CN105047137A - Amoled实时补偿*** - Google Patents

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Abstract

本发明供一种AMOLED实时补偿***，设置有源极驱动与实时检测补偿集成模块(2)，其内设置第一、第二运算放大器，所述第一运算放大器(Y1)的正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值(ΔV)，对驱动薄膜晶体管(T2)的阈值电压偏差进行实时检测，然后第二运算放大器(Y2)将第一运算放大器(Y1)输出端输出的驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值(ΔV)累加到数据信号(data)电压上，对驱动薄膜晶体管(T2)的阈值电压偏差进行实时补偿，实现了对每个像素单元进行实时量测、实时补偿，并且能够对所有灰阶的数据信号(data)进行有效补偿。

Description

AMOLED实时补偿***
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED实时补偿***。
背景技术
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全彩显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。由于驱动有机发光二极管的薄膜晶体管及有机发光二极管自身均存在阈值电压偏差，因此AMOLED显示装置通常需要设置补偿***来进行补偿。
图1所示为现有的AMOLED补偿***的结构示意图，包括呈矩阵式排列的多个像素单元10，电性连接每一素单元10的源极驱动模块20、电性连接每一像素单元10的栅极驱动模块30、电性连接每一像素单元10的检测开启模块40、电性连接每一像素单元10的检测模块50、电性连接源极驱动模块20、栅极驱动模块30、检测开启模块40、与检测模块50的控制模块60、以及电性连接控制模块60的存储模块70。图2所示为图1中一个像素单元10的电路图，所述像素单元10包括第一TFTT10，第二TFTT20，第三TFTT30，电容C10，及有机发光二极管D10。所述第一TFTT10的栅极接入栅极驱动模块30提供的栅极驱动信号WR，源极接入源极驱动模块20提供的数据信号data；所述第二TFTT20的栅极与第一TFTT10的漏极电性连接，漏极连接恒压高电位Vdd，源极连接节点A10；所述第三TFTT30的栅极接入检测开启模块40提供的检测开启信号RD，源极连接节点A10，漏极通过一走线L连接到检测模块50；有机发光二极管D10的阳极连接节点A10，阴极接地；所述电容C10的一端电性连接第二TFTT20的栅极，另一端电性连接节点A10。
请同时参阅图1和图2，该现有的AMOLED补偿***的工作过程包括TFT检测、有机发光二极管检测、以及显示阶段。TFT检测过程为：通过栅极驱动模块30将栅极驱动信号WR拉高第一TFTT10导通，源极驱动模块20输出高电位的数据信号data给第二TFTT20，第二TFTT20导通；检测开启模块40将检测开启信号RD置高，第三TFTT30导通，电流通过走线L流入检测模块50；所述检测模块50将量测到的电流值传给控制模块60；控制模块60计算出第二TFTT20的阀值电压偏差值，并存在存储模块70中。有机发光二极管检测过程为：通过栅极驱动模块30将栅极驱动信号WR拉高，第一TFTT10导通，源极驱动模块20输出低电位的数据信号data给第二TFTT20，第二TFTT20截止；检测开启模块40将检测开启信号RD置高，第三TFTT30导通，检测模块50通过走线L对有机发光二极管D10放电；检测模块50将此时量测到的电流值传给控制模块60；控制模块60计算出有机发光二极管D10的阀值电压偏差值，并存在存储模块70中。显示阶段时，数据信号data输入进控制模块60，所述控制模块60会根据存储模块70中存放的TFTT20的阀值电压偏差值和有机发光二极管D10的阀值电压偏差值对数据信号data进行补偿，然后再显示到AMOLED面板上。
上述现有的AMOLED补偿***，补偿后的数据信号data经过源极驱动模块20输出，不能对0与255灰阶的数据信号进行有效补偿，并且无法对每个像素单元进行实时量测、实时补偿。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED实时补偿***，能够对所有灰阶的数据信号进行有效补偿，还能够对每个像素单元进行实时量测、实时补偿。
为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED实时补偿***，包括：呈矩阵式排列的多个像素单元、通过数据线、与检测线电性连接每一列像素单元的源极驱动与实时检测补偿集成模块、电性连接每一行像素单元的栅极驱动模块、电性连接每一列像素单元的检测开启模块、及电性连接源极驱动与实时检测补偿集成模块、栅极驱动模块、与检测开启模块的控制模块；
所述像素单元包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、检测薄膜晶体管、及有机发光二极管；
