再滴加10mL的冰乙酸，磁力搅拌40min，得到均匀透明的淡黄色溶液；然后加入10mL的乙酰丙酮，搅拌30min，再将10mL去离子水以3mL/min的速率缓慢滴加到上述溶液中，继续搅拌1h，得到均匀透明的淡黄色溶胶，静置陈化7h，制得的TiO2溶胶；
将TiO2溶胶旋涂在干净的ITO玻璃表面，旋涂速度为3000rpm；然后将带有TiO2溶胶的ITO导电玻璃放入马弗炉中，在450℃条件下焙烧2h，随后关闭电源让炉内自然降温12h，即可在ITO导电玻璃上制得TiO2电子传输层；
(3)以上面旋好的TiO2电子传输层为基体材料，以非共轭电解质聚乙烯亚胺(PEI)作为界面修饰层。将制备好的电子传输层进行羟基化处理，羟基化方法是将制备好的TiO2电子传输层浸泡在1mg/mL的KOH的乙二醇溶液中20h。然后，再将2mg/mL的PEI溶液以转数4000rmp旋涂在羟基化处理后的TiO2电子传输层上。由于PEI溶液中含有大量的质子化的胺基能与TiO2表面的羟基发生静电自组装过程，形成一层薄薄的界面偶极子层。
(4)室温条件下，将PCDTBT和PCBM按照质量比1:4溶于有机溶剂1mL的二氯苯中，配置成7mg/mL的溶液，再加入20μL的1mg/mL的CdSe无机量子点溶液，然后搅拌48h后得到PCDTBT:PCBM：CdSe活性层溶液；
(5)在PEI修饰层上旋涂PCDTBT:PCBM：CdSe活性层溶液，转速为2000rpm；然后，将旋涂好的样品放入充满氩气环境的手套箱中，在热台上70℃退火20min，即可在PEI修饰层上制得PCDTBT:PCBM：CdSe活性层，厚度约为100nm；
(6)在室温25℃下，将39.2mg的钼酸铵溶入20mL的去离子水中，形成0.01mol/L的溶液，再将2mol/L的盐酸水溶液逐滴加入上述溶液中，直到混合溶液的pH值为1.5。最后搅拌2小时得到三氧化钼水溶液备用。在配好的三氧化钼溶液取出10mL加入0.58mg的金纳米粒子后超声处理30min。
在PCDTBT:PCBM：CdSe活性层上旋涂制得的水溶性三氧化钼掺金溶液，转速为3000rpm；然后将样品放入充满氩气的手套箱中，在热台上以160℃退火10min，从而在PCDTBT:PCBM：CdSe活性层上制得掺金的三氧化钼薄膜，厚度为6nm；
(7)将样品取出，放入SD400B型多源控温有机气相分子沉积***中，在压强为5×10-4Pa下，在掺金的三氧化钼薄膜上蒸镀Ag电极，厚度为100nm，生长速度为

Claims (8)

1.一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池，其特征在于：从下至上，依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、聚乙烯亚胺PEI修饰层，PCDTBT:PCBM活性层、MoO3空穴传输层和Ag阳极组成，在活性层中掺入与PCDTBT:PCBM质量比为0.0286％～0.114％的无机量子点；在空穴传输层中掺入与MoO3质量比为3.0％～5.0％的Au纳米粒子。
2.如权利要求1所述的一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池，其特征在于：无机量子点为硒化镉、碲化镉或硫化镉。
3.如权利要求1所述的一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池，其特征在于：TiO2电子传输层的厚度为20～40nm，PEI修饰层的厚度为4～10nm，掺入无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层的厚度为80～150nm，掺入Au纳米粒子的MoO3空穴传输层的厚度为4～10nm，Ag阳极的厚度为80～120nm。
4.如权利要求1所述的一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池，其特征在于：TiO2电子传输层进行紫外光照射处理。
5.如权利要求1所述的一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池，其特征在于：TiO2电子传输层进行羟基化处理。
6.一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池的制备方法，其步骤如下：
1)将ITO导电玻璃放入烧杯中，分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗10～20min，清洗后用氮气吹干；
2)将TiO2溶胶旋涂在步骤1)得到的ITO导电玻璃表面，旋涂速度为3000～5000rpm；然后将带有TiO2溶胶的ITO导电玻璃在450～600℃条件下焙烧2～3h，自然降温10～12h，即可在ITO导电玻璃上制得TiO2电子传输层，电子传输层的厚度为20～40nm；
3)采用以下三种之一的方法对TiO2电子传输层进行表面处理，
方法一是TiO2电子传输层表面不经任何处理，直接以3000～4000rmp旋涂1～5mg/mL的PEI溶液，得到厚度为4～10nm的PEI修饰层；
方法二是将步骤2)中旋涂有TiO2电子传输层的ITO导电玻璃用波长为200～400nm的紫外光照射10～20min，再将1～5mg/mL的PEI溶液以3000～4000rmp的转数旋涂到紫外处理后的TiO2电子传输层上，得到厚度为4～10nm的PEI修饰层；
方法三首先是将步骤2)得到的TiO2电子传输层浸泡在浓度为1～3mg/mL的KOH的乙二醇溶液中10～20h进行羟基化处理；然后，再将1～5mg/mL的PEI溶液以3000～4000rmp的转数旋涂在羟基化处理后的TiO2电子传输层上，得到厚度为4～10nm的PEI修饰层；
4)室温条件下，将给体材料PCDTBT与受体材料PCBM按照质量比1：4溶于有机溶剂二氯苯中，配置成5～10mg/mL的活性层溶液，在上述活性层溶液中加入10～40μL、1～5mg/mL的无机量子点溶液，然后在600～800rpm的速度下搅拌24～48h，即可配置成掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM的混合溶液；
5)在PEI修饰层上旋涂掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层溶液，转速为2000～3000rpm；然后，放入充满惰性气体的手套箱中，在热台上以50～100℃退火10～20min，从而在TiO2电子传输层上制得掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层，厚度为80～150nm；
6)在掺杂有无机量子点的PCDTBT:PCBM活性层上旋涂制得的掺金的三氧化钼水溶液，转速为3000～5000rpm；然后放入充满惰性气氛的手套箱中，在热台上以80～120℃退火10～20min，从而在活性层上制得三氧化钼空穴传输层，厚度为4～10nm；
7)将器件取出，在压强1×10-4～5×10-4Pa条件下，在三氧化钼空穴传输层上蒸镀Ag电极，厚度为80～120nm，生长速度为从而制备得到基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池。
7.如权利要求6所述的一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述的TiO2溶胶的制备是在室温条件下将10～20mL的钛酸四丁酯滴加到90～100mL的无水乙醇中，再滴加10～20mL的冰乙酸，磁力搅拌30～40min，得到均匀透明的淡黄色溶液；然后加入10～20mL的乙酰丙酮，搅拌20～30min，再将10～20mL去离子水以2～4mL/min的速率缓慢滴加到上述溶液中，继续搅拌1～2h，得到均匀透明的淡黄色溶胶，放置陈化6～8h，制得的TiO2溶胶。
8.如权利要求6所述的一种基于活性层与传输层修饰的反型聚合物太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤6)中所述的掺金的三氧化钼水溶液的制备是在室温下将一定质量的钼酸铵溶入水中，形成0.01～0.1mol/L的溶液，再将2mol/L的盐酸水溶液加入上述溶液中，直到混合溶液的pH值在1～1.5之间，所得即为水溶性三氧化钼溶液；取5～10mL的上述溶液，加入0.5～1.0mg的金纳米粒子，超声处理20～40min，即得到掺金的三氧化钼水溶液。
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