所述栅极驱动模块用于向每一行像素单元提供栅极驱动信号；
所述检测开启模块用于向每一列像素单元提供检测开启信号；
所述源极驱动与实时检测补偿集成模块包括锁存缓冲单元、驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元、第一运算放大器、及第二运算放大器；所述锁存缓冲单元用于接收、锁存、缓冲、与输出数据信号；所述驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元电性连接锁存缓冲单元，用于根据驱动薄膜晶体管源极目标电压与数据信号的函数关系f(data)来计算获取驱动薄膜晶体管源极目标电压；所述第一运算放大器电性连接驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元与像素单元，其正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值，对驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差进行实时检测；所述第二运算放大器电性连接锁存缓冲单元与像素单元，其正输入端接入数据信号，负输入端通过第一开关先接地再接第一运算放大器的输出端，输出端先输出数据信号电压，再输出数据信号电压与第一运算放大器输出端电压的加和，以对驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差进行实时补偿。
所述开关薄膜晶体管的栅极接入栅极驱动信号，源极通过数据线电性连接第二运算放大器的输出端；所述驱动薄膜晶体管的栅极与开关薄膜晶体管的漏极电性连接，漏极连接恒压高电位，源极连接节点；所述检测薄膜晶体管的栅极接入检测开启信号，源极连接节点，漏极通过检测线电性连接第一运算放大器的负输入端；所述有机发光二极管的阳极电性连接节点，阴极接地。
所述像素单元还包括一存储电容，所述存储电容的一端电性连接驱动薄膜晶体管的栅极，另一端电性连接节点。
所述源极驱动与实时检测补偿集成模块还包括电性连接于所述控制模块的电流检测单元，所述电流检测单元通过第二开关与所述检测线导通或断开。
所述AMOLED实时补偿***还包括电性连接控制模块的存储模块，所述控制模块根据电流检测单元量测到的电流值来计算有机发光二极管的阈值电压偏差，所述存储模块用于存放所述机发光二极管的阈值电压偏差。
该AMOLED实时补偿***的工作过程按先后顺序分为五个阶段：
数据信号输入阶段：控制模块控制数据信号输入源极驱动与实时检测补偿集成模块，锁存于锁存缓冲单元；
数据信号输出阶段：所述栅极驱动信号为高电位，数据信号为高电位，检测开启信号为低电位，第一开关接地，第二运算放大器输出端输出数据信号，开关薄膜晶体管导通，驱动薄膜晶体管导通；所述驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元根据驱动薄膜晶体管源极目标电压与数据信号的函数关系f(data)来计算获取驱动薄膜晶体管源极目标电压；
驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时检测阶段：检测开启信号置为高电位，检测薄膜晶体管导通，第一运算放大器的正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值；
驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时补偿阶段：第一开关接第一运算放大器的输出端，第二运算放大器的正输入端接入数据信号，负输入端接第一运算放大器的输出端，输出端输出数据信号电压与第一运算放大器输出端电压的加和；
显示阶段：栅极驱动信号与检测开启信号转变为低电位，开关薄膜晶体管与检测薄膜晶体管截止，有机发光二极管发光显示。
该AMOLED实时补偿***的工作过程还包括设于数据信号输入阶段之前的有机发光二极管阈值电压偏差检测阶段：所述栅极驱动信号为高电位，数据信号为低电位，检测开启信号为高电位，第一开关接地，第二开关闭合，驱动薄膜晶体管截止，检测薄膜晶体管导通，所述电流检测单元通过第二开关与所述检测线导通，电流检测单元通过检测线对有机发光二级管放电，电流检测单元将量测到的电流值传给所述控制模块，所述控制模块计算出有机发光二极管的阀值电压偏差值，并存在存储模块中；
在接下来的数据信号输入阶段：控制模块先将有机发光二极管的阀值电压偏差补偿给数据信号，再将补偿后的数据信号输入源极驱动与实时检测补偿集成模块。
所述第一开关在低电位的控制下接地，在高电位的控制下接第一运算放大器的输出端。
本发明的有益效果：本发明供的一种AMOLED实时补偿***，设置有源极驱动与实时检测补偿集成模块，其内设置第一运算放大器、及第二运算放大器，所述第一运算放大器的正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值，对驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差进行实时检测，然后第二运算放大器将第一运算放大器输出端输出的驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值累加到数据信号电压上，以对驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差进行实时补偿，实现了对每个像素单元进行实时量测、实时补偿，并且能够对所有灰阶的数据信号进行有效补偿。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的AMOLED补偿***的架构图；
图2为图1中一个像素单元的电路图；
图3为本发明的AMOLED实时补偿***的架构图；
图4为图3中源极驱动与实时检测补偿集成模块及像素单元的电路图；
图5为本发明的AMOLED实时补偿***在数据信号输出阶段、驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时检测阶段、驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时补偿阶段、及显示阶段的时序图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图3与图4，本发明提供一种AMOLED实时补偿***，包括：呈矩阵式排列的多个像素单元1、通过数据线11、与检测线12电性连接每一列像素单元1的源极驱动与实时检测补偿集成模块2、电性连接每一行像素单元1的栅极驱动模块3、电性连接每一列像素单元1的检测开启模块4、及电性连接源极驱动与实时检测补偿集成模块2、栅极驱动模块3、与检测开启模块4的控制模块5。
具体地，所述栅极驱动模块3用于向每一行像素单元1提供栅极驱动信号WR。
所述检测开启模块4用于向每一列像素单元1提供检测开启信号RD。
所述像素单元1包括开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2、检测薄膜晶体管T3、有机发光二极管D、及存储电容C。所述开关薄膜晶体管T1的栅极接入栅极驱动信号WR，源极通过数据线11电性连接第二运算放大器Y2的输出端；所述驱动薄膜晶体管T2的栅极与开关薄膜晶体管T1的漏极电性连接，漏极连接恒压高电位Vdd，源极连接节点A；所述检测薄膜晶体管T3的栅极接入检测开启信号RD，源极连接节点A，漏极通过检测线12电性连接第一运算放大器Y1的负输入端；所述有机发光二极管D的阳极电性连接节点A，阴极接地；所述存储电容C的一端电性连接驱动薄膜晶体管T2的栅极，另一端电性连接节点A。
重点地，所述源极驱动与实时检测补偿集成模块2包括锁存缓冲单元21、驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元22、第一运算放大器Y1、及第二运算放大器Y2。
所述锁存缓冲单元21用于接收、锁存、缓冲、与输出数据信号data。
所述驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元22电性连接锁存缓冲单元21，用于根据驱动薄膜晶体管源极目标电压与数据信号data的函数关系f(data)来计算获取驱动薄膜晶体管源极目标电压，即节点A的目标电压，f(data)可由本领域的技术人员在相应的已知函数中选取。
所述第一运算放大器Y1电性连接驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元22与像素单元1，其正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值ΔV，即节点A的目标电压与实际电压的差值ΔV，对驱动薄膜晶体管T2的阈值电压偏差进行实时检测。
所述第二运算放大器Y2电性连接锁存缓冲单元21与像素单元1，其正输入端接入数据信号data，负输入端通过第一开关S1先接地再接第一运算放大器Y1的输出端，输出端先输出数据信号data电压，再输出数据信号data电压加上第一运算放大器Y1输出的驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值ΔV的和，以对驱动薄膜晶体管T2的阈值电压偏差进行实时补偿。
举例说明如下，数据信号data输入到驱动薄膜晶体管T2的栅极，若驱动薄膜晶体管T2的实际阈值电压比理想的阈值电压相差0.1V，那么反映到驱动薄膜晶体管T2的源极目标电压与驱动薄膜晶体管T2的源极实际电压的差值ΔV也为0.1V，即节点A的目标电压与实际电压的差值ΔV也为0.1V。第一运算放大器的输出端输出该0.1V的电压差值，然后第二运算放大器将该0.1V的电压差值累加到数据信号data电压上，驱动薄膜晶体管T2的源极电压即节点A的电压相应提高约0.1V，补偿了驱动薄膜晶体管T2的阈值电压偏差。
考虑到有机发光二极管D经过一段时间的使用、老化后，其阈值电压会比较稳定，在不需要补偿有机发光二极管阈值电压偏差的情况下，上述AMOLED实时补偿***已经能够达到对每个像素单元进行实时量测、实时补偿的效果，并且由于节点A的电压值与数据信号data也具有函数关系，不论数据信号data的灰阶值是多少，均有对应的A点电压，即该AMOLED实时补偿***能够对所有灰阶的数据信号进行有效补偿。
进一步地，结合图3、图4、与图5，该AMOLED实时补偿***的工作过程按先后顺序分为五个阶段：
数据信号输入阶段：控制模块5控制数据信号输入源极驱动与实时检测补偿集成模块2，锁存于锁存缓冲单元21。
数据信号输出阶段：所述栅极驱动信号WR为高电位，数据信号data为高电位，检测开启信号RD为低电位，第一开关S1在低电位的控制下接地，第二运算放大器Y2输出端输出数据信号data，开关薄膜晶体管T1导通，驱动薄膜晶体管T2导通；所述驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元22根据驱动薄膜晶体管源极目标电压与数据信号data的函数关系f(data)来计算获取驱动薄膜晶体管源极目标电压。
驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时检测阶段：检测开启信号RD置为高电位，检测薄膜晶体管T3导通，第一运算放大器Y1的正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值ΔV。
驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时补偿阶段：第一开关S1在高电位的控制下接第一运算放大器Y1的输出端，第二运算放大器Y2的正输入端接入数据信号data，负输入端接第一运算放大器Y1的输出端，输出端输出数据信号data电压与第一运算放大器Y1输出端电压的加和。
显示阶段：栅极驱动信号WR与检测开启信号RD转变为低电位，开关薄膜晶体管T1与检测薄膜晶体管T3截止，有机发光二极管D发光显示。
对于使用时间较短的AMOLED显示装置，有必要补偿有机发光二极管的阈值电压偏差，因此本发明的AMOLED实时补偿***还设有电性连接控制模块5的存储模块6，在所述源极驱动与实时检测补偿集成模块2内还设置电性连接于所述控制模块5的电流检测单元23。所述电流检测单元23通过第二开关S2与所述检测线12导通或断开。所述控制模块5根据电流检测单元23量测到的电流值来计算有机发光二极管D的阈值电压偏差，所述存储模块6用于存放所述机发光二极管D的阈值电压偏差。
相应地，该AMOLED实时补偿***的工作过程需要在数据信号输入阶段之前增加有机发光二极管阈值电压偏差检测阶段：所述栅极驱动信号WR为高电位，数据信号data为低电位，检测开启信号RD为高电位，第一开关S1接地，第二开关S2闭合，驱动薄膜晶体管T2截止，检测薄膜晶体管T3导通，所述电流检测单元23通过第二开关S2与所述检测线12导通，电流检测单元23通过检测线12对有机发光二级管D放电，电流检测单元23将量测到的电流值传给所述控制模块5，所述控制模块5计算出有机发光二极管D的阀值电压偏差值，并存在存储模块6中。
在接下来的数据信号输入阶段：控制模块5先将有机发光二极管D的阀值电压偏差补偿给数据信号，再将补偿后的数据信号输入源极驱动与实时检测补偿集成模块2。
此后的数据信号输出阶段、驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时检测阶段、驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时补偿阶段、及显示阶段均按序进行，此处不再重复描述。
综上所述，本发明供的AMOLED实时补偿***，设置有源极驱动与实时检测补偿集成模块，其内设置第一运算放大器、及第二运算放大器，所述第一运算放大器的正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值，对驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差进行实时检测，然后第二运算放大器将第一运算放大器输出端输出的驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值累加到数据信号电压上，以对驱动薄膜晶体管的阈值电压偏差进行实时补偿，实现了对每个像素单元进行实时量测、实时补偿，并且能够对所有灰阶的数据信号进行有效补偿。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种AMOLED实时补偿***，其特征在于，包括：呈矩阵式排列的多个像素单元(1)、通过数据线(11)、与检测线(12)电性连接每一列像素单元(1)的源极驱动与实时检测补偿集成模块(2)、电性连接每一行像素单元(1)的栅极驱动模块(3)、电性连接每一列像素单元(1)的检测开启模块(4)、及电性连接源极驱动与实时检测补偿集成模块(2)、栅极驱动模块(3)、与检测开启模块(4)的控制模块(5)；
所述像素单元(1)包括开关薄膜晶体管(T1)、驱动薄膜晶体管(T2)、检测薄膜晶体管(T3)、及有机发光二极管(D)；
所述栅极驱动模块(3)用于向每一行像素单元(1)提供栅极驱动信号(WR)；
所述检测开启模块(4)用于向每一列像素单元(1)提供检测开启信号(RD)；
所述源极驱动与实时检测补偿集成模块(2)包括锁存缓冲单元(21)、驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元(22)、第一运算放大器(Y1)、及第二运算放大器(Y2)；所述锁存缓冲单元(21)用于接收、锁存、缓冲、与输出数据信号(data)；所述驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元(22)电性连接锁存缓冲单元(21)，用于根据驱动薄膜晶体管源极目标电压与数据信号(data)的函数关系f(data)来计算获取驱动薄膜晶体管源极目标电压；所述第一运算放大器(Y1)电性连接驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元(22)与像素单元(1)，其正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值(ΔV)，对驱动薄膜晶体管(T2)的阈值电压偏差进行实时检测；所述第二运算放大器(Y2)电性连接锁存缓冲单元(21)与像素单元(1)，其正输入端接入数据信号(data)，负输入端通过第一开关(S1)先接地再接第一运算放大器(Y1)的输出端，输出端先输出数据信号(data)电压，再输出数据信号(data)电压与第一运算放大器(Y1)输出端电压的加和，以对驱动薄膜晶体管(T2)的阈值电压偏差进行实时补偿。
2.如权利要求1所述的AMOLED实时补偿***，其特征在于，所述开关薄膜晶体管(T1)的栅极接入栅极驱动信号(WR)，源极通过数据线(11)电性连接第二运算放大器(Y2)的输出端；所述驱动薄膜晶体管(T2)的栅极与开关薄膜晶体管(T1)的漏极电性连接，漏极连接恒压高电位(Vdd)，源极连接节点(A)；所述检测薄膜晶体管(T3)的栅极接入检测开启信号(RD)，源极连接节点(A)，漏极通过检测线(12)电性连接第一运算放大器(Y1)的负输入端；所述有机发光二极管(D)的阳极电性连接节点(A)，阴极接地。
3.如权利要求2所述的AMOLED实时补偿***，其特征在于，所述像素单元(1)还包括一存储电容(C)，所述存储电容(C)的一端电性连接驱动薄膜晶体管(T2)的栅极，另一端电性连接节点(A)。
4.如权利要求2所述的AMOLED实时补偿***，其特征在于，所述源极驱动与实时检测补偿集成模块(2)还包括电性连接于所述控制模块(5)的电流检测单元(23)，所述电流检测单元(23)通过第二开关(S2)与所述检测线(12)导通或断开。
5.如权利要求4所述的AMOLED实时补偿***，其特征在于，还包括电性连接控制模块(5)的存储模块(6)，所述控制模块(5)根据电流检测单元(23)量测到的电流值来计算有机发光二极管(D)的阈值电压偏差，所述存储模块(6)用于存放所述机发光二极管(D)的阈值电压偏差。
6.如权利要求2或权利要求5所述的AMOLED实时补偿***，其特征在于，该AMOLED实时补偿***的工作过程按先后顺序分为五个阶段：
数据信号输入阶段：控制模块(5)控制数据信号输入源极驱动与实时检测补偿集成模块(2)，锁存于锁存缓冲单元(21)；
数据信号输出阶段：所述栅极驱动信号(WR)为高电位，数据信号(data)为高电位，检测开启信号(RD)为低电位，第一开关(S1)接地，第二运算放大器(Y2)输出端输出数据信号(data)，开关薄膜晶体管(T1)导通，驱动薄膜晶体管(T2)导通；所述驱动薄膜晶体管源极目标电压获取单元(22)根据驱动薄膜晶体管源极目标电压与数据信号(data)的函数关系f(data)来计算获取驱动薄膜晶体管源极目标电压；
驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时检测阶段：检测开启信号(RD)置为高电位，检测薄膜晶体管(T3)导通，第一运算放大器(Y1)的正、负输入端分别接入驱动薄膜晶体管源极目标电压与驱动薄膜晶体管源极实际电压，输出端输出驱动薄膜晶体管源极目标电压与实际电压的差值(ΔV)；
驱动薄膜晶体管阈值电压偏差实时补偿阶段：第一开关(S1)接第一运算放大器(Y1)的输出端，第二运算放大器(Y2)的正输入端接入数据信号(data)，负输入端接第一运算放大器(Y1)的输出端，输出端输出数据信号(data)电压与第一运算放大器(Y1)输出端电压的加和；
显示阶段：栅极驱动信号(WR)与检测开启信号(RD)转变为低电位，开关薄膜晶体管(T1)与检测薄膜晶体管(T3)截止，有机发光二极管(D)发光显示。
7.如权利要求6所述的AMOLED实时补偿***，其特征在于，该AMOLED实时补偿***的工作过程还包括设于数据信号输入阶段之前的有机发光二极管阈值电压偏差检测阶段：所述栅极驱动信号(WR)为高电位，数据信号(data)为低电位，检测开启信号(RD)为高电位，第一开关(S1)接地，第二开关(S2)闭合，驱动薄膜晶体管(T2)截止，检测薄膜晶体管(T3)导通，所述电流检测单元(23)通过第二开关(S2)与所述检测线(12)导通，电流检测单元(23)通过检测线(12)对有机发光二级管(D)放电，电流检测单元(23)将量测到的电流值传给所述控制模块(5)，所述控制模块(5)计算出有机发光二极管(D)的阀值电压偏差值，并存在存储模块(6)中；
在接下来的数据信号输入阶段：控制模块(5)先将有机发光二极管(D)的阀值电压偏差补偿给数据信号，再将补偿后的数据信号输入源极驱动与实时检测补偿集成模块(2)。
8.如权利要求6所述的AMOLED实时补偿***，其特征在于，所述第一开关(S1)在低电位的控制下接地，在高电位的控制下接第一运算放大器(Y1)的输出端。
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